JPH04317203A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPH04317203A JPH04317203A JP8517091A JP8517091A JPH04317203A JP H04317203 A JPH04317203 A JP H04317203A JP 8517091 A JP8517091 A JP 8517091A JP 8517091 A JP8517091 A JP 8517091A JP H04317203 A JPH04317203 A JP H04317203A
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- JP
- Japan
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- resonator
- temperature
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- mounting member
- resonant frequency
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- Withdrawn
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- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特に高周波回路に用
いられ、共振周波数の温度安定性が向上された誘電体共
振器に関する。
いられ、共振周波数の温度安定性が向上された誘電体共
振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の誘電体共振器は温度変動により共
振周波数が変化する。誘電体共振器の誘電率の温度係数
をτｄ 、熱膨張係数をαとすると、共振周波数の温度
係数τｆ は次式で与えられることが知られている。 τｆ ＝−（τｄ ／２）−α …（１）こ
のような温度特性のため、温度変動に応じて共振周波数
が変化する欠点があった。（１）式より、τｄ がαと
符号が反対で絶対値が２倍であるような材料に調整すれ
ば共振周波数は変動しない。しかし実際にはτｄ とα
とを独立に変化させることは困難である。
振周波数が変化する。誘電体共振器の誘電率の温度係数
をτｄ 、熱膨張係数をαとすると、共振周波数の温度
係数τｆ は次式で与えられることが知られている。 τｆ ＝−（τｄ ／２）−α …（１）こ
のような温度特性のため、温度変動に応じて共振周波数
が変化する欠点があった。（１）式より、τｄ がαと
符号が反対で絶対値が２倍であるような材料に調整すれ
ば共振周波数は変動しない。しかし実際にはτｄ とα
とを独立に変化させることは困難である。
【０００３】そこで従来においては、図３Ａに示すよう
に、共振周波数が正の温度係数の高誘電率材料部１１と
、共振周波数が負の温度係数の高誘電率材料部１２とを
はり合わせたスタックド誘電体共振器が開発されている
。高誘電率材料部１１の共振周波数−温度特性が図３Ｂ
に示す線１３となり、高誘電率材料部１２の共振周波数
−温度特性が図３Ｂに示す線１４となり、全体の共振周
波数−温度特性は線１５に示すように線１３と１４との
傾斜が互いに打消されて、温度変化に対する共振周波数
の変化が小さくなる。
に、共振周波数が正の温度係数の高誘電率材料部１１と
、共振周波数が負の温度係数の高誘電率材料部１２とを
はり合わせたスタックド誘電体共振器が開発されている
。高誘電率材料部１１の共振周波数−温度特性が図３Ｂ
に示す線１３となり、高誘電率材料部１２の共振周波数
−温度特性が図３Ｂに示す線１４となり、全体の共振周
波数−温度特性は線１５に示すように線１３と１４との
傾斜が互いに打消されて、温度変化に対する共振周波数
の変化が小さくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように現在
の所、均質な材料で共振周波数の温度特性が優れた誘電
体共振器を作ることは困難であった。またスタックド誘
電体共振器も、組合せる材料をどのような特性のもの同
士にすればよいかを、試行錯誤により決めることが多く
、その設計が容易でなかった。
の所、均質な材料で共振周波数の温度特性が優れた誘電
体共振器を作ることは困難であった。またスタックド誘
電体共振器も、組合せる材料をどのような特性のもの同
士にすればよいかを、試行錯誤により決めることが多く
、その設計が容易でなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明によれば高誘電
率材料よりなる共振器本体と、その一面に取付けられた
温度補償用取付部材とより構成され、温度補償用取付部
材は共振器本体よりも誘電率が低ければ低い程よい低誘
電率材料であり、かつ共振器本体の前記一面と垂直な方
向における長さの熱膨張係数の極性が共振器本体の共振
周波数の温度係数の極性と同一の材料で構成され、その
共振器本体と反対の面が実装面とされている。
率材料よりなる共振器本体と、その一面に取付けられた
温度補償用取付部材とより構成され、温度補償用取付部
材は共振器本体よりも誘電率が低ければ低い程よい低誘
電率材料であり、かつ共振器本体の前記一面と垂直な方
向における長さの熱膨張係数の極性が共振器本体の共振
周波数の温度係数の極性と同一の材料で構成され、その
共振器本体と反対の面が実装面とされている。
【０００６】
【実施例】図１Ａにこの発明の実施例を示す。この発明
によれば高誘電率材料よりなる共振器本体２１と、その
一面に取付けられた温度補償用取付部材２２とよりなる
。共振器本体２１は円板状乃至円柱状とされた場合であ
り、温度補償用取付部材２２も、共振器本体２１と同一
径の円板状乃至円柱状とされ、同一中心線上にあるよう
に互いに取付けられている。温度補償用取付部材２２は
その誘電率がなるべく小さい、つまり空気のそれに近い
程よく、かつ中心線に沿う方向の長さの熱膨張線係数の
極性が、共振器本体２１の共振周波数の温度係数の極性
と同一である材料とされている。また温度補償用取付部
材２２の共振器本体２１と反対の面は実装面２３とされ
る。つまりこの実装面２３を実装基板に対接してこの誘
電体共振器２４を実装した時、後で詳しく述べるように
温度変化により共振器本体２１の共振周波数が変化する
と、温度補償用取付部材２２が温度変化により伸縮して
共振器本体２１の実装基板に対する高さが変化し、これ
に伴う共振器本体２１の共振周波数の変化が前記共振周
波数の温度変化にもとづく変化を打消すように温度補償
用取付部材２２の熱膨張特性が選定されている。
によれば高誘電率材料よりなる共振器本体２１と、その
一面に取付けられた温度補償用取付部材２２とよりなる
。共振器本体２１は円板状乃至円柱状とされた場合であ
り、温度補償用取付部材２２も、共振器本体２１と同一
径の円板状乃至円柱状とされ、同一中心線上にあるよう
に互いに取付けられている。温度補償用取付部材２２は
その誘電率がなるべく小さい、つまり空気のそれに近い
程よく、かつ中心線に沿う方向の長さの熱膨張線係数の
極性が、共振器本体２１の共振周波数の温度係数の極性
と同一である材料とされている。また温度補償用取付部
材２２の共振器本体２１と反対の面は実装面２３とされ
る。つまりこの実装面２３を実装基板に対接してこの誘
電体共振器２４を実装した時、後で詳しく述べるように
温度変化により共振器本体２１の共振周波数が変化する
と、温度補償用取付部材２２が温度変化により伸縮して
共振器本体２１の実装基板に対する高さが変化し、これ
に伴う共振器本体２１の共振周波数の変化が前記共振周
波数の温度変化にもとづく変化を打消すように温度補償
用取付部材２２の熱膨張特性が選定されている。
【０００７】以下、この点について説明する。この発明
による誘電体共振器２４は図２Ａに示すように、高周波
回路の実装基板２５に対し、実装面２３を対接させて実
装され、実装基板２５を含む全体は通常シールドケース
２６内に収容されて使用される。このような使用環境に
おいて、誘電体共振器２４は実装基板２５と接近してい
るが、シールドケース２６からは十分離れているとする
。
による誘電体共振器２４は図２Ａに示すように、高周波
回路の実装基板２５に対し、実装面２３を対接させて実
装され、実装基板２５を含む全体は通常シールドケース
２６内に収容されて使用される。このような使用環境に
おいて、誘電体共振器２４は実装基板２５と接近してい
るが、シールドケース２６からは十分離れているとする
。
【０００８】いま共振器本体２１だけを図２Ｂに示すよ
うに、実装基板２５に直接対接させた状態における共振
器本体２１の共振周波数−温度特性は図１Ｂに示すよう
に正の傾斜である時、図２Ｃに示すように、共振器本体
２１の単体を実装基板２５から離すと、その共振器本体
２１と実装基板２５との間の距離Ｌ２に応じて共振器本
体２１の共振周波数は図１Ｃに示すように、Ｌ２ が大
きくなるに従って小さくなる負の特性をもつ。
うに、実装基板２５に直接対接させた状態における共振
器本体２１の共振周波数−温度特性は図１Ｂに示すよう
に正の傾斜である時、図２Ｃに示すように、共振器本体
２１の単体を実装基板２５から離すと、その共振器本体
２１と実装基板２５との間の距離Ｌ２に応じて共振器本
体２１の共振周波数は図１Ｃに示すように、Ｌ２ が大
きくなるに従って小さくなる負の特性をもつ。
【０００９】従って図１Ｂにおける温度上昇により共振
周波数が高くなった分、共振器本体２１を実装基板２５
から離して図１Ｃの特性により共振周波数を下げるよう
にすれば、図１Ｄに示すように温度変化に拘らず、共振
周波数がほぼ一定の優れた特性のものとすることができ
る。つまり、この発明では温度変化に伴う共振周波数の
変化を自動的に補償するように、共振器本体２１の実装
基板２５に対する高さＬ２ の調整を、温度補償用取付
部材２２の熱膨張による伸縮を利用して自動的に行う。 温度補償用取付部材２２はその誘電率が十分小さければ
、高周波的には空気と等しいものに近づき、共振器本体
２１の特性に対し影響を与えることなく、温度に応じて
共振器本体２１を実装基板２５に対し、単に上下させる
作用をすることになる。
周波数が高くなった分、共振器本体２１を実装基板２５
から離して図１Ｃの特性により共振周波数を下げるよう
にすれば、図１Ｄに示すように温度変化に拘らず、共振
周波数がほぼ一定の優れた特性のものとすることができ
る。つまり、この発明では温度変化に伴う共振周波数の
変化を自動的に補償するように、共振器本体２１の実装
基板２５に対する高さＬ２ の調整を、温度補償用取付
部材２２の熱膨張による伸縮を利用して自動的に行う。 温度補償用取付部材２２はその誘電率が十分小さければ
、高周波的には空気と等しいものに近づき、共振器本体
２１の特性に対し影響を与えることなく、温度に応じて
共振器本体２１を実装基板２５に対し、単に上下させる
作用をすることになる。
【００１０】温度補償用取付部材２２を付ける前に共振
器本体２１単体の共振周波数−温度特性（図１Ｂ）を測
定し、実装基板から距離Ｌ２ に対する共振器本体２１
の共振周波数特性（図１Ｃ）は計算で求めることができ
るから、温度変化に対し、その共振周波数変化を打消す
には、基板からの距離をどの程度変化させればよいかを
求めることができ、その温度と基板からの距離Ｌ２ と
の関係を満足する熱膨張係数の材料のものを、誘電率が
なるべく低いものから選定して、温度補償用取付部材２
２とすればよい。
器本体２１単体の共振周波数−温度特性（図１Ｂ）を測
定し、実装基板から距離Ｌ２ に対する共振器本体２１
の共振周波数特性（図１Ｃ）は計算で求めることができ
るから、温度変化に対し、その共振周波数変化を打消す
には、基板からの距離をどの程度変化させればよいかを
求めることができ、その温度と基板からの距離Ｌ２ と
の関係を満足する熱膨張係数の材料のものを、誘電率が
なるべく低いものから選定して、温度補償用取付部材２
２とすればよい。
【００１１】以上のことを少し検討すると以下の通りで
ある。誘電体共振器の共振周波数の温度係数τ５ は高
周波回路に実装した状態、つまり図２Ａの状態では次式
のように表わされる。 τｆ ＝（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂εｒ ）（Δεｒ ／Δ
Ｔ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｄ）×（ΔＤ／ΔＴ）＋（
１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ）（ΔＬ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）（
∂Ｆ／∂εｒ ′）×（Δεｒ ′／ΔＴ）＋（１／Ｆ
）（∂Ｆ／∂ｄ１ ）（Δｄ１ ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）
（∂Ｆ／∂ｄ２ ）×（Δｄ２ ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）
（∂Ｆ／∂ｄ３ ）（Δｄ３ ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）×
（∂Ｆ／∂ｈ）（Δｈ／ΔＴ）…（２） εｒ ：誘電体共振器の比誘電率、Ｄ：誘電体共振器の
直径、Ｌ：誘電体共振器の長さ、εｒ ′：実装基板２
５の比誘電率、ｄ１ ：実装基板２５の広さ、ｄ２ ：
誘電体共振器からシールドケース２６の側壁までの距離
、ｄ３ ：実装基板２５の厚さ、ｈ：シールドケース２
６の高さ、Ｆ：εｒ ，Ｄ，Ｌ，εｒ ′，ｄ１ ，ｄ
２ ，ｄ３ ，ｈをパラメータとして共振周波数を記述
する関数。
ある。誘電体共振器の共振周波数の温度係数τ５ は高
周波回路に実装した状態、つまり図２Ａの状態では次式
のように表わされる。 τｆ ＝（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂εｒ ）（Δεｒ ／Δ
Ｔ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｄ）×（ΔＤ／ΔＴ）＋（
１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ）（ΔＬ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）（
∂Ｆ／∂εｒ ′）×（Δεｒ ′／ΔＴ）＋（１／Ｆ
）（∂Ｆ／∂ｄ１ ）（Δｄ１ ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）
（∂Ｆ／∂ｄ２ ）×（Δｄ２ ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）
（∂Ｆ／∂ｄ３ ）（Δｄ３ ／ΔＴ）＋（１／Ｆ）×
（∂Ｆ／∂ｈ）（Δｈ／ΔＴ）…（２） εｒ ：誘電体共振器の比誘電率、Ｄ：誘電体共振器の
直径、Ｌ：誘電体共振器の長さ、εｒ ′：実装基板２
５の比誘電率、ｄ１ ：実装基板２５の広さ、ｄ２ ：
誘電体共振器からシールドケース２６の側壁までの距離
、ｄ３ ：実装基板２５の厚さ、ｈ：シールドケース２
６の高さ、Ｆ：εｒ ，Ｄ，Ｌ，εｒ ′，ｄ１ ，ｄ
２ ，ｄ３ ，ｈをパラメータとして共振周波数を記述
する関数。
【００１２】ここで実装基板２５とシールドケース２６
との温度特性による項をτＣ とまとめると次式となる
。 τｆ ＝（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂εｒ ）（Δεｒ／ΔＴ
）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｄ）×（ΔＤ／ΔＴ）＋（１
／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ）（ΔＬ／ΔＴ）＋τＣ …（３）
τＣ が無視できるように回路設計すれば、（３）式は
（１）式と一致する。この発明による誘電体共振器２４
について共振周波数の温度係数τｆを（３）式にもとづ
いて表わすと下記となる。
との温度特性による項をτＣ とまとめると次式となる
。 τｆ ＝（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂εｒ ）（Δεｒ／ΔＴ
）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｄ）×（ΔＤ／ΔＴ）＋（１
／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ）（ΔＬ／ΔＴ）＋τＣ …（３）
τＣ が無視できるように回路設計すれば、（３）式は
（１）式と一致する。この発明による誘電体共振器２４
について共振周波数の温度係数τｆを（３）式にもとづ
いて表わすと下記となる。
【００１３】τｆ ＝（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂εｒ１）（
Δεｒ１／ΔＴ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂εｒ２）×（
Δεｒ２／ΔＴ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／Ｄ）（ΔＤ／Δ
Ｔ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ１ ）×（ΔＬ１ ／Δ
Ｔ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ２ ）（ΔＬ２ ／ΔＴ
）＋τｃ …（４） εｒ１：共振器本体２１の比誘電率、εｒ２：温度補償
用取付部材２２の比誘電率、Ｌ１ ：共振器本体２１の
長さ、Ｌ２ ：温度補償用取付部材２２の長さ。
Δεｒ１／ΔＴ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂εｒ２）×（
Δεｒ２／ΔＴ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／Ｄ）（ΔＤ／Δ
Ｔ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ１ ）×（ΔＬ１ ／Δ
Ｔ）＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ２ ）（ΔＬ２ ／ΔＴ
）＋τｃ …（４） εｒ１：共振器本体２１の比誘電率、εｒ２：温度補償
用取付部材２２の比誘電率、Ｌ１ ：共振器本体２１の
長さ、Ｌ２ ：温度補償用取付部材２２の長さ。
【００１４】共振器本体２１の共振周波数の温度係数を
τｆ１とし、またεｒ２は低誘電率で小さいから、Ｆの
パラメータに含まれないと考えられ、無視すると、
τｆ ＝τｆ１＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ２ ）（ΔＬ
２ ／ΔＴ）＋τｃ …（５）となる。つまりτｆ
１は図１Ｂに示す特性であり、右辺第２項は温度補償用
取付部材２２の長さＬ２ の熱膨張による影響の項であ
り、τｆ１とは独立し、Ｌ２ を変化してもτｆ１は変
化しない。よって前述したように、τｆ１にもとづく共
振周波数の温度変化による変化を、Ｌ２ を変化させて
打消すことができる。
τｆ１とし、またεｒ２は低誘電率で小さいから、Ｆの
パラメータに含まれないと考えられ、無視すると、
τｆ ＝τｆ１＋（１／Ｆ）（∂Ｆ／∂Ｌ２ ）（ΔＬ
２ ／ΔＴ）＋τｃ …（５）となる。つまりτｆ
１は図１Ｂに示す特性であり、右辺第２項は温度補償用
取付部材２２の長さＬ２ の熱膨張による影響の項であ
り、τｆ１とは独立し、Ｌ２ を変化してもτｆ１は変
化しない。よって前述したように、τｆ１にもとづく共
振周波数の温度変化による変化を、Ｌ２ を変化させて
打消すことができる。
【００１５】つまり従来においては誘電体共振器単体で
共振周波数の温度変動をなくすように努力されていたが
、この発明では実装された状態で、周辺の共振周波数へ
の影響、つまり実装基板に対する高さの共振周波数への
影響に着目し、これを積極的に利用して共振周波数を温
度変化に対し安定化したものである。共振器本体２１と
してセラミック材を用い、温度補償用取付部材２２とし
てもセラミック材を用い、両者を同時に焼成して一体に
作ることもできる。温度補償用取付部材２２としては、
誘電率を十分小さなものとする点から高分子有機樹脂材
を用いることもできる。
共振周波数の温度変動をなくすように努力されていたが
、この発明では実装された状態で、周辺の共振周波数へ
の影響、つまり実装基板に対する高さの共振周波数への
影響に着目し、これを積極的に利用して共振周波数を温
度変化に対し安定化したものである。共振器本体２１と
してセラミック材を用い、温度補償用取付部材２２とし
てもセラミック材を用い、両者を同時に焼成して一体に
作ることもできる。温度補償用取付部材２２としては、
誘電率を十分小さなものとする点から高分子有機樹脂材
を用いることもできる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
実装基板に取付けた状態で、共振器本体の温度変動によ
る共振周波数の変動を、温度補償用取付部材の温度変動
による伸縮により共振器本体の実装基板に対する高さを
自動的に変化させ、これに基づく共振周波数の変動によ
り打消すことができる。共振器本体の共振周波数−温度
特性と、温度補償用取付部材の熱膨張による伸縮にもと
づく共振器本体の共振周波数の温度特性とが独立してい
るため、設計が容易で所望の温度補償を容易に行うこと
ができる。共振周波数の温度安定性を向上させることが
できる。
実装基板に取付けた状態で、共振器本体の温度変動によ
る共振周波数の変動を、温度補償用取付部材の温度変動
による伸縮により共振器本体の実装基板に対する高さを
自動的に変化させ、これに基づく共振周波数の変動によ
り打消すことができる。共振器本体の共振周波数−温度
特性と、温度補償用取付部材の熱膨張による伸縮にもと
づく共振器本体の共振周波数の温度特性とが独立してい
るため、設計が容易で所望の温度補償を容易に行うこと
ができる。共振周波数の温度安定性を向上させることが
できる。
【図１】Ａはこの発明の実施例を示す斜視図、Ｂは共振
器本体２１の単体の共振周波数−温度特性図、Ｃは共振
器本体２１の実装共振からの距離に対する共振周波数特
性図、Ｄはこの発明の誘電体共振器の共振周波数−温度
特性の一例を示す図である。
器本体２１の単体の共振周波数−温度特性図、Ｃは共振
器本体２１の実装共振からの距離に対する共振周波数特
性図、Ｄはこの発明の誘電体共振器の共振周波数−温度
特性の一例を示す図である。
【図２】Ａはこの発明の実施例を実装した状態を示す断
面図、Ｂは共振器本体２１のみを実装した状態を示す断
面図、Ｃは共振器本体２１を実装基板からＬ２ 離した
状態を示す断面図である。
面図、Ｂは共振器本体２１のみを実装した状態を示す断
面図、Ｃは共振器本体２１を実装基板からＬ２ 離した
状態を示す断面図である。
【図３】Ａは従来の誘電体共振器を示す斜視図、Ｂはそ
の共振周波数温度特性図である。
の共振周波数温度特性図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 高誘電率材料よりなる共振器本体と、
その共振器本体の一面に取付けられ、上記高誘電率材料
より誘電率が低く、かつ、上記共振器本体の共振周波数
の温度係数の極性と、上記一面と直角方向における長さ
の熱膨張係数の極性が同一である材料よりなり、上記共
振器本体と反対の面が実装面とされている温度補償用取
付部材とよりなる誘電体共振器。 - 【請求項２】 上記共振器本体及び上記温度補償用取
付け部材は共にセラミック材料よりなり、一体に焼成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の誘電体共振器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8517091A JPH04317203A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8517091A JPH04317203A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317203A true JPH04317203A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=13851190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8517091A Withdrawn JPH04317203A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317203A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000077882A1 (de) * | 1999-06-15 | 2000-12-21 | Marconi Communications Gmbh | Vorrichtung zum abstimmen der resonanzfrequenz eines dielektrischen resonators |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP8517091A patent/JPH04317203A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000077882A1 (de) * | 1999-06-15 | 2000-12-21 | Marconi Communications Gmbh | Vorrichtung zum abstimmen der resonanzfrequenz eines dielektrischen resonators |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |