JPH09186513A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPH09186513A JPH09186513A JP34398195A JP34398195A JPH09186513A JP H09186513 A JPH09186513 A JP H09186513A JP 34398195 A JP34398195 A JP 34398195A JP 34398195 A JP34398195 A JP 34398195A JP H09186513 A JPH09186513 A JP H09186513A
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- dielectric layer
- resonator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体共振器の共振周波数を高精度で安価に
調整・製作する。 【解決手段】 誘電体共振器は、誘電体セラミックスか
らなる第１誘電体層１１と、誘電体セラミックスに比べ
高精度での寸法加工が可能な誘電体からなり共振周波数
の調整のために寸法加工を施される第２誘電体層１３と
を有する。前記誘電体セラミックスの誘電率の温度変化
を補償するような誘電率の温度変化を示す誘電体によっ
て共振周波数が温度に対して安定化される。
調整・製作する。 【解決手段】 誘電体共振器は、誘電体セラミックスか
らなる第１誘電体層１１と、誘電体セラミックスに比べ
高精度での寸法加工が可能な誘電体からなり共振周波数
の調整のために寸法加工を施される第２誘電体層１３と
を有する。前記誘電体セラミックスの誘電率の温度変化
を補償するような誘電率の温度変化を示す誘電体によっ
て共振周波数が温度に対して安定化される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器、詳
細にはミリ波等の短波長用の誘電体共振器に関する。
細にはミリ波等の短波長用の誘電体共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体セラミックスは比誘電率が高く温
度変化に対する特性変動が小さいため、共振器の材料に
適用した場合に、Ｑ値（例えば、共振器がＬＣＲ回路で
構成される場合のＱ値は１／ωＣＲで、容量／抵抗を近
似的に意味する）が高く損失の低い共振器が得られるの
で、共振周波数の温度安定性の良い小型の共振器を提供
する材料として広く用いられている。誘電体セラミック
スを発振器の共振器として使用するには、図１に示すよ
うに、円柱型の誘電体セラミックス１を発振回路のマイ
クロストリップライン３の近傍位置に取り付けてマイク
ロストリップラインと電磁気的に結合させることによっ
て発振器を形成する。この発振器において誘電体セラミ
ックス１は共振器として作用し、発振器の発振周波数は
誘電体セラミックスの寸法・形状によって変化するが、
回路全体としての影響等も受けるため、所望の周波数で
共振するようなセラミックスの大きさを計算によって正
確に決定するすることは難しく、発振回路と組み合わせ
た後に再度大きさを修正する必要が生じる。従って、ミ
リ波帯などのような短い波長帯用の共振器では、誘電体
素子の寸法が小さいために加工においてより高い精度が
要求されてくる。しかし、通常、セラミックスは研磨に
より寸法制御を行っているので、高精度な加工は難し
い。さらに、マイクロ波発振回路上に誘電体セラミック
スを装荷した状態で発振周波数調整のための加工をする
のは難しい。
度変化に対する特性変動が小さいため、共振器の材料に
適用した場合に、Ｑ値（例えば、共振器がＬＣＲ回路で
構成される場合のＱ値は１／ωＣＲで、容量／抵抗を近
似的に意味する）が高く損失の低い共振器が得られるの
で、共振周波数の温度安定性の良い小型の共振器を提供
する材料として広く用いられている。誘電体セラミック
スを発振器の共振器として使用するには、図１に示すよ
うに、円柱型の誘電体セラミックス１を発振回路のマイ
クロストリップライン３の近傍位置に取り付けてマイク
ロストリップラインと電磁気的に結合させることによっ
て発振器を形成する。この発振器において誘電体セラミ
ックス１は共振器として作用し、発振器の発振周波数は
誘電体セラミックスの寸法・形状によって変化するが、
回路全体としての影響等も受けるため、所望の周波数で
共振するようなセラミックスの大きさを計算によって正
確に決定するすることは難しく、発振回路と組み合わせ
た後に再度大きさを修正する必要が生じる。従って、ミ
リ波帯などのような短い波長帯用の共振器では、誘電体
素子の寸法が小さいために加工においてより高い精度が
要求されてくる。しかし、通常、セラミックスは研磨に
より寸法制御を行っているので、高精度な加工は難し
い。さらに、マイクロ波発振回路上に誘電体セラミック
スを装荷した状態で発振周波数調整のための加工をする
のは難しい。
【０００３】このため、周波数調整手段として、図２に
示すように、発信回路の基板５上に載置した誘電体セラ
ミックス１の上方に金属板７を設け、金属板７と誘電体
セラミックス１上面との間隔をネジ９で調整する方法が
ある。
示すように、発信回路の基板５上に載置した誘電体セラ
ミックス１の上方に金属板７を設け、金属板７と誘電体
セラミックス１上面との間隔をネジ９で調整する方法が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
法は、ミリ波帯で用いるような小さな誘電体共振器を安
価に作製・調整するのは難しい。また、この様な構成に
おいては、温度特性の良いＢａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3 を誘
電体共振器の材料として用いた６０ＧＨｚ帯発振器にお
いても、発振周波数が４ｐｐｍ／℃程度は変動する。
法は、ミリ波帯で用いるような小さな誘電体共振器を安
価に作製・調整するのは難しい。また、この様な構成に
おいては、温度特性の良いＢａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3 を誘
電体共振器の材料として用いた６０ＧＨｚ帯発振器にお
いても、発振周波数が４ｐｐｍ／℃程度は変動する。
【０００５】従って、ミリ波帯で用いるような小さな誘
電体共振器においても共振周波数が精度良く調整でき、
温度安定性も良い誘電体共振器が望まれている。
電体共振器においても共振周波数が精度良く調整でき、
温度安定性も良い誘電体共振器が望まれている。
【０００６】本発明は、上記課題を解決し、共振周波数
が精度良く調整できる誘電体共振器を安価に提供するこ
とを目的とする。
が精度良く調整できる誘電体共振器を安価に提供するこ
とを目的とする。
【０００７】又、共振周波数の調整が容易で、温度安定
性に優れた誘電体共振器を提供することを目的とする。
性に優れた誘電体共振器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の誘電体共振器は、誘電体セラミックスから
なる第１誘電体層と、誘電体セラミックスに比べ高精度
での寸法加工が可能な誘電体からなり共振周波数の調整
のために寸法加工を施される第２誘電体層とを有する。
に、本発明の誘電体共振器は、誘電体セラミックスから
なる第１誘電体層と、誘電体セラミックスに比べ高精度
での寸法加工が可能な誘電体からなり共振周波数の調整
のために寸法加工を施される第２誘電体層とを有する。
【０００９】又、本発明の誘電体共振器は、誘電体セラ
ミックスからなる第１誘電体層と、誘電体セラミックス
に比べ高精度での寸法加工が可能な誘電体からなり共振
周波数の調整のために寸法加工を施される第２誘電体層
と、前記誘電体セラミックスの誘電率の温度変化を補償
するような誘電率の温度変化を示す誘電体層からなる第
３誘電体層とを有する。
ミックスからなる第１誘電体層と、誘電体セラミックス
に比べ高精度での寸法加工が可能な誘電体からなり共振
周波数の調整のために寸法加工を施される第２誘電体層
と、前記誘電体セラミックスの誘電率の温度変化を補償
するような誘電率の温度変化を示す誘電体層からなる第
３誘電体層とを有する。
【００１０】第２誘電体層を構成する誘電体には、該誘
電体セラミックスより低い誘電率を有しエッチング可能
な誘電体が使用され、レーザー又はプラズマによるエッ
チングあるいはケミカルエッチングにより加工される。
電体セラミックスより低い誘電率を有しエッチング可能
な誘電体が使用され、レーザー又はプラズマによるエッ
チングあるいはケミカルエッチングにより加工される。
【００１１】上記構成に従って、第２誘電体層は寸法加
工が精密に施され、共振器の共振周波数が発振回路の周
波数に整合するように正確に調整される。誘電体セラミ
ックスの誘電率の温度変化が第３誘電体層を構成する誘
電体によって補償され、共振器の共振周波数が温度変化
に対して安定する。
工が精密に施され、共振器の共振周波数が発振回路の周
波数に整合するように正確に調整される。誘電体セラミ
ックスの誘電率の温度変化が第３誘電体層を構成する誘
電体によって補償され、共振器の共振周波数が温度変化
に対して安定する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１３】図３は本発明の誘電体共振器の第１の実施
例を示す。誘電体共振器１０は、誘電体セラミックスか
らなる第１誘電体層１１と、この上に積層される第２誘
電体層１３とを備え、図４に示すように、ミリ波帯発振
回路１５のマイクロストリップライン１７の近傍位置に
位置するように発振回路基板上に固定してマイクロスト
リップライン１７と電磁気的に結合させることによって
発振器を形成する。この後、発振器の発振周波数を測定
しながら、適宜第２誘電体層１３を寸法加工して厚さを
調整する。第２誘電体層１３の厚さを変えることにより
共振器１０の共振周波数が変化するので、厚さの調整に
より共振周波数が調整される。
例を示す。誘電体共振器１０は、誘電体セラミックスか
らなる第１誘電体層１１と、この上に積層される第２誘
電体層１３とを備え、図４に示すように、ミリ波帯発振
回路１５のマイクロストリップライン１７の近傍位置に
位置するように発振回路基板上に固定してマイクロスト
リップライン１７と電磁気的に結合させることによって
発振器を形成する。この後、発振器の発振周波数を測定
しながら、適宜第２誘電体層１３を寸法加工して厚さを
調整する。第２誘電体層１３の厚さを変えることにより
共振器１０の共振周波数が変化するので、厚さの調整に
より共振周波数が調整される。
【００１４】第２誘電体層１３の寸法加工は精密さが求
められるが、研磨加工より高精度な加工法として、酸素
プラズマ等のプラズマ又はレーザーによるエッチングあ
るいはケミカルエッチング等のエッチング加工が挙げら
れる。従って、第２誘電体層を構成する誘電体として
は、エッチングによって加工可能なものを用いるのが好
ましく、例えば、ポリイミド樹脂、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、
ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ポリマー等が有効であ
る。
められるが、研磨加工より高精度な加工法として、酸素
プラズマ等のプラズマ又はレーザーによるエッチングあ
るいはケミカルエッチング等のエッチング加工が挙げら
れる。従って、第２誘電体層を構成する誘電体として
は、エッチングによって加工可能なものを用いるのが好
ましく、例えば、ポリイミド樹脂、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、
ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ポリマー等が有効であ
る。
【００１５】加工する第２誘電体層１３の誘電率が第１
誘電体層１１よりも低いと、電磁波の実効的な波長は長
くなり、寸法加工の制御性が向上するので調整を精密に
行う上で好ましい。第１誘電体層を構成する誘電体セラ
ミックスとしては、Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＢｉＮｂＯ4 等が挙げられ、
用いる誘電体セラミックスに応じて適宜第２誘電体層１
３の誘電体を選択することができる。
誘電体層１１よりも低いと、電磁波の実効的な波長は長
くなり、寸法加工の制御性が向上するので調整を精密に
行う上で好ましい。第１誘電体層を構成する誘電体セラ
ミックスとしては、Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＢｉＮｂＯ4 等が挙げられ、
用いる誘電体セラミックスに応じて適宜第２誘電体層１
３の誘電体を選択することができる。
【００１６】第２誘電体層１３の形成方法は特に限定さ
れず、一般に考えら得る方法に従えばよく、例えばポリ
イミド樹脂で形成する場合には、誘電体セラミックスの
上にポリイミド前駆体をコーティングした後熱硬化する
ことによって第１誘電体層に積層された第２誘電体層が
形成される。
れず、一般に考えら得る方法に従えばよく、例えばポリ
イミド樹脂で形成する場合には、誘電体セラミックスの
上にポリイミド前駆体をコーティングした後熱硬化する
ことによって第１誘電体層に積層された第２誘電体層が
形成される。
【００１７】上述に従って構成される誘電体共振器は、
共振周波数の調整が精密に行えるので、ミリ波帯のよう
な短い波長帯用の発振器の共振器として特に有効であ
る。
共振周波数の調整が精密に行えるので、ミリ波帯のよう
な短い波長帯用の発振器の共振器として特に有効であ
る。
【００１８】以下、本発明の他の実施例について図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１９】図５の（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の誘電体
共振器の第２の実施例を示し、この共振器１９において
は、第１の実施例と異なり、第１誘電体層２１の上面の
一部分のみを第２誘電体層２３が被覆する。この実施例
においても、図４と同様に、発振回路基板上に共振器１
９を固定した後、発振器の発振周波数を測定しながら、
誘電体セラミックス上の第２誘電体層の上面をレーザー
または酸素プラズマによりエッチングして膜厚を調整し
て共振周波数を所定の周波数に合わせる。
共振器の第２の実施例を示し、この共振器１９において
は、第１の実施例と異なり、第１誘電体層２１の上面の
一部分のみを第２誘電体層２３が被覆する。この実施例
においても、図４と同様に、発振回路基板上に共振器１
９を固定した後、発振器の発振周波数を測定しながら、
誘電体セラミックス上の第２誘電体層の上面をレーザー
または酸素プラズマによりエッチングして膜厚を調整し
て共振周波数を所定の周波数に合わせる。
【００２０】図６は本発明の第３の実施例を示す。この
実施例においては、誘電体共振器２５は、第１誘電体層
２７と、この全面を覆うように形成された第２誘電体層
２９とからなる。
実施例においては、誘電体共振器２５は、第１誘電体層
２７と、この全面を覆うように形成された第２誘電体層
２９とからなる。
【００２１】上述から明らかなように、第２誘電体層の
位置については、加工が容易な位置であればよく、従っ
て、周囲に曝されるように配置されていればよい。形状
についても特に限定はなく、共振周波数の計算等に都合
のようものを採用すればよい。
位置については、加工が容易な位置であればよく、従っ
て、周囲に曝されるように配置されていればよい。形状
についても特に限定はなく、共振周波数の計算等に都合
のようものを採用すればよい。
【００２２】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の第４の
実施例を示す。この実施例の誘電体共振器３１、３１’
は上下面または片面に金属板３３、３５を有するもの
で、セラミックス誘電体による第１誘電体層３７に第２
誘電体層３９を形成した後、金属板のない状態で第２誘
電体層３９の膜厚を調整し、その後（Ａ）あるいは
（Ｂ）のように金属板３３、３５を一時的に設置した状
態で共振周波数を測定し、共振周波数が合わなければメ
タルを追加又は除去し、あるいは更に第２誘電体層３９
の膜厚調整を行う。これを繰り返して最終的に所望の共
振周波数に設定する。
実施例を示す。この実施例の誘電体共振器３１、３１’
は上下面または片面に金属板３３、３５を有するもの
で、セラミックス誘電体による第１誘電体層３７に第２
誘電体層３９を形成した後、金属板のない状態で第２誘
電体層３９の膜厚を調整し、その後（Ａ）あるいは
（Ｂ）のように金属板３３、３５を一時的に設置した状
態で共振周波数を測定し、共振周波数が合わなければメ
タルを追加又は除去し、あるいは更に第２誘電体層３９
の膜厚調整を行う。これを繰り返して最終的に所望の共
振周波数に設定する。
【００２３】図８は本発明の第５の実施例を示す。この
実施例の誘電体共振器４１は、第４の実施例と同様に、
誘電体セラミックスによる第１誘電体層４３の下面に金
属板４５を付設し、第１誘電体層４３の上面にポリアミ
ド前駆体をコーティングした後熱硬化して、第２誘電体
層４７を形成する。この誘電体生成物の側部に金属板４
９を周設する。この金属板４９には、発振回路基板上に
共振器４１が固定された時に金属板４９内部の誘電体が
マイクロストリップラインと電磁気的に結合可能なよう
にスロット５１が設けられている。このようにして形成
された誘電体共振器を、図４に示すようなミリ波帯発振
回路基板上に固定する。第２誘電体層４７の膜厚をレー
ザー又は酸素プラズマにより平坦にエッチングして、金
属板を第２誘導体層の上面に載せてから発振器の発振周
波数を測定し、所定の周波数になるようにエッチングを
適宜繰り返して調整する。
実施例の誘電体共振器４１は、第４の実施例と同様に、
誘電体セラミックスによる第１誘電体層４３の下面に金
属板４５を付設し、第１誘電体層４３の上面にポリアミ
ド前駆体をコーティングした後熱硬化して、第２誘電体
層４７を形成する。この誘電体生成物の側部に金属板４
９を周設する。この金属板４９には、発振回路基板上に
共振器４１が固定された時に金属板４９内部の誘電体が
マイクロストリップラインと電磁気的に結合可能なよう
にスロット５１が設けられている。このようにして形成
された誘電体共振器を、図４に示すようなミリ波帯発振
回路基板上に固定する。第２誘電体層４７の膜厚をレー
ザー又は酸素プラズマにより平坦にエッチングして、金
属板を第２誘導体層の上面に載せてから発振器の発振周
波数を測定し、所定の周波数になるようにエッチングを
適宜繰り返して調整する。
【００２４】誘電体の誘電率は温度により変化し、誘電
体の種類によって誘電率の温度変化率は異なる。本発明
の誘電帯共振器は、第１誘電体層及び第２誘電体層を有
するが、この２つの層において誘電体の誘電率の温度変
化が互いに打ち消し合うような組合せであると、共振器
全体として誘電率の温度変化が補償され、共振周波数は
温度の変化に対しても安定化する。例えば、誘電体セラ
ミックスであるＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 の誘電率
の温度変化率は８ｐｐｍ／℃、Ａｌ2 Ｏ3 は１１０ｐｐ
ｍ／℃、ＳｒＺｒＯ3 は１２０ｐｐｍ／℃、ＢｉＮｂＯ
4 は８ｐｐｍ／℃であるのに対し、ポリイミド樹脂の誘
電率の温度変化率は−６〜−２００ｐｐｍ／℃程度であ
るので、上記誘電体セラミックスとポリイミド樹脂との
組合せは、第１誘電体層及び第２誘電体層に適用された
際に誘電率の温度変化を補償し得る。従って、共振器全
体としての誘電率及び共振周波数が温度変化に対して安
定化される。
体の種類によって誘電率の温度変化率は異なる。本発明
の誘電帯共振器は、第１誘電体層及び第２誘電体層を有
するが、この２つの層において誘電体の誘電率の温度変
化が互いに打ち消し合うような組合せであると、共振器
全体として誘電率の温度変化が補償され、共振周波数は
温度の変化に対しても安定化する。例えば、誘電体セラ
ミックスであるＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 の誘電率
の温度変化率は８ｐｐｍ／℃、Ａｌ2 Ｏ3 は１１０ｐｐ
ｍ／℃、ＳｒＺｒＯ3 は１２０ｐｐｍ／℃、ＢｉＮｂＯ
4 は８ｐｐｍ／℃であるのに対し、ポリイミド樹脂の誘
電率の温度変化率は−６〜−２００ｐｐｍ／℃程度であ
るので、上記誘電体セラミックスとポリイミド樹脂との
組合せは、第１誘電体層及び第２誘電体層に適用された
際に誘電率の温度変化を補償し得る。従って、共振器全
体としての誘電率及び共振周波数が温度変化に対して安
定化される。
【００２５】上記のような誘電体セラミックスの誘電率
の温度変化を補償し得る誘電体を第２誘電体層とは独立
した第３誘電体層として構成してもよいことは前述から
容易に理解される。例えば、図９に示す本発明の第６の
実施例のように、第１誘電体層５３の上面に前述の寸法
加工を容易にするための第２誘電体層５５を載設し、下
面に温度補償のための第３誘電体層５７を別途設けるこ
とができる。又、前述の第２〜第５の実施例を応用し
て、第１誘電体層と第２誘電体層の間あるいは第１誘電
体層の下側に温度補償用の第３誘電体層が設けられるよ
うにしてもよい。
の温度変化を補償し得る誘電体を第２誘電体層とは独立
した第３誘電体層として構成してもよいことは前述から
容易に理解される。例えば、図９に示す本発明の第６の
実施例のように、第１誘電体層５３の上面に前述の寸法
加工を容易にするための第２誘電体層５５を載設し、下
面に温度補償のための第３誘電体層５７を別途設けるこ
とができる。又、前述の第２〜第５の実施例を応用し
て、第１誘電体層と第２誘電体層の間あるいは第１誘電
体層の下側に温度補償用の第３誘電体層が設けられるよ
うにしてもよい。
【００２６】以上のように、本発明によれば、ミリ波帯
のような短波帯での周波数調整にも対応できるような高
精度の調整が回路基板に装荷した状態で容易に実現さ
れ、誘電体発振器の製作・調整も安価にできる。
のような短波帯での周波数調整にも対応できるような高
精度の調整が回路基板に装荷した状態で容易に実現さ
れ、誘電体発振器の製作・調整も安価にできる。
【００２７】尚、上記説明において、発振器の共振器と
しての実施例を述べてきたが、本発明の誘電体共振器は
フィルターなどにも応用可能である。
しての実施例を述べてきたが、本発明の誘電体共振器は
フィルターなどにも応用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、誘電体セラミックスを用いた共振器の共
振周波数の調整の精度が向上し、安価且つ容易に製作す
ることができるので、産業上において非常に有益であ
る。
発明によれば、誘電体セラミックスを用いた共振器の共
振周波数の調整の精度が向上し、安価且つ容易に製作す
ることができるので、産業上において非常に有益であ
る。
【図１】従来の発振器の例を示す図。
【図２】従来の発振器における共振周波数の調整法を示
す図。
す図。
【図３】本発明の共振器の第１の実施例を示す斜視図。
【図４】図３の共振器を用いた発振器を示す図。
【図５】本発明の共振器の第２の実施例を示す平面図
（Ａ）及び側面図（Ｂ）。
（Ａ）及び側面図（Ｂ）。
【図６】本発明の共振器の第３の実施例を示す斜視図。
【図７】本発明の共振器の第４の実施例における周波数
調整を説明する側面図であり、金属板を１枚用いた図
（Ａ）及び金属板を２枚用いた図（Ｂ）。
調整を説明する側面図であり、金属板を１枚用いた図
（Ａ）及び金属板を２枚用いた図（Ｂ）。
【図８】本発明の共振器の第５の実施例を示す斜視図。
【図９】本発明の共振器の第６の実施例を示す側面図。
１０、１９、２５、３１、３１’、４１ 共振器 １１、２１、２７、３７、４３、５３ 第１誘電体層 １３、２３、２９、３９、４７、５５ 第２誘電体層 １７ マイクロストリップライン ３３、３５ 金属板 ４５、４９ 金属板 ５１ スロット ５７ 第３誘電体層
フロントページの続き (72)発明者 金井 秀之 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体セラミックスからなる第１誘電体
層と、誘電体セラミックスに比べ高精度での寸法加工が
可能な誘電体からなり共振周波数の調整のために寸法加
工を施される第２誘電体層とを有することを特徴とする
誘電体共振器。 - 【請求項２】 誘電体セラミックスからなる第１誘電体
層と、誘電体セラミックスに比べ高精度での寸法加工が
可能な誘電体からなり共振周波数の調整のために寸法加
工を施される第２誘電体層と、前記誘電体セラミックス
の誘電率の温度変化を補償するような誘電率の温度変化
を示す誘電体層からなる第３誘電体層とを有することを
特徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34398195A JPH09186513A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34398195A JPH09186513A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186513A true JPH09186513A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18365732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34398195A Pending JPH09186513A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09186513A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392324B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2003-07-22 | 전자부품연구원 | 이종접합 유전체 공진기 및 이를 이용한 대역 통과 필터 |
| CN102656743A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-09-05 | 阿尔卡特朗讯 | 高热效率介电谐振器支座 |
| US9973041B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-05-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component that operates stably over a range of temperatures and apparatus including the same |
| JP2020150463A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 株式会社フジクラ | フィルタ |
| WO2020184400A1 (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 株式会社フジクラ | フィルタ |
| CN114374071A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-19 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种低杂散模式的蓝宝石微波腔 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34398195A patent/JPH09186513A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392324B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2003-07-22 | 전자부품연구원 | 이종접합 유전체 공진기 및 이를 이용한 대역 통과 필터 |
| CN102656743A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-09-05 | 阿尔卡特朗讯 | 高热效率介电谐振器支座 |
| KR101411341B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2014-06-26 | 알까뗄 루슨트 | 열 효율적인 유전체 공진기 지지체 |
| CN102656743B (zh) * | 2009-10-30 | 2016-08-24 | 阿尔卡特朗讯 | 高热效率介电谐振器支座 |
| US9973041B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-05-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component that operates stably over a range of temperatures and apparatus including the same |
| JP2020150463A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 株式会社フジクラ | フィルタ |
| WO2020184400A1 (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 株式会社フジクラ | フィルタ |
| JP2020150460A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 株式会社フジクラ | フィルタ |
| CN114374071A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-19 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种低杂散模式的蓝宝石微波腔 |
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