JPH04331743A

JPH04331743A - 結晶化ガラス

Info

Publication number: JPH04331743A
Application number: JP9893191A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Nishii; 由和西井
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1991-04-30
Filing date: 1991-04-30
Publication date: 1992-11-19
Anticipated expiration: 2016-03-12
Also published as: JP3144820B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド基板として
好ましく用いられる結晶化ガラスに関する。

【０００２】

【従来技術】従来、オーディオカセットテープ，ＶＴＲ
，磁気ディスク等の磁気ヘッドにはフェライトが用いら
れてきたが、昨今情報量が多量になり、記録の高密度化
が要望されるようになってきた。こうなるとフェライト
では能力不足となり、磁束密度の高いセンダスト合金（
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）が使用されるようになる。ただし、
バルクセンダストは■非常に加工性が悪い、■高周波に
なるにつれ渦電流損失が大きくなり、初透磁率を大きく
低下させてしまい、再生感度を悪くするなどの理由によ
りバルクのままでは使用困難である。そこで非磁性基板
にセンダストを薄膜化して使うことが提案されている。薄膜センダストは薄膜化技術でバルクの困難な加工性を
カバーでき、高周波になっても渦電流損失が低減できる
ので初透磁率も低下せず、再生感度も向上する。このよ
うなセンダスト合金を薄膜化して使用するには必ず基板
が必要となる。この基板に磁性材を使うと疑似ギャップ
等の問題が起こるが、非磁性基板を用いるとより良い特
性をもつ磁気ヘッドが作製できることになる。しかしな
がら、この非磁性基板が単にセンダストを支持するだけ
で良いのではなく、種々の特性が望まれる。センダスト
磁気ヘッド基板に求められる必要特性は、（１）加工性
、（２）耐熱性、（３）高膨張性及び膨張係数のマッチ
ング性、（４）耐摩耗性、高硬度性、（５）化学的耐久
性（耐候性）の５点である。これらをそれぞれ詳細に述
べると、

【０００３】（１）加工性：種々の磁気ヘッド形状にす
るには何段階もの加工工程が入る。たとえば、平面加工
、溝加工、切断加工などがある。平面加工では充分な平
坦度を出したり、面荒さを小さいものにする必要がある
。何故ならば、磁気ヘッドにはセンダストの薄膜をコー
ティングするために平滑な面加工が要求されるからであ
る。溝加工および切断加工においては、加工できないほ
ど硬度が高すぎてはならず、さらに磁気ヘッドはその大
きさが１〜２ｍｍ角と小さいためその微細加工中にチッ
ピング（角部の欠け現象）がおこらない材料であること
が重要である。

【０００４】（２）耐熱性：蒸着又はスパッタリングに
よって基板上にコーティングされたセンダスト薄膜は磁
気特性を充分発揮させる為に、通常６００℃〜６５０℃
にて熱処理が行なわれる。したがって６００℃以上の温
度に耐える耐熱性が要求される。

【０００５】（３）高膨張性及び膨張係数のマッチング
性：６００℃以上の耐熱性が必要なことは上で述べたが
、前記所定の磁気特性をセンダスト薄膜に付与するため
の熱処理の昇温、降温時に、もし基板とセンダスト薄膜
との間の膨張係数のマッチングが良くなければ、熱処理
後センダスト薄膜が剥がれてしまったり、剥がれず残っ
ていてもセンダスト薄膜中に熱ひずみが残存し、せっか
く熱処理したにもかかわらず、充分な磁気特性は得られ
ない。よって膨張係数のマッチング性が必要となる。薄膜化したセンダストの３０℃から６００℃の平均膨張
係数は約１５０×１０−７／℃である。基板にも、この
１５０×１０−７／℃に近似の１３０〜１７０×１０−
７／℃の高膨張性をもたせるとともに基板とセンダスト
薄膜とをマッチングさせる必要がある。

【０００６】（４）耐摩耗性、高硬度性：薄膜磁気ヘッ
ドの場合、磁気テープや磁気ディスクに接触するのはほ
とんどすべてが基板であると言っても過言ではない。よ
って、磁気テープや磁気ディスクと摩擦することによる
磁気ヘッドの摩耗がない、もしくは少ないという信頼性
を得るには基板自身の耐摩耗性が大きな要因となる。摩
耗機構を考察すると、耐摩耗性を向上させるには高硬度
化することが有効であることは周知である。ただし、あ
まりにも高硬度化すると今度は加工性が悪くなったり、
テープやディスクをキズつけてしまうことも事実である
。

【０００７】（５）化学的耐久性（耐候性）：様々な加
工工程や洗浄工程において、水や薬品が多量に使われる
。また、磁気ヘッドとして実装されても四季の移りかわ
りや様々な使用環境に遭遇する。従って、化学的耐久性
（耐候性）が良好であることが必須条件であることは言
うまでもない。

【０００８】これまでセンダスト磁気ヘッド用基板とし
て、以下のものが提案されている。製造中の膨張係数安
定性を特徴とした特開昭６３−２１００３９号公報に記
載のもの、高硬度を特徴とした特開昭４９−１２５４１
９号公報に記載のもの、高膨張係数を特徴とし、結晶核
生成剤としてＺｒＯ２　，ＴｉＯ２　を用いた特開昭５
６−１４９３４４号および特開昭５９−２０３７３６号
公報に記載のものがそれである。ところがこれらは、個
々に特徴ある特性をもたせることができても、センダス
ト磁気ヘッド基板としての上記５点の必要特性のすべて
を満足するものではない。

【０００９】また特公平２−１１５３８号公報には、Ｓ
ｉＯ２　　　７６〜８４％、Ａｌ２　Ｏ３　１〜７％、
Ｌｉ２　Ｏ　　８〜１３％、Ｋ２　Ｏ　　０〜６％、Ｎ
ａ２　Ｏ　　０〜３％、ＲＯ（Ｒ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，
Ｂａ，Ｚｎ，Ｐｂ）０〜５％およびＢ２　Ｏ３　　　０
〜３％からなる基礎ガラス１００重量部に対して、増感
剤として所定量のＣｅＯ２　を、核形成剤として所定量
のＡｇおよび／またはＡｕを含む結晶化ガラスが開示さ
れており、この結晶化ガラスは、上記５種の特性の（１
）加工性、（３）高膨張性及び膨張係数のマッチング性
、（４）耐摩耗性、高硬度性をある程度満足するが、未
だ十分でなく、特に（２）耐熱性および（５）化学的耐
久性（耐候性）が劣るという欠点がある。

【００１０】

【発明の目的】本発明の目的は、センダスト磁気ヘッド
基板として必要な特性である（１）加工性、（２）耐熱
性、（３）高膨張性及び膨張係数のマッチング性、（４
）耐摩耗性、高硬度性、および（５）化学的耐久性（耐
候性）のすべてを満足し、センダスト磁気ヘッド基板と
して好適な結晶化ガラスを提供することにある。

【００１１】

【発明の構成】本発明者は、上記目的を達成するため、
検討を加えた結果、前記特公平２−１１５３８号公報記
載の従来の結晶化ガラスが（２）耐熱性および（５）化
学的耐久性（耐候性）が劣る理由は、結晶化ガラス中に
主結晶としてメタケイ酸リチウムがジケイ酸リチウムお
よびα−石英とともに含まれるためであることを見い出
し、この知見に基づきさらに検討した結果、ＳｉＯ２　
，Ｌｉ２　Ｏ，Ｋ２　Ｏ，ＺｎＯ，ＳｒＯ，Ｇｄ２　Ｏ
３　を下記の所定割合で含有する基礎ガラス１００重量
部に対してＡｇ，Ａｕ，ＣｅＯ２　およびＳｎＯ２　を
下記の所定割合で含む組成物を熱処理すると、結晶相の
主結晶としてジケイ酸リチウムとα−石英が生じ、前記
（２）耐熱性および（５）化学的耐久性（耐候性）を劣
化させるメタケイ酸リチウムは生じないので、前記（２
）および（５）の特性が著るしく改善された結晶化ガラ
スが得られること及びこの結晶化ガラスは、上記従来の
結晶化ガラスの欠点である、前記（１）加工性、（３）
高膨張性及び膨張係数のマッチング性および（４）耐摩
耗性、高硬度性の特性の不十分さを解消することを見い
出し、本発明を完成した。

【００１２】すなわち、本発明の結晶化ガラスは、重量
百分率でＳｉＯ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　７３〜８３％，Ｌｉ２　Ｏ　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　５〜１３％，Ｋ２　Ｏ　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１
〜　　８％，ＺｎＯ　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　０．５〜　　９％，ＳｒＯ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜１０％，
Ｇｄ２　Ｏ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　０〜　　８％，ＺｎＯ＋ＳｒＯ＋Ｇｄ２　Ｏ３
　　　　　　　５〜１３％を含有してなる基礎ガラス１
００重量部に対して、Ａｇ　　０．００１〜０．１重量
部、Ａｕ　　０〜０．０１重量部、ＣｅＯ２　　　０〜
０．０１重量部およびＳｎＯ２　　　０〜０．２重量部
を含み、熱処理によって生じた結晶相の主結晶がジケイ
酸リチウムとα−石英であることを特徴とする。また本
発明の結晶化ガラスは熱膨張係数が１３０〜１７０×１
０−７／℃であることを特徴とする。なお、本明細書に
おいて、セリウムおよびスズの酸化物を「ＣｅＯ２　」
、「ＳｎＯ２　」と便宜上記載したが、本明細書におい
て「ＣｅＯ２　」、「ＳｎＯ２　」はＣｅ４＋、Ｓｎ４
＋の酸化物（ＣｅＯ２　、ＳｎＯ２　）以外にＣｅ３＋
の酸化物（Ｃｅ２　Ｏ３　）、Ｓｎ２＋の酸化物（Ｓｎ
Ｏ）などの各種原子価を有するＣｅ、Ｓｎの酸化物を含
むものとする。

【００１３】本発明において基礎ガラスの組成を上述の
ように限定した理由は以下の通りである。ＳｉＯ２　は
析出結晶ジケイ酸リチウム及びα−石英の必須成分であ
り、かつマトリックスガラス相中でもガラス骨格となる
ものである。ＳｉＯ２　が８３％より多いときには、溶
融性が著しく悪くなったり、α−石英の析出量が増大し
、所望の膨張係数が得られない。一方、ＳｉＯ２　が７
３％より少ないときには析出結晶がジケイ酸リチウム、
α−石英以外にクリストバライト、トリジマイト、メタ
ケイ酸リチウムの結晶が析出してきて所望の膨張係数が
得られず、均質な結晶化ガラスが得られない。また化学
的耐久性（耐候性）も悪化する。従ってＳｉＯ２　の割
合は７３〜８３％に限定される。

【００１４】Ｌｉ２　Ｏは析出結晶ジケイ酸リチウムの
必須成分であり、ジケイ酸リチウムの析出量はＬｉ２　
Ｏの導入量でほぼコントロールすることができる。Ｌｉ
２　Ｏが１３％より多いときには、より多くのジケイ酸
リチウムが析出する為α−石英の析出量がおさえられて
しまい、高膨張率化ができない。またマトリックスガラ
ス相中にも多くのＬｉ２　Ｏが入るため化学的耐久性や
耐熱性が低下する。一方、Ｌｉ２　Ｏが５％より少ない
ときには、溶融性の低下がおこり、分相もおこりやすく
なる。分相したガラスは熱処理しても均一な結晶化ガラスは得
られない。また、２つの析出結晶のうちでα−石英が多
量に析出する為、膨張係数が高くなりすぎてしまう。従
ってＬｉ２　Ｏの割合は５〜１３％に限定される。

【００１５】Ｋ２　Ｏはガラスの溶解温度を下げると同
時に分相をおさえる。特定量のＫ２　Ｏの導入により析
出結晶の微小化をうながし半透明性を示すまでになる。またα−石英の析出抑制剤となり、所望の膨張係数に合
せることができる。Ｋ２　Ｏが８％より多い場合には、
α−石英の析出量が少量となり所望の膨張係数が得られ
ない。また、結晶化ガラス中のマトリックスガラス中にＫ２　
Ｏが多く残存することにより化学的耐久性が悪くなる。一方、Ｋ２　Ｏが１％未満では分相がおきやすく均質な
結晶化ができず、従って微細な結晶を生じないので、半
透明性も示さない。従ってＫ２　Ｏの割合は１〜８％に
限定される。

【００１６】ＺｎＯはα−石英を析出させる助剤となり
高膨張率化にも役立つ。ＺｎＯが９ｗｔ％より多いとき
には、α−石英を多量に析出させ膨張係数を著しく大き
くし、所望の値より大きなものとなってしまう。またＬ
ｉ２　Ｏ−ＺｎＯ−ＳｉＯ２　系の結晶も同時に析出さ
せる。一方、ＺｎＯが０．５％未満の時にはα−石英以外にク
リストバライトの析出がはげしくなり、均質な結晶化が
起らず表面のみが結晶化する。従ってＺｎＯの割合は０
．５〜９％に限定される。

【００１７】またＳｒＯ，Ｇｄ２　Ｏ３　は、切断加工
、溝加工時のチッピングを押え、かつ耐熱性、化学的耐
久性を向上させる。しかしＳｒＯ，Ｇｄ２　Ｏ３　がそ
れぞれ１０％，８％超えると、析出結晶が巨大化し、半
透明性を示さなくなるので、ＳｒＯ，Ｇｄ２　Ｏ３　の
割合はそれぞれ１０％以下、８％以下に限定される。

【００１８】上述のＺｎＯ，ＳｒＯおよびＧｄ２　Ｏ３
　は、これらの合量を５〜１３％にする必要がある。そ
の理由は、上記範囲においてのみ微細な結晶が生じるの
で、例えば平面研磨したときに面粗さが小さくなり加工
性に優れたものとなるだけでなく、外観上半透明性を示
すからである。

【００１９】本発明においては、上記の組成からなる基
礎ガラス１００重量部に対して、Ａｇが０．００１〜０
．１重量部、Ａｕが０〜０．０１重量部、ＣｅＯ２　が
０〜０．０１重量部およびＳｎＯ２　が０〜０．２重量
部含有される。これらは結晶核形成剤として用いられ、
主結晶としてジケイ酸リチウム及びα−石英を優先的に
析出させる。これらのうち、Ａｇは必須成分であり、少
なくとも０．００１重量部含有させる必要があるが、０
．１重量部を超えると、Ａｇがガラス中に溶解せず、Ａ
ｇ金属粒として白金るつぼの底に貯り、白金と合金を作
るので、０．００１〜０．１重量部に限定される。任意
成分であるＡｕは助剤としてＡｇの働きを助けるために
用いられるが、０．０１重量部を超えると、ガラス中に
溶解せず、Ａｕ金属粒となって白金と合金を作るので、
０．０１重量部以下に限定される。

【００２０】ＣｅＯ２　はガラス中のＡｇイオンを紫外
線照射によりＡｇの金属コロイドとする還元剤としての
役目をはたすが、ＣｅＯ２　が０．０１重量部を超える
とガラス表面のみのセリウムが酸化される為、表面層の
みＡｇ金属コロイドが析出し、熱処理すると表面結晶化
状態となるので、０．０１重量部以下に限定される。

【００２１】ＳｎＯ２　はＣｅＯ２　の還元助剤として
働くが、０．２重量部を超えると、紫外光を照射する前
に成形したガラスの除歪アニール中にＡｇイオンを熱還
元してしまうので、０．２重量部以下に限定される。

【００２２】なお、Ｓｂ２　Ｏ３　を脱泡剤として用い
ても良いが、１．０％重量部を超えると、ＳｎＯ２　同
様、ガラスの除歪アニール中にＡｇイオンが熱還元して
しまうので、１．０重量部以下が好ましい。

【００２３】本発明の結晶化ガラスの製造例を示すと以
下の通りである。基礎ガラスおよび結晶核形成剤の原料
を調合し、白金るつぼを使用して１４００〜１６００℃
で溶融した後、溶融ガラスをダクタイル鋳型に流し出し
成形し、ガラス転移点温度付近に保持した電気炉内に入
れて徐冷しガラスを得る。このガラスを４００Ｗの水銀
ランプ下に１秒以上放置し、紫外線を照射する。次に２
段階の熱処理により結晶化を行なう。すなわち、常温か
ら１００℃／ｈｒの昇温速度で５００〜６００℃まで加
熱し、３０分〜１０時間その温度で保持し核形成（一次
熱処理）を行なう。そして５０℃／ｈｒの昇温速度で８
００〜９００℃まで加熱しその温度で３０分〜２０時間
保持し、結晶成長（二次熱処理）を行なった後、電気炉
を断電し放冷する。常温になった素材は茶色の半透明性
を示す結晶化ガラスである。析出した主結晶はジケイ酸
リチウムとα−石英である。

【００２４】なお、結晶核形成剤としてＳｎＯ２　を添
加した場合には、上記紫外線照射を省略してもよい。す
なわち、Ｓｎイオンは紫外線照射なしの直接熱処理によ
って酸化され、Ｓｎイオンの酸化によって放出された電
子によってＡｇイオンがＡｇ金属に還元されるからであ
る。

【００２５】上述のように本発明の結晶化ガラスは、析
出した主結晶がジケイ酸リチウムとα−石英であり、ク
リストバライトやメタケイ酸リチウムを実質的に含まな
い。クリストバライトはα−β転移が２４０℃という低
温にあるため、３０℃から６００℃という高温までの膨
張係数をセンダストの膨脹係数である１５０×１０−７
／℃に近づけることは困難である。またクリストバライ
トは表面層に結晶化をおこしやすい為、均一な結晶化ガ
ラスは作りずらい。またメタケイ酸リチウムは高膨張係
数の結晶化ガラスとするには良い結晶であるが、酸に容
易に侵され易く化学的耐久性（耐候性）が劣る。これに
対して本発明において、主結晶をジケイ酸リチウムとα
−石英の２種に絞ることにより、上記５種の特性すなわ
ち、（１）加工性、（２）耐熱性、（３）高膨張性及び
膨張係数のマッチング性、（４）耐摩耗性、高硬度性、
（５）化学的耐久性（耐候性）の全てを満足し、磁気ヘ
ッド基板として好ましく用いられる結晶化ガラスが得ら
れる。

【００２６】

【実施例】基礎ガラスの原料としてＳｉＯ２　、Ｌｉ２
　ＣＯ３　、ＫＮＯ３　、ＺｎＯ、Ｓｒ（ＮＯ３　）２
　、Ｇｄ２　Ｏ３　を、そして結晶核形成剤の原料とし
てＡｇＣｌ、Ａｕペースト、ＣｅＯ２　、ＳｎＯ２　を
、さらに脱泡剤としてＳｂ２　Ｏ３　を用い、表１およ
び表２に示すガラスが得られるように調合し、そのバッ
チを１００ｃｃ白金るつぼを使って１４５０℃で５時間
溶融し、脱泡、清澄した。この溶融ガラスをダクタイル
鋳型に流し出し成形し、次いで除歪のため５００℃の電
気炉内に１時間保持したあと断電放冷した。冷却したガ
ラスは４００Ｗの水銀ランプの下で１分間紫外線を照射
した（なお、表２の試料■については、この紫外線照射
を行なわなかった）。次に熱処理を以下のように行なっ
た。すなわち、まず常温から１００℃／ｈｒの昇温速度
で５３０℃まで加熱し、５３０℃で５時間保持して核形
成（一次熱処理）を行なった。そしてひき続き５０℃／
ｈｒの昇温速度で８３０℃、８４０℃または８５０℃ま
で加熱し、８３０℃（表１の試料■、表２の試料■、■
）、８４０℃（表１の試料■）または８５０℃（表１の
試料■、■）で２時間保持し、結晶成長（二次熱処理）
を行なった。その後電気炉を断電し常温まで放置した。得られた結晶化ガラスは茶色の半透明性を示す外観を呈
し、主結晶はジケイ酸リチウムとα−石英であった。

【００２７】得られた結晶化ガラスについて、（１）加
工性、（２）耐熱性、（３）高膨張性及び膨張係数のマ
ッチング性、（４）耐摩耗性、高硬度性、（５）化学的
耐久性（耐候性）を下記の方法により測定した。

【００２８】（１）加工性：加工性の評価は実際に平面
研摩と溝加工を行なって検討した。平面研摩においては
通常の光学研摩を行ない、面荒さが２００オングストロ
ーム以下まで加工可能なものを良とした。溝加工は加工
後、光学顕微鏡８０倍で目視し、チッピングがないもの
を良とした。

【００２９】（２）耐熱性：センダストの最良の磁気特
性を得るために、６００〜６５０℃の熱処理が薄膜形成
後行なわれる。この６００℃以上の温度に耐え得る様に
結晶化ガラス作製の二次熱処理が８００℃以上で行なえ
るものを良とした。

【００３０】（３）高膨張性及び膨張係数のマッチング
性：センダスト薄膜の膨張係数が３０℃から６００℃で
約１５０×１０−７／℃であるので、膨脹係数が１３０
〜１７０×１０−７／℃の範囲に入るものを良とした。

【００３１】（４）耐摩耗性、高硬度性：高硬度化する
ことにより耐摩耗性は向上するが、あまりに高硬度化し
すぎると加工性が悪くなる。そこでヌープ硬さで６００
ＭＰａ　を超え８００ＭＰａ　以下のものを良とした。

【００３２】（５）化学的耐久性：化学的耐久性の評価
は日本光学硝子工業会規格の光学硝子化学的耐久性測定
法Ｎｏ．０６による耐水性にて検討し、減量率０．１重
量％以下のものを良とした。

【００３３】上記（１）〜（５）についての測定結果を
表１および表２に示す。表１および表２より本実施例の
結晶化ガラスは、（１）加工性としての面荒さ、チッピ
ング、（２）耐熱性としての二次熱処理温度、（３）高
膨張性及び膨張係数のマッチング性としての平均線膨張
係数、（４）耐摩耗性、高硬度性としてのヌープ硬さ、
（５）化学的耐久性（耐候性）としての減量率のすべて
において満足すべき値を示した。

【００３４】比較のため、従来の化学切削性感光性結晶
化ガラスについて上記（１）〜（５）を評価した結果を
表２の比較例に示す。この比較例の結晶化ガラスは、実
施例の結晶化ガラス■〜■と主要なＳｉＯ２　・Ｌｉ２
　Ｏ量はほぼ同等であるが、他の成分量が異なり、特に
本発明の結晶化ガラスに含まれないＡｌ２　Ｏ３　を含
むためセンダスト磁気ヘッド基板用としては特性上満足
できるものでないことが判明した。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【表２】

【００３７】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、セン
ダスト磁気ヘッド基板として必要な特性である（１）加
工性、（２）耐熱性、（３）高膨張性及び膨張係数のマ
ッチング性、（４）耐摩耗性、高硬度性、（５）化学的
耐久性（耐候性）のすべてを満足し、センダスト磁気ヘ
ッド基板として好適な結晶化ガラスが提供された。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　重量百分率で、ＳｉＯ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　７３〜８３％，Ｌｉ２　Ｏ　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　５〜１３％，Ｋ２　Ｏ　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１
〜　　８％，ＺｎＯ　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　０．５〜　　９％，ＳｒＯ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜１０％，
Ｇｄ２　Ｏ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　０〜　　８％，ＺｎＯ＋ＳｒＯ＋Ｇｄ２　Ｏ３
　　　　　　　５〜１３％を含有してなる基礎ガラス１
００重量部に対して、Ａｇ　　０．００１〜０．１重量
部、Ａｕ　　０〜０．０１重量部、ＣｅＯ２　　　０〜
０．０１重量部およびＳｎＯ２　　　０〜０．２重量部
を含み、熱処理によって生じた結晶相の主結晶がジケイ
酸リチウムとα−石英であることを特徴とする結晶化ガ
ラス。
【請求項２】　　熱膨張係数が１３０〜１７０×１０−
７／℃である、請求項１に記載の結晶化ガラス。