JPH04316338A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
、特にダイパッドのない樹脂封止型半導体装置に関する
。
、特にダイパッドのない樹脂封止型半導体装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、一般に
、ダイパッドのあるリードフレームの該ダイパッド上に
半導体チップをダイボンディングし、リードフレームの
インナーリードの先端部と、半導体チップの周縁部に設
けられた電極との間をコネクトワイヤにより接続してな
るものであった。
、ダイパッドのあるリードフレームの該ダイパッド上に
半導体チップをダイボンディングし、リードフレームの
インナーリードの先端部と、半導体チップの周縁部に設
けられた電極との間をコネクトワイヤにより接続してな
るものであった。
【０００３】図３（Ａ）、（Ｂ）はそのような従来の樹
脂封止型半導体装置の一例を示し、（Ａ）は封止樹脂を
切り欠いて示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断
面図である。図面において、１はＩＣチップ、２、２、
…は該ＩＣチップ１の表面に設けられた電極で、そのう
ち、２Ｃ 、２Ｓ は電源電極である。具体的には２Ｃ
はＶＣＣ（あるいはＶＤＤ）電源電極、２Ｓ はＶＳ
Ｓ（あるいはアース）電源電極である。
脂封止型半導体装置の一例を示し、（Ａ）は封止樹脂を
切り欠いて示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断
面図である。図面において、１はＩＣチップ、２、２、
…は該ＩＣチップ１の表面に設けられた電極で、そのう
ち、２Ｃ 、２Ｓ は電源電極である。具体的には２Ｃ
はＶＣＣ（あるいはＶＤＤ）電源電極、２Ｓ はＶＳ
Ｓ（あるいはアース）電源電極である。
【０００４】３は半導体チップ１がペレットボンディン
グされたダイパッド、４、４、…はリードで、そのうち
４Ｃ 、４Ｓ は互いに対を成す電源リードで、４Ｃ
はＶＣＣ（あるいはＶＤＤ）電源リード、４Ｓ はＶＳ
Ｓ（あるいはアース）電源リードである。５はパッドを
支持する支持リードで、樹脂封止後において封止樹脂よ
り外側の部分は不要なのでリードフレームの不要部分の
カットにより除去されている。６、６、…は半導体チッ
プ１の電極２、２、…と、それに対応するリード４、４
、…の内端部との間を接続するコネクトワイヤ、７は封
止樹脂である。
グされたダイパッド、４、４、…はリードで、そのうち
４Ｃ 、４Ｓ は互いに対を成す電源リードで、４Ｃ
はＶＣＣ（あるいはＶＤＤ）電源リード、４Ｓ はＶＳ
Ｓ（あるいはアース）電源リードである。５はパッドを
支持する支持リードで、樹脂封止後において封止樹脂よ
り外側の部分は不要なのでリードフレームの不要部分の
カットにより除去されている。６、６、…は半導体チッ
プ１の電極２、２、…と、それに対応するリード４、４
、…の内端部との間を接続するコネクトワイヤ、７は封
止樹脂である。
【０００５】ところで、ＬＳＩ製造技術の著しい進歩に
伴って半導体チップの大チップ化、高速化、多端子（多
リード）化が進んでいる。そして、それには電源電極（
パッド）を増すことが必要となってきている。というの
は、外部からリード４Ｃ 、４Ｓ を通して半導体チッ
プ内の集積回路に電源を供給する電源電流経路のインピ
ーダンス（抵抗、インダクタンス）を小さくし、延いて
は高速性を高めるためには、電源電圧を受ける電極パッ
ドが一対では不充分で、電源電極（パッド）を多くの場
所に設けることにより集積回路の各部分の電源電極パッ
ドとの距離を短くする必要があるからである。又、それ
が、集積回路の高性能化、高速化に伴って現われてくる
各信号のスキュｓｋｅｗ（ずれ）という問題をなくすこ
とにもつながる。
伴って半導体チップの大チップ化、高速化、多端子（多
リード）化が進んでいる。そして、それには電源電極（
パッド）を増すことが必要となってきている。というの
は、外部からリード４Ｃ 、４Ｓ を通して半導体チッ
プ内の集積回路に電源を供給する電源電流経路のインピ
ーダンス（抵抗、インダクタンス）を小さくし、延いて
は高速性を高めるためには、電源電圧を受ける電極パッ
ドが一対では不充分で、電源電極（パッド）を多くの場
所に設けることにより集積回路の各部分の電源電極パッ
ドとの距離を短くする必要があるからである。又、それ
が、集積回路の高性能化、高速化に伴って現われてくる
各信号のスキュｓｋｅｗ（ずれ）という問題をなくすこ
とにもつながる。
【０００６】しかし、それが電極数、リード数を増す傾
向に拍車をかけることになる。そこで、一対の電源リー
ドを半導体チップ上面にそこを横切るように通し（これ
は当然にダイパッドレスが前提となる）て接着し、そし
て、半導体チップに多く設けた電源電極を、その電源リ
ードにコネクトワイヤを介して接続する樹脂封止型半導
体装置が開発され、例えばＵＳＰ４，９１６，５１９等
により紹介されている。
向に拍車をかけることになる。そこで、一対の電源リー
ドを半導体チップ上面にそこを横切るように通し（これ
は当然にダイパッドレスが前提となる）て接着し、そし
て、半導体チップに多く設けた電源電極を、その電源リ
ードにコネクトワイヤを介して接続する樹脂封止型半導
体装置が開発され、例えばＵＳＰ４，９１６，５１９等
により紹介されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＵＳＰ
４，９１６，５１９の樹脂封止型半導体装置は、単に一
対の電源リードを細長の半導体チップ上面を縦断するよ
うに設けたに過ぎないので、半導体チップが細長であれ
ば有効であるが、正方形やそれに近い矩形の樹脂封止型
半導体装置の場合には電源リードや電源電極（パッド）
との距離が長くなるところも生じてくる。従って、電源
ラインの低インピーダンス化、高速化、スキュー防止を
充分に行うことができないという問題は、完全には解決
できなかった。そして、このことは電源電圧が５Ｖから
３．３Ｖというように低下するにつれて益々重大な問題
になりつつある。
４，９１６，５１９の樹脂封止型半導体装置は、単に一
対の電源リードを細長の半導体チップ上面を縦断するよ
うに設けたに過ぎないので、半導体チップが細長であれ
ば有効であるが、正方形やそれに近い矩形の樹脂封止型
半導体装置の場合には電源リードや電源電極（パッド）
との距離が長くなるところも生じてくる。従って、電源
ラインの低インピーダンス化、高速化、スキュー防止を
充分に行うことができないという問題は、完全には解決
できなかった。そして、このことは電源電圧が５Ｖから
３．３Ｖというように低下するにつれて益々重大な問題
になりつつある。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体チップが正方形あるいはそれ
に近い矩形であっても、そして大きくても電源電極の電
源リードとの距離が長くなるところが生じない樹脂封止
型半導体装置を提供しようとすることを目的とする。
されたものであり、半導体チップが正方形あるいはそれ
に近い矩形であっても、そして大きくても電源電極の電
源リードとの距離が長くなるところが生じない樹脂封止
型半導体装置を提供しようとすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明樹脂封止型半導体
装置は、電源リード対を半導体チップの略中央部から四
方に延びるように半導体チップ上面上に設け、半導体チ
ップの内側領域に設けた電源電極と電源リードとを接続
してなることを特徴とする。
装置は、電源リード対を半導体チップの略中央部から四
方に延びるように半導体チップ上面上に設け、半導体チ
ップの内側領域に設けた電源電極と電源リードとを接続
してなることを特徴とする。
【００１０】
【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもので
、（Ａ）は封止樹脂の一部のリードより上の部分を切欠
いて示す平面図、（Ｂ）は一部切欠斜視図である。図面
において、１はＩＣチップである。該ＩＣチップ１は周
辺部に信号電極２、２、…が設けられ、そして、内側領
域に電源電極２Ｃ 、２Ｃ 、…及び２Ｓ 、２Ｓ 、
…が設けられている。この電源電極２Ｃ 、２Ｃ 、…
及び２Ｓ 、２Ｓ 、…は具体的には半導体チップ１の
中央部と、各辺の中央部とを結ぶ十字状の領域を避けつ
つそれに近接して配置されている。これが、本半導体チ
ップ１の大きな特徴である。尚、２Ｃ はＶＣＣ（ある
いはＶＤＤ）電極、２Ｓ はＶＳＳ（あるいはアース）
電極である。そして、ＶＣＣ電極２Ｃ が電源電圧の陽
極（プラス）、ＶＳＳ電極２Ｓ が陰極（マイナス）に
なる場合もあれば、それとは逆の場合もある。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもので
、（Ａ）は封止樹脂の一部のリードより上の部分を切欠
いて示す平面図、（Ｂ）は一部切欠斜視図である。図面
において、１はＩＣチップである。該ＩＣチップ１は周
辺部に信号電極２、２、…が設けられ、そして、内側領
域に電源電極２Ｃ 、２Ｃ 、…及び２Ｓ 、２Ｓ 、
…が設けられている。この電源電極２Ｃ 、２Ｃ 、…
及び２Ｓ 、２Ｓ 、…は具体的には半導体チップ１の
中央部と、各辺の中央部とを結ぶ十字状の領域を避けつ
つそれに近接して配置されている。これが、本半導体チ
ップ１の大きな特徴である。尚、２Ｃ はＶＣＣ（ある
いはＶＤＤ）電極、２Ｓ はＶＳＳ（あるいはアース）
電極である。そして、ＶＣＣ電極２Ｃ が電源電圧の陽
極（プラス）、ＶＳＳ電極２Ｓ が陰極（マイナス）に
なる場合もあれば、それとは逆の場合もある。
【００１１】４、４、…はリードで、そのうち４Ｃ 、
４Ｓ は互いに対を成す電源リードで、４Ｃ はＶＣＣ
（あるいはＶＤＤ）電源リード、４Ｓ はＶＳＳ（ある
いはアース）電源リードである。ＶＣＣ電源リード４Ｃ
、４Ｃ 及びＶＳＳ電源リード４Ｓ 、４Ｓ は共に
Ｌ字状に形成され、中央の角部が半導体チップ１の中央
部近傍に位置し、両端が半導体チップ１の隣接辺の中央
部から外側に突出せしめられて外部電源端子となってい
る。そして、必ずＶＣＣ電源リード４Ｃ とＶＳＳ電源
リード４Ｓ とが対をなして平行に並ぶように配置され
、そして例えばポリイミド樹脂（薄いので図面には示さ
なかった）等の絶縁フィルムを介して半導体チップ１の
上面に接着されている。
４Ｓ は互いに対を成す電源リードで、４Ｃ はＶＣＣ
（あるいはＶＤＤ）電源リード、４Ｓ はＶＳＳ（ある
いはアース）電源リードである。ＶＣＣ電源リード４Ｃ
、４Ｃ 及びＶＳＳ電源リード４Ｓ 、４Ｓ は共に
Ｌ字状に形成され、中央の角部が半導体チップ１の中央
部近傍に位置し、両端が半導体チップ１の隣接辺の中央
部から外側に突出せしめられて外部電源端子となってい
る。そして、必ずＶＣＣ電源リード４Ｃ とＶＳＳ電源
リード４Ｓ とが対をなして平行に並ぶように配置され
、そして例えばポリイミド樹脂（薄いので図面には示さ
なかった）等の絶縁フィルムを介して半導体チップ１の
上面に接着されている。
【００１２】しかして、電源リード対４Ｃ 、４Ｓ が
半導体チップ１の中央部から四方に延びるように設けら
れているといえる。従って、半導体チップ１がどんなに
大きくてもどの電源電極２Ｃ 、２Ｃ 、…、２Ｓ 、
２Ｓ 、…と電源リード４Ｃ 、４Ｃ 、４Ｓ 、４Ｓ
との距離が短かくできるのである。ちなみに、ＵＳＰ
４，９１６，５１９のものによれば、半導体チップの幅
が広くなると電源リードと隔った部分が生じ、電源電圧
供給経路が長くなることは避け得ない。６、６、…は半
導体チップ１の電極２、２、…と、それに対応するリー
ド４、４、…の内端部との間を接続するコネクトワイヤ
、７は封止樹脂である。
半導体チップ１の中央部から四方に延びるように設けら
れているといえる。従って、半導体チップ１がどんなに
大きくてもどの電源電極２Ｃ 、２Ｃ 、…、２Ｓ 、
２Ｓ 、…と電源リード４Ｃ 、４Ｃ 、４Ｓ 、４Ｓ
との距離が短かくできるのである。ちなみに、ＵＳＰ
４，９１６，５１９のものによれば、半導体チップの幅
が広くなると電源リードと隔った部分が生じ、電源電圧
供給経路が長くなることは避け得ない。６、６、…は半
導体チップ１の電極２、２、…と、それに対応するリー
ド４、４、…の内端部との間を接続するコネクトワイヤ
、７は封止樹脂である。
【００１３】このような樹脂封止型半導体装置によれば
、電源リード対４Ｃ 、４Ｓ が半導体チップ１の中央
部から四方に延びるように設けられている。従って、半
導体チップ１がどんなに大きくてもどの電源電極２Ｃ
、２Ｃ 、…、２Ｓ 、２Ｓ 、…も電源リード４Ｃ
、４Ｃ 、４Ｓ 、４Ｓ との距離が短かくできるので
ある。依って、電源電流経路の低インピーダンス化を半
導体チップ１のどの部分においても図ることができ、ま
た、半導体チップが大型化、高速化しても電源リードの
数は徒らに多くする必要はなくなる。そして、電源電流
経路の低インピーダンス化は高速化を可能にし、各信号
のスキューを防止できる。
、電源リード対４Ｃ 、４Ｓ が半導体チップ１の中央
部から四方に延びるように設けられている。従って、半
導体チップ１がどんなに大きくてもどの電源電極２Ｃ
、２Ｃ 、…、２Ｓ 、２Ｓ 、…も電源リード４Ｃ
、４Ｃ 、４Ｓ 、４Ｓ との距離が短かくできるので
ある。依って、電源電流経路の低インピーダンス化を半
導体チップ１のどの部分においても図ることができ、ま
た、半導体チップが大型化、高速化しても電源リードの
数は徒らに多くする必要はなくなる。そして、電源電流
経路の低インピーダンス化は高速化を可能にし、各信号
のスキューを防止できる。
【００１４】また、電源リード４Ｓ 、４Ｃ と電源電
極の２Ｓ 、２Ｃ とのワイヤ６を介しての接続を半導
体チップ１の周縁部上において行うのではなく、内側領
域上において行っているので、半導体チップ１のレイア
ウト設計が容易となる。又、ワイヤ６の長さを短かくで
きるのでワイヤボンディング不良が少なくなる。そして
、半導体チップ１で生じた熱は、中央部から四方に延び
る電源リード対４Ｓ ・４Ｃ により放熱することがで
きるので、ダイパッドレスであっても良好な放熱性が得
られる。
極の２Ｓ 、２Ｃ とのワイヤ６を介しての接続を半導
体チップ１の周縁部上において行うのではなく、内側領
域上において行っているので、半導体チップ１のレイア
ウト設計が容易となる。又、ワイヤ６の長さを短かくで
きるのでワイヤボンディング不良が少なくなる。そして
、半導体チップ１で生じた熱は、中央部から四方に延び
る電源リード対４Ｓ ・４Ｃ により放熱することがで
きるので、ダイパッドレスであっても良好な放熱性が得
られる。
【００１５】図２（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半
導体装置の他の実施例を示すものであり、（Ａ）は封止
樹脂の一部のリードより上の部分を切欠いて示す平面図
、（Ｂ）は同じく斜視図である。本実施例は封止樹脂７
パッケージの側面に対して半導体チップ１をこれの側面
が４５度の角度をなすように設けたものである。本発明
はこの図２に示す態様でも実施することができ、図１に
示す実施例により得られる効果を本実施例によっても得
ることができる。また、図２に示す実施例によれば、ボ
ンディングワイヤ６の長さの均一化を図ることができる
という利点もある。
導体装置の他の実施例を示すものであり、（Ａ）は封止
樹脂の一部のリードより上の部分を切欠いて示す平面図
、（Ｂ）は同じく斜視図である。本実施例は封止樹脂７
パッケージの側面に対して半導体チップ１をこれの側面
が４５度の角度をなすように設けたものである。本発明
はこの図２に示す態様でも実施することができ、図１に
示す実施例により得られる効果を本実施例によっても得
ることができる。また、図２に示す実施例によれば、ボ
ンディングワイヤ６の長さの均一化を図ることができる
という利点もある。
【００１６】
【発明の効果】本発明樹脂封止型半導体装置は、半導体
チップの内側領域に電源電極を配置し、上記半導体チッ
プの表面にその略中央部から略直角に４つの方向に延び
る電源リード対を接着し、該電源リード対と上記半導体
チップの間をワイヤにより接続してなることを特徴とす
るものである。従って、本樹脂封止型半導体装置によれ
ば、半導体チップが正方形あるいは矩形であっても、そ
して、大きくても電源電極の電源リードとの距離を短か
くなるようにすることができ、延いては電源電流の供給
経路の低インピーダンス化を図ることができ、高速化、
信号のスキュー防止等を実現することができる。
チップの内側領域に電源電極を配置し、上記半導体チッ
プの表面にその略中央部から略直角に４つの方向に延び
る電源リード対を接着し、該電源リード対と上記半導体
チップの間をワイヤにより接続してなることを特徴とす
るものである。従って、本樹脂封止型半導体装置によれ
ば、半導体チップが正方形あるいは矩形であっても、そ
して、大きくても電源電極の電源リードとの距離を短か
くなるようにすることができ、延いては電源電流の供給
経路の低インピーダンス化を図ることができ、高速化、
信号のスキュー防止等を実現することができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は封止樹脂の一部
のリードや半導体チップより上の部分を切欠いて示す平
面図、（Ｂ）は一部切欠斜視図である。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は封止樹脂の一部
のリードや半導体チップより上の部分を切欠いて示す平
面図、（Ｂ）は一部切欠斜視図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の他の実施例を示すもので、（Ａ）は封止樹脂の一部の
リードや半導体チップより上の部分を切欠いて示す平面
図、（Ｂ）は同じく斜視図である。
の他の実施例を示すもので、（Ａ）は封止樹脂の一部の
リードや半導体チップより上の部分を切欠いて示す平面
図、（Ｂ）は同じく斜視図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置
の一例を示し、（Ａ）は封止樹脂のリードや半導体チッ
プより上の部分を切り欠いて示す平面図、（Ｂ）は（Ａ
）のＢ−Ｂ線視断面図である。
の一例を示し、（Ａ）は封止樹脂のリードや半導体チッ
プより上の部分を切り欠いて示す平面図、（Ｂ）は（Ａ
）のＢ−Ｂ線視断面図である。
１ 半導体チップ
２ 半導体チップの電極
２Ｃ 半導体チップの電源電極
２Ｓ 半導体チップの電源電極
４ 信号リード
４Ｃ ・４Ｓ 電源リード対
６ ワイヤ
７ 封止樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップの内側領域に複数の電源
電極を配置し、上記半導体チップの表面にその略中央部
から略直角に４つの方向に延びる電源リード対を接着し
、上記電源リード対と上記半導体チップの間をワイヤに
より接続してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111131A JPH04316338A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111131A JPH04316338A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316338A true JPH04316338A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14553236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3111131A Pending JPH04316338A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04316338A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0840375A3 (en) * | 1996-10-29 | 1999-10-13 | Nec Corporation | Chip-lead interconnection structure in a semiconductor device |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3111131A patent/JPH04316338A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0840375A3 (en) * | 1996-10-29 | 1999-10-13 | Nec Corporation | Chip-lead interconnection structure in a semiconductor device |
| US6016003A (en) * | 1996-10-29 | 2000-01-18 | Nec Corporation | Chip-lead interconnection structure in a semiconductor device |
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