JPH04322442A - 半導体装置の検査装置 - Google Patents

半導体装置の検査装置

Info

Publication number
JPH04322442A
JPH04322442A JP3119441A JP11944191A JPH04322442A JP H04322442 A JPH04322442 A JP H04322442A JP 3119441 A JP3119441 A JP 3119441A JP 11944191 A JP11944191 A JP 11944191A JP H04322442 A JPH04322442 A JP H04322442A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
microscope
cross
section
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3119441A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2714727B2 (ja
Inventor
Akihiko Nakano
明彦 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3119441A priority Critical patent/JP2714727B2/ja
Priority to US07/870,872 priority patent/US5301002A/en
Priority to DE69221014T priority patent/DE69221014T2/de
Priority to EP92303583A priority patent/EP0510928B1/en
Publication of JPH04322442A publication Critical patent/JPH04322442A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2714727B2 publication Critical patent/JP2714727B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の断面を検
査するための半導体装置の検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下の説明において、半導体装置とは、
複数のチップパターンが形成されたダイシング前のウエ
ハ又はダイシング後のチップをいうものとする。半導体
装置のプロセス工程の適否の確認、半導体装置の故障解
析等のため、半導体装置の断面を観察する検査がある。 かかる検査のための試料調整は、劈開による方法と、研
磨による方法とがある。前者の方法は、検査すべき断面
に相当する部分にダイヤモンドペン等によって傷を付け
、当該傷から半導体装置を劈開することによって行う。 一方、後者の方法は、図４に示すように、回転研磨板３
００に治具３１０　を用いて　　半導体装置２００　を
押し当てて研磨し、検査すべき断面を露出することによ
って行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た２種類の試料調整には、以下のような問題点がある。 すなわち、前者の方法では、検査すべき断面を正確に得
ることが非常に困難である。ダイヤモンドペンで傷を付
ける際の精度はミリメートル単位であるのに対し、高密
度化が進んだ現代の半導体装置では、サブミクロン単位
の精度が要求される。さらに、半導体装置のパターンは
、直線状に並んでいることが多く、断面にはできるだけ
多くのパターンが現れることが望ましいのだが、劈開の
場合には断面を直線状に得ることは困難である。
【０００４】また、後者の方法では、検査すべき断面が
得られたか否かを確認するために、研磨を中断して顕微
鏡による観察が必要となる。また、最終段階の仕上げに
おいて、研磨砥粒を使用した浮遊砥粒による研磨を行う
ため、研磨砥粒が半導体装置の断面に現れた配線等に食
い込んだり、抉り取ったりするため、良好な断面を得る
ことが困難である。さらに、この方法では直線状の断面
を得ることは可能であるが、検査すべき断面に研磨方向
を一致させることが困難である。
【０００５】さらに、両方法とも、半導体装置で配線や
ボンディングワイヤ等に用いられるアルミニウムが、劈
開や研磨の際に伸びて断面に付着し、正確な断面を得る
ことが難しい。また、両方法とも熟練を要し、だれでも
ができるわけではない。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、検査すべき断面を容易に、かつ直線状に得ることが
でき、しかもすぐに検査が可能で、だれでもが断面を得
ることができる半導体装置の検査装置を提供することを
目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の検査装置は、半導体装置の断面検査を行う箇所を特定
するための第１の顕微鏡と、この第１の顕微鏡で特定さ
れた箇所を研磨する回転砥石と、この回転砥石で研磨さ
れた断面を検査する第２の顕微鏡と、第１及び第２の顕
微鏡と回転砥石との間で移動可能になった半導体装置固
定ステージとを備えている。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体装置の
検査装置の概略的構成図、図２は第１の顕微鏡の視野を
示す説明図、図３は研磨を行う際の第１の顕微鏡の視野
を示す説明図である。なお、以下の説明において、Ｘ軸
方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、図１の矢印に従うもの
とする。
【０００９】本実施例に係る半導体装置の検査装置１０
０　は、半導体装置２００　の断面検査を行う箇所を特
定するための第１の顕微鏡１１０　と、この第１の顕微
鏡１１０　で特定された箇所を研磨する回転砥石１４０
　と、この回転砥石１４０　で研磨された箇所を検査す
る第２の顕微鏡１２０　と、第１及び第２の顕微鏡１１
０　、１２０　と回転砥石１４０　との間で移動可能に
なった半導体装置固定ステージ１３０　とを備えている
。
【００１０】半導体装置固定ステージ１３０　は、半導
体装置２００を固定する固定部１３１　と、スクリュー
ネジ１３４　が貫通した基台１３２　と、この基台１３
２　に設けられ前記固定部１３１　をθ方向に回転させ
る回転台１３３　とを有している。前記スクリューネジ
１３４　は、パルスモータ１３５　によって回転させら
れ、半導体装置固定ステージ１３０　をＸ軸方向に移動
させるようになっている。なお、図面中１３６　は、半
導体装置２００　を固定部１３１　に対して固定するク
リップを示している。また、図面中１３７　は、回転台
１３３　の微調整用ネジを示している。
【００１１】第１の顕微鏡１１０　は、前記半導体装置
固定ステージ１３０　に固定された半導体装置２００　
の表面を観察するものであって、ステージ１５０　に設
けられたアーム１５１　の先端に取り付けられている。 かかる第１の顕微鏡１１０　は、１００　倍の対物レン
ズ１１１　と１０倍〜２０倍の接眼レンズ１１２　とを
有し、ビデオカメラ１１３　によって拡大画像を図外の
ディスプレイに写し出すことも可能になっている。また
、アーム１５１　と第１の顕微鏡１１０　との間には、
第１の顕微鏡１１０　をＸ軸及びＹ軸方向に微調整する
微動装置１５２　が設けられている。
【００１２】かかる第１の顕微鏡１１０　には、図２に
示すように、ヘアーラインＨＬが形成されている。この
ヘアーラインＨＬで視野の中心を示す部分、すなわち中
心線ＨＬＣは、他のものより長めに形成されている。か
かるヘアーラインＨＬの中心線ＨＬＣは、回転砥石１４
０　が研磨する部分と一致するように設定されている。 従って、半導体装置２００　の検査すべき断面、すなわ
ち断面予定部Ａ　（図面では破線で示している）　を中
心線ＨＬＣに一致させて、半導体装置固定ステージ１３
０　を回転砥石１４０　側に移動させると、断面予定部
Ａが研磨されて、検査すべき断面が露出することになる
。
【００１３】一方、回転砥石１４０　は、半導体装置２
００　を研磨するものであって、前記ステージ１５０　
に設けられたモータ１４１　の駆動軸１４２　の先端の
フランジ部１４３　に着脱可能に取り付けられている。 前記モータ１４１　のケーシングには、スクリューネジ
１４３が設けられており、パルスモータ１４４　によっ
て上下動、すなわちＺ軸方向に昇降可能になっている。 また、前記ケーシングには、一対のガイドアーム１４５
　が設けられており、確実な昇降が可能なようになって
いる。なお、この回転砥石１４０　の研磨砥粒の粒度は
、研磨すべき半導体装置２００　によっても異なるが、
♯８０００或いは♯１００００　番のものが用いられる
。
【００１４】なお、第１の顕微鏡１１０　及び回転砥石
１４０　が設けられたステージ１５０　は、スクリュー
ネジ１５２　とパルスモータ１５３　とによってＹ軸方
向に移動可能になっている。
【００１５】第２の顕微鏡１２０　は、半導体装置２０
０　の断面を観察するため、第１の顕微鏡１１０　とは
直交する方向、すなわちＹ軸方向から半導体装置２００
　を観察することができるように、対物レンズ１２２　
が半導体装置２００　の断面と一致するような位置に設
置されている。なお、この第２の顕微鏡１２０　は、第
２の顕微鏡１２０　をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向に微調整
することができる微動装置１２１　に取り付けられてい
る。また、対物レンズ１２２　は１００　倍、接眼レン
ズ１２３　は１０〜２０倍に設定されており、その視野
はテレビカメラ１２４　を介して図外のディスプレイに
写し出すことができるようになっている。
【００１６】次に、上述した構成の半導体装置の検査装
置による半導体装置２００　の検査について説明する。 まず、半導体装置２００　は研磨量を可能な限り少なく
するために、検査すべき断面、すなわち断面予定部Ａに
可能な限り近い部分を劈開しておく。
【００１７】半導体装置固定ステージ１３０　の固定部
１３１　に検査すべき半導体装置２００　を固定する。 この際、断面予定部Ａが少なくとも第１の顕微鏡１１０
　の視野に収まるような位置に半導体装置２００　を固
定する。固定した半導体装置２００　を第１の顕微鏡１
１０　で観察し、断面予定部ＡをヘアーラインＨＬの中
心線ＨＬＣに一致させるべく、回転台１３３　や微動装
置１５２　を調整する。
【００１８】断面予定部Ａが中心線ＨＬＣに一致したな
らば、回転砥石１４０　による半導体装置２００　の研
磨を行うために、半導体装置固定ステージ１３０　をＸ
軸方向に移動させる。研磨の際の半導体装置固定ステー
ジ１３０　の送り速度は０．２ｍｍ／秒程度に、回転砥
石１４０　の回転速度は１００００ｒｐｍ〜３００００
ｒｐｍにそれぞれ設定しておくのが好ましい。 なお、研磨作業は、回転砥石１４０　の近傍に設けられ
た洗浄冷却水噴射口１４６　から洗浄冷却水を噴射しな
がら行う。
【００１９】研磨によって検査すべき断面を得ることが
できたならば、半導体装置固定ステージ１３０　を第２
の顕微鏡１２０　の方向へ移動させる。第２の顕微鏡１
２０　の対物レンズ１２２　は、半導体装置２００　の
断面と一致するように設けられているので、半導体装置
固定ステージ１３０　を所定の位置に移動させるだけで
、半導体装置２００　の断面の検査を行うことができる
。この断面は、テレビカメラ１２４　を介して図外のデ
ィスプレイに写し出される。なお、必要に応じて半導体
装置２００　を半導体装置固定ステージ１３０　から取
り外し、電子顕微鏡等の他の検査装置での検査を行う。
【００２０】なお、上述した実施例では、１回の研磨で
断面予定部Ａにまで研磨を行うことができるとしたが、
１回の研磨量は数ミクロン以下に設定しているので、場
合によっては複数回の研磨が必要になることがある。か
かる場合には、１回の研磨が終了するごとに、数ミクロ
ンずつ半導体装置２００　を微動装置１５２　によって
Ｙ軸方向に移動させ、断面予定部Ａに到達するまで複数
回の研磨を行う。
【００２１】また、研磨量を少なくするために、半導体
装置２００　は予め劈開されていたが、当該半導体装置
の検査装置１００　に研磨ではなく切断を行う回転砥石
１４０　を取り付け、当該回転砥石１４０　によって研
磨と同様に切断を行い、この後に回転砥石１４０を交換
して研磨を行うことも可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の検査装置は、
半導体装置の断面検査を行う箇所を特定するための第１
の顕微鏡と、この第１の顕微鏡で特定された箇所を研磨
する回転砥石と、この回転砥石で研磨された断面を検査
する第２の顕微鏡と、第１及び第２の顕微鏡と回転砥石
との間で移動可能になった半導体装置固定ステージとを
有している。このため、本発明に係る半導体装置の検査
装置によれば、検査すべき断面をだれでもが容易に、か
つ直線状に得ることができ、しかもすぐに検査が可能で
ある。しかも、浮遊砥粒を使用しないので、良好な断面
とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の検査装置
の概略的構成図である。
【図２】第１の顕微鏡の視野を示す説明図である。
【図３】研磨を行う際の第１の顕微鏡の視野を示す説明
図である。
【図４】従来の半導体装置の研磨方法を示す説明図であ
る。
【符号の説明】
１００　　　半導体装置の検査装置 １１０　　　第１の顕微鏡 １２０　　　第２の顕微鏡 １３０　　　半導体装置固定ステージ １４０　　　回転砥石 ２００　　　半導体装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体装置の断面検査を行う箇所を特
    定するための第１の顕微鏡と、この第１の顕微鏡で特定
    された箇所を研磨する回転砥石と、この回転砥石で研磨
    された断面を検査する第２の顕微鏡と、第１及び第２の
    顕微鏡と回転砥石との間で移動可能になった半導体装置
    固定ステージとを具備したことを特徴とする半導体装置
    の検査装置。
JP3119441A 1991-04-22 1991-04-22 半導体装置の検査装置 Expired - Fee Related JP2714727B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3119441A JP2714727B2 (ja) 1991-04-22 1991-04-22 半導体装置の検査装置
US07/870,872 US5301002A (en) 1991-04-22 1992-04-20 Apparatus for inspecting a semiconductor device
DE69221014T DE69221014T2 (de) 1991-04-22 1992-04-22 Apparat zur Qualitätskontrolle eines Halbleiterbauteils
EP92303583A EP0510928B1 (en) 1991-04-22 1992-04-22 An apparatus for inspecting a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3119441A JP2714727B2 (ja) 1991-04-22 1991-04-22 半導体装置の検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04322442A true JPH04322442A (ja) 1992-11-12
JP2714727B2 JP2714727B2 (ja) 1998-02-16

Family

ID=14761492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3119441A Expired - Fee Related JP2714727B2 (ja) 1991-04-22 1991-04-22 半導体装置の検査装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5301002A (ja)
EP (1) EP0510928B1 (ja)
JP (1) JP2714727B2 (ja)
DE (1) DE69221014T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009202323A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の保持面の加工方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4824282B2 (ja) * 2004-03-11 2011-11-30 株式会社トプコン 微小アライメント部材のアライメント装置
CN101256155B (zh) * 2007-12-18 2012-01-04 麦克奥迪实业集团有限公司 一种利用显微镜进行物体比较的方法及系统
CN111775034B (zh) * 2020-08-13 2021-08-10 郑州科技学院 一种智能制造用抛光检测设备
CN116985024B (zh) * 2023-09-04 2024-04-26 蚌埠恒远传感器科技有限公司 一种多维传感器变径式内外壁抛光设备及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0215648A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Hitachi Ltd 微細素子の断面観察装置
JPH0310761A (ja) * 1989-06-07 1991-01-18 Nec Yamagata Ltd 半導体ペレット用切削機

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4818169A (en) * 1985-05-17 1989-04-04 Schram Richard R Automated wafer inspection system
US5051825A (en) * 1989-04-07 1991-09-24 Pressco, Inc. Dual image video inspection apparatus
JP2779414B2 (ja) * 1988-12-01 1998-07-23 セイコーインスツルメンツ株式会社 ミクロ断面の加工・観察方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0215648A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Hitachi Ltd 微細素子の断面観察装置
JPH0310761A (ja) * 1989-06-07 1991-01-18 Nec Yamagata Ltd 半導体ペレット用切削機

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009202323A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の保持面の加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2714727B2 (ja) 1998-02-16
DE69221014D1 (de) 1997-08-28
EP0510928A1 (en) 1992-10-28
DE69221014T2 (de) 1998-01-29
US5301002A (en) 1994-04-05
EP0510928B1 (en) 1997-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1092842C (zh) 制备有缺陷集成电路平面图样品和测量其中疵点的方法
US6052653A (en) Spreading resistance profiling system
US5741171A (en) Precision polishing system
US7317964B1 (en) High speed and repeatability serial sectioning method for 3-D reconstruction of microstructures
KR100416791B1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사용 현미경장치 및 그 검사방법
US20080308727A1 (en) Sample Preparation for Micro-Analysis
JP7184382B2 (ja) 試験対象材料の応力緩和を可能にする解析
JP5059449B2 (ja) ウェーハの加工方法
US20040237331A1 (en) Intergrated micro-optical and photonics elements batch preparation polishing cleaning and inspection system and method therefore
JP2000146781A (ja) 試料解析方法、試料作成方法およびそのための装置
JP2714727B2 (ja) 半導体装置の検査装置
CN116689985A (zh) 一种不规则排放晶粒的切割轨迹确定方法
JPH0265150A (ja) プローブカードの自動位置合せ方法
US6450859B1 (en) Method and apparatus for abrading a substrate
US6139403A (en) Method and device for positioning and accessing a die under analysis
KR102550583B1 (ko) 피삭재의 로딩 후 자동 얼라인을 통하여 가공하고 확인하는 방법
JPH09181022A (ja) 平面研磨加工方法およびｌｓｉチップの故障解析方法
JP3491974B2 (ja) 試料移動方法及びその試料移動装置
JP2003151923A (ja) ダイシング装置
JP2604089Y2 (ja) 研削盤
JPH08172118A (ja) 半導体研磨装置
Haddock et al. Cross-Section Analysis
JP5242293B2 (ja) 芯合せ方法
JPS58171714A (ja) ヘツド位置調整機
JPH0623656A (ja) 解析試料断面研磨方法、解析試料断面研磨装置及び断面研磨加工終点検知用試料ホルダ

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees