JPH04330791A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
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-
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- H01S5/041—Optical pumping
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ共振器内の光強
度の大きい空間を利用して被変調光に効率よく変調をか
けるための光変調器に関するものである。
度の大きい空間を利用して被変調光に効率よく変調をか
けるための光変調器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ピコ秒程度の短時間で急峻に変化するレ
ーザ光パルスが媒質中を伝播すると、媒質の非線形光学
効果によりスペクトルが広がり、白色に近い極短パルス
が得られる。このような光は、ｃｏｎｔｉｎｕｕｍまた
はｓｕｐｅｒｃｏｎｔｉｎｕｕｍとよばれている。
ーザ光パルスが媒質中を伝播すると、媒質の非線形光学
効果によりスペクトルが広がり、白色に近い極短パルス
が得られる。このような光は、ｃｏｎｔｉｎｕｕｍまた
はｓｕｐｅｒｃｏｎｔｉｎｕｕｍとよばれている。
【０００３】レーザー光のスペクトルを広げるための技
術として、非線形媒質による位相変調を利用する方法が
ある。これは、パルス光自身が媒質の屈折率を変化させ
ることにより光の位相が変調されて周波数変化が生じる
ので、自己位相変調（ＳＰＭ：Ｓｅｌｆ Ｐｈａｓｅ
Ｍｏｄｕｒａｔｉｏｎ）とよばれる。
術として、非線形媒質による位相変調を利用する方法が
ある。これは、パルス光自身が媒質の屈折率を変化させ
ることにより光の位相が変調されて周波数変化が生じる
ので、自己位相変調（ＳＰＭ：Ｓｅｌｆ Ｐｈａｓｅ
Ｍｏｄｕｒａｔｉｏｎ）とよばれる。
【０００４】また、被変調光とは別に、ポンプ光を非線
形媒質に入射して、被変調光に位相変調をかける方法（
ＩＰＭ：Ｉｎｄｕｃｅ Ｐｈａｓｅ Ｍｏｄｕｒａ
ｔｉｏｎまたは、ＸＰＭ：Ｃｒｏｓｓ Ｐｈａｓｅ
Ｍｏｄｕｒａｔｉｏｎ）がある。このＩＰＭとＸＰＭ
の違いは、ＩＰＭが外部から媒質内に入射した光が他の
強い光パルスによって位相変調され、スペクトルが広が
るのに対し、ＸＰＭでは励起光パルスが誘起する誘導ラ
マン散乱、高調波発生、誘導４光波混合によって励起光
と異なる波長の光が発生し、これを中心としてスペクト
ルの広い光が生成される点にある。このように、複数の
メカニズムが同時に存在することにより、スペクトルが
一層広範囲に広がる。
形媒質に入射して、被変調光に位相変調をかける方法（
ＩＰＭ：Ｉｎｄｕｃｅ Ｐｈａｓｅ Ｍｏｄｕｒａ
ｔｉｏｎまたは、ＸＰＭ：Ｃｒｏｓｓ Ｐｈａｓｅ
Ｍｏｄｕｒａｔｉｏｎ）がある。このＩＰＭとＸＰＭ
の違いは、ＩＰＭが外部から媒質内に入射した光が他の
強い光パルスによって位相変調され、スペクトルが広が
るのに対し、ＸＰＭでは励起光パルスが誘起する誘導ラ
マン散乱、高調波発生、誘導４光波混合によって励起光
と異なる波長の光が発生し、これを中心としてスペクト
ルの広い光が生成される点にある。このように、複数の
メカニズムが同時に存在することにより、スペクトルが
一層広範囲に広がる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳＰＭによる場
合、位相変調量は、入射光強度に依存しているため、効
果的にスペクトルを広げるには、大ピークパワーのレー
ザーパルスを入射する必要がある。また、従来のＩＰＭ
またはＸＰＭによる場合、被変調光は、大ピークパワー
でなくてもよいが、ポンプ光は、やはり大ピークパワー
である必要がある。このように、非線形効果を利用した
光変調においては、変調の効率が光のピークパワーの大
きさに依存しており、高い変調効率が得られないという
問題があった。
合、位相変調量は、入射光強度に依存しているため、効
果的にスペクトルを広げるには、大ピークパワーのレー
ザーパルスを入射する必要がある。また、従来のＩＰＭ
またはＸＰＭによる場合、被変調光は、大ピークパワー
でなくてもよいが、ポンプ光は、やはり大ピークパワー
である必要がある。このように、非線形効果を利用した
光変調においては、変調の効率が光のピークパワーの大
きさに依存しており、高い変調効率が得られないという
問題があった。
【０００６】本発明は、大ピークパワーのパルスを用い
ることなく光変調を効果的に行える光変調器を得ること
を目的とするものである。
ることなく光変調を効果的に行える光変調器を得ること
を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ共振器
に被変調光を入射し、このレーザ共振器中で被変調光に
変調をかけるための光変調器において、前記レーザ共振
器内に、レーザ発振を起すためのレーザ媒質と、前記レ
ーザ共振器の外部から入射される被変調光を変調する非
線形媒質とを具備してなることを特徴とする光変調器で
ある。前記非線形媒質は、少なくとも２個以上を有し、
また、この非線形媒質は、非線形屈折率効果を有する媒
質であるものとする。
に被変調光を入射し、このレーザ共振器中で被変調光に
変調をかけるための光変調器において、前記レーザ共振
器内に、レーザ発振を起すためのレーザ媒質と、前記レ
ーザ共振器の外部から入射される被変調光を変調する非
線形媒質とを具備してなることを特徴とする光変調器で
ある。前記非線形媒質は、少なくとも２個以上を有し、
また、この非線形媒質は、非線形屈折率効果を有する媒
質であるものとする。
【０００８】
【作用】レーザ共振器内は、外部に取り出されるレーザ
光よりも充分高いパワーを有している。そのため、入射
した被変調光は、レーザ共振器内の非線形媒質により効
果的に変調がかけられる。また、複数の非線形媒質を有
する場合、他の非線形媒質は、他の目的、例えば電界を
印加して屈折率を変化させ、強度変調を行ったり、高調
波発生を行なったりするものである。
光よりも充分高いパワーを有している。そのため、入射
した被変調光は、レーザ共振器内の非線形媒質により効
果的に変調がかけられる。また、複数の非線形媒質を有
する場合、他の非線形媒質は、他の目的、例えば電界を
印加して屈折率を変化させ、強度変調を行ったり、高調
波発生を行なったりするものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１により説明
する。本実施例は、非変調光のスペクトルを広げる働き
を有するものである。１は、レーザ共振器で、このレー
ザ共振器１は、基本的には、入力ミラー２と、出力ミラ
ー３と、レーザ媒質４と、このレーザ媒質４の励起手段
６とからなる。
する。本実施例は、非変調光のスペクトルを広げる働き
を有するものである。１は、レーザ共振器で、このレー
ザ共振器１は、基本的には、入力ミラー２と、出力ミラ
ー３と、レーザ媒質４と、このレーザ媒質４の励起手段
６とからなる。
【００１０】本発明では、レーザ共振器１の内部の同一
軸上に、非線形効果を有する非線形媒質５を設け、さら
に必要に応じて強度変調手段７を設けて、被変調光をこ
のレーザ共振器１の内部の非線形媒質５中で光変調して
スペクトルを広げようとするものである。
軸上に、非線形効果を有する非線形媒質５を設け、さら
に必要に応じて強度変調手段７を設けて、被変調光をこ
のレーザ共振器１の内部の非線形媒質５中で光変調して
スペクトルを広げようとするものである。
【００１１】前記入力ミラー２は、被変調光を透過し、
レーザ共振器１で発振するレーザの波長の光を高反射す
るミラーで、また、前記出力ミラー３は、変調光を透過
し、レーザ共振器１で発振するレーザの波長の光を高反
射するミラーである。
レーザ共振器１で発振するレーザの波長の光を高反射す
るミラーで、また、前記出力ミラー３は、変調光を透過
し、レーザ共振器１で発振するレーザの波長の光を高反
射するミラーである。
【００１２】前記レーザ媒質４は、半導体、固体、液体
、気体の４つのいずれであってもよい。これらの代表例
として、半導体は、ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＡ
ｌＰなど、固体は、Ｎｄ−ＹＡＧ，ＹＬＦ，Ｃｒ３＋：
Ｍｇ２ＳｉＯ４，Ｃｒ４＋：Ｍｇ２ＳｉＯ４，ファイバ
ーなど、液体は、ローダミン６Ｇなど，気体は、アルゴ
ン、エキシマ、ＣＯ２，銅蒸気などがある。
、気体の４つのいずれであってもよい。これらの代表例
として、半導体は、ＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＡ
ｌＰなど、固体は、Ｎｄ−ＹＡＧ，ＹＬＦ，Ｃｒ３＋：
Ｍｇ２ＳｉＯ４，Ｃｒ４＋：Ｍｇ２ＳｉＯ４，ファイバ
ーなど、液体は、ローダミン６Ｇなど，気体は、アルゴ
ン、エキシマ、ＣＯ２，銅蒸気などがある。
【００１３】前記励起手段６は、レーザ媒質４を励起す
る光源である。この励起手段６は、レーザ媒質４の種類
によっていろいろな励起源があるが、例えば、放電励起
、電流励起、光励起、化学反応励起などがある。本実施
例では、光励起の場合について説明する。
る光源である。この励起手段６は、レーザ媒質４の種類
によっていろいろな励起源があるが、例えば、放電励起
、電流励起、光励起、化学反応励起などがある。本実施
例では、光励起の場合について説明する。
【００１４】９はポンプ光を光軸と平行に入射するため
のダイクロイックミラーである。このダイクロイックミ
ラー９は、励起波長にのみ高反射率を有し、レーザ発振
波長および被変調光の波長に対しては高透過率を有する
ものである。ただし、光軸と直角にポンプ光を入射する
場合は、このダイクロイックミラー９は不要である。
のダイクロイックミラーである。このダイクロイックミ
ラー９は、励起波長にのみ高反射率を有し、レーザ発振
波長および被変調光の波長に対しては高透過率を有する
ものである。ただし、光軸と直角にポンプ光を入射する
場合は、このダイクロイックミラー９は不要である。
【００１５】前記非線形媒質５は、例えば、非線形屈折
率効果を有する媒質であり、具体的材料として、水素、
水（Ｈ２Ｏ，Ｄ２Ｏ）、アセトン、シクロヘキサン、窒
素、酸素、ニトロベンゼン、トルエン、クロルベンゼン
、ブロムベンゼン、ベンゼン、ＣＳ２，ＣＣｌ４，ダイ
ヤモンド、方解石、硅素、水晶、ＬｉＴａＯ３，ＬｉＮ
ｂＯ３，ＩｎＳｂなどからなる。
率効果を有する媒質であり、具体的材料として、水素、
水（Ｈ２Ｏ，Ｄ２Ｏ）、アセトン、シクロヘキサン、窒
素、酸素、ニトロベンゼン、トルエン、クロルベンゼン
、ブロムベンゼン、ベンゼン、ＣＳ２，ＣＣｌ４，ダイ
ヤモンド、方解石、硅素、水晶、ＬｉＴａＯ３，ＬｉＮ
ｂＯ３，ＩｎＳｂなどからなる。
【００１６】前記強度変調手段７は、Ｑ−スイッチ、キ
ャビテイダンパ、モードロッカ、過飽和吸収色素による
受動モード同期などからなる。ただし、レーザ媒質４が
半導体からなるときには、励起電流をパルスにすること
により、強度変調手段７を省略することができる。
ャビテイダンパ、モードロッカ、過飽和吸収色素による
受動モード同期などからなる。ただし、レーザ媒質４が
半導体からなるときには、励起電流をパルスにすること
により、強度変調手段７を省略することができる。
【００１７】強度変調手段７が、Ａ／Ｏ素子やＥ／Ｏ素
子のＱ−スイッチからなるときは、Ｑを下げておいた状
態でレーザ媒質４を励起し、反転分布密度が充分大きく
なった状態でＱを急に大きくして短時間でパルス幅の狭
いピーク出力の大きなレーザ出力を得る。強度変調手段
７が、キャビティダンパのときは、レーザ共振器１の内
部に蓄えられたエネルギーを、回折などにより瞬間的に
取り出してパルス化する。強度変調手段７が、モードロ
ッカのときは、レーザ共振器１内に、Ａ／Ｏ素子やＥ／
Ｏ素子を組み入れ、同時発振している多数の縦モードの
位相を、外部の電気信号で強制的に同期をとることによ
り、パルス化する。強度変調手段７が、過飽和吸収色素
による受動モード同期のときは、過飽和吸収色素が、弱
い光は吸収してさらに弱くし、強い光はほんのわずかし
か吸収しないので、パルス化される。
子のＱ−スイッチからなるときは、Ｑを下げておいた状
態でレーザ媒質４を励起し、反転分布密度が充分大きく
なった状態でＱを急に大きくして短時間でパルス幅の狭
いピーク出力の大きなレーザ出力を得る。強度変調手段
７が、キャビティダンパのときは、レーザ共振器１の内
部に蓄えられたエネルギーを、回折などにより瞬間的に
取り出してパルス化する。強度変調手段７が、モードロ
ッカのときは、レーザ共振器１内に、Ａ／Ｏ素子やＥ／
Ｏ素子を組み入れ、同時発振している多数の縦モードの
位相を、外部の電気信号で強制的に同期をとることによ
り、パルス化する。強度変調手段７が、過飽和吸収色素
による受動モード同期のときは、過飽和吸収色素が、弱
い光は吸収してさらに弱くし、強い光はほんのわずかし
か吸収しないので、パルス化される。
【００１８】なお、励起手段６が、強度変調手段７を兼
ねることもできる。すなわち、励起手段６が、光励起の
場合は、励起光をパルス化し、また、電流励起の場合は
、パルス電流によって励起する。さらに、これらを複数
組み合わせたハイブリッド方式とすることもできる。
ねることもできる。すなわち、励起手段６が、光励起の
場合は、励起光をパルス化し、また、電流励起の場合は
、パルス電流によって励起する。さらに、これらを複数
組み合わせたハイブリッド方式とすることもできる。
【００１９】以上のような構成において、レーザ共振器
１のレーザ媒質４は、励起手段６からの励起光により励
起され、レーザ共振器１内の強度変調手段７の作用によ
り、パルス発振が起る。レーザ共振器１内でパルス発振
している状態で、被変調光発生装置８から発生した光を
入力ミラー２から入力する。非線形媒質５の内部におい
ては、レーザ共振器１内で発振している光パルスがこの
非線形媒質５の内部を伝播しているときのみ屈折率が変
化する。したがって、レーザ共振器１内で発振している
光パルスと被変調光が重なって非線形媒質５内を伝播し
ているとき、被変調光は、位相変調を受け、出力ミラー
３からは、位相変調された光、すなわち、周波数の広が
った光が出力される。
１のレーザ媒質４は、励起手段６からの励起光により励
起され、レーザ共振器１内の強度変調手段７の作用によ
り、パルス発振が起る。レーザ共振器１内でパルス発振
している状態で、被変調光発生装置８から発生した光を
入力ミラー２から入力する。非線形媒質５の内部におい
ては、レーザ共振器１内で発振している光パルスがこの
非線形媒質５の内部を伝播しているときのみ屈折率が変
化する。したがって、レーザ共振器１内で発振している
光パルスと被変調光が重なって非線形媒質５内を伝播し
ているとき、被変調光は、位相変調を受け、出力ミラー
３からは、位相変調された光、すなわち、周波数の広が
った光が出力される。
【００２０】つぎに、図１において、レーザ共振器１の
内部に、グレーティングペアのような波長分散の補正機
構を同時に具備せしめると、レーザ共振器１内で発振し
ているレーザパルスのピークパワーを上げることができ
るため、変調効果を上げることができるとともに、得ら
れる変調光の短パルス化も可能となる。また、パルスの
幅も可変とすることができる。
内部に、グレーティングペアのような波長分散の補正機
構を同時に具備せしめると、レーザ共振器１内で発振し
ているレーザパルスのピークパワーを上げることができ
るため、変調効果を上げることができるとともに、得ら
れる変調光の短パルス化も可能となる。また、パルスの
幅も可変とすることができる。
【００２１】つぎに、本発明の第２実施例を図２に基づ
き説明する。図２は、半導体レーザの構造を有する媒質
中の活性層１２、１２の一部に、非線形屈折率効果を有
する非線形媒質５の領域を形成したものである。また、
両端面には、半導体レーザの発振波長においては高い反
射率を有し、非変調光の波長に対しては高い透過率を有
する膜１０ａ、１０ｂを蒸着してある。
き説明する。図２は、半導体レーザの構造を有する媒質
中の活性層１２、１２の一部に、非線形屈折率効果を有
する非線形媒質５の領域を形成したものである。また、
両端面には、半導体レーザの発振波長においては高い反
射率を有し、非変調光の波長に対しては高い透過率を有
する膜１０ａ、１０ｂを蒸着してある。
【００２２】このような構成において、前記半導体レー
ザを短い電流パルスで駆動すると、レーザ共振器１内で
パルス発振が生じる。このレーザ共振器１に、外部から
膜１０ａを介して非変調光を入射すると、非線形媒質５
の領域で位相変調を受け、膜１０ｂ側から変調を受けた
光が出力される。
ザを短い電流パルスで駆動すると、レーザ共振器１内で
パルス発振が生じる。このレーザ共振器１に、外部から
膜１０ａを介して非変調光を入射すると、非線形媒質５
の領域で位相変調を受け、膜１０ｂ側から変調を受けた
光が出力される。
【００２３】この第２実施例において、半導体レーザを
励起する電流源は、コムジェネレータに高周波電流を加
えた際に発生する電流パルスを用いることができる。な
お、ここでは、端面に所望の膜１０ａ、１０ｂを蒸着し
ているが、ここに、無反射コーティングを施して、別途
外部にミラーを配置するという、いわゆる外部共振器の
形態をとってもよい。
励起する電流源は、コムジェネレータに高周波電流を加
えた際に発生する電流パルスを用いることができる。な
お、ここでは、端面に所望の膜１０ａ、１０ｂを蒸着し
ているが、ここに、無反射コーティングを施して、別途
外部にミラーを配置するという、いわゆる外部共振器の
形態をとってもよい。
【００２４】つぎに、本発明の第３実施例を図３および
図４に基づき説明する。図３は、前記第１実施例と略同
様であるが、非線形媒質５ａに若干の違いがある。すな
わち、この非線形媒質５ａの両端にはマスク１３ａ、１
３ｂが設けられており、このマスク１３ａ、１３ｂによ
って、例えば、図４に示すようにプリズム型の透過領域
が形成されている。
図４に基づき説明する。図３は、前記第１実施例と略同
様であるが、非線形媒質５ａに若干の違いがある。すな
わち、この非線形媒質５ａの両端にはマスク１３ａ、１
３ｂが設けられており、このマスク１３ａ、１３ｂによ
って、例えば、図４に示すようにプリズム型の透過領域
が形成されている。
【００２５】このような構成において、レーザ共振器１
の内部においては、図１に示した第１実施例と同様に発
振する。第１実施例と異なるのは、非線形媒質５ａの両
端にマスク１３ａ、１３ｂが設けられているので、レー
ザ共振器１の内部で発振しているレーザビームの断面の
パターンがプリズム型になる点である。
の内部においては、図１に示した第１実施例と同様に発
振する。第１実施例と異なるのは、非線形媒質５ａの両
端にマスク１３ａ、１３ｂが設けられているので、レー
ザ共振器１の内部で発振しているレーザビームの断面の
パターンがプリズム型になる点である。
【００２６】図４の面Ａ側、すなわち、図３のレーザ共
振器１の光軸と直交した方向の面Ａ側から被変調光を入
射すると、レーザパルスが非線形媒質５ａの内部を伝播
しているときのみ、非線形媒質５ａ中のプリズム形状し
た領域の屈折率が変化するため、レーザ共振器１中で発
振しているレーザパルスに同期して被変調光の偏向が可
能となる。
振器１の光軸と直交した方向の面Ａ側から被変調光を入
射すると、レーザパルスが非線形媒質５ａの内部を伝播
しているときのみ、非線形媒質５ａ中のプリズム形状し
た領域の屈折率が変化するため、レーザ共振器１中で発
振しているレーザパルスに同期して被変調光の偏向が可
能となる。
【００２７】この第２実施例において、マスク１３ａ、
１３ｂはプリズムの形状に限定されるものではない。例
えば、マスク１３ａ、１３ｂの形状を、レンズの形にす
ればレーザ共振器１中で発振しているレーザパルスに同
期して被変調光の収束が可能となる。なお、マスク１３
ａ、１３ｂの位置は、図３の例に限られるものではなく
、レーザ共振器１の内部であればどこであってもよい。
１３ｂはプリズムの形状に限定されるものではない。例
えば、マスク１３ａ、１３ｂの形状を、レンズの形にす
ればレーザ共振器１中で発振しているレーザパルスに同
期して被変調光の収束が可能となる。なお、マスク１３
ａ、１３ｂの位置は、図３の例に限られるものではなく
、レーザ共振器１の内部であればどこであってもよい。
【００２８】図５は、レーザ共振器１の内部に、第２次
高調波発生器（ＳＨＧ），第３次高調波発生器（ＴＨＧ
），第４次高調波発生器（ＦＨＧ）、パラメトリックに
よる波長変換器などの波長変換機構１１を同時に具備し
た例を示している。
高調波発生器（ＳＨＧ），第３次高調波発生器（ＴＨＧ
），第４次高調波発生器（ＦＨＧ）、パラメトリックに
よる波長変換器などの波長変換機構１１を同時に具備し
た例を示している。
【００２９】図１および図５において、レーザ共振器１
の内部またはレーザ共振器１の外部に、波長選択機構を
具備せしめることができ、このようにすれば、広い範囲
において波長を換えることができる。前記実施例におい
て、非線形媒質の数は１個以上、複数個であってもよい
。
の内部またはレーザ共振器１の外部に、波長選択機構を
具備せしめることができ、このようにすれば、広い範囲
において波長を換えることができる。前記実施例におい
て、非線形媒質の数は１個以上、複数個であってもよい
。
【００３０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成したので、被
変調光およびポンプ光が大パワーピークである必要がな
くても、被変調光に効率よく変調をかけることができる
。
変調光およびポンプ光が大パワーピークである必要がな
くても、被変調光に効率よく変調をかけることができる
。
【図１】本発明による光変調器の第１実施例を示す説明
図である。
図である。
【図２】本発明による光変調器の第２実施例を示す説明
図である。
図である。
【図３】本発明による光変調器の第３実施例を示す説明
図である。
図である。
【図４】第３実施例におけるマスクをつけた非線形媒質
の斜視図である。
の斜視図である。
【図５】本発明による光変調器の第４実施例を示す説明
図である。
図である。
１…レーザ共振器、２…入力ミラー、３…出力ミラー、
４…レーザ媒質、５、５ａ…非線形媒質、６…励起手段
、７…強度変調手段、８…被変調光発生装置、９…ダイ
クロイックミラー、１０…膜、１１…波長変換機構、１
２…活性層、１３ａ、１３ｂ…マスク。
４…レーザ媒質、５、５ａ…非線形媒質、６…励起手段
、７…強度変調手段、８…被変調光発生装置、９…ダイ
クロイックミラー、１０…膜、１１…波長変換機構、１
２…活性層、１３ａ、１３ｂ…マスク。
Claims (2)
- 【請求項１】レーザ共振器に被変調光を入射し、このレ
ーザ共振器中で被変調光に変調をかけるための光変調器
において、前記レーザ共振器内に、レーザ発振を起すた
めのレーザ媒質と、前記レーザ共振器の外部から入射さ
れる被変調光を変調する非線形媒質とを具備してなるこ
とを特徴とする光変調器。 - 【請求項２】非線形媒質は、非線形屈折率効果を有する
媒質である請求項１記載の光変調器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025770A JPH04330791A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光変調器 |
| DE69227644T DE69227644T2 (de) | 1991-01-25 | 1992-01-24 | Optischer Modulator |
| EP92300609A EP0496632B1 (en) | 1991-01-25 | 1992-01-24 | Optical modulator |
| US07/826,061 US5274651A (en) | 1991-01-25 | 1992-01-27 | Optical modulator with nonlinear medium disposed interiorly of laser resonator |
| US07/895,130 US5317577A (en) | 1991-01-25 | 1992-06-08 | Optical wavelength shifter using nonlinear refractive medium disposed interiorly of laser resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025770A JPH04330791A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330791A true JPH04330791A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=12175082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025770A Pending JPH04330791A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 光変調器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274651A (ja) |
| EP (1) | EP0496632B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04330791A (ja) |
| DE (1) | DE69227644T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028379A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | モードロックレーザ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2866547B2 (ja) * | 1992-05-18 | 1999-03-08 | 松下電器産業株式会社 | レーザ装置 |
| JP3707812B2 (ja) * | 1994-09-27 | 2005-10-19 | ソニー株式会社 | 光記録方法、光記録装置及び光記録媒体 |
| US5832009A (en) * | 1995-08-18 | 1998-11-03 | Sony Corporation | Laser light emitting device, laser beacon device and laser imager display device |
| WO1999014631A1 (fr) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Kabushiki Kaisya Ushiosougougizyutsukenkyusyo | Source de lumiere |
| US6904100B1 (en) | 2000-09-29 | 2005-06-07 | Charles Christopher Romaniuk | Pulse controlled phase modulator |
| JP2004070338A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-03-04 | Canon Inc | 光波長変換装置、及び光波長変換方法 |
| JP4242141B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2009-03-18 | 株式会社トプコン | 固体レーザ装置 |
| US7324568B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-01-29 | Raytheon Company | Modulated saturable absorber controlled laser |
| WO2006015193A2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Novalux, Inc. | Apparatus, system, and method for wavelength conversion of mode-locked extended cavity surface emitting semiconductor lasers |
| US7715460B2 (en) | 2005-04-22 | 2010-05-11 | Interdigital Technology Corporation | Hybrid orthogonal frequency division multiple access system and method |
| US7889422B2 (en) * | 2005-06-02 | 2011-02-15 | Panasonic Corporation | Two-dimensional image display device |
| WO2014120371A2 (en) * | 2012-12-26 | 2014-08-07 | Newport Corporation | Diamond-based supercontinuum generation system |
| CN113675721B (zh) * | 2021-07-26 | 2024-06-28 | 江苏师范大学 | 一种基于激光照射产生宽波段白光的光源系统 |
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| FR2553204B2 (fr) * | 1983-03-04 | 1988-06-24 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de creation d'impulsions lumineuses breves |
| US4558449A (en) * | 1983-07-08 | 1985-12-10 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor laser with coupled loss modulator for optical telecommunications |
| JPH0627913B2 (ja) * | 1984-12-21 | 1994-04-13 | ソニー株式会社 | 光変調装置 |
| US4879723A (en) * | 1987-07-27 | 1989-11-07 | Amoco Corporation | Intracavity generation of coherent optical radiation of optical mixing |
| US4791631A (en) * | 1987-08-31 | 1988-12-13 | International Business Machines Corporation | Wide tolerance, modulated blue laser source |
| US4884276A (en) * | 1987-11-25 | 1989-11-28 | Amoco Corporation | Optical feedback control in the frequency conversion of laser diode radiation |
| US4884277A (en) * | 1988-02-18 | 1989-11-28 | Amoco Corporation | Frequency conversion of optical radiation |
| US4953166A (en) * | 1988-02-02 | 1990-08-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
| US4896325A (en) * | 1988-08-23 | 1990-01-23 | The Regents Of The University Of California | Multi-section tunable laser with differing multi-element mirrors |
| US5015054A (en) * | 1990-02-26 | 1991-05-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Apparatus and method for increasing the bandwidth of a laser beam |
| FR2660493A1 (fr) * | 1990-03-30 | 1991-10-04 | Thomson Csf | Dispositif laser a changeur de frequence integre de facon monolithique. |
| US5097471A (en) * | 1990-12-21 | 1992-03-17 | Coherent, Inc. | Mode-locked laser using non-linear self-focusing element |
| US5136599A (en) * | 1991-03-05 | 1992-08-04 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Apparatus and method for increasing the bandwidth of a laser beam |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3025770A patent/JPH04330791A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-24 DE DE69227644T patent/DE69227644T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-24 EP EP92300609A patent/EP0496632B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-27 US US07/826,061 patent/US5274651A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028379A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | モードロックレーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69227644D1 (de) | 1999-01-07 |
| EP0496632B1 (en) | 1998-11-25 |
| DE69227644T2 (de) | 1999-04-22 |
| US5274651A (en) | 1993-12-28 |
| EP0496632A1 (en) | 1992-07-29 |
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