JPH04317347A - 集積回路素子の接続方法 - Google Patents
集積回路素子の接続方法Info
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- JPH04317347A JPH04317347A JP3111049A JP11104991A JPH04317347A JP H04317347 A JPH04317347 A JP H04317347A JP 3111049 A JP3111049 A JP 3111049A JP 11104991 A JP11104991 A JP 11104991A JP H04317347 A JPH04317347 A JP H04317347A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N divinylbenzene Substances C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- NXBXJOWBDCQIHF-UHFFFAOYSA-N 2-[hydroxy-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]phosphoryl]oxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOP(O)(=O)OCCOC(=O)C(C)=C NXBXJOWBDCQIHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- SEILKFZTLVMHRR-UHFFFAOYSA-N 2-phosphonooxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOP(O)(O)=O SEILKFZTLVMHRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-OPQQBVKSSA-N [(1s,3r,4s)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] prop-2-enoate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@H](OC(=O)C=C)C[C@H]1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-OPQQBVKSSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1CCCCC1 KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- -1 etc. Chemical compound 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBVLUTAXWVILBT-UHFFFAOYSA-N ethyl prop-2-eneperoxoate Chemical compound CCOOC(=O)C=C RBVLUTAXWVILBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- H01L2924/06—Polymers
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップ等の微細な
電極を実装基板上に設けた電極に取り付ける際に用いる
電気接続用異方性導電材料及びこれを用いたＩＣチップ
等の素子の基板等への実装に関するものであり、特にＩ
Ｃチップの液晶表示デバイス（以下ＬＣＤという）への
実装方法に関するものである。
電極を実装基板上に設けた電極に取り付ける際に用いる
電気接続用異方性導電材料及びこれを用いたＩＣチップ
等の素子の基板等への実装に関するものであり、特にＩ
Ｃチップの液晶表示デバイス（以下ＬＣＤという）への
実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電気接続用異方性導電材
料としては、導電性を有する導電粒子を絶縁性接着剤中
に分散させたものが用いられており、接続方法としては
、１８０〜２００℃で２０〜３０ｋｇ／ｃｍ２程度の熱
圧着方法が用いられている。導電粒子としては、ハンダ
粒子，カーボン粒子或いはジビニルベンゼン共重合体系
等の高分子材料の表面に導電性を有するＮｉ，Ｎｉ＋Ａ
ｕ等の金属薄層を形成した粒子等が使用されている。 粒子径としては、平均粒径で０．０１〜５０μｍのもの
が用いられている。絶縁性接着剤樹脂は、ウレタン系，
スチレン−ブタジェン−スチレン型ブロック共重合体系
等の熱可塑性樹脂が、熱硬化性樹脂としてエポキシ系等
が使用されている。異方性導電材料は、前記導電粒子を
０．１〜１０体積％の割合で絶縁性接着樹脂中に分散す
ることにより得られている。
料としては、導電性を有する導電粒子を絶縁性接着剤中
に分散させたものが用いられており、接続方法としては
、１８０〜２００℃で２０〜３０ｋｇ／ｃｍ２程度の熱
圧着方法が用いられている。導電粒子としては、ハンダ
粒子，カーボン粒子或いはジビニルベンゼン共重合体系
等の高分子材料の表面に導電性を有するＮｉ，Ｎｉ＋Ａ
ｕ等の金属薄層を形成した粒子等が使用されている。 粒子径としては、平均粒径で０．０１〜５０μｍのもの
が用いられている。絶縁性接着剤樹脂は、ウレタン系，
スチレン−ブタジェン−スチレン型ブロック共重合体系
等の熱可塑性樹脂が、熱硬化性樹脂としてエポキシ系等
が使用されている。異方性導電材料は、前記導電粒子を
０．１〜１０体積％の割合で絶縁性接着樹脂中に分散す
ることにより得られている。
【０００３】従来のＬＣＤ実装方法を以下に説明する。
図２（ａ），（ｂ）は、従来のＩＣチップの接続方法を
工程順に示す断面図である。このＩＣチップの接続は次
のとおりである。すなわち、図２（ａ）に示すように、
電極パッド４が形成されたＩＣチップ３と、電極パッド
４に対応して形成された電極端子６を有するガラス基板
５とを、導電性粒子１を分散させて含有している熱接着
樹脂８を介して向き合わせる。次に、図２（ｂ）に示す
ように、ＩＣチップ３をガラス基板５に押し付けて加熱
することにより、熱接着樹脂８を軟化させ、電極パッド
４と電極端子６とを導電性粒子１により接続することに
よって行われる。
工程順に示す断面図である。このＩＣチップの接続は次
のとおりである。すなわち、図２（ａ）に示すように、
電極パッド４が形成されたＩＣチップ３と、電極パッド
４に対応して形成された電極端子６を有するガラス基板
５とを、導電性粒子１を分散させて含有している熱接着
樹脂８を介して向き合わせる。次に、図２（ｂ）に示す
ように、ＩＣチップ３をガラス基板５に押し付けて加熱
することにより、熱接着樹脂８を軟化させ、電極パッド
４と電極端子６とを導電性粒子１により接続することに
よって行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＬＣＤ
接続実装方法は、接続部分において加熱圧着状態で一括
固定するため、固着時に熱応力が生じ、これが原因で接
続部分にクラック或いは剥がれ等が発生しやすいと言う
問題があった。また、短期的にクラック、剥がれのよう
な損傷はなかった場合でも、長期信頼性において接続不
良が発生すると言う問題もあった。
接続実装方法は、接続部分において加熱圧着状態で一括
固定するため、固着時に熱応力が生じ、これが原因で接
続部分にクラック或いは剥がれ等が発生しやすいと言う
問題があった。また、短期的にクラック、剥がれのよう
な損傷はなかった場合でも、長期信頼性において接続不
良が発生すると言う問題もあった。
【０００５】また従来の接続実装方法は、加熱工程によ
る接続であるため、急速な加熱を行うと、接着剤樹脂粘
度が急激な低下をきたし、ボンディング領域外へ流出し
てしまい、接続部分に気泡が生じ、接続不良の原因にな
るという問題点もあった。
る接続であるため、急速な加熱を行うと、接着剤樹脂粘
度が急激な低下をきたし、ボンディング領域外へ流出し
てしまい、接続部分に気泡が生じ、接続不良の原因にな
るという問題点もあった。
【０００６】本発明の目的は、前記課題を解決した集積
回路素子の接続方法を提供することにある。
回路素子の接続方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る集積回路素子の接続方法においては、集
積回路素子と配線基板とを異方性導電材料により電気接
続を行う集積回路素子の接続方法であって、異方性導電
材料として、電子線硬化型絶縁性接着剤樹脂中に導電粒
子を分散させたものを使用し、集積回路素子と配線基板
とのボンディング領域に前記異方性導電材料を配置して
集積回路素子と配線基板とを圧着し、その圧着状態で前
記異方性導電材料を電子線の照射により硬化させ、電気
接続を行うものである。
、本発明に係る集積回路素子の接続方法においては、集
積回路素子と配線基板とを異方性導電材料により電気接
続を行う集積回路素子の接続方法であって、異方性導電
材料として、電子線硬化型絶縁性接着剤樹脂中に導電粒
子を分散させたものを使用し、集積回路素子と配線基板
とのボンディング領域に前記異方性導電材料を配置して
集積回路素子と配線基板とを圧着し、その圧着状態で前
記異方性導電材料を電子線の照射により硬化させ、電気
接続を行うものである。
【０００８】
【作用】前述したように、従来の接続実装方法は、加熱
圧着状態で一括固定するために諸問題が発生している。 これらの問題を解決するために、鋭意工夫を行った。そ
の結果、本発明の異方性導電材料は、電子線硬化型絶縁
性接着剤中に、導電粒子を分散させた構造となっている
ので、実装時にまずボンディング領域で圧着後、電子線
により瞬時に硬化できるようになっている。電子線硬化
型絶縁性接着剤は、エポキシアクリレート，ウレタンア
クリレート，ポリエステルアクリレート，ウレタン変性
ポリエステルアクリレート等を２０〜９０重量部、反応
性希釈剤として、ジシクロペンタジエンモノアクリレー
ト，ジシクロペンタジエンエトキシアクリレート，イソ
ボルニルアクリレート，Ｎ−ビニルピロリドン，シクロ
ヘキシルアクリレート，２−ヒドロキシエチル（メタ）
アクリレート，メタアクリロキシエチルフォスフェート
，ビス（メタアクリロキシエチル）フォスフェート等か
ら選ばれる一種以上のものを１０〜８０重量部配合する
ことにより得られるが、樹脂，反応性希釈剤は、ここに
掲げたものに限定されるものではない。異方性導電材料
の接着剤として、電子線硬化型を用いることにより、接
続信頼性の高い、実装作業性の良い集積回路素子の接続
作業を行うことが可能となる。
圧着状態で一括固定するために諸問題が発生している。 これらの問題を解決するために、鋭意工夫を行った。そ
の結果、本発明の異方性導電材料は、電子線硬化型絶縁
性接着剤中に、導電粒子を分散させた構造となっている
ので、実装時にまずボンディング領域で圧着後、電子線
により瞬時に硬化できるようになっている。電子線硬化
型絶縁性接着剤は、エポキシアクリレート，ウレタンア
クリレート，ポリエステルアクリレート，ウレタン変性
ポリエステルアクリレート等を２０〜９０重量部、反応
性希釈剤として、ジシクロペンタジエンモノアクリレー
ト，ジシクロペンタジエンエトキシアクリレート，イソ
ボルニルアクリレート，Ｎ−ビニルピロリドン，シクロ
ヘキシルアクリレート，２−ヒドロキシエチル（メタ）
アクリレート，メタアクリロキシエチルフォスフェート
，ビス（メタアクリロキシエチル）フォスフェート等か
ら選ばれる一種以上のものを１０〜８０重量部配合する
ことにより得られるが、樹脂，反応性希釈剤は、ここに
掲げたものに限定されるものではない。異方性導電材料
の接着剤として、電子線硬化型を用いることにより、接
続信頼性の高い、実装作業性の良い集積回路素子の接続
作業を行うことが可能となる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について、図面を参照して説明
する。
する。
【００１０】図１は、本発明の異方性導電材料を用いた
ＩＣチップ等の微細な電極と実装基板上に設けた電極と
の接続実装の一実施例を示すもので、（ａ），（ｂ）は
、本発明のＩＣチップの接続方法を工程順に示す断面図
である。
ＩＣチップ等の微細な電極と実装基板上に設けた電極と
の接続実装の一実施例を示すもので、（ａ），（ｂ）は
、本発明のＩＣチップの接続方法を工程順に示す断面図
である。
【００１１】まず図１（ａ）に示すように、ＩＣチップ
３の表面には、例えば２０μｍの厚み，２００μｍのピ
ッチで電極パッド４が形成され、ガラス基板５には、電
極パッド４に対応して、例えば１０μｍの厚み，２００
μｍのピッチで電極端子６が形成されている。
３の表面には、例えば２０μｍの厚み，２００μｍのピ
ッチで電極パッド４が形成され、ガラス基板５には、電
極パッド４に対応して、例えば１０μｍの厚み，２００
μｍのピッチで電極端子６が形成されている。
【００１２】次にＩＣチップ３の電極パッド４の表面を
洗浄し、その後、例えば、ジビニルベンゼン共重合系の
粒子にＮｉ，Ａｕメッキを施し、平均粒子径が１０μｍ
の導電粒子１を電子線硬化型絶縁性接着剤樹脂２中に例
えば１体積％分散させた異方性導電材料を、電極パッド
４を含めたＩＣチップ３の表面に塗布する。
洗浄し、その後、例えば、ジビニルベンゼン共重合系の
粒子にＮｉ，Ａｕメッキを施し、平均粒子径が１０μｍ
の導電粒子１を電子線硬化型絶縁性接着剤樹脂２中に例
えば１体積％分散させた異方性導電材料を、電極パッド
４を含めたＩＣチップ３の表面に塗布する。
【００１３】さらに、ガラス基板５の電極端子６を含む
表面を洗浄し、電極端子６を含む表面に導電性粒子１を
含む接着樹脂２を塗布する。実施例では、電子線硬化型
絶縁性接着剤樹脂２として、東洋紡（株）製バイロン（
商品名）を用いた。
表面を洗浄し、電極端子６を含む表面に導電性粒子１を
含む接着樹脂２を塗布する。実施例では、電子線硬化型
絶縁性接着剤樹脂２として、東洋紡（株）製バイロン（
商品名）を用いた。
【００１４】次に、電極パッド４と電極端子６とを向き
合わせて、ＩＣチップ３をガラス基板５上に載せる。
合わせて、ＩＣチップ３をガラス基板５上に載せる。
【００１５】次に図１（ｂ）に示すように、荷重を加え
てＩＣチップ３を圧下し、電極パッド４と電極端子６と
を、例えば２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で圧着させ、これと
同時に、横方向及びガラス基板５の裏面方向より電子線
７を５秒照射し、ＩＣチップ３とガラス基板５間に付着
した樹脂２を硬化させ、ＩＣチップ３とガラス基板５を
接着固定した。
てＩＣチップ３を圧下し、電極パッド４と電極端子６と
を、例えば２０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で圧着させ、これと
同時に、横方向及びガラス基板５の裏面方向より電子線
７を５秒照射し、ＩＣチップ３とガラス基板５間に付着
した樹脂２を硬化させ、ＩＣチップ３とガラス基板５を
接着固定した。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子線硬化型絶縁性接着剤樹脂中に導電粒子を分散させ、
実装時にボンディング領域で圧着後、電子線の照射によ
り瞬時に硬化ができ、急速な加熱による接着剤粘度の急
激な低下が生じないため、接続部分に気泡が発生すると
言う問題を解決でき、これにより、接続信頼性が高く、
実装作業性が良くなると言う効果がある。
子線硬化型絶縁性接着剤樹脂中に導電粒子を分散させ、
実装時にボンディング領域で圧着後、電子線の照射によ
り瞬時に硬化ができ、急速な加熱による接着剤粘度の急
激な低下が生じないため、接続部分に気泡が発生すると
言う問題を解決でき、これにより、接続信頼性が高く、
実装作業性が良くなると言う効果がある。
【図１】本発明に係わるＩＣチップの接続方法を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図２】従来のＩＣチップの接続方法を工程順に示す断
面図である。
面図である。
１ 導電粒子
２ 電子線硬化型接着剤
３ ＩＣチップ
４ 電極パッド
５ ガラス基板
６ 電極端子
７ 電子線
８ 熱接着樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 集積回路素子と配線基板とを異方性導
電材料により電気接続を行う集積回路素子の接続方法で
あって、異方性導電材料として、電子線硬化型絶縁性接
着剤樹脂中に導電粒子を分散させたものを使用し、集積
回路素子と配線基板とのボンディング領域に前記異方性
導電材料を配置して集積回路素子と配線基板とを圧着し
、その圧着状態で前記異方性導電材料を電子線の照射に
より硬化させ、電気接続を行うことを特徴とする集積回
路素子の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111049A JPH04317347A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 集積回路素子の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111049A JPH04317347A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 集積回路素子の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317347A true JPH04317347A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14551113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3111049A Pending JPH04317347A (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 集積回路素子の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043767A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-10-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board and electronic device |
| US6133978A (en) * | 1996-04-26 | 2000-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tape carrier package and liquid crystal display device |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP3111049A patent/JPH04317347A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133978A (en) * | 1996-04-26 | 2000-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tape carrier package and liquid crystal display device |
| US6396557B1 (en) | 1996-04-26 | 2002-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tape carrier package and liquid crystal display device |
| EP1043767A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-10-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board and electronic device |
| EP1043767A4 (en) * | 1998-10-30 | 2001-12-05 | Seiko Epson Corp | SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, PRINTED CIRCUIT BOARD, AND ELECTRONIC DEVICE |
| US6853086B1 (en) | 1998-10-30 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board, and electronic instrument |
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