JPH04305820A - 固定磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、信頼性に優れ、高密度
磁気記録対応を可能にする固定磁気ディスクの製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の高度情報化社会において、記憶す
べき情報の量は年々増加の一途をたどり、記憶装置の大
容量化、高密度化に対する要望も高まっている。

【０００３】このような状況のもと、コンピュ−タ周辺
機器として用いられる固定磁気ディスクに用いられる記
録媒体は、従来のアルミディスク基板上にガンマ酸化鉄
系の針状磁性粉などをを塗布した塗布型から、めっき法
やスパッタ法などによるＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型
へと変化し、高密度化が図られてきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｃｏ−Ｎｉ／
Ｃｒ薄膜は合金であるがゆえ耐久性などに問題があるた
め、磁気ディスクの構造としては、（潤滑層／保護層／
Ｃｏ−Ｎｉ磁性層／Ｃｒ層／Ｎｉ−Ｐめっき層／アルミ
ニウム基板）の５層構造になっており、製造工程が複雑
であるといった欠点がある。

【０００５】（図６）は従来の固定磁気ディスクである
Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型の固定磁気ディスクの断
面を示すものである。図において、１はアルミニウム基
板、２はＮｉ−Ｐめっき層、３はＣｒ層、４はＣｏ−Ｎ
ｉ磁性層、５は保護層、６は潤滑層である。

【０００６】また、上記固定磁気ディスクはＣｏ−Ｎｉ
磁性層４が面内記録媒体であるため、さらに記録密度を
上げるために記録波長を短くしていくと減磁界の影響で
記録が困難になってくる。

【０００７】そこで、磁気記録方式の上で、上記欠点を
改善した記録方式である垂直記録を可能とする磁気記録
媒体として、磁気ヘッドと媒体が接触状態ではあるがＣ
ｏ−Ｃｒ薄膜媒体の研究が盛んになされてきた。しかし
、（図６）に示すＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型の記録
媒体の場合と同様Ｃｏ−Ｃｒ媒体にも合金であるがゆえ
、信頼性に問題があるためＣｏ−Ｃｒ薄膜表面にアモル
ファスカ−ボン膜やＣｏ酸化物の保護層５を設けなくて
はならないという課題がある。

【０００８】一方、固定磁気ディスク装置において、磁
気ヘッドの磁気ディスクに対する走行高さ（フライング
ハイト）をできるだけ低くすることは、磁気ヘッドと磁
気ディスクスペ−シングによる出力の損失（スペ−シン
グ損失）を軽減するため、記録密度向上につながるもの
であり、最近では高記録密度を可能にするために、０．
０５〜０．１μｍ程度のフライングハイト量での走行が
必要とされている。

【０００９】しかしながら、上記従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃ
ｒ合金の薄膜記録媒体、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜型記録媒体いず
れにおいても、耐久性などに問題があるため、信頼性確
保のため薄膜表面に保護膜５（数１０ｎｍ）を形成しな
ければならず、したがってどうしてもスペ−シング損失
が増えてしまうという課題が残る。

【００１０】また、固定磁気ディスクの場合、高速で磁
気ディスクを回転（３６００回転／分）させるため、磁
性層の硬度が高いことも信頼性確保と言った点では非常
に重要である。しかしＣｏ−Ｃｒ薄膜のような合金の場
合どうしても硬度的に問題がある。

【００１１】本発明は上記問題点を解決するものであり
、信頼性に優れ、かつ高密度磁気記録対応が可能である
垂直磁気記録の成分を持った固定磁気ディスクの製造方
法を提供するものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ディスク基板上に（１００）に優先配向し
たＮａＣｌ型結晶構造を有する酸化物薄膜を形成し、さ
らに柱状構造を有するコバルトを含むスピネル型結晶構
造の酸化鉄薄膜を形成した構造の固定磁気ディスクを、
プラズマの活性さとＣＶＤ反応を利用した製造方法によ
り作製するといった構成を備えたものである。

【００１３】

【作用】したがって本発明によれば、反応ガスに用いる
オゾンやＮ２０や水蒸気がプラズマ中で活性なラジカル
を生成するため、耐久性や硬度などの信頼性に優れ、か
つ高密度磁気記録ができる固定磁気ディスクを、比較的
容易にかつ低温で製造できる。

【００１４】

【実施例】（実施例１）以下、本発明の一実施例のプラ
ズマＣＶＤ法による固定磁気ディスクの製造方法につい
て図面を参照しながら説明する。

【００１５】（図１）は本発明の製造方法により作製し
た固定磁気ディスクの構成を示すものであり、図におい
て７はディスク基板、８はＮｉＯ膜、９はＣｏフェライ
ト膜、１０は潤滑層である。

【００１６】（図２）は本発明の一実施例におけるプラ
ズマＣＶＤ装置の概略図を示すものである。

【００１７】（図２）において１１は反応チャンバ−、
１２は電極、１３は反応チャンバ−内を低圧に保つため
の排気系で、１４は下地基板（ガラスディスク基板）、
１５は高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、１６、１７、
１８は原料の入った気化器で、１９、２０、２１はキャ
リアガスの気化器内への導入の有無を制御するためのバ
ルブ、２２、２３、２４は原料ガスとキャリアガスの反
応チャンバ−内への導入の有無を制御するためのバルブ
、２５はキャリアガスボンベ（窒素）、２６は酸素ボン
ベ、２７はオゾナイザー、２８はＮ２Ｏボンベ、２９は
水の入った気化器、３０は基板回転機構のついた基板加
熱ヒ−タ−である。

【００１８】出発原料には、鉄アセチルアセトナ−ト〔
Ｆｅ（Ｃ５　Ｈ７　Ｏ２　）３　〕，ニッケルアセチル
アセトナ−ト〔Ｎｉ（Ｃ５　Ｈ７　Ｏ２　）２　・２Ｈ
２　Ｏ〕，コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ５
　Ｈ７　Ｏ２　）３　〕をもちいた。

【００１９】気化器１６に脱水処理を行ったニッケルア
セチルアセトナ−ト（空気中１００℃で２時間）、１７
にコバルトアセチルアセトナ−ト、１８に鉄アセチルア
セトナ−トを入れ、それぞれ１８０℃、１３０℃、１３
０℃に加熱し保持しておく。バルブ１９およびバルブ２
２を開き窒素キャリア（流量３０ＳＣＣＭ）とともにニ
ッケルアセチルアセトナ−トの蒸気と、反応ガスとして
オゾナイザー２７より発生させたオゾン（流量６ＳＣＣ
Ｍ）を排気系１３により減圧された反応チャンバ−１１
内に導入し、プラズマを発生（電力１．５Ｗ／ｃｍ２）
させ、５分間減圧下（０．１０Ｔｏｒｒ）で反応を行い
、３５０℃に加熱したガラスディスク基板（１２０回転
／分）上にＮｉＯ膜を成膜し、バルブ１９およ２２を閉
じた。

【００２０】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ２
０、２１、２３、２４を開き、キャリアガス（気化器１
７側に流量３ＳＣＣＭ、気化器１８側に流量８ＳＣＣＭ
）とともに、コバルトアセチルアセトナ−トおよび鉄ア
セチルアセトナ−トの蒸気を反応チャンバ−１１内に導
入し、プラズマ中（電力１．５Ｗ／ｃｍ２）で１０分間
減圧下（０．０８Ｔｏｒｒ）で反応を行い、ＮｉＯ膜上
にＣｏフェライト膜を成膜し、Ｃｏフェライト／ＮｉＯ
の二層膜を作製した。そして、二層膜を形成したガラス
ディスク基板を真空チャンバ−から取り出し、裏面にも
同様の方法で、同じ二層膜を形成し、両面に磁性薄膜面
をもつＣｏフェライト／ＮｉＯディスクを作製した。

【００２１】次に、このディスクを３００℃の空気中で
３時間熱処理を行った後、フッソ系有機物の潤滑剤の入
った液槽に沈めて塗布することによって、固定磁気ディ
スク（Ａ）を作製した。

【００２２】作製した本発明の固定磁気ディスク（Ａ）
は、ギャプ長（ＧＬ）が０．２５μｍ，トラック幅（Ｔ
ｗ）が１０μｍ、のＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍＡの
ヘッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った。固
定磁気ディスク（Ａ）を３６００回転／分　の速度で回
転させ、ディスクの中心から２０．０ｍｍの円周トラッ
クで評価を行った。なお、固定磁気ディスク（Ａ）と磁
気ヘッドの相対速度は、７．５ｍ／ｓｅｃであり、磁気
ヘッドのフライングハイトは０．１５μｍであった。

【００２３】次に、比較のために、Ｈｃ＝１０００Ｏｅ
で、Ｍｓ＝８００ｅｍｕ／ｃｃの磁性層膜厚が８０ｎｍ
で、その上に保護層としてカ−ボン膜を６０ｎｍ形成し
、本発明と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎ
ｉ／Ｃｒ合金薄膜の固定磁気ディスク（Ｂ）（アルミ基
板で面内方向に磁化配向）と、本発明と同様の条件（基
板温度３５０℃）で、反応ガスとして酸素を用いて、Ｃ
ｏフェライト／ＮｉＯディスク（固定磁気ディスク（Ｃ
））を作製し、本発明の固定磁気ディスク（Ａ）と同じ
条件で電磁変換特性の評価を行った。

【００２４】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスク（Ａ）、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気デ
ィスク（Ｂ）および反応ガスに酸素のみを用いて作製し
た固定磁気ディスク（Ｃ）の記録密度と再生出力の関係
を（図３）に示す。

【００２５】（図３）において、横軸が記録密度（記録
波長）で、縦軸が再生出力である。またａが本発明の製
造方法による固定磁気ディスク（Ａ）、ｂが比較のため
のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂ）、
ｃが比較のための固定磁気ディスク（Ｃ）の特性を示し
ている。

【００２６】（図３）から、本発明の製造方法による固
定磁気ディスク（Ａ）は、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固
定磁気ディスク（Ｂ）より、短波長域の高記録密度側で
、再生出力が高い値を示すことがわかる。また、固定磁
気ディスク（Ｃ）より、前波長域において高い再生出力
を示した。

【００２７】なお、本発明の固定磁気ディスクの記録信
号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直磁気
記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を示し
ていた。

【００２８】電磁変換特性の測定終了後、有機溶剤を用
いて、潤滑膜層を取り除き固定磁気ディスク（Ａ）のＸ
線回折による結晶構造の解析を行った。

【００２９】比較のために、ガラスディスク基板上に本
成膜方法における上記成膜条件でＮｉＯ膜のみを成膜し
た試料膜（１）および同様に上記条件でガラスディスク
基板上にＣｏフェライト膜のみを成膜した試料膜（２）
をそれぞれ作製しＸ線回折により結晶構造の解析を行っ
た。その結果、上記条件で成膜したＮｉＯ膜はＸ線的に
（１００）に完全配向していた。下地層としてＮｉＯの
（１００）完全配向膜を用いることにより、磁性層であ
るＣｏフェライト膜の（１００）配向性は、下地層の結
晶配向性の影響をうけ、直接ガラスディスク上に成膜し
た場合に比較して向上していた。

【００３０】また、固定磁気ディスク（Ｃ）についても
Ｘ線回折による解析を行った。その結果、結晶性や（１
００）配向性は固定磁気ディスク（Ａ）と比べ劣ってい
た。

【００３１】固定磁気ディスク（Ａ）を破壊して高分解
能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面および
破断面を観察した。その結果、本ディスクの二層膜は柱
状構造を有し、膜厚約４５０ｎｍでコラム径は４０〜８
０ｎｍであることがわかった。

【００３２】さらに、Ｘ線マイクロアナライザ−により
Ｃｏフェライト／ＮｉＯディスクの組成を分析した結果
、Ｃｏ／Ｆｅ＝５／９５であった。

【００３３】次に、固定磁気ディスク（Ａ）および固定
磁気ディスク（Ｃ）の磁気特性について振動試料型磁力
計（ＶＳＭ）により測定を行った。その結果、固定磁気
ディスク（Ａ）の膜面に垂直方向の保磁力はＨｃ＝１２
００Ｏｅ、面内方向の保磁力はＨｃ＝７８０Ｏｅであり
、Ｍｓは２３８ｅｍｕ／ｃｃであった。また、固定磁気
ディスク（Ｃ）の膜面に垂直方向の保磁力はＨｃ＝１２
００ｋＯｅ、面内方向の保磁力はＨｃ＝９２０Ｏｅであ
り、Ｍｓは２０５ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００３４】本発明の固定磁気ディスク（Ａ）がＣｏ−
Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂ）より短波長
域の高記録密度側で、再生出力が高い値を示す原因は、
垂直磁気記録成分を有しているからである。また、固定
磁気ディスク（Ｃ）より再生出力が高い値を示す原因は
、反応ガスにオゾンを用いたことにより、酸素を用いた
場合と比べ、より結晶性や（１００）配向性が良好とな
り、Ｍｓが向上することが最も大きな原因であると考え
られる。

【００３５】また、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜と
してＣｏＯ薄膜やＭｎＯ薄膜を用いた場合においても、
ＮｉＯ薄膜の場合と同様の結果が得られた。

【００３６】（実施例２）以下、本発明の一実施例のプ
ラズマＣＶＤ法による固定磁気ディスクの製造方法につ
いて（図２）を参照しながら説明する。

【００３７】出発原料には、鉄アセチルアセトナ−ト〔
Ｆｅ（Ｃ５　Ｈ７　Ｏ２　）３　〕，ニッケルアセチル
アセトナ−ト〔Ｎｉ（Ｃ５　Ｈ７　Ｏ２　）２　・ｘＨ
２　Ｏ〕，コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ５
　Ｈ７　Ｏ２　）３　〕をもちいた。

【００３８】気化器１６に脱水処理を行ったニッケルア
セチルアセトナ−ト（空気中１００℃で２時間）、１７
にコバルトアセチルアセトナ−ト、１８に鉄アセチルア
セトナ−トを入れ、それぞれ１８０℃、１３０℃、１３
０℃に加熱し保持しておく。バルブ１９およびバルブ２
２を開き窒素キャリア（流量３０ＳＣＣＭ）とともにニ
ッケルアセチルアセトナ−トの蒸気と、反応ガスとして
Ｎ２Ｏ（流量７ＳＣＣＭ）を排気系１３により減圧され
た反応チャンバ−１１内に導入し、プラズマを発生（電
力１．４Ｗ／ｃｍ２）させ、５分間減圧下（０．１２Ｔ
ｏｒｒ）で反応を行い、３５０℃に加熱したガラスディ
スク基板（１２０回転／分）上にＮｉＯ膜を成膜し、バ
ルブ１９および２２を閉じた。

【００３９】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ２
０、２１、２３、２４を開き、キャリアガス（気化器１
７側に流量３ＳＣＣＭ、気化器１８側に流量８ＳＣＣＭ
）とともに、コバルトアセチルアセトナ−トおよび鉄ア
セチルアセトナ−トの蒸気を反応チャンバ−１１内に導
入し、プラズマ中（電力１．４Ｗ／ｃｍ２）で１０分間
減圧下（０．０９Ｔｏｒｒ）で反応を行い、ＮｉＯ膜上
にＣｏフェライト膜を成膜し、Ｃｏフェライト／ＮｉＯ
の二層膜を作製した。そして、二層膜を形成したガラス
ディスク基板を真空チャンバ−から取り出し、裏面にも
同様の方法で、同じ二層膜を形成し、両面に磁性薄膜面
をもつＣｏフェライト／ＮｉＯディスクを作製した。

【００４０】次に、このディスクを３００℃の空気中で
３時間熱処理を行った後、フッソ系有機物の潤滑剤の入
った液槽に沈めて塗布することによって、固定磁気ディ
スク（Ｄ）を作製した。

【００４１】作製した本発明の固定磁気ディスク（Ｄ）
は、ギャプ長（ＧＬ）が０．２５μｍ，トラック幅（Ｔ
ｗ）が１０μｍ、のＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍＡの
ヘッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った。固
定磁気ディスク（Ａ）を３６００回転／分　の速度で回
転させ、ディスクの中心から２０．０ｍｍの円周トラッ
クで評価を行った。なお、固定磁気ディスク（Ｄ）と磁
気ヘッドの相対速度は、７．５ｍ／ｓｅｃであり、磁気
ヘッドのフライングハイトは０．１５μｍであった。

【００４２】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスク（Ｄ）、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気デ
ィスク（Ｂ）および反応ガスに酸素のみを用いて作製し
た固定磁気ディスク（Ｃ）の記録密度と再生出力の関係
を（図４）に示す。

【００４３】（図４）において、横軸が記録密度（記録
波長）で、縦軸が再生出力である。またｄが本発明の製
造方法による固定磁気ディスク（Ｄ）、ｂが比較のため
のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂ）、
ｃが比較のための固定磁気ディスク（Ｃ）の特性を示し
ている。

【００４４】第４図から、本発明の製造方法による固定
磁気ディスク（Ｄ）は、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定
磁気ディスク（Ｂ）より、短波長域の高記録密度側で、
再生出力が高い値を示すことがわかる。また、固定磁気
ディスク（Ｃ）より、前波長域において高い再生出力を
示した。

【００４５】なお、本発明の固定磁気ディスクの記録信
号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直磁気
記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を示し
ていた。

【００４６】電磁変換特性の測定終了後、有機溶剤を用
いて、潤滑膜層を取り除き固定磁気ディスク（Ｄ）のＸ
線回折による結晶構造の解析を行った。

【００４７】比較のために、ガラスディスク基板上に本
成膜方法における上記成膜条件でＮｉＯ膜のみを成膜し
た試料膜（３）および同様に上記条件でガラスディスク
基板上にＣｏフェライト膜のみを成膜した試料膜（４）
をそれぞれ作製しＸ線回折により結晶構造の解析を行っ
た。その結果、上記条件で成膜したＮｉＯ膜はＸ線的に
（１００）に完全配向していた。下地層としてＮｉＯの
（１００）完全配向膜を用いることにより、磁性層であ
るＣｏフェライト膜の（１００）配向性は、下地層の結
晶配向性の影響をうけ、直接ガラスディスク上に成膜し
た場合に比較して向上していた。また、固定磁気ディス
ク（Ｃ）と比較して、結晶性や（１００）配向性は固定
磁気ディスク（Ｄ）は優れていた。

【００４８】固定磁気ディスク（Ｄ）を破壊して高分解
能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面および
破断面を観察した。その結果、本ディスクの二層膜は柱
状構造を有し、膜厚約４４０ｎｍでコラム径は４０〜８
０ｎｍであることがわかった。

【００４９】さらに、Ｘ線マイクロアナライザ−により
Ｃｏフェライト／ＮｉＯディスクの組成を分析した結果
、Ｃｏ／Ｆｅ＝５／９５であった。

【００５０】次に、固定磁気ディスク（Ｄ）の磁気特性
について振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定を行っ
た。その結果、膜面に垂直方向の保磁力はＨｃ＝１２０
０Ｏｅ、面内方向の保磁力はＨｃ＝８００Ｏｅであり、
Ｍｓは２４５ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００５１】本発明の固定磁気ディスク（Ｄ）がＣｏ−
Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂ）より短波長
域の高記録密度側で、再生出力が高い値を示す原因は、
垂直磁気記録成分を有しているからである。また、固定
磁気ディスク（Ｃ）より再生出力が高い値を示す原因は
、反応ガスにＮ２Ｏを用いたことにより、酸素を用いた
場合と比べ、より結晶性や（１００）配向性が良好とな
り、Ｍｓが向上することが最も大きな原因であると考え
られる。

【００５２】また、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜と
してＣｏＯ薄膜やＭｎＯ薄膜を用いた場合においても、
ＮｉＯ薄膜の場合と同様の結果が得られた。

【００５３】（実施例３）本発明の一実施例のプラズマ
ＣＶＤ法による固定磁気ディスクの製造方法および電磁
変換特性について（図２）を参照しながら説明する。

【００５４】出発原料には、鉄アセチルアセトナ−ト〔
Ｆｅ（Ｃ５　Ｈ７　Ｏ２　）３　〕，ニッケルアセチル
アセトナ−ト〔Ｎｉ（Ｃ５　Ｈ７　Ｏ２　）２　・ｘＨ
２　Ｏ〕，コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ５
　Ｈ７　Ｏ２　）３　〕をもちいた。

【００５５】気化器１６に脱水処理を行ったニッケルア
セチルアセトナ−ト（空気中１００℃で２時間）、１７
にコバルトアセチルアセトナ−ト、１８に鉄アセチルア
セトナ−トを入れ、それぞれ１８０℃、１３０℃、１３
０℃に加熱し保持しておく。バルブ１９およびバルブ２
２を開き窒素キャリア（流量３０ＳＣＣＭ）とともにニ
ッケルアセチルアセトナ−トの蒸気と、反応ガスとして
酸素（流量５ＳＣＣＭ）および水蒸気（分圧０．００８
Ｔｏｒｒ）を排気系３により減圧された反応チャンバ−
１内に導入し、プラズマを発生（電力１．５Ｗ／ｃｍ２
）させ、５分間減圧下（０．１２Ｔｏｒｒ）で反応を行
い、３５０℃に加熱したガラスディスク基板（１２０回
転／分）上にＮｉＯ膜を成膜し、バルブ１９および２２
を閉じた。

【００５６】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ２
０、２１、２３、２４を開き、キャリアガス（気化器７
側に流量３ＳＣＣＭ、気化器８側に流量８ＳＣＣＭ）と
ともに、コバルトアセチルアセトナ−トおよび鉄アセチ
ルアセトナ−トの蒸気を反応チャンバ−１内に導入し、
プラズマ中（電力１．５Ｗ／ｃｍ２）で１０分間減圧下
（０．０８Ｔｏｒｒ）で反応を行い、ＮｉＯ膜上にＣｏ
フェライト膜を成膜し、Ｃｏフェライト／ＮｉＯの二層
膜を作製した。そして、二層膜を形成したガラスディス
ク基板を真空チャンバ−から取り出し、裏面にも同様の
方法で、同じ二層膜を形成し、両面に磁性薄膜面をもつ
Ｃｏフェライト／ＮｉＯディスクを作製した。

【００５７】次に、このディスクを３００℃の空気中で
３時間熱処理を行った後、フッソ系有機物の潤滑剤の入
った液槽に沈めて塗布することによって、固定磁気ディ
スク（Ｅ）を作製した。

【００５８】作製した本発明の固定磁気ディスク（Ｅ）
は、ギャプ長（ＧＬ）が０．２５μｍ，トラック幅（Ｔ
ｗ）が１０μｍ、のＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍＡの
ヘッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った。固
定磁気ディスク（Ｅ）を３６００回転／分　の速度で回
転させ、ディスクの中心から２０．０ｍｍの円周トラッ
クで評価を行った。なお、固定磁気ディスク（Ｅ）と磁
気ヘッドの相対速度は、７．５ｍ／ｓｅｃであり、磁気
ヘッドのフライングハイトは０．１５μｍであった。

【００５９】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスク（Ｅ）、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気デ
ィスク（Ｂ）および反応ガスに酸素のみを用いて作製し
た固定磁気ディスク（Ｃ）の記録密度と再生出力の関係
を第５図に示す。

【００６０】（図５）において、横軸が記録密度（記録
波長）で、縦軸が再生出力である。またｅが本発明の製
造方法による固定磁気ディスク（Ｅ）、ｂが比較のため
のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂ）、
ｃが比較のための固定磁気ディスク（Ｃ）の特性を示し
ている。

【００６１】（図５）から、本発明の製造方法による固
定磁気ディスク（Ｅ）は、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固
定磁気ディスク（Ｂ）より、短波長域の高記録密度側で
、再生出力が高い値を示すことがわかる。また、固定磁
気ディスク（Ｃ）より、前波長域において高い再生出力
を示した。

【００６２】なお、本発明の固定磁気ディスクの記録信
号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直磁気
記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を示し
ていた。

【００６３】電磁変換特性の測定終了後、有機溶剤を用
いて、潤滑膜層を取り除き固定磁気ディスク（Ｅ）のＸ
線回折による結晶構造の解析を行った。

【００６４】比較のために、ガラスディスク基板上に本
成膜方法における上記成膜条件でＮｉＯ膜のみを成膜し
た試料膜（５）および同様に上記条件でガラスディスク
基板上にＣｏフェライト膜のみを成膜した試料膜（６）
をそれぞれ作製しＸ線回折により結晶構造の解析を行っ
た。その結果、上記条件で成膜したＮｉＯ膜はＸ線的に
（１００）に完全配向していた。下地層としてＮｉＯの
（１００）完全配向膜を用いることにより、磁性層であ
るＣｏフェライト膜の（１００）配向性は、下地層の結
晶配向性の影響をうけ、直接ガラスディスク上に成膜し
た場合に比較して向上していた。また、固定磁気ディス
ク（Ｃ）と比較して、結晶性や（１００）配向性は固定
磁気ディスク（Ａ）が優れていた。

【００６５】固定磁気ディスク（Ｅ）を破壊して高分解
能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面および
破断面を観察した。その結果、本ディスクの二層膜は柱
状構造を有し、膜厚約４２０ｎｍでコラム径は４０〜８
０ｎｍであることがわかった。

【００６６】さらに、Ｘ線マイクロアナライザ−により
Ｃｏフェライト／ＮｉＯディスクの組成を分析した結果
、Ｃｏ／Ｆｅ＝５／９５であった。

【００６７】次に、固定磁気ディスク（Ｅ）の磁気特性
について振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定を行っ
た。その結果、膜面に垂直方向の保磁力はＨｃ＝１２０
０Ｏｅ、膜面に面内方向の保磁力はＨｃ＝７９０Ｏｅで
あり、Ｍｓは２３５ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００６８】本発明の固定磁気ディスク（Ｅ）がＣｏ−
Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂ）より短波長
域の高記録密度側で、再生出力が高い値を示す原因は、
垂直磁気記録成分を有しているからである。また、固定
磁気ディスク（Ｃ）より再生出力が高い値を示す原因は
、反応ガスに酸素と水蒸気を用いたことにより、酸素の
みを用いた場合と比べ、より結晶性や（１００）配向性
が良好となり、Ｍｓが向上することが最も大きな原因で
あると考えられる。

【００６９】また、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜と
してＣｏＯ薄膜やＭｎＯ薄膜を用いた場合においても、
ＮｉＯ薄膜の場合と同様の結果が得られた。

【００７０】

【発明の効果】以上のように本発明は、ディスク基板上
に、下地層としてＮａＣｌ型結晶構造の（１００）配向
酸化物膜を形成し、さらに磁性層として柱状構造を有す
るＣｏを含むスピネル型酸化鉄磁性薄膜を形成すること
により、高信頼性でかつ高記録密度化が可能となる構造
の定磁気ディスクの製造方法に、反応ガスにオゾンやＮ
２Ｏや水蒸気を用いたプラズマＣＶＤ法を用いているた
め、簡単な原料供給の制御を行うだけで、二層膜を簡単
に、比較的低温で、かつ連続的に製造できるのである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法により作製した固定磁気ディ
スクの要部拡大図である。

【図２】本発明のの製造方法を実施するために使用する
プラズマＣＶＤ装置の概略図である。

【図３】本発明の固定磁気ディスクの記録波長と再生出
力の関係を比較し示した特性図である。

【図４】本発明の固定磁気ディスクの記録波長と再生出
力の関係を比較し示した特性図である。

【図５】本発明の固定磁気ディスクの記録波長と再生出
力の関係を比較し示した特性図である。

【図６】従来例および実施例の固定磁気ディスクの要部
拡大図である。

【符号の説明】

１　　アルミニウム基板 ２　　Ｎｉ−Ｐめっき層 ３　　Ｃｒ層 ４　　Ｃｏ−Ｎｉ磁性層 ５　　保護層 ６　　潤滑層 ７　　ディスク基板 ８　　ＮｉＯ膜 ９　　Ｃｏフェライト膜 １０　　潤滑層 １１　　反応チャンバ− １２　　電極 １３　　排気系 １４　　ガラスディスク基板 １５　　高周波電源 １６　　気化器 １７　　気化器 １８　　気化器 １９　　キャリアガス供給バルブ ２０　　キャリアガス供給バルブ ２１　　キャリアガス供給バルブ ２２　　原料ガス供給バルブ ２３　　原料ガス供給バルブ ２４　　原料ガス供給バルブ ２５　　窒素ボンベ ２６　　酸素ボンベ ２７　　オゾナイザー ２８　　Ｎ２Ｏボンベ ２９　　気化器 ３０　　基板加熱ヒ−タ−

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ニッケルを含む有機金属化合物、コバ
   ルトを含む有機金属化合物、マンガンを含む有機金属化
   合物のうちのいずれか一種の有機金属化合物の蒸気とオ
   ゾンの混合ガスを、プラズマを用いて分解し反応させる
   ことにより、ディスク基板上にＮａＣｌ型結晶構造の酸
   化物薄膜を化学蒸着し、さらに鉄を含む有機金属化合物
   の蒸気とコバルトを含む有機金属化合物の蒸気とオゾン
   の混合ガスを、プラズマを用いて分解し反応させること
   により、前記ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜上にコバ
   ルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄薄膜を化学蒸着
   することを特徴とする固定磁気ディスクの製造方法。
2. 【請求項２】　　ニッケルを含む有機金属化合物、コバ
   ルトを含む有機金属化合物、マンガンを含む有機金属化
   合物のうちのいずれか一種の有機金属化合物の蒸気とＮ
   ２Ｏの混合ガスを、プラズマを用いて分解し反応させる
   ことにより、ディスク基板上にＮａＣｌ型結晶構造の酸
   化物薄膜を化学蒸着し、さらに鉄を含む有機金属化合物
   の蒸気とコバルトを含む有機金属化合物の蒸気とＮ２Ｏ
   の混合ガスを、プラズマを用いて分解し反応させること
   により、前記ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜上にコバ
   ルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄薄膜を化学蒸着
   することを特徴とする固定磁気ディスクの製造方法。
3. 【請求項３】　　ニッケルを含む有機金属化合物、コバ
   ルトを含む有機金属化合物、マンガンを含む有機金属化
   合物のうちのいずれか一種の有機金属化合物の蒸気とと
   水蒸気と酸素の混合ガスを、プラズマを用いて分解し反
   応させることにより、ディスク基板上にＮａＣｌ型結晶
   構造の酸化物薄膜を化学蒸着し、さらに鉄を含む有機金
   属化合物の蒸気とコバルトを含む有機金属化合物の蒸気
   と水蒸気と酸素の混合ガスを、プラズマを用いて分解し
   反応させることにより、前記ＮａＣｌ型結晶構造の酸化
   物薄膜上にコバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄
   薄膜を化学蒸着することを特徴とする固定磁気ディスク
   の製造方法。
4. 【請求項４】　　ニッケルを含む有機金属化合物および
   鉄を含む有機金属化合物およびコバルトを含む有機金属
   化合物およびマンガンを含む有機金属化合物が、β−ジ
   ケトン系金属錯体であることを特徴とする請求項１、２
   、３のいずれかに記載の固定磁気ディスクの製造方法。