JPH04338680A - Superluminescent diode - Google Patents

Superluminescent diode

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JPH04338680A
JPH04338680A JP3141458A JP14145891A JPH04338680A JP H04338680 A JPH04338680 A JP H04338680A JP 3141458 A JP3141458 A JP 3141458A JP 14145891 A JP14145891 A JP 14145891A JP H04338680 A JPH04338680 A JP H04338680A
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active layer
conductivity type
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active
band gap
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昇市 唐木田
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豊 永井
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Abstract

PURPOSE:To obtain an SLD having a smooth and unimodal spectral shape by so setting a laminating order of active layers in multiple active layers to an irregular order that electrons and holes do not fall in the active layer having a lowest band gap energy. CONSTITUTION:Multiple active layers 10 are formed by laminating two or more active layers in such a manner that the active layers having a band gap energy corresponding to a part of a vertex of a spectral shape including a unimodal and broad spreading are thickened in a distribution and the active layers having a band gap energy corresponding to each part isolated from the vertex toward a bottom, are thinned in a distribution toward the bottom. The laminating order of the layers is so set to an irregular order that electrons and holes do not concentrically fall in the active layer having a lowest band gap energy.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、スーパー・ルミネッ
セント・ダイオード(以下SLDと称す)に関し、特に
自然放出光のスペクトル形状が単峰でブロードな広がり
を持つSLDに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to super luminescent diodes (hereinafter referred to as SLDs), and particularly to SLDs in which the spectral shape of spontaneously emitted light is unimodal and broad.

【0002】0002

【従来の技術】近年、半導体レーザと発光ダイオードの
中間に位置づけられるであろうSLDが注目されている
。この発光デバイスは、発光ダイオードのようなブロー
ドなスペクトルの広がりを持ち、半導体レーザと同程度
の高い出力を持つ光を出射することが可能である。した
がって、SLDは高出力でインコヒーレントな光を指向
性良く取り出すことができるという利点がある。この利
点を生かして、航空機や船舶の時々刻々の位置情報を取
得して目的地へ導くための慣性航法装置の構成要素であ
るファイバー・ジャイロ用光源等に利用が進められてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, SLDs, which are positioned between semiconductor lasers and light emitting diodes, have attracted attention. This light-emitting device has a broad spectrum spread like a light-emitting diode, and can emit light with as high output as a semiconductor laser. Therefore, the SLD has the advantage of being able to extract high-output, incoherent light with good directionality. Taking advantage of this advantage, it is being used as a light source for fiber gyros, which is a component of inertial navigation systems that obtain moment-by-moment position information of aircraft and ships and guide them to their destinations.

【0003】SLDの構造及び製造のポイントは、いか
にレーザ発振を抑え、自然放出光のスペクトル幅を広げ
、その光出力を高くするかである。
The key points in the structure and manufacture of SLDs are how to suppress laser oscillation, widen the spectrum width of spontaneously emitted light, and increase its optical output.

【0004】図4は従来のSLDの基本的な構造を示し
た断面図であり、図において、1はn電極、2はn形G
aAs基板、3はn形AlGaAs第1のクラッド層、
4aは第1活性層、4bは第2活性層であり、これら2
つの活性層4a,4bはわずかに異なったバントギャッ
プ・エネルギーを持っている。5はその2つの活性層4
a,4bを挟み込み、それらより高いバンドギャップ・
エネルギーを持ったガイド層、6はp形AlGaAs第
2のクラッド層、7はn形GaAs層、8はp電極、9
はZn拡散領域である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the basic structure of a conventional SLD. In the figure, 1 is an n-electrode, 2 is an n-type G
an aAs substrate, 3 an n-type AlGaAs first cladding layer;
4a is a first active layer, 4b is a second active layer, and these two
The two active layers 4a, 4b have slightly different bunt gap energies. 5 is the two active layers 4
sandwiching a and 4b, and forming a higher bandgap than them.
Guide layer with energy, 6 p-type AlGaAs second cladding layer, 7 n-type GaAs layer, 8 p electrode, 9
is a Zn diffusion region.

【0005】図5は図4で示した従来のSLDからn電
極を除去した上面図であり、図において、Zn拡散領域
9は上から観ると、共振器方向に平行でなく、ある角度
を持って傾いているのが分かるが、これはレーザ発振を
抑制するためである。また、さらにレーザ端面での反射
率も前面3%、後面3%にすることで、レーザ発振を抑
制している。
FIG. 5 is a top view with the n-electrode removed from the conventional SLD shown in FIG. You can see that it is tilted, but this is to suppress laser oscillation. Further, the reflectance at the laser end face is set to 3% on the front surface and 3% on the rear surface to suppress laser oscillation.

【0006】図6は図4で示した従来のSLDのバンド
ダイヤグラムを示している。図において、EgC,Eg
G,Eg1,Eg2はそれぞれ第1,第2のクラッド層
3,6、ガイド層5、第1活性層4a,第2活性層4b
のバンドギャップ・エネルギーを示しており、この順に
バンドギャップ・エネルギーは大きい。また図中のλC
 ,λG ,λ1 ,λ2 はそれぞれ第1,第2のク
ラッド層3,6、ガイド層5,第1活性層4a,第2活
性層4bのバンドギャップ・エネルギーに対応した波長
を示しており、この順に波長は短い。
FIG. 6 shows a band diagram of the conventional SLD shown in FIG. In the figure, EgC, Eg
G, Eg1, and Eg2 are the first and second cladding layers 3 and 6, the guide layer 5, the first active layer 4a, and the second active layer 4b, respectively.
The bandgap energies are shown in order of increasing bandgap energy. Also, λC in the figure
, λG , λ1 , λ2 indicate wavelengths corresponding to the bandgap energies of the first and second cladding layers 3 and 6, the guide layer 5, the first active layer 4a, and the second active layer 4b, respectively. In order, the wavelength becomes shorter.

【0007】次に動作について説明する。SLDのpn
接合に対して順方向に、つまりp電極8に正、n電極1
に負となるように電圧を印加すると、Zn拡散領域9直
下の2つの活性層部分4a,4bに効率良く電子と正孔
が注入され、素子端面より自然放出光及び誘導放出光が
出射される。このスペクトル形状を図7に示す。
Next, the operation will be explained. SLD pn
In the forward direction with respect to the junction, that is, positive to p electrode 8, positive to n electrode 1
When a negative voltage is applied to the Zn diffusion region 9, electrons and holes are efficiently injected into the two active layer portions 4a and 4b directly below the Zn diffusion region 9, and spontaneous emission light and stimulated emission light are emitted from the device end face. . The shape of this spectrum is shown in FIG.

【0008】図7は図6のバンドダイヤグラムに対応し
て、放出された自然放出光及び誘導放出光のスペクトル
形状を示す図であり、図において、第1活性層4aから
バンドギャップエネルギーEg1に対応した中心波長λ
1 の自然放出光及び誘導放出光が第2活性層4bから
バンドギャップ・エネルギーEg2に対応した中心波長
λ2 の自然放出光及び誘導放出光が放出され、各々が
足し合わされたスペクトル形状となっていることが分か
る。このように、2つの自然放出光及び誘導放出光が足
し合わされているため、そのスペクトルは1つの活性層
からの自然放出光及び誘導放出光のスペクトルよりもブ
ロードな広がりを持つ。
FIG. 7 is a diagram showing the spectral shapes of the emitted spontaneous emission light and stimulated emission light, corresponding to the band diagram of FIG. center wavelength λ
The spontaneous emission light and the stimulated emission light of 1 are emitted from the second active layer 4b, and the spontaneous emission light and the stimulated emission light of the center wavelength λ2 corresponding to the band gap energy Eg2 are emitted, and each of them has a spectral shape that is added. I understand that. In this way, since the two spontaneously emitted lights and the stimulatedly emitted light are added together, the spectrum has a broader spread than the spectrum of the spontaneously emitted light and the stimulatedly emitted light from one active layer.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来のSLDは以上の
ように構成されているので、スペクトル形状は広がって
いたが、なだらかな単峰ではなく双峰であるためレンズ
の集光性が悪かった。
[Problem to be solved by the invention] Since the conventional SLD was configured as described above, the spectral shape was spread, but since it was bimodal rather than a gentle single peak, the light focusing ability of the lens was poor. .

【0010】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、なだらかで単峰な幅広いスペ
クトル形状を持ったSLDを得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and aims to obtain an SLD having a wide, gentle, unimodal spectral shape.

【0011】[0011]

【発明を解決するための手段】この発明に係るSLDは
、単峰でブロードな広がりをもつスペクトル形状におけ
る頂点の部分に相当するバンドギャップ・エネルギーを
持つ活性層は厚く、頂点から裾に向かって離れた各部分
に相当する、バンドギャップ・エネルギーを持つ活性層
は該裾に向かうに従い薄い分布となるように、種々のバ
ンドギャップ・エネルギーを持つ2つ以上の活性層を積
層し形成した多重活性層を、それよりバンドギャップ・
エネルギーの大きい第1,第2のクラッド層間に備え、
かつ上記多重活性層における各活性層の積層順序は、電
子と正孔がバンドギャップ・エネルギーの最も低い活性
層に集中して落ち込んでしまわないような不規則な順序
としたものである。
Means for Solving the Invention The SLD according to the present invention has a thick active layer having a bandgap energy corresponding to the apex portion of a spectrum shape having a single peak and broad spread, and has a bandgap energy that is thick from the apex to the bottom. A multi-activated active layer is formed by laminating two or more active layers with various band gap energies so that the active layers with band gap energies corresponding to each separated part become thinner in distribution toward the bottom. bandgap layer.
Provided between the first and second cladding layers with high energy,
In addition, the order in which the active layers in the multi-active layer are stacked is irregular so that electrons and holes are not concentrated in the active layer with the lowest band gap energy.

【0012】0012

【作用】この発明においては、単峰でブロードな広がり
をもつスペクトル形状における頂点の部分に相当する、
バンドギャップ・エネルギーを持つ活性層は厚く、頂点
から裾に向かって離れた各部分に相当するバンドギャッ
プ・エネルギーを持つ活性層は該裾に向かうに従い薄い
分布となるように、種々のバンドギャップ・エネルギー
を持つ2つ以上の活性層を積層し形成した多重活性層を
、それよりバンドギャップ・エネルギーの大きい第1,
第2のクラッド層間に備え、かつ上記多重活性層におけ
る各活性層の積層順序を、電子と正孔がバンドギャップ
・エネルギーの最も低い活性層に集中して落ち込んでし
まわないような不規則な順序としたので、なだらかで単
峰なスペクトル形状を持ったSLDを得ることができる
[Operation] In this invention, the spectral shape corresponds to the apex portion of a spectrum shape having a single peak and a broad spread.
The active layer with bandgap energy is thick, and the active layer with bandgap energy corresponding to each part away from the top toward the bottom becomes thinner toward the bottom. A multi-active layer formed by laminating two or more active layers with energy is combined with a first active layer having a larger bandgap energy,
between the second cladding layers, and the stacking order of each active layer in the multi-active layer is irregular so that electrons and holes do not concentrate and fall in the active layer with the lowest band gap energy. Therefore, it is possible to obtain an SLD with a gentle, unimodal spectral shape.

【0013】[0013]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は本発明の一実施例によるSLDの正面を示
す正面図であり、図において、10は単峰でブロードな
広がりをもつスペクトル形状における頂点の部分に相当
する、バンドギャップ・エネルギーを持つ活性層は厚く
、頂点から裾に向かって離れた各部分に相当するバンド
ギャップ・エネルギーを持つ活性層は該裾に向かうに従
い薄い分布となるように、種々のバンドギャップ・エネ
ルギーを持つ2つ以上の活性層を積層し形成した多重活
性層であり、該多重活性層10における各活性層の積層
順序は、電子と正孔がバンドギャップ・エネルギーの最
も低い活性層に集中して落ち込んでしまわないような不
規則な順序としている。またこの例では、合計12層の
活性層から構成されている。なお従来例の図5で示した
ように、Zn拡散領域9は上から観ると、レーザ発振を
抑制するため共振器方向に平行でなく、ある角度を持っ
て傾いている。その他の部分は、従来と同様もしくは相
当部分を示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view showing the front side of an SLD according to an embodiment of the present invention. In the figure, 10 indicates an active material having a bandgap energy corresponding to the apex portion of a spectrum shape having a single peak and broad spread. The active layer is thick and has two or more layers with various bandgap energies so that the active layer has a bandgap energy corresponding to each part separated from the top toward the bottom and becomes thinner toward the bottom. This is a multi-active layer formed by stacking active layers, and the stacking order of each active layer in the multi-active layer 10 is set so that electrons and holes do not concentrate and fall in the active layer with the lowest band gap energy. It is in an irregular order. Further, in this example, the active layer is composed of a total of 12 layers. As shown in FIG. 5 of the conventional example, when viewed from above, the Zn diffusion region 9 is not parallel to the resonator direction but is inclined at a certain angle in order to suppress laser oscillation. Other parts are the same as or equivalent to conventional parts.

【0014】図2は図1で示した本実施例のSLDのバ
ンドダイヤグラムである。図において、EgC,Eg3
,Eg4,Eg5,Eg6はそれぞれクラッド層3,6
、多重活性層10内のバンドギャップ・エネルギーを示
しており、この順にバンドギャップエネルギーは大きい
。また図中λC ,λ3 ,λ4 ,λ5 ,λ6 は
それぞれクラッド層3,6、多重活性層10内のバンド
ギャップ・エネルギーに対応した波長を示しており、こ
の順に波長は短い。
FIG. 2 is a band diagram of the SLD of this embodiment shown in FIG. In the figure, EgC, Eg3
, Eg4, Eg5, and Eg6 are cladding layers 3 and 6, respectively.
, shows the bandgap energies in the multiple active layer 10, and the bandgap energies increase in this order. Further, in the figure, λC, λ3, λ4, λ5, and λ6 indicate wavelengths corresponding to the bandgap energies in the cladding layers 3 and 6 and the multiple active layer 10, respectively, and the wavelengths are shorter in this order.

【0015】次に動作について説明する。SLDのpn
接合に対して順方向に、つまりp電極8に正、n電極1
に負となるように電圧を印加すると、多重活性層10内
の各活性層に電子と正孔が注入され、素子端面より自然
放出光及び誘導放出光が出射される。ここで、図2で示
したバンドダイヤグラムを例にとり、この放出光につい
て説明する。多重活性層10内では、4つの異なったバ
ンドギャップ・エネルギーEg3,Eg4,Eg5,E
g6を持った12の活性層が存在している。ここで、E
g3,Eg4,Eg5,Eg6のバンドギャップ・エネ
ルギーを持った各活性層の合計層厚の比は2:3:4:
5であり、上記多重活性層10は上記のような構成とな
っているので、そのスペクトル形状はEg6のバンドギ
ャップ・エネルギーに対応するλ6 を中心に単峰でブ
ロードな広がりを持つ。
Next, the operation will be explained. SLD pn
In the forward direction with respect to the junction, that is, positive to p electrode 8, positive to n electrode 1
When a voltage is applied so as to make it negative, electrons and holes are injected into each active layer in the multiple active layer 10, and spontaneous emission light and stimulated emission light are emitted from the device end face. Here, this emitted light will be explained using the band diagram shown in FIG. 2 as an example. Within the multi-active layer 10, four different bandgap energies Eg3, Eg4, Eg5, E
There are 12 active layers with g6. Here, E
The ratio of the total layer thickness of each active layer with bandgap energies of g3, Eg4, Eg5, and Eg6 is 2:3:4:
Since the multi-active layer 10 has the above-described configuration, its spectrum shape has a single peak and a broad spread centered on λ6 corresponding to the bandgap energy of Eg6.

【0016】なお、上記Eg3,Eg4,Eg5,Eg
6のバンドギャップ・エネルギーを持った多重活性層に
おける各活性層の合計層厚の比が上記同様に2:3:4
:5であるものとして、図3に示すような、Eg3,E
g4,Eg5,Eg6のバンドギャップ・エネルギーが
放物線状の規則性のある積層を示す、多重活性層が考え
られるが、上記実施例で説明した多重活性層10とは異
なり、電子と正孔がバンドギャップ・エネルギーの最も
低い活性層に集中して落ち込むため、この多重活性層を
有するSLDから得られるスペクトル形状にはブロード
な広がりを得ることはできない。
[0016] Furthermore, the above Eg3, Eg4, Eg5, Eg
The ratio of the total layer thickness of each active layer in multiple active layers with a bandgap energy of 6 is 2:3:4 as above.
:5, Eg3,E as shown in FIG.
A multiple active layer in which the bandgap energies of g4, Eg5, and Eg6 exhibit parabolic regularity is considered, but unlike the multiple active layer 10 described in the above embodiment, electrons and holes are stacked in a band. Since the drop is concentrated in the active layer with the lowest gap energy, it is not possible to obtain a broad broadening in the spectral shape obtained from this SLD having multiple active layers.

【0017】このように上記実施例では、単峰でブロー
ドな広がりをもつスペクトル形状における頂点の部分に
相当するバンドギャップ・エネルギーを持つ活性層は厚
く、頂点から裾に向かって離れた各部分に相当する、バ
ンドギャップ・エネルギーを持つ活性層は該裾に向かう
に従い薄い分布となるように、種々のバンドギャップ・
エネルギーを持つ2つ以上の活性層を積層し形成した多
重活性層10を、それよりバンドギャップ・エネルギー
の大きい第1,第2のクラッド層間3,6に備え、かつ
上記多重活性層10における各活性層の積層順序を、電
子と正孔がバンドギャップ・エネルギーの最も低い活性
層に集中して落ち込んでしまわないような不規則な順序
としたので、なだらかで単峰なスペクトル形状を持った
SLDを得ることができる。
As described above, in the above embodiment, the active layer having a bandgap energy corresponding to the apex portion of the spectrum shape having a single peak and broad spread is thick, and the active layer has a bandgap energy corresponding to the apex portion of the spectrum shape having a single peak and broad spread. The active layer with the corresponding bandgap energy becomes thinner in distribution toward the tail.
A multiple active layer 10 formed by laminating two or more active layers having energy is provided between the first and second cladding layers 3 and 6 having a larger band gap energy, and each of the multiple active layers 10 is The active layer is laminated in an irregular order that prevents electrons and holes from concentrating on the active layer with the lowest bandgap energy and falling, resulting in an SLD with a gentle, unimodal spectral shape. can be obtained.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上のように、この発明に係るSLDに
よれば、単峰でブロードな広がりをもつスペクトル形状
における頂点の部分に相当する、バンドギャップ・エネ
ルギーを持つ活性層は厚く、頂点から裾に向かって離れ
た各部分に相当する、バンドギャップ・エネルギーを持
つ活性層は該裾に向かうに従い薄い分布となるように、
種々のバンドギャップ・エネルギーを持つ2つ以上の活
性層を積層し形成した多重活性層を、それよりバンドギ
ャップ・エネルギーの大きい第1,第2のクラッド層間
に備え、かつ上記多重活性層における各活性層の積層順
序を、電子と正孔がバンドギャップ・エネルギーの最も
低い活性層に集中して落ち込んでしまわないような不規
則な順序としたので、なだらかで単峰なスペクトル形状
を持ったSLDを得ることができる効果がある。
As described above, according to the SLD of the present invention, the active layer having bandgap energy corresponding to the apex portion of a spectrum shape with a single peak and broad spread is thick and has The active layer having bandgap energy, which corresponds to each part separated toward the tail, is distributed so that it becomes thinner as it goes toward the tail.
A multiple active layer formed by laminating two or more active layers having various band gap energies is provided between first and second cladding layers having a larger band gap energy, and each of the multiple active layers is The active layer is laminated in an irregular order that prevents electrons and holes from concentrating on the active layer with the lowest bandgap energy and falling, resulting in an SLD with a gentle, unimodal spectral shape. There is an effect that can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】この発明の一実施例によるSLDの構造を示す
構造断面図。
FIG. 1 is a structural sectional view showing the structure of an SLD according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例によるSLDのバンドダイ
ヤグラムを示すバンドダイヤグラム図。
FIG. 2 is a band diagram showing a band diagram of an SLD according to an embodiment of the present invention.

【図3】放物線状の規則性のある多重活性層を有するS
LDのバンドダイヤグラムを示すバンドダイヤグラム図
[Figure 3] S with multiple active layers with parabolic regularity
FIG. 3 is a band diagram showing a band diagram of an LD.

【図4】従来のSLDの構造を示す構造断面図。FIG. 4 is a structural cross-sectional view showing the structure of a conventional SLD.

【図5】従来のSLDからn電極を除去した上面図。FIG. 5 is a top view of a conventional SLD with an n-electrode removed.

【図6】従来のSLDのバンドダイヤグラムを示すバン
ドダイヤグラム図。
FIG. 6 is a band diagram showing a band diagram of a conventional SLD.

【図7】従来のSLDのスペクトラム形状を示す波形図
である。
FIG. 7 is a waveform diagram showing the spectrum shape of a conventional SLD.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1      n電極 2      n形GaAs基板 3      n形AlGaAs第1のクラッド層4a
    第1活性層 4b    第2活性層 5      ガイド層 6      p形AlGaAs第2のクラッド層7 
     p形GaAsコンタクト層8      p
電極 9      Zn拡散領域 10    多重活性層
1 n-electrode 2 n-type GaAs substrate 3 n-type AlGaAs first cladding layer 4a
First active layer 4b Second active layer 5 Guide layer 6 P-type AlGaAs second cladding layer 7
p-type GaAs contact layer 8p
Electrode 9 Zn diffusion region 10 Multiple active layers

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  基板上に配置された第1導電型のクラ
ッド層,該第1導電型と反対導電型の第2導電型のクラ
ッド層及びこれらに挟まれたアンドープ,第1あるいは
第2導電型の活性層からなるダブルヘテロ構造と、上記
第2導電型のクラッド層上に配置された第1導電型のコ
ンタクト層と、該第1導電型コンタクト層中に上記第2
導電型クラッド層に達して形成されたストライプ状の第
2導電型の拡散領域とを有し、該拡散領域を介して上記
活性層内に電流が注入されるスーパー・ルミネッセント
・ダイオードにおいて、上記活性層は、アンドープ,第
1導電型あるいは第2導電型で、かつ単峰でブロードな
広がりをもつスペクトル形状における頂点の部分に相当
する、バンドギャップ・エネルギーを持つ活性層は厚く
、頂点から裾に向かって離れた各部分に相当するバンド
ギャップ・エネルギーを持つ活性層は該裾に向かうに従
い薄い分布となるように、種々のバンドギャップ・エネ
ルギーを持つ2つ以上の活性層を積層し形成した多重活
性層であることを特徴とするスーパー・ルミネッセント
・ダイオード。
1. A cladding layer of a first conductivity type disposed on a substrate, a cladding layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, and an undoped, first or second conductivity layer sandwiched therebetween. a double heterostructure consisting of a type active layer, a first conductivity type contact layer disposed on the second conductivity type cladding layer, and a second conductivity type contact layer disposed on the second conductivity type cladding layer;
a stripe-shaped second conductivity type diffusion region formed reaching the conductivity type cladding layer, and in which a current is injected into the active layer through the diffusion region; The active layer is undoped, first conductivity type, or second conductivity type, and has a bandgap energy corresponding to the apex part of a spectrum shape with a single peak and broad spread. A multilayer structure in which two or more active layers with various band gap energies are laminated so that the active layers with band gap energies corresponding to the parts separated from each other become thinner in distribution toward the bottom. A super luminescent diode characterized by an active layer.
【請求項2】  上記多重活性層における各活性層の積
層順序は、電子と正孔がバンドギャップ・エネルギーの
最も低い活性層に集中して落ち込んでしまわないような
不規則な順序としたことを特徴とするスーパー・ルミネ
ッセント・ダイオード。
2. The stacking order of each active layer in the multi-active layer is irregular so that electrons and holes do not concentrate and fall in the active layer with the lowest band gap energy. Features a super luminescent diode.
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