JPH04334049A - 半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置Info
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- JPH04334049A JPH04334049A JP10453391A JP10453391A JPH04334049A JP H04334049 A JPH04334049 A JP H04334049A JP 10453391 A JP10453391 A JP 10453391A JP 10453391 A JP10453391 A JP 10453391A JP H04334049 A JPH04334049 A JP H04334049A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特に高
周波、中でもマイクロ波帯以上で使用されるFET、ト
ランジスタ、ICのような半導体素子を実装するための
半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置に
関するものである。
周波、中でもマイクロ波帯以上で使用されるFET、ト
ランジスタ、ICのような半導体素子を実装するための
半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来技術では、例えば、図6及び図7に
示したようなパッケージ及びそれを用いた半導体装置が
実用化されている。即ち、先ず、図6を用いてプラスチ
ックで半導体素子を封止した半導体装置を説明する。こ
の半導体装置はFET、トランジスタ、ICのような半
導体素子1を金属製のリードフレーム2のダイパッド3
に載置してダイボンドし、半導体素子1の電極4とリー
ドフレーム2とをボンディングワイヤー5で接続し、半
導体素子1の表面に樹脂をポッティングした後、プラス
チックで封止し、一体成型された構造になっている。
示したようなパッケージ及びそれを用いた半導体装置が
実用化されている。即ち、先ず、図6を用いてプラスチ
ックで半導体素子を封止した半導体装置を説明する。こ
の半導体装置はFET、トランジスタ、ICのような半
導体素子1を金属製のリードフレーム2のダイパッド3
に載置してダイボンドし、半導体素子1の電極4とリー
ドフレーム2とをボンディングワイヤー5で接続し、半
導体素子1の表面に樹脂をポッティングした後、プラス
チックで封止し、一体成型された構造になっている。
【0003】また、図7にはセラミックや金属のパッケ
ージで半導体素子を封止した半導体装置が示されている
。この半導体装置はセラミックや金属でできたパッケー
ジ6及びその中に配置した半導体素子1を金属ベース7
にダイボンドし、半導体素子1の電極4とリード8とを
ボンディングワイヤ5で接続し、その後金属蓋9で封止
された構造になっている。
ージで半導体素子を封止した半導体装置が示されている
。この半導体装置はセラミックや金属でできたパッケー
ジ6及びその中に配置した半導体素子1を金属ベース7
にダイボンドし、半導体素子1の電極4とリード8とを
ボンディングワイヤ5で接続し、その後金属蓋9で封止
された構造になっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6の
ようなパッケージによる半導体装置では、半導体素子表
面に直接プラスチックが接触し、高周波特性を劣化させ
ており、またボンディングワイヤによるインダクタンス
成分で高周波特性が劣化する。図7のようなパッケージ
による半導体装置では、やはりボンディングワイヤによ
るインダクタンス成分で高周波特性が劣化するほか、プ
ラスチックによるパッケージに比べ高価であるという課
題がある。
ようなパッケージによる半導体装置では、半導体素子表
面に直接プラスチックが接触し、高周波特性を劣化させ
ており、またボンディングワイヤによるインダクタンス
成分で高周波特性が劣化する。図7のようなパッケージ
による半導体装置では、やはりボンディングワイヤによ
るインダクタンス成分で高周波特性が劣化するほか、プ
ラスチックによるパッケージに比べ高価であるという課
題がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明では枠
型に形成した本体を構成する各側壁の上部に段部を設け
、リードの内端をそれぞれの側壁の内面と同一面に止め
、かつリードの表面をそれぞれの段部の面と同一面に配
置されるように非金属材料で一体成形し、これらの段部
に半導体素子の表面が下向きになるように載置して、そ
の半導体素子の電極を直接または金属パンプ等を用いて
接続し、その半導体素子の表面側に空間を構成するよう
になし、一方前記半導体素子の裏面側を封止するように
して前記課題を解決した。
型に形成した本体を構成する各側壁の上部に段部を設け
、リードの内端をそれぞれの側壁の内面と同一面に止め
、かつリードの表面をそれぞれの段部の面と同一面に配
置されるように非金属材料で一体成形し、これらの段部
に半導体素子の表面が下向きになるように載置して、そ
の半導体素子の電極を直接または金属パンプ等を用いて
接続し、その半導体素子の表面側に空間を構成するよう
になし、一方前記半導体素子の裏面側を封止するように
して前記課題を解決した。
【0006】
【作用】従って、この発明のパッケージ及びそれを用い
た半導体装置は、ワイヤボンディングが不要になり、従
って前記ワイヤによるインダクタンス成分で高周波特性
が劣化するようなことがなくなった。
た半導体装置は、ワイヤボンディングが不要になり、従
って前記ワイヤによるインダクタンス成分で高周波特性
が劣化するようなことがなくなった。
【0007】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面と共に詳述す
る。図1はこの発明の実施例である半導体装置用パッケ
ージの斜視図、図2は図1の半導体装置用パッケージに
用いたリードフレームの面で切断した平面図である。ま
た図3はは図1の半導体装置用パッケージを用いた第1
の実施例の半導体装置の断面図、図4は図1の半導体装
置用パッケージを用いた第2の実施例の半導体装置の断
面図、そして図5は図1の半導体装置用パッケージの変
形パッケージを用いた第3の実施例の半導体装置である
。
る。図1はこの発明の実施例である半導体装置用パッケ
ージの斜視図、図2は図1の半導体装置用パッケージに
用いたリードフレームの面で切断した平面図である。ま
た図3はは図1の半導体装置用パッケージを用いた第1
の実施例の半導体装置の断面図、図4は図1の半導体装
置用パッケージを用いた第2の実施例の半導体装置の断
面図、そして図5は図1の半導体装置用パッケージの変
形パッケージを用いた第3の実施例の半導体装置である
。
【0008】先ず、図1及び図2を用いてこの発明の半
導体装置用パッケージ(以下、単に「パッケージ」と記
す)を説明する。符号10は全体としてパッケージを指
す。このパッケージ10は本体11とリードフレーム1
2とから構成されている。本体11はセラミック、ガラ
ス、プラスチック等の絶縁性非金属材料からなり、上面
が開口した有底の箱型をしており、この箱型本体11を
形成している4側壁13a、13b、13c及び13d
の前記開口部近辺は肉厚が薄くなるようにして段部14
a、14b、14c及び14d(段部14c及び14d
は図2に示した)を構成するように成形する。
導体装置用パッケージ(以下、単に「パッケージ」と記
す)を説明する。符号10は全体としてパッケージを指
す。このパッケージ10は本体11とリードフレーム1
2とから構成されている。本体11はセラミック、ガラ
ス、プラスチック等の絶縁性非金属材料からなり、上面
が開口した有底の箱型をしており、この箱型本体11を
形成している4側壁13a、13b、13c及び13d
の前記開口部近辺は肉厚が薄くなるようにして段部14
a、14b、14c及び14d(段部14c及び14d
は図2に示した)を構成するように成形する。
【0009】図2にリードフレーム12を示した。この
実施例のリードフレーム12は信号・電源用電極リード
12bと接地電極リード12aとからなり(以下、単に
リードと記す)、これらのリード12a及び12bは箱
型本体11(一点鎖線で示した)の各側壁13a、13
b、13c及び13dに対して直角に十字型に構成され
ている。
実施例のリードフレーム12は信号・電源用電極リード
12bと接地電極リード12aとからなり(以下、単に
リードと記す)、これらのリード12a及び12bは箱
型本体11(一点鎖線で示した)の各側壁13a、13
b、13c及び13dに対して直角に十字型に構成され
ている。
【0010】各リード12a及び12bの内端は各側壁
13a、13b、13c及び13dの内側面15a、1
5b、15c及び15dと面一になるように、そして前
記段部14a、14b、14c及び14dの表面と丁度
同一面になるるように、そして更に各リード12a及び
12bの外端は各側壁13a、13b、13c及び13
dから充分に長く引き出されるように、それぞれ配置、
構成されるようにして、前記絶縁性非金属材料で本体1
1を成形し、パッケージ10を形成する。
13a、13b、13c及び13dの内側面15a、1
5b、15c及び15dと面一になるように、そして前
記段部14a、14b、14c及び14dの表面と丁度
同一面になるるように、そして更に各リード12a及び
12bの外端は各側壁13a、13b、13c及び13
dから充分に長く引き出されるように、それぞれ配置、
構成されるようにして、前記絶縁性非金属材料で本体1
1を成形し、パッケージ10を形成する。
【0011】次に、このパッケージ10を用いた半導体
装置20を図3を用いて説明する。21は半導体素子で
、この発明のパッケージ10の本体11に形成した段部
14a、14b、14c及び14dに搭載する。22は
金、銅等の金属バンプであって予め半導体素子21に形
成してもよく、或いはリード12a及び12bに形成し
ておいてもよい。いずれにしてもリード12a及び12
bを半導体素子21にボンディングして、フリップチッ
プマウントした後、半導体素子21の裏面からシリコン
樹脂等の封止材料23で封止する。24は空間で、半導
体素子21が取り扱う信号の周波数にもよるが、その周
波数が高く、マイクロ波帯になるほど、半導体素子21
の表面とパッケージ10の本体11の内部底面との距離
を充分に開け、金属物体が近づいても浮遊容量の影響が
少なく、或いは影響がないようにし、高周波特性を損な
わないようにすることが肝要である。
装置20を図3を用いて説明する。21は半導体素子で
、この発明のパッケージ10の本体11に形成した段部
14a、14b、14c及び14dに搭載する。22は
金、銅等の金属バンプであって予め半導体素子21に形
成してもよく、或いはリード12a及び12bに形成し
ておいてもよい。いずれにしてもリード12a及び12
bを半導体素子21にボンディングして、フリップチッ
プマウントした後、半導体素子21の裏面からシリコン
樹脂等の封止材料23で封止する。24は空間で、半導
体素子21が取り扱う信号の周波数にもよるが、その周
波数が高く、マイクロ波帯になるほど、半導体素子21
の表面とパッケージ10の本体11の内部底面との距離
を充分に開け、金属物体が近づいても浮遊容量の影響が
少なく、或いは影響がないようにし、高周波特性を損な
わないようにすることが肝要である。
【0012】図4は図1のパッケージ10を用いた第2
の実施例の半導体装置20であって、第1の実施例と殆
ど同様の構成をとり、異なる点は半導体素子21の裏面
上方を金属、セラミック等の蓋25で封止し、その蓋2
5と半導体素子21との間に、熱伝導性の良い物質26
を充填した。この空間は空気のような気体でもよいが、
熱伝導性物質26を充填することによって一層熱放散が
良くなる。
の実施例の半導体装置20であって、第1の実施例と殆
ど同様の構成をとり、異なる点は半導体素子21の裏面
上方を金属、セラミック等の蓋25で封止し、その蓋2
5と半導体素子21との間に、熱伝導性の良い物質26
を充填した。この空間は空気のような気体でもよいが、
熱伝導性物質26を充填することによって一層熱放散が
良くなる。
【0013】図1のパッケージ10は有底のパッケージ
であるが、図5の示したようにモールドパッケージを枠
体27のみで形成し、その底を金属、セラミック等の底
蓋28で囲い、空間24を形成したもので、他は図4の
実施例の構成と同じである。
であるが、図5の示したようにモールドパッケージを枠
体27のみで形成し、その底を金属、セラミック等の底
蓋28で囲い、空間24を形成したもので、他は図4の
実施例の構成と同じである。
【0014】
【発明の効果】以上のように、この発明のパッケージ及
びそれを用いた半導体装置は、パッケージそのものをプ
ラスチック、セラミック、ガラス等の非金属材料で形成
したので安価にでき、しかもリードフレームをパッケー
ジ成形と一体に埋め込み、そして同時に段部を形成した
ので半導体素子を位置決めし易く、そしてフリップチッ
プマントができるのでワイヤボンディングが不要になり
、配線の信頼性を向上できる。そして更に空間を形成し
た中空構造にしたので高周波特性の劣化を防止すること
ができるなど数々の優れた効果がある。
びそれを用いた半導体装置は、パッケージそのものをプ
ラスチック、セラミック、ガラス等の非金属材料で形成
したので安価にでき、しかもリードフレームをパッケー
ジ成形と一体に埋め込み、そして同時に段部を形成した
ので半導体素子を位置決めし易く、そしてフリップチッ
プマントができるのでワイヤボンディングが不要になり
、配線の信頼性を向上できる。そして更に空間を形成し
た中空構造にしたので高周波特性の劣化を防止すること
ができるなど数々の優れた効果がある。
【図1】この発明の実施例である半導体装置用パッケー
ジの斜視図である。
ジの斜視図である。
【図2】図1の半導体装置用パッケージに用いたリード
フレームの面で切断した平面図である。
フレームの面で切断した平面図である。
【図3】図1の半導体装置用パッケージを用いた第1の
実施例の半導体装置の断面図である。
実施例の半導体装置の断面図である。
【図4】図1の半導体装置用パッケージを用いた第2の
実施例の半導体装置の断面図である。
実施例の半導体装置の断面図である。
【図5】図1の半導体装置用パッケージの変形パッケー
ジを用いた第3の実施例の半導体装置である。
ジを用いた第3の実施例の半導体装置である。
【図6】従来技術の半導体装置及びそのパッケージ方法
の第1の例である。
の第1の例である。
【図7】従来技術の半導体装置用パッケージ及びそれを
用いた半導体装置の第2の例である。
用いた半導体装置の第2の例である。
10 半導体装置用パッケージ
11 本体
12 リードフレーム
13a 側壁
13b 側壁
13c 側壁
13d 側壁
14a 段部
14b 段部
14c 段部
14d 段部
15a 内側面
15b 内側面
15c 内側面
15d 内側面
20 半導体装置
21 半導体素子
22 金属バンプ
23 封止材料
24 空間
25 蓋
26 熱伝導性物質
27 枠体
28 底蓋
Claims (2)
- 【請求項1】枠型に形成された本体を構成する各側壁の
上部に段部を設け、リードの内端を該各側壁の内面と同
一面に止め、かつリードの表面を該段部の面と同一面に
配置されるように非金属材料で一体成形されたことを特
徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項2】前記段部に半導体素子の表面が下向きにな
るように載置して、該半導体素子の電極を直接または金
属パンプ等を用いて接続し、前記半導体素子の表面側に
空間を構成するようになし、一方前記半導体素子の裏面
側を封止したことを特徴とする請求項1の半導体装置用
パッケージを用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10453391A JPH04334049A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10453391A JPH04334049A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04334049A true JPH04334049A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14383136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10453391A Pending JPH04334049A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 半導体装置用パッケージ及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04334049A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6239497B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-05-29 | Nec Corporation | Substrate for packing semiconductor device and method for packing a semiconductor device in the substrate |
JP2013171878A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | New Japan Radio Co Ltd | パワー半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP10453391A patent/JPH04334049A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6239497B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-05-29 | Nec Corporation | Substrate for packing semiconductor device and method for packing a semiconductor device in the substrate |
JP2013171878A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | New Japan Radio Co Ltd | パワー半導体装置及びその製造方法 |
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