JPH04326513A - イオン注入層の検査方法 - Google Patents
イオン注入層の検査方法Info
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- JPH04326513A JPH04326513A JP12241591A JP12241591A JPH04326513A JP H04326513 A JPH04326513 A JP H04326513A JP 12241591 A JP12241591 A JP 12241591A JP 12241591 A JP12241591 A JP 12241591A JP H04326513 A JPH04326513 A JP H04326513A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の不純物導
入工程においてイオン注入法により形成されるイオン注
入層を検査する方法に係り、特に低注入量のイオン注入
層の特性を信頼性良くかつ簡易に検査するいわゆるダブ
ルインプラ法の改良に関する。
入工程においてイオン注入法により形成されるイオン注
入層を検査する方法に係り、特に低注入量のイオン注入
層の特性を信頼性良くかつ簡易に検査するいわゆるダブ
ルインプラ法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板内に形成された１０１
０〜１０１３（個／ｃｍ２）程度の低注入量のイオン注
入層の特性を精度良くかつ簡易に評価する方法としてい
わゆるダブルインプラ法が知られている（“低注入量イ
オン注入層の評価用としての四端子プローブシート抵抗
測定の使用”（“ＴＨＥ ＵＳＥ ＯＦ ＦＯＵＲ−Ｐ
ＯＩＮＴ ＰＲ０ＢＥ ＳＨＥＥＴ ＲＥＳＩＳＴＡＮ
ＣＥ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳ ＦＯＲ ＣＨＡＲＡ
ＣＴＥＲＩＺＩＮＧ ＬＯＷ ＤＯＳＥ ＩＯＮ ＩＭ
ＰＬＡＮＴＡＴＩＯＮ ”Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒ
ｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｃｈ Ｂ６（１９８５） ｐ３８
４−３８８ Ｎｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ Ａｍｓｔ
ｅｒｄａｍ ）参照）。ダブルインプラ法は、半導体基
板内にイオン注入されアニール処理により活性化された
第１イオン注入層に、検査用として注入された低注入量
の第２イオン注入層のアニール前のシート抵抗が第２イ
オンの注入量に略比例するという性質を利用して第２イ
オン注入層の検査を行おうとするものである。ダブルイ
ンプラ法の概略手順を以下に説明する。 （１）イオン注入法により半導体基板内に同基板と反対
の導電型の第１の不純物を所定の第１注入エネルギーに
より所定の第１注入量注入して第１イオン注入層を形成
する。 （２）第１イオン注入層の活性化のために半導体基板の
アニールを行う。 （３）第１イオン注入層のシート抵抗ρＳ１を測定する
。 （４）第１イオン注入層内に第２の不純物を所定の第２
注入エネルギーにより所定の第２注入量注入して第２イ
オン注入層を形成する。 （５）第２イオン注入層のシート抵抗ρＳ２を測定する
。 （６）第１および第２イオン注入層の各シート抵抗ρＳ
１およびρＳ２を比較し、ρＳ２の値および分布を調べ
て第２イオン注入層の特性を評価する。 上記手順において、ダブルインプラ法は次の３条件を課
している。 （ａ）第１注入エネルギーを第２注入エネルギーより１
０〜２０％程度大きくする。 （ｂ）第１注入量を第２注入量より１０２倍以上にする
。 （ｃ）第１の不純物の質量と第２の不純物の質量をほぼ
同一にする。ここで、（ａ）は第２イオン注入層が第１
イオン注入層を突き抜けないようにするためであり、（
ｂ）（ｃ）は測定の感度を高めるためである。
０〜１０１３（個／ｃｍ２）程度の低注入量のイオン注
入層の特性を精度良くかつ簡易に評価する方法としてい
わゆるダブルインプラ法が知られている（“低注入量イ
オン注入層の評価用としての四端子プローブシート抵抗
測定の使用”（“ＴＨＥ ＵＳＥ ＯＦ ＦＯＵＲ−Ｐ
ＯＩＮＴ ＰＲ０ＢＥ ＳＨＥＥＴ ＲＥＳＩＳＴＡＮ
ＣＥ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳ ＦＯＲ ＣＨＡＲＡ
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ｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｉｎ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｃｈ Ｂ６（１９８５） ｐ３８
４−３８８ Ｎｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ Ａｍｓｔ
ｅｒｄａｍ ）参照）。ダブルインプラ法は、半導体基
板内にイオン注入されアニール処理により活性化された
第１イオン注入層に、検査用として注入された低注入量
の第２イオン注入層のアニール前のシート抵抗が第２イ
オンの注入量に略比例するという性質を利用して第２イ
オン注入層の検査を行おうとするものである。ダブルイ
ンプラ法の概略手順を以下に説明する。 （１）イオン注入法により半導体基板内に同基板と反対
の導電型の第１の不純物を所定の第１注入エネルギーに
より所定の第１注入量注入して第１イオン注入層を形成
する。 （２）第１イオン注入層の活性化のために半導体基板の
アニールを行う。 （３）第１イオン注入層のシート抵抗ρＳ１を測定する
。 （４）第１イオン注入層内に第２の不純物を所定の第２
注入エネルギーにより所定の第２注入量注入して第２イ
オン注入層を形成する。 （５）第２イオン注入層のシート抵抗ρＳ２を測定する
。 （６）第１および第２イオン注入層の各シート抵抗ρＳ
１およびρＳ２を比較し、ρＳ２の値および分布を調べ
て第２イオン注入層の特性を評価する。 上記手順において、ダブルインプラ法は次の３条件を課
している。 （ａ）第１注入エネルギーを第２注入エネルギーより１
０〜２０％程度大きくする。 （ｂ）第１注入量を第２注入量より１０２倍以上にする
。 （ｃ）第１の不純物の質量と第２の不純物の質量をほぼ
同一にする。ここで、（ａ）は第２イオン注入層が第１
イオン注入層を突き抜けないようにするためであり、（
ｂ）（ｃ）は測定の感度を高めるためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、イオン注入
装置は装置の仕様により注入エネルギーの上限が定めら
れており、半導体基板内に不純物導入層を形成するため
のイオン注入工程を装置の上限エネルギーで行う場合に
は、上記条件（ａ）により第１イオン注入を行うことが
できなくなり、ダブルインプラ法を使用することができ
なくなるという問題がある。また、イオン注入工程を装
置の上限エネルギーで行わない場合であっても、例えば
３１Ｐ＋＋ のような２価のイオンを注入して深い注入
層を得ようとする場合、第１イオン注入を１価のイオン
３１Ｐ＋で注入すると所定の深さが得られないため２価
のイオン３１Ｐ＋＋ を用いて行うことになるが、２価
イオン３１Ｐ＋＋ のイオン電流が少ないため所定の第
１注入量を注入するために長時間を要し、ダブルインプ
ラ法の利点である測定の簡易性迅速性を損なうという問
題が生じる。また、上記した第１イオン注入により所定
の深さが得られないという問題に対処するため第１イオ
ン注入層を拡散させる方法が考えられるが、拡散させる
ことにより拡散層の不純物濃度が低下し、上記条件（ｂ
）を実質的に満たすことができなくなるという問題が生
じる。本発明は上記した問題に対処しようとするもので
、半導体基板内に不純物導入層を形成するためのイオン
注入工程をイオン注入装置の上限エネルギーで行うよう
な場合等であっても、低注入量のイオン注入層の検査を
することの可能な改良されたダブルインプラ法を提供す
ることを目的とする。
装置は装置の仕様により注入エネルギーの上限が定めら
れており、半導体基板内に不純物導入層を形成するため
のイオン注入工程を装置の上限エネルギーで行う場合に
は、上記条件（ａ）により第１イオン注入を行うことが
できなくなり、ダブルインプラ法を使用することができ
なくなるという問題がある。また、イオン注入工程を装
置の上限エネルギーで行わない場合であっても、例えば
３１Ｐ＋＋ のような２価のイオンを注入して深い注入
層を得ようとする場合、第１イオン注入を１価のイオン
３１Ｐ＋で注入すると所定の深さが得られないため２価
のイオン３１Ｐ＋＋ を用いて行うことになるが、２価
イオン３１Ｐ＋＋ のイオン電流が少ないため所定の第
１注入量を注入するために長時間を要し、ダブルインプ
ラ法の利点である測定の簡易性迅速性を損なうという問
題が生じる。また、上記した第１イオン注入により所定
の深さが得られないという問題に対処するため第１イオ
ン注入層を拡散させる方法が考えられるが、拡散させる
ことにより拡散層の不純物濃度が低下し、上記条件（ｂ
）を実質的に満たすことができなくなるという問題が生
じる。本発明は上記した問題に対処しようとするもので
、半導体基板内に不純物導入層を形成するためのイオン
注入工程をイオン注入装置の上限エネルギーで行うよう
な場合等であっても、低注入量のイオン注入層の検査を
することの可能な改良されたダブルインプラ法を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、所定質
量のイオンを所定注入エネルギーにて所定注入量注入す
る被検査イオン注入条件により半導体基板内に形成され
るイオン注入層を検査する方法において、少なくとも表
面に耐拡散層を備えた基板上に前記被検査イオン注入条
件により注入される前記イオンの注入深さより大な所定
膜厚の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜内に前
記イオンと略同一質量の所定のイオンを所定の第１エネ
ルギーにより前記注入量以上の所定の注入量を注入して
第１イオン注入層を形成する第１イオン注入工程と、前
記第１イオン注入層を熱拡散技術により少なくとも前記
耐拡散層に達する深さに拡散させる拡散工程と、前記拡
散された第１イオン注入層のシート抵抗を測定する第１
測定工程と、前記半導体膜内に前記被検査イオン注入条
件によりイオン注入を行い被検査イオン注入層を形成す
る第２イオン注入工程と、前記被検査イオン注入層のシ
ート抵抗を測定する第２測定工程とを備えたことにある
。
量のイオンを所定注入エネルギーにて所定注入量注入す
る被検査イオン注入条件により半導体基板内に形成され
るイオン注入層を検査する方法において、少なくとも表
面に耐拡散層を備えた基板上に前記被検査イオン注入条
件により注入される前記イオンの注入深さより大な所定
膜厚の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜内に前
記イオンと略同一質量の所定のイオンを所定の第１エネ
ルギーにより前記注入量以上の所定の注入量を注入して
第１イオン注入層を形成する第１イオン注入工程と、前
記第１イオン注入層を熱拡散技術により少なくとも前記
耐拡散層に達する深さに拡散させる拡散工程と、前記拡
散された第１イオン注入層のシート抵抗を測定する第１
測定工程と、前記半導体膜内に前記被検査イオン注入条
件によりイオン注入を行い被検査イオン注入層を形成す
る第２イオン注入工程と、前記被検査イオン注入層のシ
ート抵抗を測定する第２測定工程とを備えたことにある
。
【０００５】
【発明の作用・効果】上記のように構成した本発明に係
るイオン注入層の検査方法においては、少なくとも表面
に耐拡散層を備えた基板上に被検査注入条件により注入
されるイオンの注入深さより大な所定膜厚の半導体膜を
形成したことにより、被検査イオン注入条件の注入エネ
ルギーの方が第１注入エネルギーより大きいような場合
であっても、第１イオン注入層を熱拡散により拡散させ
て少なくとも耐拡散層に達する深さの所定不純物濃度の
拡散層を形成することにより、実質的にダブルインプラ
法の条件（ａ）が満たされる。また、耐拡散層により拡
散層が半導体膜内に限定されるので拡散層の不純物濃度
が所定濃度より低下することもなく同法の条件（ｂ）も
満たされる。したがって、半導体基板内に不純物導入層
を形成するためのイオン注入工程をイオン注入装置の上
限エネルギーで行うような場合等であってもダブルイン
プラ法を適用することが可能となり、低注入量のイオン
注入層の検査を均一性および再現性よくかつ簡易に行う
ことができる。
るイオン注入層の検査方法においては、少なくとも表面
に耐拡散層を備えた基板上に被検査注入条件により注入
されるイオンの注入深さより大な所定膜厚の半導体膜を
形成したことにより、被検査イオン注入条件の注入エネ
ルギーの方が第１注入エネルギーより大きいような場合
であっても、第１イオン注入層を熱拡散により拡散させ
て少なくとも耐拡散層に達する深さの所定不純物濃度の
拡散層を形成することにより、実質的にダブルインプラ
法の条件（ａ）が満たされる。また、耐拡散層により拡
散層が半導体膜内に限定されるので拡散層の不純物濃度
が所定濃度より低下することもなく同法の条件（ｂ）も
満たされる。したがって、半導体基板内に不純物導入層
を形成するためのイオン注入工程をイオン注入装置の上
限エネルギーで行うような場合等であってもダブルイン
プラ法を適用することが可能となり、低注入量のイオン
注入層の検査を均一性および再現性よくかつ簡易に行う
ことができる。
【０００６】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面により説
明する。図１は、本発明にかかる改良されたダブルイン
プラ法の検査工程の概略を示したものである。シリコン
ウエハ１０の表面に熱酸化技術により膜厚９５ｎｍ程度
の酸化膜１１を形成する。酸化膜１１の膜厚は、熱拡散
技術による不純物の拡散を阻止し得る値として規定され
る。 なお、酸化膜のかわりに不純物拡散を阻止し得るものと
して窒化シリコン膜、アルミナ膜等を用いてもよい。酸
化膜１１上に減圧ＣＶＤ 技術により膜厚６００ｎｍ
程度のポリシリコン膜１２を形成する（図１（ａ） 参
照）。ポリシリコン膜１２の膜厚は、後述する第２注入
エネルギーを考慮して規定されたものである。なお、ポ
リシリコン膜１２の代わりに単結晶シリコン膜を用いて
もよい。
明する。図１は、本発明にかかる改良されたダブルイン
プラ法の検査工程の概略を示したものである。シリコン
ウエハ１０の表面に熱酸化技術により膜厚９５ｎｍ程度
の酸化膜１１を形成する。酸化膜１１の膜厚は、熱拡散
技術による不純物の拡散を阻止し得る値として規定され
る。 なお、酸化膜のかわりに不純物拡散を阻止し得るものと
して窒化シリコン膜、アルミナ膜等を用いてもよい。酸
化膜１１上に減圧ＣＶＤ 技術により膜厚６００ｎｍ
程度のポリシリコン膜１２を形成する（図１（ａ） 参
照）。ポリシリコン膜１２の膜厚は、後述する第２注入
エネルギーを考慮して規定されたものである。なお、ポ
リシリコン膜１２の代わりに単結晶シリコン膜を用いて
もよい。
【０００７】つぎに、ポリシリコン膜１２内に１価のリ
ンイオン３１Ｐ＋を第１注入エネルギー５０ＫｅＶ、第
１注入量５〜１０×１０１５（個／ｃｍ２）の条件でイ
オン注入し第１イオン注入層１３を形成する（図１（ｂ
） 参照）。本実施例においては、２価のリンイオン３
１Ｐ＋＋ のイオン注入層を検査する場合を取り扱うた
め、第１注入条件を上記のように設定しているが、第１
イオン注入条件は被検査用第２イオン注入層の注入条件
により個々に適正に設定する必要がある。第１イオン注
入層１３の形成されたシリコンウエハ１０を９５０℃，
Ｎ２ガス雰囲気の拡散炉中にて熱処理を行い、先端が少
なくとも酸化膜１１表面に到達する所定不純物濃度の拡
散層１３ａを形成する（図１（ｃ） 参照）。この際、
酸化膜１１が拡散のストッパとしての機能を果たすので
、ポリシリコン膜１２の膜厚より深い拡散層形成条件に
より拡散を行っても、拡散層１３ａの不純物濃度が所定
値より低下することはなく、ダブルインプラ法の第１イ
オン注入層の条件（ｂ）から外れることはない。この拡
散層１３ａのシート抵抗ρＳ１を公知の四端子プローブ
測定法により測定する（図示省略）。
ンイオン３１Ｐ＋を第１注入エネルギー５０ＫｅＶ、第
１注入量５〜１０×１０１５（個／ｃｍ２）の条件でイ
オン注入し第１イオン注入層１３を形成する（図１（ｂ
） 参照）。本実施例においては、２価のリンイオン３
１Ｐ＋＋ のイオン注入層を検査する場合を取り扱うた
め、第１注入条件を上記のように設定しているが、第１
イオン注入条件は被検査用第２イオン注入層の注入条件
により個々に適正に設定する必要がある。第１イオン注
入層１３の形成されたシリコンウエハ１０を９５０℃，
Ｎ２ガス雰囲気の拡散炉中にて熱処理を行い、先端が少
なくとも酸化膜１１表面に到達する所定不純物濃度の拡
散層１３ａを形成する（図１（ｃ） 参照）。この際、
酸化膜１１が拡散のストッパとしての機能を果たすので
、ポリシリコン膜１２の膜厚より深い拡散層形成条件に
より拡散を行っても、拡散層１３ａの不純物濃度が所定
値より低下することはなく、ダブルインプラ法の第１イ
オン注入層の条件（ｂ）から外れることはない。この拡
散層１３ａのシート抵抗ρＳ１を公知の四端子プローブ
測定法により測定する（図示省略）。
【０００８】次に、拡散層１３ａ内に２価のリンイオン
３１Ｐ＋＋ を第２注入エネルギー１４０ＫｅＶ、第２
注入量１〜５×１０１２（個／ｃｍ２）の条件でイオン
注入することにより評価用の第２イオン注入層１４を形
成する（図１（ｄ） 参照）。第２イオンの注入深さは
、第２注入エネルギーによるイオンの射影飛程から略Ｒ
ｐ＋２△Ｒｐ （ただし、Ｒｐ：投影飛程、△Ｒｐ：分
布の拡がり）に定められる。そして、上記ポリシリコン
膜１２の膜厚は予めＲｐ＋２△Ｒｐ より少なくとも大
きな値に規定されている。このように、第２イオン注入
のエネルギーは第１注入エネルギーより大きいが、上記
したように第１イオン注入層１３が熱拡散され、酸化膜
１１ストッパにより過剰拡散が防止されることによりポ
リシリコン膜１２全体に所定濃度で分布することになる
ため、実効的に第１注入エネルギーが第２注入エネルギ
ーより大の条件で第１イオン注入層１３を形成したと同
様の効果が得られる。従って、上記ダブルインプラ法を
適用して第２イオン注入層１４の検査をすることが可能
である。
３１Ｐ＋＋ を第２注入エネルギー１４０ＫｅＶ、第２
注入量１〜５×１０１２（個／ｃｍ２）の条件でイオン
注入することにより評価用の第２イオン注入層１４を形
成する（図１（ｄ） 参照）。第２イオンの注入深さは
、第２注入エネルギーによるイオンの射影飛程から略Ｒ
ｐ＋２△Ｒｐ （ただし、Ｒｐ：投影飛程、△Ｒｐ：分
布の拡がり）に定められる。そして、上記ポリシリコン
膜１２の膜厚は予めＲｐ＋２△Ｒｐ より少なくとも大
きな値に規定されている。このように、第２イオン注入
のエネルギーは第１注入エネルギーより大きいが、上記
したように第１イオン注入層１３が熱拡散され、酸化膜
１１ストッパにより過剰拡散が防止されることによりポ
リシリコン膜１２全体に所定濃度で分布することになる
ため、実効的に第１注入エネルギーが第２注入エネルギ
ーより大の条件で第１イオン注入層１３を形成したと同
様の効果が得られる。従って、上記ダブルインプラ法を
適用して第２イオン注入層１４の検査をすることが可能
である。
【０００９】この第２イオン注入層１４のシート抵抗ρ
Ｓ２を公知の四端子プローブ測定法により測定し、第１
イオン注入層のシート抵抗ρＳ１と比較することにより
第２イオン注入層の検査をすることができる。上記検査
結果から、図２に第１イオン注入量をパラメータとして
第２イオン注入量とシート抵抗（ρＳ の平均値）の関
係および第２イオン注入量とシート抵抗の均一性の関係
を示す。図２から明らかなように、測定値の均一性が３
％以下という良好な結果が得られている。かかる測定デ
ータをもとに、低注入量のイオン注入層形成工程におけ
る注入層の評価を精度良くかつ簡易に行うことができる
。なお、本実施例においては望ましい例として第１注入
量が第２注入量の１０３ 倍以上の場合を示しているが
、ダブルインプラ法の適用条件である第１注入量が少な
くとも第２注入量の１０２ 倍以上であれば本発明を適
用することが可能である。
Ｓ２を公知の四端子プローブ測定法により測定し、第１
イオン注入層のシート抵抗ρＳ１と比較することにより
第２イオン注入層の検査をすることができる。上記検査
結果から、図２に第１イオン注入量をパラメータとして
第２イオン注入量とシート抵抗（ρＳ の平均値）の関
係および第２イオン注入量とシート抵抗の均一性の関係
を示す。図２から明らかなように、測定値の均一性が３
％以下という良好な結果が得られている。かかる測定デ
ータをもとに、低注入量のイオン注入層形成工程におけ
る注入層の評価を精度良くかつ簡易に行うことができる
。なお、本実施例においては望ましい例として第１注入
量が第２注入量の１０３ 倍以上の場合を示しているが
、ダブルインプラ法の適用条件である第１注入量が少な
くとも第２注入量の１０２ 倍以上であれば本発明を適
用することが可能である。
【００１０】また、イオン注入工程において例えば３１
Ｐ＋＋ のような２価のイオンを用いる場合、２価のイ
オン３１Ｐ＋＋ から部分的に１価のリンイオン３１Ｐ
＋が分離発生しポリシリコン膜１２に注入され、２価イ
オン３１Ｐ＋＋ が注入された部分よりシート抵抗の高
い部分を形成する。この１価のリンイオン３１Ｐ＋は半
導体装置の特性を悪化させるので、本発明による改良さ
れたダブルインプラ法によりシリコンウエハ面内のシー
ト抵抗分布を調べることにより１価のリンイオン３１Ｐ
＋の分布状態を把握し、イオンビームの状態を管理する
ことができ、イオン注入装置の保守等に活用することが
可能である。
Ｐ＋＋ のような２価のイオンを用いる場合、２価のイ
オン３１Ｐ＋＋ から部分的に１価のリンイオン３１Ｐ
＋が分離発生しポリシリコン膜１２に注入され、２価イ
オン３１Ｐ＋＋ が注入された部分よりシート抵抗の高
い部分を形成する。この１価のリンイオン３１Ｐ＋は半
導体装置の特性を悪化させるので、本発明による改良さ
れたダブルインプラ法によりシリコンウエハ面内のシー
ト抵抗分布を調べることにより１価のリンイオン３１Ｐ
＋の分布状態を把握し、イオンビームの状態を管理する
ことができ、イオン注入装置の保守等に活用することが
可能である。
【００１１】なお、上記実施例においてはシリコンウエ
ハ１０に熱酸化膜１１を形成しポリシリコン膜１２を形
成して実施しているが、サファイヤ等の絶縁性基板上に
ポリシリコン膜等の半導体膜を形成して本発明を実施し
てもよい。
ハ１０に熱酸化膜１１を形成しポリシリコン膜１２を形
成して実施しているが、サファイヤ等の絶縁性基板上に
ポリシリコン膜等の半導体膜を形成して本発明を実施し
てもよい。
【図１】本発明の一実施例に係る改良されたダブルイン
プラ法の検査工程の一部を示す概略断面図である。
プラ法の検査工程の一部を示す概略断面図である。
【図２】所定の条件における第２イオン注入量とシート
抵抗の関係および第２イオン注入量とシート抵抗の均一
性の関係を示す図である。
抵抗の関係および第２イオン注入量とシート抵抗の均一
性の関係を示す図である。
１０…シリコンウエハ、１１…酸化膜、１２…ポリシリ
コン膜、１３…第１イオン注入層、１３ａ…拡散層、１
４…第２イオン注入層。
コン膜、１３…第１イオン注入層、１３ａ…拡散層、１
４…第２イオン注入層。
Claims (1)
- 【請求項１】 所定質量のイオンを所定注入エネルギ
ーにて所定注入量注入する被検査イオン注入条件により
半導体基板内に形成されるイオン注入層を検査する方法
において、少なくとも表面に耐拡散層を備えた基板上に
前記被検査イオン注入条件により注入される前記イオン
の注入深さより大な所定膜厚の半導体膜を形成する工程
と、前記半導体膜内に前記イオンと略同一質量の所定の
イオンを所定の第１エネルギーにより前記注入量以上の
所定の注入量を注入して第１イオン注入層を形成する第
１イオン注入工程と、前記第１イオン注入層を熱拡散技
術により少なくとも前記耐拡散層に達する深さに拡散さ
せる拡散工程と、前記拡散された第１イオン注入層のシ
ート抵抗を測定する第１測定工程と、前記半導体膜内に
前記被検査イオン注入条件によりイオン注入を行い被検
査イオン注入層を形成する第２イオン注入工程と、前記
被検査イオン注入層のシート抵抗を測定する第２測定工
程とを備えたことを特徴とするイオン注入層の検査方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12241591A JPH04326513A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | イオン注入層の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12241591A JPH04326513A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | イオン注入層の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326513A true JPH04326513A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14835257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12241591A Pending JPH04326513A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | イオン注入層の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326513A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030057171A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 이온주입 에너지 측정방법 |
| JP2010056503A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Promos Technologies Inc | 注入装置の性能を決定する方法 |
| CN106783725A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 上海新傲科技股份有限公司 | 带有绝缘埋层的衬底的制备方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP12241591A patent/JPH04326513A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030057171A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 이온주입 에너지 측정방법 |
| JP2010056503A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Promos Technologies Inc | 注入装置の性能を決定する方法 |
| CN106783725A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 上海新傲科技股份有限公司 | 带有绝缘埋层的衬底的制备方法 |
| CN106783725B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-09-17 | 上海新傲科技股份有限公司 | 带有绝缘埋层的衬底的制备方法 |
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