JPH04326281A - Inter-frame predictive encoder/decoder - Google Patents
Inter-frame predictive encoder/decoderInfo
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- JPH04326281A JPH04326281A JP3095496A JP9549691A JPH04326281A JP H04326281 A JPH04326281 A JP H04326281A JP 3095496 A JP3095496 A JP 3095496A JP 9549691 A JP9549691 A JP 9549691A JP H04326281 A JPH04326281 A JP H04326281A
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Landscapes
- Compression Or Coding Systems Of Tv Signals (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明はTV信号等の高能率符号
化装置に関し、特にTV信号の冗長度の圧縮率が高いフ
レーム間予測符号化装置の小型化を図るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-efficiency coding device for TV signals and the like, and in particular to miniaturization of an inter-frame predictive coding device that has a high redundancy compression rate for TV signals.
【0002】0002
【従来の技術】周知のように、TV信号を直接ディジタ
ル信号で伝送するためには、およそ100Mbit/s
ecの伝送速度を必要とする。これの伝送速度を低下し
、伝送コストを低減するために様々な高能率符号化方式
が提案されている。その中でも高い圧縮率を達成するた
めには、「フレーム間予測」と「可変長符号化」とを組
み合わせた方式が多く採用されている。2. Description of the Related Art As is well known, in order to directly transmit a TV signal as a digital signal, approximately 100 Mbit/s is required.
Requires EC transmission speed. Various high-efficiency encoding methods have been proposed to reduce the transmission speed and transmission cost. Among them, in order to achieve a high compression rate, a method that combines "interframe prediction" and "variable length coding" is often adopted.
【0003】「フレーム間予測」とは、伝送済みの前画
面(参照フレーム)の信号を用いて現在符号化する画面
のTV信号を予測し、その予測値と符号化すべき信号と
の差分(予測誤差)を求めるものである。通常のTV信
号では、画面内で静止している部分の割合が多いので、
大部分の予測誤差は0か、または絶対値が0に近い値と
なる。従って予測誤差の発生頻度は0を中心として極端
な片寄りがあることが知られる。"Interframe prediction" refers to predicting the TV signal of the currently encoded screen using the transmitted previous screen (reference frame) signal, and calculating the difference (predicted) between the predicted value and the signal to be encoded. error). In a normal TV signal, there is a large proportion of the screen that is stationary, so
Most prediction errors are 0 or have absolute values close to 0. Therefore, it is known that the frequency of occurrence of prediction errors is extremely biased around 0.
【0004】そこで「可変長符号化」を用いて、発生頻
度が高い予測誤差には短い符号語を割当て、発生頻度が
低い予測誤差には長い符号語を割り当てる。これにより
、伝送路に送出される平均符号語長を固定長符号化の場
合より大短縮でき、伝送効率を向上できる。[0004] Therefore, using "variable length coding", short code words are assigned to prediction errors that occur frequently, and long code words are assigned to prediction errors that occur less frequently. As a result, the average code word length sent to the transmission path can be significantly reduced compared to fixed-length encoding, and transmission efficiency can be improved.
【0005】従って、フレーム間予測と可変長符号化を
組み合わせると符号化効率を向上できるので、しばしば
この組み合わせが採用される。[0005] Therefore, since coding efficiency can be improved by combining interframe prediction and variable length coding, this combination is often employed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】フレーム間予測を実現
するためには、参照フレームの信号を格納するためのフ
レームメモリを必要とする。また、可変長符号化を採用
すると、予測誤差により符号語長が変動するのに対して
、伝送路における符号語の伝送速度は一定とする必要が
有るので、可変長符号語を一度格納し、一定速度で読み
出すための平滑化メモリが必要となる。これらのフレー
ムメモリと平滑化メモリは各々大容量となるため、画像
符号化復号化装置の小型経済化の障害となっていた。SUMMARY OF THE INVENTION In order to realize interframe prediction, a frame memory is required to store reference frame signals. Furthermore, when variable-length coding is adopted, the codeword length fluctuates due to prediction errors, but the transmission speed of the codeword on the transmission path needs to be constant, so the variable-length codeword is stored once, A smoothing memory is required for reading at a constant speed. These frame memories and smoothing memories each have a large capacity, which has been an obstacle to making the image encoding/decoding device more compact and economical.
【0007】従来のLSIメモリでは、格納できる容量
が小さかったので、フレームメモリ用のLSIメモリと
平滑化用のLSIメモリとを別に実装する必要が有った
。しかし、近年のLSIメモリの格納容量の増加により
、単一のLSIメモリによりフレームメモリと平滑化メ
モリとの両方を格納出来るようになっている。それにも
関わらず従来は、フレームメモリ用と平滑化メモリ用と
を各々異なる汎用LSIメモリで実現したり、またはフ
レームメモリは汎用のLSIメモリとし、平滑化用を符
号化復号化専用LSIの中に実装する等の方式を採用し
ていた。Since the storage capacity of conventional LSI memories was small, it was necessary to separately implement an LSI memory for frame memory and an LSI memory for smoothing. However, with the increase in storage capacity of LSI memories in recent years, it has become possible to store both frame memory and smoothing memory with a single LSI memory. Nevertheless, in the past, the frame memory and smoothing memory were implemented using different general-purpose LSI memories, or the frame memory was a general-purpose LSI memory, and the smoothing memory was implemented in an LSI dedicated to encoding and decoding. The company adopted methods such as implementation.
【0008】そこで、近年のLSIメモリの格納容量増
加に対応して、フレームメモリと平滑化用メモリとを単
一のLSIメモリで兼ねられるメモリ制御方式の実現が
課題となる。即ち、単一のLSIメモリに対してフレー
ムメモリ用と平滑化用との2通りの読み書きを独立に行
うことを可能とするメモリ制御方式の実現が課題となる
。Therefore, in response to the recent increase in the storage capacity of LSI memories, it has become an issue to realize a memory control system that allows a single LSI memory to serve as both a frame memory and a smoothing memory. That is, the challenge is to realize a memory control system that allows two types of reading and writing operations, one for frame memory and one for smoothing, to be performed independently on a single LSI memory.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、符号化装置においては、フレームメモリ用アドレス生
成回路,平滑化用書き込みアドレス生成回路,平滑化用
読み出しアドレス生成回路、上記3通りのアドレス生成
回路により発生されるアドレスを切り替えるアドレス切
り替え回路,フレームメモリ書込み信号と平滑化メモリ
書込み信号を切り替える書込み信号切り替え回路,フレ
ームメモリと平滑化メモリからの読出し信号を各々取り
込む読出し信号保持回路,可変長符号化した信号を平滑
化メモリへ書き込む前に該信号を格納する第1の小容量
メモリ,平滑化メモリから読出した信号を伝送路に送出
する前に格納する第2の小容量メモリ,上記2個の小容
量メモリの信号の蓄積量に従ってフレームメモリへの読
み書きを禁止し、禁止状態になった後に小容量メモリと
平滑化メモリとの間の信号の読み書きを行うメモリ制御
回路、とを具備する。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the encoding device includes a frame memory address generation circuit, a smoothing write address generation circuit, a smoothing read address generation circuit, and the above three address generation circuits. An address switching circuit that switches the address generated by the generation circuit, a write signal switching circuit that switches between the frame memory write signal and the smoothing memory write signal, a read signal holding circuit that takes in the read signals from the frame memory and the smoothing memory, and variable length. A first small capacity memory that stores the encoded signal before writing it into the smoothing memory, a second small capacity memory that stores the signal read from the smoothing memory before sending it out to the transmission path, and the second small capacity memory described above. a memory control circuit that prohibits reading and writing to the frame memory according to the accumulated amount of signals in the small-capacity memory, and reads and writes signals between the small-capacity memory and the smoothing memory after the prohibited state is reached. .
【0010】同様に、復号化装置においては、フレーム
メモリ用アドレス生成回路,平滑化用書き込みアドレス
生成回路,平滑化用読み出しアドレス生成回路、上記3
通りのアドレス生成回路により発生されるアドレスを切
り替えるアドレス切り替え回路,フレームメモリ書込み
信号と平滑化メモリ書込み信号を切り替える書込み信号
切り替え回路,フレームメモリと平滑化メモリからの読
出し信号を各々取り込む読出し信号保持回路,伝送路か
ら受信した可変長符号化信号を平滑化メモリへ書き込む
前に該信号を格納する第3の小容量メモリ,平滑化メモ
リから読出した信号可変長復号化する前に格納する第4
の小容量メモリ、上記2個の小容量メモリの信号の蓄積
量に従ってフレームメモリへの読み書きを禁止し、禁止
状態になった後に小容量メモリと平滑化メモリとの間の
信号の読み書きを行うメモリ制御回路、とを具備する。Similarly, the decoding device includes a frame memory address generation circuit, a smoothing write address generation circuit, a smoothing read address generation circuit, and the above three.
an address switching circuit that switches addresses generated by the standard address generation circuit, a write signal switching circuit that switches between a frame memory write signal and a smoothing memory write signal, and a read signal holding circuit that takes in read signals from the frame memory and smoothing memory, respectively. , a third small-capacity memory for storing the variable-length coded signal received from the transmission path before writing it into the smoothing memory, and a fourth memory for storing the variable-length coded signal read from the smoothing memory before variable-length decoding.
A memory that prohibits reading and writing to the frame memory according to the accumulated amount of signals in the two small-capacity memories, and reads and writes signals between the small-capacity memory and the smoothing memory after the inhibited state has been reached. A control circuit.
【0011】[0011]
【作用】通常はLSIメモリのアドレス端子をフレーム
メモリ用アドレス生成回路と接続することにより、フレ
ームメモリとしての使用には何等の障害は生じない。ま
た、フレームメモリとしての読み書きを禁止した後に、
LSIメモリのアドレス端子を平滑化用メモリの読み書
きアドレス生成回路に接続することにより、平滑化用メ
モリとしても動作する。[Operation] Normally, by connecting the address terminal of the LSI memory to the frame memory address generation circuit, no problem occurs when using the LSI memory as a frame memory. Also, after prohibiting reading and writing as frame memory,
By connecting the address terminal of the LSI memory to the read/write address generation circuit of the smoothing memory, it also operates as a smoothing memory.
【0012】ただし、フレームメモリ用としてLSIメ
モリを使用した後に平滑化用メモリとして使用する場合
には、一般的に次の問題が有る。即ちフレームメモリ用
から平滑化用への切り替えの時には多少の待ち時間を要
する場合がある。何故なら、フレームメモリからの読み
書きは、通常は走査線単位等の一定数の信号単位に行わ
れるので、一度フレームメモリからの信号の読み書きが
開始されると、それが完了するまでは平滑化メモリへの
切り替えが出来ない場合が有るからである。However, when an LSI memory is used as a frame memory and then used as a smoothing memory, the following problems generally occur. That is, some waiting time may be required when switching from frame memory use to smoothing use. This is because reading and writing from the frame memory is usually done in units of a fixed number of signals, such as scanning lines, so once reading and writing of signals from the frame memory is started, the smoothing memory is used until the reading and writing of signals from the frame memory is completed. This is because there are cases where switching to is not possible.
【0013】そこで本発明では、上記のように小容量メ
モリを経由して可変長符号化結果をLSIメモリに格納
したり、小容量メモリを経由してLSIメモリに格納さ
れた信号を一定速度で伝送路に送出する。これにより、
上記のフレームメモリ用から平滑化用メモリへの切り替
え時間を補償出来る。Therefore, in the present invention, as described above, variable length encoding results are stored in the LSI memory via the small capacity memory, and signals stored in the LSI memory via the small capacity memory are processed at a constant speed. Send it to the transmission path. This results in
The switching time from the frame memory to the smoothing memory can be compensated for.
【0014】[0014]
【実施例】本発明の説明を容易とするために、図4を用
いて従来のフレーム間予測符号化の構成を簡単に述べる
。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS To facilitate the explanation of the present invention, the configuration of conventional interframe predictive coding will be briefly described using FIG.
【0015】(1) TVカメラ1で撮像されたTV
信号はアナログ/ディジタル変換器2によりアナログ/
ディジタル変換され、符号化フレーム信号となる。(1) TV imaged by TV camera 1
The signal is converted to analog/digital by analog/digital converter 2.
It is digitally converted and becomes an encoded frame signal.
【0016】(2) フレームメモリ3から参照フレ
ーム信号が読み出される。フレームメモリ3のアドレス
はフレームメモリ用アドレス生成回路4により生成され
る。
該フレームメモリ用アドレス生成回路4は、可変長符号
化回路7からの起動により歩進し、所定の位置の参照フ
レーム信号を読出す。読み出された参照フレーム信号と
上記の符号化フレーム信号との差分は、減算回路5で計
算される。これをフレーム間予測誤差と呼ぶ。(2) A reference frame signal is read from the frame memory 3. The address of the frame memory 3 is generated by a frame memory address generation circuit 4. The frame memory address generation circuit 4 advances upon activation from the variable length encoding circuit 7 and reads out a reference frame signal at a predetermined position. A subtraction circuit 5 calculates the difference between the read reference frame signal and the encoded frame signal. This is called interframe prediction error.
【0017】(3) 上記のフレーム間予測誤差は、
量子化回路6で量子化された後に、可変長符号化回路7
で可変長符号化され、平滑化メモリ8を経由した後に一
定速度で読み出され、伝送路9に送出される。平滑化メ
モリ8の書込みアドレスは平滑化用メモリ書込みアドレ
ス生成回路10により生成される。該書込みアドレス生
成回路10は可変長符号化回路7から可変長符号語が送
出される毎に歩進される。平滑化用メモリ読出しアドレ
スは平滑化用メモリ読み出しアドレス生成回路11によ
り生成される。該読み出しアドレス生成回路11は、伝
送路9に符号語が読み出される毎に歩進される。平滑化
メモリの読出し、叉は書込みに対応して平滑化アドレス
切り替えスイッチ12が切り替えられ、平滑化用読出し
アドレス、または書込みアドレスが平滑化メモリ8のア
ドレス端子に接続される。(3) The above interframe prediction error is
After being quantized by the quantization circuit 6, the variable length encoding circuit 7
The data is variable-length coded at , passed through a smoothing memory 8 , read out at a constant speed, and sent to a transmission path 9 . The write address of the smoothing memory 8 is generated by a smoothing memory write address generation circuit 10. The write address generation circuit 10 is incremented each time a variable length code word is sent from the variable length encoding circuit 7. The smoothing memory read address is generated by the smoothing memory read address generation circuit 11. The read address generation circuit 11 is incremented each time a code word is read onto the transmission line 9. The smoothing address changeover switch 12 is switched in response to reading or writing to the smoothing memory, and the smoothing read address or write address is connected to the address terminal of the smoothing memory 8.
【0018】(4) 上記の量子化回路6により量子
化されたフレーム間予測誤差は、逆量子化回路13によ
り逆量子化された後に、加算回路14により、参照フレ
ーム信号と加算され、フレームメモリ3に格納される。
フレームメモリ3に格納された信号は、次のフレームを
予測符号化する時に、参照フレーム信号として用いられ
る。(4) The interframe prediction error quantized by the quantization circuit 6 is dequantized by the dequantization circuit 13, and then added to the reference frame signal by the addition circuit 14, and stored in the frame memory. 3. The signal stored in the frame memory 3 is used as a reference frame signal when predictively encoding the next frame.
【0019】以上が従来の符号化装置の構成である。次
に受信側の復号化装置の従来構成を図5を用いて説明す
る。The above is the configuration of the conventional encoding device. Next, the conventional configuration of a receiving side decoding device will be explained using FIG. 5.
【0020】(1) 伝送路9を経由して一定速度で
受信した可変長符号化信号は、平滑化メモリ21を経由
して、可変長復号化回路22に読み出される。(1) The variable length encoded signal received at a constant speed via the transmission line 9 is read out to the variable length decoding circuit 22 via the smoothing memory 21.
【0021】(2) 可変長復号化回路22は、該信
号を解読して予測誤差信号の量子化値を求め、逆量子化
回路23を経由して元の予測誤差信号を得る。(2) The variable length decoding circuit 22 decodes the signal to obtain a quantized value of the prediction error signal, and obtains the original prediction error signal via the inverse quantization circuit 23.
【0022】(3) 該予測誤差信号は、加算回路2
4により、フレームメモリ25に格納された参照フレー
ム信号と加算され、元のTV信号に復元される。(3) The prediction error signal is sent to the adder circuit 2.
4, it is added to the reference frame signal stored in the frame memory 25 and restored to the original TV signal.
【0023】(4) 該TV信号は、ディジタル/ア
ナログ変換器26によりディジタル/アナログ変換され
た後に表示装置27に表示される。上記のTV信号は、
フレームメモリ25に格納され、次のフレームの参照フ
レーム信号として用いられる。
(5) 上記において、平滑化メモリ21の読み書き
アドレスは平滑化用書き込みアドレス生成回路28と平
滑化用読み出しアドレス生成回路29により生成され、
平滑化用アドレス切り替えスイッチ30により切り替え
られる。フレームメモリ25のアドレスはフレームメモ
リ用アドレス生成回路31により生成される。(4) The TV signal is displayed on the display device 27 after being subjected to digital/analog conversion by the digital/analog converter 26. The above TV signal is
The signal is stored in the frame memory 25 and used as a reference frame signal for the next frame. (5) In the above, the read/write address of the smoothing memory 21 is generated by the smoothing write address generation circuit 28 and the smoothing read address generation circuit 29,
It is switched by the smoothing address changeover switch 30. The address of the frame memory 25 is generated by a frame memory address generation circuit 31.
【0024】以上説明したように、従来は符号化・復号
化装置の両方ともフレームメモリ用と平滑化用のメモリ
を別としてきた。次に本発明の特徴であるフレームメモ
リ用と平滑化用とのメモリの共用の一実施例を図3に示
す。即ち、LSIメモリの大きさを512×512とし
、フレームメモリ用の領域を352×288とすると、
図のようにその残余の例えば(512−288)×51
2の大きさの領域を平滑化用メモリに割り当てられる。As explained above, conventionally, both encoding and decoding devices have separate memories for frame memory and smoothing. Next, FIG. 3 shows an embodiment in which a frame memory and a smoothing memory are shared, which is a feature of the present invention. That is, if the size of the LSI memory is 512 x 512 and the frame memory area is 352 x 288, then
For example, (512-288) x 51 of the remainder as shown in the figure
2 is allocated to the smoothing memory.
【0025】上記のフレームメモリと平滑化用メモリの
共用を符号化装置に適用する場合を、図1を用いて説明
する。なお、図4と同一の番号を付与した回路は同等の
機能を有する。A case in which the above-mentioned shared use of the frame memory and smoothing memory is applied to an encoding device will be explained with reference to FIG. Note that circuits given the same numbers as in FIG. 4 have equivalent functions.
【0026】(1) LSIメモリ41をフレームメ
モリとして用いる場合には、フレームメモリ用アドレス
生成回路4で生成されるアドレスと平滑化用メモリ書き
込み・読み出しアドレス生成回路10,11により生成
されるアドレスとを切り替えるアドレス切り替えスイッ
チ42を通して、フレームメモリ用アドレスをLSIメ
モリ40のアドレス端子に接続する。同時にLSIメモ
リ書込み信号切り替えスイッチ43を通して、フレーム
メモリ用書込み信号をLSIメモリ40のデータ書込み
端子に接続する。(1) When the LSI memory 41 is used as a frame memory, the address generated by the frame memory address generation circuit 4 and the address generated by the smoothing memory write/read address generation circuits 10 and 11 are The frame memory address is connected to the address terminal of the LSI memory 40 through the address changeover switch 42 that switches the frame memory address. At the same time, the frame memory write signal is connected to the data write terminal of the LSI memory 40 through the LSI memory write signal changeover switch 43.
【0027】(2) 可変長符号化回路7で生成され
た可変長符号語は、第1の小容量メモリ44に格納され
る。
第1の小容量メモリ44における蓄積量が予め定められ
た閾値以上となった時には、小容量メモリ44から制御
信号を可変長符号化回路7に出力し、可変長符号化の中
断を要求する。(2) The variable length code word generated by the variable length encoding circuit 7 is stored in the first small capacity memory 44. When the storage amount in the first small capacity memory 44 exceeds a predetermined threshold, the small capacity memory 44 outputs a control signal to the variable length encoding circuit 7 to request interruption of variable length encoding.
【0028】(3) 可変長符号化回路7は、走査線
単位等の信号処理の切れ目等、処理中断が可能となった
時に上記中断要求を取り込み、第1の中断要求受け入れ
信号を送出する。これによりアドレス切り替えスイッチ
42を切り替えて、LSIメモリ41のアドレス端子を
平滑化用メモリ書込みアドレス生成回路10に接続する
。書込み信号切り替えスイッチ43により第1の小容量
メモリ44の出力信号をLSIメモリ41のデータ書込
み端子に接続する。(3) The variable length encoding circuit 7 takes in the above interruption request when it becomes possible to interrupt processing, such as at a break in signal processing in units of scanning lines, etc., and sends out a first interruption request acceptance signal. This switches the address changeover switch 42 to connect the address terminal of the LSI memory 41 to the smoothing memory write address generation circuit 10. The write signal changeover switch 43 connects the output signal of the first small capacity memory 44 to the data write terminal of the LSI memory 41 .
【0029】(4) 上記と同時に、第2の小容量メ
モリ45から一定速度で可変長符号化信号を読出し、伝
送路9に送出する。第2の小容量メモリ45の蓄積量が
予め定められた値以下になった時は、(2)と同じく可
変長符号化回路7に制御信号を出し、可変長符号化の中
断を要求する。(4) At the same time as above, the variable length encoded signal is read out from the second small capacity memory 45 at a constant speed and sent to the transmission line 9. When the storage amount in the second small capacity memory 45 becomes less than a predetermined value, a control signal is issued to the variable length encoding circuit 7 similarly to (2) to request interruption of variable length encoding.
【0030】(5) (3)と同様に、可変長符号化
回路7は中断可能な時期に、上記中断要求を取り込み、
第2の中断要求受け入れ信号を送出する。これによりア
ドレス切り替えスイッチ42を切り替えてLSIメモリ
41のアドレス端子に平滑化用メモリ読出しアドレス生
成回路11を接続する。同時に第2の小容量メモリ45
を書込み状態とし、第2の小容量メモリ45の書込みア
ドレスを歩進する事により、LSIメモリ41から読み
込んだ可変長符号化信号を第2の小容量メモリ45に書
き込む。(5) Similarly to (3), the variable length encoding circuit 7 receives the above interruption request at a time when interruption is possible, and
A second interrupt request acceptance signal is sent. As a result, the address changeover switch 42 is switched to connect the smoothing memory read address generation circuit 11 to the address terminal of the LSI memory 41. At the same time, the second small capacity memory 45
The variable length encoded signal read from the LSI memory 41 is written into the second small capacity memory 45 by setting it in a write state and incrementing the write address of the second small capacity memory 45.
【0031】次に本発明を復号化装置に適用した場合を
図2を用いて詳しく述べる。図の中で、図5と同一番号
を付与したものは同等の機能を有する。Next, a case in which the present invention is applied to a decoding device will be described in detail using FIG. In the figure, components given the same numbers as those in FIG. 5 have equivalent functions.
【0032】(1) LSIメモリ51をフレームメ
モリとして用いる場合には、フレームメモリ用アドレス
生成回路31で生成されるアドレスと、平滑化用メモリ
書込み・読み出しアドレス生成回路28,29により生
成されるアドレスとを切り替えるアドレス切り替え回路
52を通して、フレームメモリ用アドレスをLSIメモ
リ51のアドレス端子に接続する。同時にLSIメモリ
書込み信号切り替え回路53により、フレームメモリ用
書込み信号をLSIメモリ51のデータ書込み端子に接
続する。(1) When the LSI memory 51 is used as a frame memory, the addresses generated by the frame memory address generation circuit 31 and the addresses generated by the smoothing memory write/read address generation circuits 28 and 29 The frame memory address is connected to the address terminal of the LSI memory 51 through an address switching circuit 52 that switches between the frame memory address and the address terminal of the LSI memory 51. At the same time, the LSI memory write signal switching circuit 53 connects the frame memory write signal to the data write terminal of the LSI memory 51.
【0033】(2) 伝送路9から一定の速度で入力
する可変長符号化信号は、第3の小容量メモリ54に書
き込まれる。第3の小容量メモリ54の蓄積量が予め定
められた値以上になった時は、可変長復号化回路22に
制御信号を出し、可変長復号化の中断を要求する。(2) The variable length encoded signal input from the transmission line 9 at a constant speed is written into the third small capacity memory 54. When the storage amount in the third small capacity memory 54 exceeds a predetermined value, a control signal is output to the variable length decoding circuit 22 to request interruption of variable length decoding.
【0034】(3) 可変長復号化回路22は走査線
処理の切れ目等の復号化処理中断可能な時に上記中断要
求を取り込み、第3の中断要求受け入れ信号を送出する
。これによりアドレス切り替え回路52を切り替えてL
SIメモリ51のアドレス端子に平滑化メモリ用の書込
みアドレスを接続し、書込み状態とする。さらに書込み
信号切り替え回路53により、第3の小容量メモリ54
の出力端子をLSIメモリ51のデータ書込み端子に接
続する。同時に第3の小容量メモリ54の読出しアドレ
スを歩進する事により、第3の小容量メモリ54に書き
込まれた可変長符号化信号をLSIメモリ51に書き込
む。(3) The variable length decoding circuit 22 takes in the above interruption request when the decoding process can be interrupted, such as at a break in scanning line processing, and sends out a third interruption request acceptance signal. As a result, the address switching circuit 52 is switched to
A write address for the smoothing memory is connected to the address terminal of the SI memory 51 to set it in a write state. Furthermore, the write signal switching circuit 53 causes the third small capacity memory 54 to
The output terminal of the LSI memory 51 is connected to the data write terminal of the LSI memory 51. At the same time, by incrementing the read address of the third small capacity memory 54, the variable length encoded signal written in the third small capacity memory 54 is written to the LSI memory 51.
【0035】(4) 可変長復号化回路22は、第4
の小容量メモリ55から可変長符号語を読み出す。第4
の小容量メモリ55における蓄積量が予め定められた閾
値以下となった時には、第4の小容量メモリ55から制
御信号を可変長復号化回路22に出し、可変長復号化の
中断を要求する。(4) The variable length decoding circuit 22
The variable length code word is read from the small capacity memory 55 of. Fourth
When the storage amount in the fourth small capacity memory 55 becomes less than a predetermined threshold, a control signal is sent from the fourth small capacity memory 55 to the variable length decoding circuit 22 to request interruption of variable length decoding.
【0036】(5) 可変長復号化回路22は、中断
可能な時に上記の中断要求を取り込み、第4の中断要求
受け入れ信号を送出する。この第4の中断要求受け入れ
信号に対応して、アドレス切り替え回路52により平滑
化用メモリ読出しアドレス生成回路29がLSIメモリ
51のアドレス端子に接続される。同時に第4の小容量
メモリ55の書込みアドレスが歩進され、書込み状態と
することにより、可変長符号化信号がLSIメモリ51
から第4の小容量メモリに転送される。(5) The variable length decoding circuit 22 takes in the above interruption request when interruption is possible, and sends out a fourth interruption request acceptance signal. In response to this fourth interruption request acceptance signal, the address switching circuit 52 connects the smoothing memory read address generation circuit 29 to the address terminal of the LSI memory 51. At the same time, the write address of the fourth small capacity memory 55 is incremented to enter the write state, so that the variable length encoded signal is transferred to the LSI memory 55.
from there to the fourth small capacity memory.
【0037】以上説明した動作により、符号化・復号化
のいずれにおいても単一のLSIメモリによりフレーム
メモリと平滑化メモリの両方の機能を実現できる。With the operations described above, a single LSI memory can realize the functions of both a frame memory and a smoothing memory in both encoding and decoding.
【0038】なお、上記実施例においては、フレーム間
予測として、単純なフレーム間予測を説明したが、フレ
ーム間の動き量を検出し、それを補償した後にフレーム
間予測を行う「動き補償フレーム間予測」にも、本発明
は適用できる。In the above embodiment, simple inter-frame prediction was explained as inter-frame prediction, but ``motion-compensated inter-frame prediction'' detects the amount of motion between frames, compensates for it, and then performs inter-frame prediction. The present invention is also applicable to "prediction".
【0039】また、次のような量子化方式の変形例にも
本発明は適用できる。The present invention can also be applied to the following modification of the quantization method.
【0040】(1) フレーム間の予測誤差を単純に
量子化する代わりに、上記予測誤差を複数個纏めてベク
トル量子化する方式。(1) Instead of simply quantizing the prediction errors between frames, a method of vector quantizing a plurality of the above prediction errors at once.
【0041】(2) 上記予測誤差を同じく複数個纏
め、直交変換し、その直交変換結果を量子化する直交変
換符号化方式。(2) An orthogonal transform encoding method in which a plurality of the above prediction errors are similarly grouped together, orthogonally transformed, and the orthogonal transform results are quantized.
【0042】[0042]
【発明の効果】本発明により、専用LSIと単一のLS
Iメモリによって符号化装置や復号化装置を実現出来る
ようになる。これは画像符号化復号化装置の小型経済化
に資するので、実用上効果大である。[Effect of the invention] According to the present invention, a dedicated LSI and a single LS
I-memory makes it possible to realize an encoding device and a decoding device. This contributes to miniaturization and economicalization of the image encoding/decoding device, and is therefore of great practical effect.
【図1】本発明のフレーム間符号化装置のブロック構成
図。FIG. 1 is a block configuration diagram of an interframe encoding device of the present invention.
【図2】本発明のフレーム間復号化装置のブロック構成
図。FIG. 2 is a block configuration diagram of an interframe decoding device of the present invention.
【図3】本発明を適用した時のLSIメモリ内のフレー
ムメモリ用領域と平滑化メモリ用領域との分割の一例を
示す図。FIG. 3 is a diagram showing an example of division of an LSI memory into a frame memory area and a smoothing memory area when the present invention is applied.
【図4】従来例のフレーム間符号化装置のブロック構成
図。FIG. 4 is a block configuration diagram of a conventional interframe encoding device.
【図5】従来例のフレーム間復号化装置のブロック構成
図。FIG. 5 is a block diagram of a conventional interframe decoding device.
1…TVカメラ、2…アナログ/ディジタル変換器、3
,25…フレームメモリ、4,31…フレームメモリ用
アドレス生成回路、5…減算回路、6…量子化回路、7
…可変長符号化回路、8,21…平滑化メモリ、9…伝
送路、10,28…平滑化用メモリ書き込みアドレス生
成回路、11,29…平滑化用メモリ読み出しアドレス
生成回路、12,30,42,43,52,53…スイ
ッチ、13,23…逆量子化回路、14,24…加算回
路、22…可変長復号化回路、26…ディジタル/アナ
ログ変換器、27…表示装置、41,51…LSIメモ
リ、44,45,54,55…小容量メモリ。1...TV camera, 2...analog/digital converter, 3
, 25...Frame memory, 4, 31...Address generation circuit for frame memory, 5...Subtraction circuit, 6...Quantization circuit, 7
...Variable length encoding circuit, 8, 21... Smoothing memory, 9... Transmission line, 10, 28... Memory write address generation circuit for smoothing, 11, 29... Memory read address generation circuit for smoothing, 12, 30, 42, 43, 52, 53... Switch, 13, 23... Inverse quantization circuit, 14, 24... Addition circuit, 22... Variable length decoding circuit, 26... Digital/analog converter, 27... Display device, 41, 51 ...LSI memory, 44, 45, 54, 55...Small capacity memory.
Claims (1)
、参照フレームのTV信号を格納し、予測値を出力する
ためのフレームメモリと、可変長符号化信号を一定の速
度で伝送路に送出するための平滑化メモリとを同一のメ
モリチップで実装することを特徴とするフレーム間予測
符号化復号化装置。Claim 1: An interframe predictive coding/decoding device including a frame memory for storing a TV signal of a reference frame and outputting a predicted value, and sending a variable length coded signal to a transmission path at a constant speed. 1. An interframe predictive coding/decoding device, characterized in that a smoothing memory and a smoothing memory are implemented in the same memory chip.
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WO2000054509A1 (en) * | 1999-03-08 | 2000-09-14 | Sony Corporation | Digital signal processing device and method, and providing medium |
-
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- 1991-04-25 JP JP9549691A patent/JP3200864B2/en not_active Expired - Lifetime
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JP4770023B2 (en) * | 1999-03-08 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | Digital signal processing apparatus and method, and digital signal processing program |
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