JPH043112B2

JPH043112B2 -

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Publication number: JPH043112B2
Application number: JP59018378A
Authority: JP
Priority date: 1984-02-06
Filing date: 1984-02-06
Publication date: 1992-01-22
Also published as: JPS60164354A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は固体撮像装置、特に２次元的に配列さ
れた光電変換素子と、前記した多数の光電変換素
子の選択を行なうための水平のスイツチ群及び垂
直のスイツチ群と、前記した水平のスイツチ群及
び垂直のスイツチ群におけるそれぞれのスイツチ
の開閉を制御する水平走査回路及び垂直走査回路
とが同一の半導体基板上に集積されていて、か
つ、飛越走査を行なつて出力信号が得られるよう
になされている固体撮像装置に関する。

（従来技術と問題点）垂直方向（列方向…Ｘ方向）と水平方向（行方
向…Ｙ方向）とに、予め定められた配列パターン
に従がつて配列されている受光素子で光電変換さ
れた電荷像による二次元情報を、XYアドレス方
式で選択して時間軸上に配列された状態の一次元
の電気信号に変換して出力させうるように構成さ
れている固体撮像装置（固体撮像素子）として
は、従来から例えば、いわゆるMOS型、いわゆ
るCID型などの各種のものが知られている。

第１図は、従来構成のMOS型固体撮像装置の
機能ブロツク図であつて、この第１図において、
１は例えばシフトレジスタで構成されている水平
走査回路、２は例えばシフトレジスタで構成され
ている垂直走査回路、３は水平スイツチ（水平ス
イツチ・モス・電界効果トランジスタ…水平読出
用スイツチングFET）、４は垂直スイツチ（垂直
スイツチ・モス・電界効果トランジスタ…垂直読
出用スイツチングFET）、５は受光用Ｐ−Ｎ接合
素子部（ダイオード型）、６は読出用負荷抵抗、
７は映像信号増幅器、８は電源、１２，１３−
１，１３−２，１３−３…は読出用のマトリツク
ス線（水平読出用アルミニユウム配線１２、垂直
ゲート用多結晶シリコン配線１３−１，１３−
２，１３−３…）であつて、この第１図に示す
MOS型固体撮像装置は、垂直スイツチ・モス・
FET４のソース部、すなわち、Ｐ−Ｎ接合素子
部５において光電変換動作と絵素信号電荷の蓄積
動作とを行ない、水平走査回路１からの出力信号
と、垂直走査回路２からの出力信号によつて導通
動作を行なう垂直スイツチ・モス・FET４と水
平スイツチ・モス・FET３とを介して、絵素信
号電荷が外部に取出されるようになされている。

第１図に示されている従来の固体撮像装置にお
いて、それが２：１の飛越走査を行なうようにな
される場合には、垂直走査回路２からの出力パル
スが、まず、垂直ゲート用多結晶シリコン配線１
３−１，１３−２，１３−３…における１３−１
から奇数番目の垂直ゲート用多結晶シリコン配線
１３−１，１３−３，１３−５…に順次に供給さ
れて行つて奇数フイールドの絵素信号が取出さ
れ、次に垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−
１，１３−２，１３−３…における偶数番目の垂
直ゲート用多結晶シリコン配線１３−２，１３−
４，１３−６…に順次に供給されて行つて偶数フ
イールドの絵素信号が取出されることにより、飛
越走査による絵素信号が得られるようになされる
のであるが、前記のような態様での走査が行なわ
れた場合におけるＰ−Ｎ接合素子部５の光電変換
動作による絵素信号電荷の蓄積期間は２フイール
ド期間となるので、残像が発生することが問題に
なる他、Ｐ−Ｎ接合素子部５における光電変換動
作によつて得られる絵素信号電荷が少ないことに
より、信号対雑音比の良好な出力信号が得難いと
いうことが問題になつた。

（問題点を解決するための手段）本発明は、２次元的に配列された光電変換素子
と、前記した多数の光電変換素子の選択を行なう
ための水平のスイツチ群及び垂直のスイツチ群
と、前記した水平のスイツチ群及び垂直のスイツ
チ群におけるそれぞれのスイツチの開閉を制御す
る水平走査回路及び垂直走査回路とが同一の半導
体基板上に集積されていて、かつ、飛越走査を行
なつて出力信号が得られるようになされている固
体撮像装置において、垂直走査回路からの出力パ
ルスによつて開閉制御される多数の垂直スイツチ
における個々の垂直スイツチ毎に、前記した個々
の垂直スイツチの開閉動作と同期して開閉動作を
行なうように２個ずつ付属させたスイツチを、そ
れら２個のスイツチが付属している垂直スイツチ
に対してそれぞれ個別に直列的に接続されている
状態で設け、前記した各２個ずつのスイツチに接
続されている光電変換部からの信号が、前記した
垂直スイツチに付属しているスイツチと前記のス
イツチが付属している垂直スイツチと水平スイツ
チとを介して出力されるようにするとともに、１
枚の画像に対する垂直走査の開始時に垂直走査回
路からの出力パルスによつてオンの状態にされる
各垂直スイツチに付属する２個ずつのスイツチの
内の１個ずつにスイツチに接続されている各光電
変換部と、前記した１枚の画像に対する垂直走査
の終了時に垂直走査回路からの出力パルスによつ
てオンの状態にされる各垂直スイツチに付属する
２個ずつのスイツチの内の１個ずつのスイツチに
接続されている各光電変換部とを除く他のすべて
の光電変換部は、垂直走査回路からの出力パルス
が与えられる読出し用のマトリツク線における隣
り合う読出し用のマトリツク線に、それぞれ個別
に接続されている各垂直スイツチに２個ずつ付属
しているスイツチにおけるそれぞれ定められた１
個ずつのスイツチに共通に接続させてなる固体撮
像装置を提供するものである。

（実施例）以下、添付図面を参照して本発明の固体撮像装
置の詳細な内容を具体的に説明する。第２図は、
本発明の固体撮像装置の一実施態様のブロツク図
であつて、この第２図において既述した第１図に
示す固体撮像装置の構成部分と対応する構成部分
には、第１図中で使用した図面符号の数字と同じ
数字の図面符号を使用している。

第２図において、１は例えばシフトレジスタで
構成されている水平走査回路、２は例えばシフト
レジスタで構成されている垂直走査回路、３−
１，３−２，３−３は水平スイツチ（水平スイツ
チ・モス・電界効果トランジスタ…水平読出用ス
イツチングFET）、４−１１，４−１２，４−１
３，………４−５２，４−５３は垂直スイツチ
（垂直スイツチ・モス・電界効果トランジスタ…
垂直読出用スイツチングFET）、５−１１，５−
１２，５−１３，………５−６２，５−６３は受
光用Ｐ−Ｎ接合素子部（光電変換部）、６は読出
用負荷抵抗、７は映像信号増幅器、８は電源、９
−１１ａ，９−１１ｂ，９−１２ａ，９−１２
ｂ，………９−５２ａ，９−５２ｂ，９−５３
ａ，９−５３ｂはスイツチ（スイツチ・モス・電
界効果トランジスタ…スイツチ・モス・FET）、
１２−１，１２−２，１２−３，１３−１，１３
−２，１３−３…１３−５は読出用のマトリツク
ス線（水平読出用アルミニユウム配線１２−１，
１２−２，１２−３、垂直ゲート用多結晶シリコ
ン配線１３−１，１３−２，１３−３…１３−
５）である。

以下の記載において、固体撮像装置における
個々の構成部分を区別することなくそれの構成や
動作が一般的に述べられる場合には、例えば、水
平スイツチ３、垂直スイツチ４、受光用Ｐ−Ｎ接
合素子部５（光電変換部５）、スイツチ９、水平
読出用アルミニユウム配線１２、垂直ゲート用多
結晶シリコン配線１３のように、符号の主部の数
字だけが使用されることもある。なお、第２図に
おいては図示説明の簡略化を図かるために、読出
用のマトリツクス線（水平読出用アルミニユウム
配線１２、垂直ゲート用多結晶シリコン配線１
３）や、垂直スイツチ４、水平スイツチ３、光電
変換部５、スイツチ９などの個数が著るしく少数
のものとして示されている。

前記した第２図に示す本発明のMOS型固体撮
像装置は、垂直走査回路２からの出力パルスによ
つて開閉制御される多数の垂直スイツチ４におけ
る個々の垂直スイツチ４毎に、それら個々の垂直
スイツチ４の開閉動作と同期して開閉動作を行な
う複数個のスイツチ９と光電変換部５とを付属し
て設け、前記した複数個の光電変換部５からの信
号が前記した複数個のスイツチ９及び垂直スイツ
チ４ならびに水平スイツチ３を介して出力される
ようになされている固体撮像装置であつて、この
固体撮像装置では光電変換部５において行なわれ
た光電変換動作と絵素信号電荷の蓄積動作とによ
つて光電変換部５に蓄積された絵素信号電荷が、
２対１の飛越走査を行なうように動作する垂直走
査回路２からの出力信号と、水平走査回路１から
の出力信号とによつて導通動作を行なうスイツチ
９と垂直スイツチ４及び水平スイツチ３を介し
て、外部に取出されるようになされている。

すなわち、第２図示の固体撮像装置において、
垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−１には、
垂直スイツチ・モス・FET４−１１，４−１２，
４−１３のゲートと、スイツチ・モス・FET９
−１１ａ，９−１１ｂ，９−１２ａ，９−１２
ｂ，９−１３ａ，９−１３ｂのゲートとがが接続
され、また、垂直ゲート用多結晶シリコン配線１
３−２には、垂直スイツチ・モス・FET４−２
１，４−２２，４−２３のゲートと、スイツチ・
モス・FET９−２１ａ，９−２１ｂ，９−２２
ａ，９−２２ｂ，９−２３ａ，９−２３ｂのゲー
トとが接続され、以下同様に垂直ゲート用多結晶
シリコン配線１３−３，１３−４，１３−５に
は、垂直スイツチ・モス・FET４−３１〜４−
３３，４−４１〜４−４３，４−５１〜４−５３
のゲートと、スイツチ・モス・FET９−３１ａ，
９−３１ｂ，９−３２ａ，９−３２ｂ，９−３３
ａ，９−３３ｂのゲートとが接続されており、ま
た、前記した各垂直スイツチ・モス・トランジス
タの個々のものには、それぞれ２個のスイツチ・
モス・トランジスタと２個の光電変換部とが図示
のような態様で付属（例えば、垂直スイツチ・モ
ス・トランジスタ４−１１には２個のスイツチ・
モス・トランジスタ９−１１ａ，９−１１ｂと２
個の光電変換部５−１１，５−２１が付属し、ま
た、例えば、垂直スイツチ・モス・トランジスタ
４−１２には２個のスイツチ・モス・トランジス
タ９−１２ａ，９−１２ｂと２個の光電変換部５
−１２，５−２２が付属し、例えば、垂直スイツ
チ・モス・トランジスタ４−２１には２個のスイ
ツチ・モス・トランジスタ９−２１ａ，９−２１
ｂと２個の光電変換部５−２１，５−３１が付属
し、以下、同様にして例えば、垂直スイツチ・モ
ス・トランジスタ４−５１には２個のスイツチ・
モス・トランジスタ９−５１ａ，９−５１ｂと２
個の光電変換部５−５１，５−６１が付属してい
る）しており、また、前記した各垂直スイツチ・
モス・トランジスタにおいて同一の列に属してい
る垂直スイツチ・モス・トランジスタ４−１１，
４−２１，４−３１，４−４１，４−５１は、そ
れらの各ドレインが水平読出用アルミニユウム配
線１２−１を介して水平スイツチ・モス・FET
３−１のドレインに接続され、以下、同様にし
て、各垂直スイツチ・モス・トランジスタにおい
て同一の列に属している垂直スイツチ・モス・ト
ランジスタ４−１２，４−２２，４−３２，４−
４２，４−５２は、それらの各ドレインが水平読
出用アルミニユウム配線１２−２を介して水平ス
イツチ・モス・FET３−２のドレインに接続さ
れ、また、各垂直スイツチ・モス・トランジスタ
において同一の列に属している垂直スイツチ・モ
ス・トランジスタ４−１３，４−２３，４−３
３，４−４３，４−５３は、それらの各ドレイン
が水平読出用アルミニユウム配線１２−３を介し
て水平スイツチ・モス・FET３−３のドレイン
に接続されている。

前記のように各垂直スイツチ・モス・FET４
の個々のものに付属しているそれぞれ２個のスイ
ツチ・モス・FET９は、それらのドレインが垂
直スイツチ・モス・FET４のソースに接続され
ており、また、スイツチ・モス・FET９のソー
スにはそれぞれ光電変換部５が接続されている。

垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−１にゲ
ートが接続されているスイツチ・モス・FET９
−１１ａ，９−１２ａ，９−１３ａのソースに対
してそれぞれ個別に接続されている光電変換部５
−１１，５−１２，５−１３と、垂直ゲート用多
結晶シリコン配線１３−５にゲートが接続されて
いるスイツチ・モス・FET９−５１ｂ，９−５
２ｂ，９−５３ｂのソースに対してそれぞれ個別
に接続されている光電変換部５−６１，５−６
２，５−６３とは、それぞれ奇数フイールドだけ
に絵素信号の蓄積電荷が読出されるようになされ
るが、前記した光電変換部を除く他の光電変換部
５−２１，５−２２，５−２３〜５−５２，５−
５３などは、奇数フイールドに垂直走査回路２か
らの出力信号が与えられる垂直ゲート用多結晶シ
リコン配線にゲートが接続されているスイツチ・
モス・FETのソースと、偶数フイールドに垂直
走査回路２からの出力信号が与えられる垂直ゲー
ト用多結晶シリコン配線にゲートが接続されてい
るスイツチ・モス・FETのソースとの双方に接
続されているから、これらの光電変換部５−２
１，５−２２，５−２３〜５−５２，５−５３な
どからは順次の各フイールドにおいて絵素信号の
蓄積電荷が読出されることになる。

第２図示の固体撮像装置における奇数フイール
ドの撮像動作は、垂直走査回路２からの出力信号
が垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−１，１
３−３，１３−５に対して所定のタイミングで与
えられるとともに、水平走査回路１からの出力信
号が水平読出用アルミニユウム配線１２−１，１
２−２，１２−３に対して所定のタイミングで与
えられることにより行なわれ、また、固体撮像装
置における偶数フイールドの撮像動作は、垂直走
査回路２からの出力信号が垂直ゲート用多結晶シ
リコン配線１３−２，１３−４に対して所定のタ
イミングで与えられるとともに、水平走査回路１
からの出力信号が水平読出用アルミニユウム配線
１２−１，１２−２，１２−３に対して所定のタ
イミングで与えられることにより行なわることは
従来装置と同様である。

今、例えば、垂直走査回路２からの出力信号が
垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−１に対し
て与えられており、また、水平走査回路１からの
出力信号が水平読出用アルミニユウム配線１２−
１に与えられる時点を考えると、この時点では光
電変換部５−１１に蓄積されていた絵素信号の電
荷がスイツチ・モス・FET９−１１ａ及び垂直
スイツチ・モス・FET４−１１ならびに水平ス
イツチ・モス・FET３−１を介して出力される
とともに、光電変換部５−２１に蓄積されていた
絵素信号電荷がスイツチ・モス・FET９−１１
ｂ及び垂直スイツチ・モス・FET４−１１なら
びに水平スイツチ・モス・FET３−１を介して
出力される。

次に、例えば、垂直走査回路２からの出力信号
が垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−１に対
して与えられており、また、水平走査回路１から
の出力信号が水平読出用アルミニユウム配線１２
−２に与えられている時点を考えると、この時点
では光電変換部５−１２に蓄積されていた絵素信
号の電荷がスイツチ・モス・FET９−１２ａ及
び垂直スイツチ・モス・FET４−１２ならびに
水平スイツチ・モス・FET３−２を介して出力
されるとともに、光電変換部５−２２に蓄積され
ていた絵素信号の電荷がスイツチ・モス・FET
９−１２ｂ及び垂直スイツチ・モス・FET４−
１２ならびに水平スイツチ・モス・FET３−２
を介して出力される。

また、例えば、垂直走査回路２からの出力信号
が垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−３に対
して与えられており、また、水平走査回路１から
の出力信号が水平読出用アルミニユウム配線１２
−１に与えられている時点を考えると、この時点
では光電変換部５−３１に蓄積されていた絵素信
号の電荷がスイツチ・モス・FET９−３１ａ及
び垂直スイツチ・モス・FET４−３１なならび
に水平スイツチ・モス・FET３−１を介して出
力されるとともに、光電変換部５−４１に蓄積さ
れていた絵素信号の電荷がスイツチ・モス・
FET９−３１ｂ及び垂直スイツチ・モス・FET
４−３１ならびに水平スイツチ・モス・FET３
−１を介して出力される。

さらに例えば、垂直走査回路２からの出力信号
が垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−４に対
して与えられており、また、水平走査回路１から
の出力信号が水平読出用アルミニユウム配線１２
−２に与えられている時点を考えると、この時点
では光電変換部５−４２に蓄積されていた絵素信
号の電荷がスイツチ・モス・FET９−４２ａ及
び垂直スイツチ・モス・FET４−４２ならびに
水平スイツチ・モス・FET３−２を介して出力
されるとともに、光電変換部５−５２に蓄積され
ていた絵素信号の電荷が、スイツチ・モス・
FET９−４２ｂ及び垂直スイツチ・モス・FET
４−４２ならびに水平スイツチ・モス・FET３
−２を介して出力される。

さらにまた例えば、垂直走査回路２からの出力
信号が垂直ゲート用多結晶シリコン配線１３−５
に対して与えられており、また、水平走査回路１
からの出力信号が水平読出用アルミニユウム配線
１２−３に与えられている時点を考えると、この
時点では光電変換部５−５３に蓄積されていた絵
素信号の電荷がスイツチ・モス・FET９−５３
ａ及び垂直スイツチ・モス・FET４−５３なら
びに水平スイツチ・モス・FET３−３を介して
出力されるとともに、光電変換部５−６３に蓄積
されていた絵素信号の電荷が、スイツチ・モス・
FET９−５３ｂ及び垂直スイツチ・モス・FET
４−５３ならびに水平スイツチ・モス・FET３
−３を介して出力される。

このように、本発明の固体撮像装置では、垂直
方向（列方向…Ｘ方向）と水平方向（行方向…Ｙ
方向）とに、予め定められた配列パターンに従つ
て配列されている光電変換部において光電変換さ
れた電荷像による二次元情報を、XYアドレス方
式で選択されて時間軸上に配列された状態の一次
元の電気信号として出力される際には、常に、同
時に２個の光電変換部からの絵素信号の蓄積電荷
が出力信号として読出されるので、本発明の固体
撮像装置では従来の固体撮像装置における出力信
号よりも大きな出力信号が得られるのであり、本
発明の固体撮像装置では従来の固体撮像装置より
も良好な信号対雑音比を示す出力信号が得られる
のである。

また、本発明の固体撮像装置では、上下各一行
に配列されている光電変換部を除く、他のすべて
の光電変換部が、奇数フイールド、偶数フイール
ドの双方に、それから絵素信号の蓄積電荷が読出
されるので、従来装置に比べて残像の少ない固体
撮像装置を提供できる。

第２図に示すブロツク図では垂直スイツチ・モ
ス・FET４と、前記した垂直スイツチ・モス・
FET４に付属している２個のスイツチ・モス・
FET９との合計３個のモス・FETが、別個に構
成されているものとして図示されているが、例え
ば第３図に示すようなパターンを採用し、前記し
た３個のモス・FETのそれぞれのもののゲート
を兼用させるようにして３個のモスFETを構成
させると、スペースフアクターが良好になり固体
撮像装置の構成が簡単なものになり、また、同じ
列における上下の光電変換部（第２図中の上下に
並んでいる２つの光電変換部……例えば、光電変
換部５−１１と光電変換部５−２１、光電変換部
５−２１と光電変換部５−３１、光電変換部５−
５３と光電変換部５−６３）を分けるのに、垂直
ゲート用多結晶シリコン配線１３を用いたセルフ
アライン方式にすることができるので製作が容易
に行なわれるという利点が得られる。

第３図のａは固体撮像装置の一部の拡大平面図
であり、また、第３図のｂは第３図のａにおける
Ｂ−Ｂ位置における縦断側面図、第３図のｃは第
３図のａにおけるＣ−Ｃ位置における縦断正面
図、第３図のｄは第３図のａにおけるＤ−Ｄ位置
における縦断側面図であり、第３図において５は
光電変換部、１２は水平読出用アルミニユウム配
線、１３は垂直ゲート用多結晶シリコン配線、１
４はゲート酸化膜、１５はフイールド酸化膜、１
６は層間絶縁膜、１７はドレイン、１８はコンタ
クトホールである。

（効果）以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の固体撮像装置は、２次元的に配列さ
れた光電変換素子と、前記した多数の光電変換素
子の選択を行なうための水平のスイツチ群及び垂
直のスイツチ群と、前記した水平のスイツチ群及
び垂直のスイツチ群におけるそれぞれのスイツチ
の開閉を制御する水平走査回路及び垂直走査回路
とが同一の半導体基板上に集積されていて、か
つ、飛越走査を行なつて出力信号が得られるよう
になされている固体撮像装置において、垂直走査
回路からの出力パルスによつて開閉制御される多
数の垂直スイツチにおける個々の垂直スイツチ毎
に、前記した個々の垂直スイツチの開閉動作と同
期して開閉動作を行なうように２個ずつ付属させ
たスイツチを、それら２個のスイツチが付属して
いる垂直スイツチに対してそれぞれ個別に直列的
に接続されている状態で設け、前記した各２個ず
つのスイツチに接続されている光電変換部からの
信号が、前記した垂直スイツチに付属しているス
イツチと前記のスイツチが付属している垂直スイ
ツチと水平スイツチとを介して出力されるように
するとともに、１枚の画像に対する垂直走査の開
始時に垂直走査回路からの出力パルスによつてオ
ンの状態にされる各垂直スイツチに付属する２個
ずつのスイツチの内の１個ずつにスイツチに接続
されている各光電変換部と、前記した１枚の画像
に対する垂直走査の終了時に垂直走査回路からの
出力パルスによつてオンの状態にされる各垂直ス
イツチに付属する２個ずつのスイツチの内の１個
ずつのスイツチに接続されている各光電変換部と
を除く他のすべての光電変換部は、垂直走査回路
からの出力パルスが与えられる読出し用のマトリ
ツク線における隣り合う読出し用のマトリツク線
に、それぞれ個別に接続されている各垂直スイツ
チに２個ずつ付属しているスイツチにおけるそれ
ぞれ定められた１個ずつのスイツチに共通に接続
させてなる固体撮像装置であるから、垂直方向
（列方向…Ｘ方向）と水平方向（行方向…Ｙ方向）
とに、予め定められた配列パターンに従つて配列
されている光電変換部において光電変換された電
荷像による二次元情報を、XYアドレス方式で選
択されて時間軸上に配列された状態の一次元の電
気信号として出力される際には、常に、同時に２
個の光電変換部からの絵素信号の蓄積電荷が出力
信号として読出されるので、本発明の固体撮像装
置では従来の固体撮像装置における出力信号より
も大きな出力信号が得られるのであり、本発明の
固体撮像装置では従来の固体撮像装置よりも良好
な信号対雑音比を示す出力信号が得られるのであ
り、また、本発明の固体撮像装置では、上下各一
行に配列されている光電変換部を除く、他のすべ
ての光電変換部が、奇数フイールド、偶数フイー
ルドの双方に、それから絵素信号の蓄積電荷が読
出されるので、従来装置に比べて残像の少ない固
体撮像装置を提供でき、さらに、垂直スイツチ・
モス・FET４と、前記した垂直スイツチ・モ
ス・FET４に付属している２個のスイツチ・モ
ス・FET９との合計３個のモス・FETのそれぞ
れのもののゲートを兼用させるようにして３個の
モス・FETを構成させると、固体撮像装置の構
成が簡単なものになり、また、同じ列における上
下の光電変換部を分けるのに、垂直ゲート用多結
晶シリコン配線１３を用いたセルフアライン方式
にすることができるのでなものになり、製作が容
易に行なわれるという利点が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の固体撮像装置のブロツク図、第
２図は本発明の固体撮像装置のブロツク図、第３
図は本発明の固体撮像装置のパターンを示す図で
ある。１……水平走査回路、２……垂直走査回路、３
−１，３−２，３−３……水平スイツチ（水平ス
イツチ・モス・電界効果トランジスタ）、４−１
１，４−１２，４−１３，……４−５２，４−５
３……垂直スイツチ（垂直スイツチ・モス・電界
効果トランジスタ）、５−１１，５−１２，５−
１３……５−６２，５−６３……受光用Ｐ−Ｎ接
合素子部（光電変換部）、６……読出用負荷抵抗、
７……映像信号像幅器、８……電源、９−１１
ａ，９−１１ｂ，９−１２ａ，９−１２ｂ，……
９−５２ａ，９−５２ｂ，９−５３ａ，９−５３
ｂ……スイツチ（スイツチ・モス・電界効果トラ
ンジスタ）、１２−１，１２−２，１２−３，１
３−１，１３−２，１３−３……１３−５……読
出用のマトリツクス線（水平読出用アルミニユウ
ム配線１２−１，１２−２，１２−３、垂直ゲー
ト用多結晶シリコン配線１３−１，１３−２，１
３−３……１３−５）。

Claims

【特許請求の範囲】１２次元的に配列された光電変換素子と、前記
した多数の光電変換素子の選択を行なうための水
平のスイツチ群及び垂直のスイツチ群と、前記し
た水平のスイツチ群及び垂直のスイツチ群におけ
るそれぞれのスイツチの開閉を制御する水平走査
回路及び垂直走査回路とが同一の半導体基板上に
集積されていて、かつ、飛越走査を行なつて出力
信号が得られるようになされている固体撮像装置
において、垂直走査回路からの出力パルスによつ
て開閉制御される多数の垂直スイツチにおける
個々の垂直スイツチ毎に、前記した個々の垂直ス
イツチの開閉動作と同期して開閉動作を行なうよ
うに２個ずつ付属させたスイツチを、それら２個
のスイツチが付属している垂直スイツチに対して
それぞれ個別に直列的に接続されている状態で設
け、前記した各２個ずつのスイツチに接続されて
いる光電変換部からの信号が、前記した垂直スイ
ツチに付属しているスイツチと前記のスイツチが
付属している垂直スイツチと水平スイツチとを介
して出力されるようにするとともに、１枚の画像
に対する垂直走査の開始時に垂直走査回路からの
出力パルスによつてオンの状態にされる各垂直ス
イツチに付属する２個ずつのスイツチの内の１個
ずつのスイツチに接続されている各光電変換部
と、前記した１枚の画像に対する垂直走査の終了
時に垂直走査回路からの出力パルスによつてオン
の状態にされる各垂直スイツチに付属する２個ず
つのスイツチの内の１個ずつのスイツチに接続さ
れている各光電変換部とを除く他のすべての光電
変換部は、垂直走査回路からの出力パルスが与え
られる読出し用のマトリツクス線における隣り合
う読出し用のマトリツクス線に、それぞれ個別に
接続されている各垂直スイツチに２個ずつ付属し
ているスイツチにおけるそれぞれ定められた１個
ずつのスイツチに共通に接続させてなる固体撮像
装置。２垂直方向（列方向…Ｘ方向）と水平方向（行
方向…Ｙ方向）とに、予め定められた配列パター
ンに従がつて配列されている光電変換部で光電変
換された電荷像による二次元情報を、XYアドレ
ス方式で選択して時間軸上に配列された状態の一
次元の電気信号に変換して出力させるための垂直
スイツチ、水平スイツチ、複数個のスイツチをモ
ストランジスタによつて構成させた特許請求の範
囲第１項に記載の固体撮像装置。３垂直スイツチを構成するモストランジスタの
ゲートと、その垂直スイツチに付属している複数
個のスイツチを構成する複数個のモストランジス
タのゲートとを兼用させた特許請求の範囲第２項
に記載の固体撮像装置。