JPH04326332A - 光導波路デバイス - Google Patents
光導波路デバイスInfo
- Publication number
- JPH04326332A JPH04326332A JP9733491A JP9733491A JPH04326332A JP H04326332 A JPH04326332 A JP H04326332A JP 9733491 A JP9733491 A JP 9733491A JP 9733491 A JP9733491 A JP 9733491A JP H04326332 A JPH04326332 A JP H04326332A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- optical waveguide
- substrate
- ground electrode
- electric field
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路デバイスに係わ
り、特に強誘電体の電気光学効果を利用した方向性結合
器型光導波路スイッチに関する。
り、特に強誘電体の電気光学効果を利用した方向性結合
器型光導波路スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の光導波路デバイスの一種で
ある方向性結合器型光導波路スイッチを示す図である。 本光導波路スイッチにおいては、基板１としてニオブ酸
リチウム（Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ ）が用いられており、基
板１には２本の平行な光導波路２、３が形成されている
。この光導波路２、３のうち方向性結合部の近接する部
分には、バッファ層４を介して２本の平行な電極５、６
が配置されている。すなわち、この２本の平行な電極５
、６は方向性結合部の近接する２本の光導波路２、３に
基板１に垂直な電界を印加する手段として配設されてい
る。 この２本の平行な電極５、６に電界を印加することによ
り、方向性結合器型光スイッチの、例えば入口ポート（
図示せず）から出力される光の出力ポートを切り替える
ことができるようになっている。
ある方向性結合器型光導波路スイッチを示す図である。 本光導波路スイッチにおいては、基板１としてニオブ酸
リチウム（Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ ）が用いられており、基
板１には２本の平行な光導波路２、３が形成されている
。この光導波路２、３のうち方向性結合部の近接する部
分には、バッファ層４を介して２本の平行な電極５、６
が配置されている。すなわち、この２本の平行な電極５
、６は方向性結合部の近接する２本の光導波路２、３に
基板１に垂直な電界を印加する手段として配設されてい
る。 この２本の平行な電極５、６に電界を印加することによ
り、方向性結合器型光スイッチの、例えば入口ポート（
図示せず）から出力される光の出力ポートを切り替える
ことができるようになっている。
【０００３】また、バッファ層４は光の導電体吸収を防
ぐために設けられるもので、さらに、２本の平行な電極
５、６は、この電極５、６近傍に誘起される電荷を放電
させるために高抵抗膜７で覆われた構成となっている。
ぐために設けられるもので、さらに、２本の平行な電極
５、６は、この電極５、６近傍に誘起される電荷を放電
させるために高抵抗膜７で覆われた構成となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光導波路スイッチの電極構成では、２本の平行な電極５
、６間に所望の動作電圧が直接印加される構造のため、
電界８が高く、しかも電界８が広範囲におよぶことにな
る。したがって、この電界８によって誘起される基板１
とバッファ層４界面の電荷、バッファ層４内の電荷およ
び基板１内の局部電荷や自発分極等によって、強誘電体
特有の動作電圧のドリフト（電圧が設定値から次第に変
化していくこと）が生ずるという問題があった。
光導波路スイッチの電極構成では、２本の平行な電極５
、６間に所望の動作電圧が直接印加される構造のため、
電界８が高く、しかも電界８が広範囲におよぶことにな
る。したがって、この電界８によって誘起される基板１
とバッファ層４界面の電荷、バッファ層４内の電荷およ
び基板１内の局部電荷や自発分極等によって、強誘電体
特有の動作電圧のドリフト（電圧が設定値から次第に変
化していくこと）が生ずるという問題があった。
【０００５】本発明の目的は上述した問題に鑑みなされ
たもので、印加電界によって生ずる電荷に起因する動作
電圧のドリフトを低減することのできる光導波路デバイ
スを提供するにある。
たもので、印加電界によって生ずる電荷に起因する動作
電圧のドリフトを低減することのできる光導波路デバイ
スを提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
方向性結合部の２本の近接する光導波路に、基板に垂直
な電界を印加する平行な２本の電極を備えた光導波路デ
バイスにおいて、この２本の電極の間にグランド電極を
配置した構成としたものである。
方向性結合部の２本の近接する光導波路に、基板に垂直
な電界を印加する平行な２本の電極を備えた光導波路デ
バイスにおいて、この２本の電極の間にグランド電極を
配置した構成としたものである。
【０００７】請求項２記載の発明は、２本の電極と基板
との間にバッファ層を介装した構成としたものである。
との間にバッファ層を介装した構成としたものである。
【０００８】請求項３記載の発明は、２本の電極とグラ
ンド電極が有機質の高抵抗膜で被覆された構成としたも
のである。
ンド電極が有機質の高抵抗膜で被覆された構成としたも
のである。
【０００９】
【作用】このように本発明によれば、電圧印加用の２本
の平行な電極の間にグランド電極を設けることにより、
外部印加電圧を正と負に２分割でき、印加電圧によって
生ずるバッファ層および基板とバッファ層界面に生ずる
誘起電荷を低減できる。これによって、電圧印加によっ
て生ずる不要電荷に起因する動作電圧のドリフトを低減
させることが可能となる。
の平行な電極の間にグランド電極を設けることにより、
外部印加電圧を正と負に２分割でき、印加電圧によって
生ずるバッファ層および基板とバッファ層界面に生ずる
誘起電荷を低減できる。これによって、電圧印加によっ
て生ずる不要電荷に起因する動作電圧のドリフトを低減
させることが可能となる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明に係わる光導波路デバイスの
一実施例である光導波路スイッチの斜視図、図２は同光
導波路スイッチの断面図である。電気光学効果を有する
強誘電体結晶から成る基板１０には２本の平行な光導波
路１１、１２が形成されている。本実施例にあっては、
基板１０としてニオブ酸リチウム（Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３
）が用いられており、このＬｉ Ｎｂ Ｏ３ 基板１０
にチタン（Ｔｉ）を熱拡散して光導波路１１、１２を形
成している。 この２本の光導波路１１、１２のうち近接した部分の上
部には２本の平行な電極１３、１４が配設されており、
この電極１３、１４を介して基板１０に垂直な電界１５
を印加させるよう構成されている。この２本の平行な電
極１３、１４の中間位置にはグランド電極１６が配置さ
れており、このグランド電極１６によって電界１５は図
２に示すごとく２つ（１５Ａ、１５Ｂ）に分割されるこ
とになる。
一実施例である光導波路スイッチの斜視図、図２は同光
導波路スイッチの断面図である。電気光学効果を有する
強誘電体結晶から成る基板１０には２本の平行な光導波
路１１、１２が形成されている。本実施例にあっては、
基板１０としてニオブ酸リチウム（Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３
）が用いられており、このＬｉ Ｎｂ Ｏ３ 基板１０
にチタン（Ｔｉ）を熱拡散して光導波路１１、１２を形
成している。 この２本の光導波路１１、１２のうち近接した部分の上
部には２本の平行な電極１３、１４が配設されており、
この電極１３、１４を介して基板１０に垂直な電界１５
を印加させるよう構成されている。この２本の平行な電
極１３、１４の中間位置にはグランド電極１６が配置さ
れており、このグランド電極１６によって電界１５は図
２に示すごとく２つ（１５Ａ、１５Ｂ）に分割されるこ
とになる。
【００１２】また、基板１０と、電極１３、１４および
グランド電極１６との間には、光の導電体吸収を防ぐた
めにバッファ層１７が介装配置されており、かつ電極１
３、１４およびグランド電極１６は誘起質の高抵抗膜１
８で被覆された構成となっている。なお、図１において
は高抵抗膜１８は省略してある。また、本実施例ではバ
ッファ層１７として二酸化ケイ素（Ｓｉ Ｏ２ ）を用
いている。
グランド電極１６との間には、光の導電体吸収を防ぐた
めにバッファ層１７が介装配置されており、かつ電極１
３、１４およびグランド電極１６は誘起質の高抵抗膜１
８で被覆された構成となっている。なお、図１において
は高抵抗膜１８は省略してある。また、本実施例ではバ
ッファ層１７として二酸化ケイ素（Ｓｉ Ｏ２ ）を用
いている。
【００１３】以上のように構成された光導波路スイッチ
においては、例えば、図１に示す第１の入力ポート１９
から入力した光は、電界１５を印加しない状態において
は第１の出力ポート２０から出力されるが、電界１５を
印加することによって、第１の入力ポート１９から入力
した光は第２の出力ポート２１から出力されることにな
る。この場合、２本の平行な電極１３、１４との間にグ
ランド電極１６を設けることによって、外部印加電圧は
グランド電極１６を設けない場合をＯ〜ＶＯ （Ｖ）と
したとき±Ｖ／２となる。このように、印加電圧を半減
できるため、駆動用回路も簡略化できるという利点を有
する。
においては、例えば、図１に示す第１の入力ポート１９
から入力した光は、電界１５を印加しない状態において
は第１の出力ポート２０から出力されるが、電界１５を
印加することによって、第１の入力ポート１９から入力
した光は第２の出力ポート２１から出力されることにな
る。この場合、２本の平行な電極１３、１４との間にグ
ランド電極１６を設けることによって、外部印加電圧は
グランド電極１６を設けない場合をＯ〜ＶＯ （Ｖ）と
したとき±Ｖ／２となる。このように、印加電圧を半減
できるため、駆動用回路も簡略化できるという利点を有
する。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係わる光導
波路デバイスによれば、基板に垂直な電界を印加する平
行な２本の電極の間にグランド電極を設けた構成とした
ことにより、外部印加電圧を正と負に２分割でき、印加
電圧によって生ずるバッファ層および基板とバッファ層
界面に生ずる誘起電界を低減することが可能となる。こ
のため、従来に比べて電圧印加によって生ずる不要電荷
に起因する動作電圧のドリフトを大幅に低減できるとい
う優れた効果を奏する。
波路デバイスによれば、基板に垂直な電界を印加する平
行な２本の電極の間にグランド電極を設けた構成とした
ことにより、外部印加電圧を正と負に２分割でき、印加
電圧によって生ずるバッファ層および基板とバッファ層
界面に生ずる誘起電界を低減することが可能となる。こ
のため、従来に比べて電圧印加によって生ずる不要電荷
に起因する動作電圧のドリフトを大幅に低減できるとい
う優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係わる光導波路デバイスの一実施例で
ある光導波路スイッチの斜視図である。
ある光導波路スイッチの斜視図である。
【図２】同光導波路スイッチの断面図である。
【図３】従来の光導波路スイッチの一例を示す断面図で
ある。
ある。
１０ 基板
１１ 光導波路
１２ 光導波路
１３ 電極
１４ 電極
１５ 電界
１６ グランド電極
１７ バッファ層
１８ 高抵抗膜
Claims (3)
- 【請求項１】 方向性結合部の２本の近接する光導波
路に、基板に垂直な電界を印加する平行な２本の電極を
備えた光導波路デバイスにおいて、この２本の電極の間
にグランド電極を配置したことを特徴とする光導波路デ
バイス。 - 【請求項２】 ２本の電極と基板との間にはバッファ
層が介装されていることを特徴とする請求項１記載の光
導波路デバイス。 - 【請求項３】 ２本の電極とグランド電極は有機質の
高抵抗膜で被覆されて成ることを特徴とする請求項１記
載の光導波路デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9733491A JPH04326332A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光導波路デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9733491A JPH04326332A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光導波路デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326332A true JPH04326332A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14189589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9733491A Pending JPH04326332A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 光導波路デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326332A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161837A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Nec Corp | Optical switching method |
| JPH0383024A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Nec Corp | 光制御デバイス |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9733491A patent/JPH04326332A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161837A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Nec Corp | Optical switching method |
| JPH0383024A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Nec Corp | 光制御デバイス |
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