JPH04332913A - 固定磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、信頼性に優れ、高密度
磁気記録対応を可能にする固定磁気ディスクの製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の高度情報化社会において、記憶す
べき情報の量は年々増加の一途をたどり、記憶装置の大
容量化、高密度化に対する要望も高まっている。

【０００３】このような状況のもと、コンピュ−タ周辺
機器として用いられる固定磁気ディスクに用いられる記
録媒体は、従来のアルミディスク基板上にガンマ酸化鉄
系の針状磁性粉などをを塗布した塗布型から、めっき法
やスパッタ法などによるＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型
へと変化し、高密度化が図られてきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｃｏ−Ｎｉ／
Ｃｒ薄膜は合金であるがゆえ耐久性などに問題があるた
め、磁気ディスクの構造としては、（潤滑層／保護層／
Ｃｏ−Ｎｉ磁性層／Ｃｒ層／Ｎｉ−Ｐめっき層／アルミ
ニウム基板）の５層構造になっており、製造工程が複雑
であるといった欠点がある。

【０００５】（図６）は従来の固定磁気ディスクである
Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型の固定磁気ディスクの断
面を示すものである。図において、１はアルミニウム基
板、２はＮｉ−Ｐめっき層、３はＣｒ層、４はＣｏ−Ｎ
ｉ磁性層、５は保護層、６は潤滑層である。

【０００６】また、上記固定磁気ディスクはＣｏ−Ｎｉ
磁性層４が面内記録媒体であるため、さらに記録密度を
上げるために記録波長を短くしていくと減磁界の影響で
記録が困難になってくる。

【０００７】そこで、磁気記録方式の上で、上記欠点を
改善した記録方式である垂直記録を可能とする磁気記録
媒体として、磁気ヘッドと媒体が接触状態ではあるがＣ
ｏ−Ｃｒ薄膜媒体の研究が盛んになされてきた。しかし
、（図６）に示すＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型の記録
媒体の場合と同様Ｃｏ−Ｃｒ媒体にも合金であるがゆえ
、信頼性に問題があるためＣｏ−Ｃｒ薄膜表面にアモル
ファスカ−ボン膜やＣｏ酸化物の保護層５を設けなくて
はならないという課題がある。

【０００８】一方、固定磁気ディスク装置において、磁
気ヘッドの磁気ディスクに対する走行高さ（フライング
ハイト）をできるだけ低くすることは、磁気ヘッドと磁
気ディスクスペ−シングによる出力の損失（スペ−シン
グ損失）を軽減するため、記録密度向上につながるもの
であり、最近では高記録密度を可能にするために、０．
０５〜０．１μｍ程度のフライングハイト量での走行が
必要とされている。

【０００９】しかしながら、上記従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃ
ｒ合金の薄膜記録媒体、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜型記録媒体いず
れにおいても、耐久性などに問題があるため、信頼性確
保のため薄膜表面に保護膜５（数１０ｎｍ）を形成しな
ければならず、したがってどうしてもスペ−シング損失
が増えてしまうという課題が残る。

【００１０】また、固定磁気ディスクの場合、高速で磁
気ディスクを回転（３６００回転／分）させるため、磁
性層の硬度が高いことも信頼性確保と言った点では非常
に重要である。しかしＣｏ−Ｃｒ薄膜のような合金の場
合どうしても硬度的に問題がある。

【００１１】本発明は上記問題点を解決するものであり
、信頼性に優れ、かつ高密度磁気記録対応が可能である
垂直磁気記録の成分を持った固定磁気ディスクの製造方
法を提供するものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ディスク基板上にスピネル型結晶構造の酸
化鉄軟磁性膜を形成し、さらに柱状構造を有するコバル
トを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄膜を形成した構造
の固定磁気ディスクを、プラズマの活性さとＣＶＤ反応
を利用した製造方法により作製するといった構成を備え
たものである。

【００１３】

【作用】したがって本発明によれば、反応ガスに用いる
オゾンやＮ２０や水蒸気がプラズマ中で活性なラジカル
を生成するため、耐久性や硬度などの信頼性に優れ、か
つ高密度磁気記録ができる固定磁気ディスクを、比較的
容易にかつ低温で製造できる。

【００１４】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ
法による固定磁気ディスクの製造方法について図面を参
照しながら説明する。

【００１５】（図１）は本発明の製造方法により作製し
た固定磁気ディスクの構成を示すものであり、図におい
て７はディスク基板、８はＭｎ−Ｚｎフェライト膜、９
はＣｏフェライト膜、１０は潤滑層である。

【００１６】（図２）は本発明の一実施例におけるプラ
ズマＣＶＤ装置の概略図を示すものである。

【００１７】（図３）において１１は反応チャンバ−、
１２は電極、１３は反応チャンバ−内を低圧に保つため
の排気系で、１４は下地基板（ガラスディスク基板）、
１５は高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、１６、１７、
１８、１９は原料の入った気化器で、２０、２１、２２
、２３はキャリアガスの気化器内への導入の有無を制御
するためのバルブ、２４、２５、２６、２７は原料ガス
とキャリアガスの反応チャンバ−内への導入の有無を制
御するためのバルブ、２８はキャリアガスボンベ（窒素
）、２９は酸素ボンベ、３０はオゾナイザー、３１はＮ
２Ｏボンベ、３２は水の入った気化器、３３は基板回転
機構のついた基板加熱ヒ−タ−である。

【００１８】出発原料には、鉄アセチルアセトナ−ト〔
Ｆｅ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３〕、マンガンアセチルアセトナ
−ト〔Ｍｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２・２Ｈ２Ｏ〕、亜鉛アセ
チルアセトナ−ト〔Ｚｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２・Ｈ２Ｏ〕
、コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２
）３〕をもちいた。

【００１９】気化器１６に脱水処理を行ったマンガンア
セチルアセトナ−ト（空気中１００℃で２時間）、気化
器１７に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナ−ト（
空気中１００℃で２時間）、気化器１８にコバルトアセ
チルアセトナ−ト、気化器１９に鉄アセチルアセトナ−
トを入れ、それぞれ１８０℃、７０℃、１２０℃、１３
５℃に加熱し保持しておく。

【００２０】バルブ２０、２１、２３，２４、２５，２
７を開き、窒素キャリア（気化器１６側に流量７ＳＣＣ
Ｍ、気化器１７側に流量３ＳＣＣＭ、気化器１９側に流
量１５ＳＣＣＭ）とともにマンガンアセチルアセトナ−
トの蒸気と亜鉛アセチルアセトナ−トの蒸気と鉄アセチ
ルアセトナ−トの蒸気を、反応ガスとしオゾナイザーよ
り発生させたオゾン（流量５ＳＣＣＭ）とともに、排気
系１３により減圧された反応チャンバ−１１内に導入し
、プラズマを発生（電力１．４Ｗ／ｃｍ２）させ、６分
間減圧下（０．０９Ｔｏｒｒ）で反応を行い、３５０℃
に加熱したガラスディスク基板（１２０回転／分）上に
Ｍｎ−Ｚｎフェライト膜を成膜し、バルブ２０、２１、
２４、２５を閉じた。

【００２１】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ２
２、２６を開き、キャリアガス（流量８ＳＣＣＭ）とと
もに、コバルトアセチルアセトナ−トの蒸気を鉄アセチ
ルアセトナ−トの蒸気とともに反応チャンバ−１内に導
入し、プラズマ中（電力１．４Ｗ／ｃｍ２）で１０分間
減圧下（０．０７Ｔｏｒｒ）で反応を行い、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト膜上にＣｏフェライト膜を成膜し、Ｃｏフェ
ライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライトの二層膜を作製した。

【００２２】そして、二層膜を形成したガラスディスク
基板を真空チャンバ−から取り出し、裏面にも同様の方
法で、同じ二層膜を形成し、両面に磁性薄膜面をもつＣ
ｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎディスクを作製した。

【００２３】次に、このディスクをフッソ系有機物の潤
滑剤の入った液槽に沈めて塗布することによって、固定
磁気ディスクを作製した。

【００２４】作製した本発明の固定磁気ディスク（Ａタ
イプ）は、ギャプ長（ＧＬ）が０．２５μｍ，トラック
幅（Ｔｗ）が１０μｍのＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍ
Ａのヘッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った
。 固定磁気ディスク（Ａタイプ）を３６００回転／分の速
度で回転させ、ディスクの中心から２０．０ｍｍの円周
トラックで評価を行った。なお、固定磁気ディスク（Ａ
タイプ）と磁気ヘッドの相対速度は、７．５ｍ／ｓｅｃ
であり、磁気ヘッドのフライングハイトは０．１５μｍ
であった。

【００２５】次に、比較のために、Ｈｃ＝１０００Ｏｅ
で、Ｍｓ＝８００ｅｍｕ／ｃｃの磁性層膜厚が８０ｎｍ
で、その上に保護層としてカ−ボン膜を６０ｎｍ形成し
、本発明と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎ
ｉ／Ｃｒ合金薄膜の固定磁気ディスク（Ｂタイプ）（ア
ルミ基板で面内方向に磁化配向）と、本発明と同様の条
件（基板温度３７０℃）で、反応ガスとして酸素を用い
て、Ｃｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライトディスク（
固定磁気ディスク（Ｃタイプ））を作製し、本発明の固
定磁気ディスク（Ａタイプ）と同じ条件で電磁変換特性
の評価を行った。

【００２６】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスク（Ａタイプ）、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定
磁気ディスク（Ｂタイプ）および反応ガスに酸素のみを
用いて作製した固定磁気ディスク（Ｃタイプ）の記録密
度と再生出力の関係を（図３）に示す。

【００２７】（図３）において、横軸が記録密度（記録
波長）で、縦軸が再生出力である。また（ａ）が本発明
の製造方法による固定磁気ディスク（Ａタイプ）、（ｂ
）が比較のためのＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気デ
ィスク（Ｂタイプ）、（ｃ）が比較のための固定磁気デ
ィスク（Ｃタイプ）の特性を示している。

【００２８】（図３）から、本発明の製造方法による固
定磁気ディスク（Ａタイプ）は、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金
薄膜固定磁気ディスク（Ｂタイプ）および固定磁気ディ
スク（Ｃタイプ）より、高い再生出力を示した。

【００２９】なお、本発明の固定磁気ディスクの記録信
号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直磁気
記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を示し
ていた。

【００３０】電磁変換特性の測定終了後、有機溶剤を用
いて、潤滑膜層１０を取り除き固定磁気ディスク（Ａタ
イプ）のＸ線回折による結晶構造の解析を行った。

【００３１】その結果、下地層としてＭｎ−Ｚｎフェラ
イト膜を用いることにより、磁性層であるＣｏフェライ
ト膜の結晶性や（１００）配向性は、直接ディスク上に
成膜した場合に比較して向上していた。

【００３２】また、固定磁気ディスク（Ｃタイプ）につ
いてもＸ線回折による解析を行った。その結果、結晶性
や（１００）配向性は固定磁気ディスク（Ａタイプ）と
比べ劣っていた。

【００３３】固定磁気ディスク（Ａタイプ）を破壊して
高分解能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面
および破断面を観察した。その結果、本ディスクの二層
膜は柱状構造を有し、膜厚約３６０ｎｍでコラム径は４
５〜８０ｎｍであることがわかった。

【００３４】本発明の固定磁気ディスク（Ａタイプ）が
Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂタイプ
）より再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成
分を有しているとと、下地層として軟磁性材料を用いて
いることから、Ｃｏフェライト磁性層と馬蹄形の磁路を
形成することにより、反磁界の影響が低減されているか
らである。

【００３５】また、固定磁気ディスク（Ｃタイプ）より
再生出力が高い値を示す原因は、反応ガスにオゾンを用
いたことにより、酸素を用いた場合と比べ、より結晶性
や（１００）配向性が良好となることが最も大きな原因
であると考えられる。

【００３６】また同様の成膜方法を用いて、下地膜にＮ
ｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎフェライト、Ｎｉフェライト
、Ｚｎフェライトを成膜し、Ｃｏフェライト／Ｎｉ−Ｚ
ｎフェライト、Ｃｏフェライト／Ｍｎフェライト、Ｃｏ
フェライト／Ｎｉフェライト、Ｃｏフェライト／Ｚｎフ
ェライトの２層膜ディスクを作製し、電磁変換特性の評
価を行った結果、Ｃｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トの２層よりなる固定磁気ディスクの場合と同様に、従
来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクや反応
ガスに酸素のみを用いて作製した場合と比べ、再生出力
が高くなった。

【００３７】（実施例２）以下、本発明の一実施例のプ
ラズマＣＶＤ法による固定磁気ディスクの製造方法につ
いて図３を参照しながら説明する。

【００３８】気化器１６に脱水処理を行ったマンガンア
セチルアセトナ−ト（空気中１００℃で２時間）、気化
器１７に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナ−ト（
空気中１００℃で２時間）、気化器１８にコバルトアセ
チルアセトナ−ト、気化器１９に鉄アセチルアセトナ−
トを入れ、それぞれ１８０℃、７０℃、１２０℃、１３
５℃に加熱し保持しておく。

【００３９】バルブ２０、２１、２３，２４、２５，２
７を開き、窒素キャリア（気化器１６側に流量７ＳＣＣ
Ｍ、気化器１７側に流量３ＳＣＣＭ、気化器１９側に流
量１５ＳＣＣＭ）とともにマンガンアセチルアセトナ−
トの蒸気と亜鉛アセチルアセトナ−トの蒸気と鉄アセチ
ルアセトナ−トの蒸気を、反応ガスとしてのＮ２Ｏ（流
量８ＳＣＣＭ）とともに、排気系１３により減圧された
反応チャンバ−１１内に導入し、プラズマを発生（電力
１．４Ｗ／ｃｍ２）させ、６分間減圧下（０．０９Ｔｏ
ｒｒ）で反応を行い、３５０℃に加熱したガラスディス
ク基板（１２０回転／分）上にＭｎ−Ｚｎフェライト膜
を成膜し、バルブ２０、２１、２４、２５を閉じた。

【００４０】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ２
２、２６を開き、キャリアガス（流量８ＳＣＣＭ）とと
もに、コバルトアセチルアセトナ−トの蒸気を鉄アセチ
ルアセトナ−トの蒸気とともに反応チャンバ−１内に導
入し、プラズマ中（電力１．４Ｗ／ｃｍ２）で１０分間
減圧下（０．０７Ｔｏｒｒ）で反応を行い、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト膜上にＣｏフェライト膜を成膜し、Ｃｏフェ
ライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライトの二層膜を作製した。

【００４１】そして、二層膜を形成したガラスディスク
基板を真空チャンバ−から取り出し、裏面にも同様の方
法で、同じ二層膜を形成し、両面に磁性薄膜面をもつＣ
ｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎディスクを作製した。

【００４２】次に、このディスクをフッソ系有機物の潤
滑剤の入った液槽に沈めて塗布することによって、固定
磁気ディスク（Ｄタイプ）を作製した。

【００４３】作製した本発明の固定磁気ディスク（Ｄタ
イプ）は、ギャプ長（ＧＬ）が０．２５μｍ，トラック
幅（Ｔｗ）が１０μｍのＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍ
Ａのヘッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った
。 固定磁気ディスク（Ｄタイプ）を３６００回転／分の速
度で回転させ、ディスクの中心から２０．０ｍｍの円周
トラックで評価を行った。なお、固定磁気ディスク（Ａ
タイプ）と磁気ヘッドの相対速度は、７．５ｍ／ｓｅｃ
であり、磁気ヘッドのフライングハイトは０．１５μｍ
であった。

【００４４】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスク（Ｄタイプ）、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定
磁気ディスク（Ｂタイプ）および反応ガスに酸素のみを
用いて作製した固定磁気ディスク（Ｃタイプ）の記録密
度と再生出力の関係を（図４）に示す。

【００４５】（図４）において、横軸が記録密度（記録
波長）で、縦軸が再生出力である。また（ｄ）が本発明
の製造方法による固定磁気ディスク（Ｄタイプ）、（ｂ
）が比較のためのＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気デ
ィスク（Ｂタイプ）、（ｃ）が比較のための固定磁気デ
ィスク（Ｃタイプ）の特性を示している。

【００４６】（図４）から、本発明の製造方法による固
定磁気ディスク（Ｄタイプ）は、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金
薄膜固定磁気ディスク（Ｂタイプ）および固定磁気ディ
スク（Ｃタイプ）より、高い再生出力を示した。

【００４７】なお、本発明の固定磁気ディスクの記録信
号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直磁気
記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を示し
ていた。

【００４８】電磁変換特性の測定終了後、有機溶剤を用
いて、潤滑膜層１０を取り除き固定磁気ディスク（Ａタ
イプ）のＸ線回折による結晶構造の解析を行った。

【００４９】その結果、下地層としてＭｎ−Ｚｎフェラ
イト膜を用いることにより、磁性層であるＣｏフェライ
ト膜の結晶性や（１００）配向性は、直接ディスク上に
成膜した場合に比較して向上していた。

【００５０】また、固定磁気ディスク（Ｃタイプ）につ
いてもＸ線回折による解析を行った。その結果、結晶性
や（１００）配向性は固定磁気ディスク（Ａタイプ）と
比べ劣っていた。

【００５１】固定磁気ディスク（Ａタイプ）を破壊して
高分解能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面
および破断面を観察した。その結果、本ディスクの二層
膜は柱状構造を有し、膜厚約３６０ｎｍでコラム径は４
５〜８０ｎｍであることがわかった。

【００５２】本発明の固定磁気ディスク（Ａタイプ）が
Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂタイプ
）より再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成
分を有しているとと、下地層として軟磁性材料を用いて
いることから、Ｃｏフェライト磁性層と馬蹄形の磁路を
形成することにより、反磁界の影響が低減されているか
らである。

【００５３】また、固定磁気ディスク（Ｃタイプ）より
再生出力が高い値を示す原因は、反応ガスにオゾンを用
いたことにより、酸素を用いた場合と比べ、より結晶性
や（１００）配向性が良好となることが最も大きな原因
であると考えられる。

【００５４】また同様の成膜方法を用いて、下地膜にＮ
ｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎフェライト、Ｎｉフェライト
、Ｚｎフェライトを成膜し、Ｃｏフェライト／Ｎｉ−Ｚ
ｎフェライト、Ｃｏフェライト／Ｍｎフェライト、Ｃｏ
フェライト／Ｎｉフェライト、Ｃｏフェライト／Ｚｎフ
ェライトの２層膜ディスクを作製し、電磁変換特性の評
価を行った結果、Ｃｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トの２層よりなる固定磁気ディスクの場合と同様に、従
来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクや反応
ガスに酸素のみを用いて作製した場合と比べ、再生出力
が高くなった。

【００５５】（実施例３）以下、本発明の一実施例のプ
ラズマＣＶＤ法による固定磁気ディスクの製造方法につ
いて図３を参照しながら説明する。

【００５６】気化器１６に脱水処理を行ったマンガンア
セチルアセトナ−ト（空気中１００℃で２時間）、気化
器１７に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナ−ト（
空気中１００℃で２時間）、気化器１８にコバルトアセ
チルアセトナ−ト、気化器１９に鉄アセチルアセトナ−
トを入れ、それぞれ１８０℃、７０℃、１２０℃、１３
５℃に加熱し保持しておく。

【００５７】バルブ２０、２１、２３、２４、２５、２
７を開き、窒素キャリア（気化器１６側に流量７ＳＣＣ
Ｍ、気化器１７側に流量３ＳＣＣＭ、気化器１９側に流
量１５ＳＣＣＭ）とともにマンガンアセチルアセトナ−
トの蒸気と亜鉛アセチルアセトナ−トの蒸気と鉄アセチ
ルアセトナ−トの蒸気を、反応ガスとしての酸素（流量
３ＳＣＣＭ）および水蒸気（分圧０．００９Ｔｏｒｒ）
とともに、排気系１３により減圧された反応チャンバ−
１１内に導入し、プラズマを発生（電力１．４Ｗ／ｃｍ
２）させ、６分間減圧下（０．１１Ｔｏｒｒ）で反応を
行い、３５０℃に加熱したガラスディスク基板（１２０
回転／分）上にＭｎ−Ｚｎフェライト膜を成膜し、バル
ブ２０、２１、２４、２５を閉じた。

【００５８】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ２
２、２６を開き、キャリアガス（流量８ＳＣＣＭ）とと
もに、コバルトアセチルアセトナ−トの蒸気を鉄アセチ
ルアセトナ−トの蒸気とともに反応チャンバ−１内に導
入し、プラズマ中（電力１．４Ｗ／ｃｍ２）で１０分間
減圧下（０．１０Ｔｏｒｒ）で反応を行い、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト膜上にＣｏフェライト膜を成膜し、Ｃｏフェ
ライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライトの二層膜を作製した。

【００５９】そして、二層膜を形成したガラスディスク
基板を真空チャンバ−から取り出し、裏面にも同様の方
法で、同じ二層膜を形成し、両面に磁性薄膜面をもつＣ
ｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎディスクを作製した。

【００６０】次に、このディスクをフッソ系有機物の潤
滑剤の入った液槽に沈めて塗布することによって、固定
磁気ディスク（Ｅタイプ）を作製した。

【００６１】作製した本発明の固定磁気ディスク（Ｅタ
イプ）は、ギャプ長（ＧＬ）が０．２５μｍ，トラック
幅（Ｔｗ）が１０μｍのＭＩＧヘッドを用いて、５０ｍ
Ａのヘッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った
。 固定磁気ディスク（Ｄタイプ）を３６００回転／分の速
度で回転させ、ディスクの中心から２０．０ｍｍの円周
トラックで評価を行った。なお、固定磁気ディスク（Ｅ
タイプ）と磁気ヘッドの相対速度は、７．５ｍ／ｓｅｃ
であり、磁気ヘッドのフライングハイトは０．１５μｍ
であった。

【００６２】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスク（Ｅタイプ）、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定
磁気ディスク（Ｂタイプ）および反応ガスに酸素のみを
用いて作製した固定磁気ディスク（Ｃタイプ）の記録密
度と再生出力の関係を（図５）に示す。

【００６３】（図５）において、横軸が記録密度（記録
波長）で、縦軸が再生出力である。また（ｅ）が本発明
の製造方法による固定磁気ディスク（Ｅタイプ）、（ｂ
）が比較のためのＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気デ
ィスク（Ｂタイプ）、（ｃ）が比較のための固定磁気デ
ィスク（Ｃタイプ）の特性を示している。

【００６４】（図５）から、本発明の製造方法による固
定磁気ディスク（Ｅタイプ）は、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金
薄膜固定磁気ディスク（Ｂタイプ）および固定磁気ディ
スク（Ｃタイプ）より、高い再生出力を示した。

【００６５】なお、本発明の固定磁気ディスクの記録信
号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直磁気
記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を示し
ていた。

【００６６】電磁変換特性の測定終了後、有機溶剤を用
いて、潤滑膜層１０を取り除き固定磁気ディスク（Ａタ
イプ）のＸ線回折による結晶構造の解析を行った。

【００６７】その結果、下地層としてＭｎ−Ｚｎフェラ
イト膜を用いることにより、磁性層であるＣｏフェライ
ト膜の結晶性や（１００）配向性は、直接ディスク上に
成膜した場合に比較して向上していた。

【００６８】また、固定磁気ディスク（Ｃタイプ）につ
いてもＸ線回折による解析を行った。その結果、結晶性
や（１００）配向性は固定磁気ディスク（Ｅタイプ）と
比べ劣っていた。

【００６９】固定磁気ディスク（Ｅタイプ）を破壊して
高分解能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面
および破断面を観察した。その結果、本ディスクの二層
膜は柱状構造を有し、膜厚約３６０ｎｍでコラム径は４
５〜８０ｎｍであることがわかった。

【００７０】本発明の固定磁気ディスク（Ｅタイプ）が
Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスク（Ｂタイプ
）より再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成
分を有しているとと、下地層として軟磁性材料を用いて
いることから、Ｃｏフェライト磁性層と馬蹄形の磁路を
形成することにより、反磁界の影響が低減されているか
らである。

【００７１】また、固定磁気ディスク（Ｃタイプ）より
再生出力が高い値を示す原因は、反応ガスにオゾンを用
いたことにより、酸素を用いた場合と比べ、より結晶性
や（１００）配向性が良好となることが最も大きな原因
であると考えられる。

【００７２】また同様の成膜方法を用いて、下地膜にＮ
ｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎフェライト、Ｎｉフェライト
、Ｚｎフェライトを成膜し、Ｃｏフェライト／Ｎｉ−Ｚ
ｎフェライト、Ｃｏフェライト／Ｍｎフェライト、Ｃｏ
フェライト／Ｎｉフェライト、Ｃｏフェライト／Ｚｎフ
ェライトの２層膜ディスクを作製し、電磁変換特性の評
価を行った結果、Ｃｏフェライト／Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トの２層よりなる固定磁気ディスクの場合と同様に、従
来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクや反応
ガスに酸素のみを用いて作製した場合と比べ、再生出力
が高くなった。

【００７３】

【発明の効果】以上のように本発明は、ディスク基板上
に、下地層としてＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフ
ェライトなどのスピネル型の結晶構造をした酸化鉄軟磁
性薄膜を形成し、さらに磁性層として柱状構造を有する
Ｃｏを含むスピネル型酸化鉄磁性薄膜を形成した、高信
頼性でかつ高記録密度化が可能となる構造の固定磁気デ
ィスクの製造方法に、反応ガスにオゾンやＮ２Ｏや水蒸
気を用いたプラズマＣＶＤ法を用いているため、簡単な
原料供給の制御を行うだけで、二層膜を簡単に、比較的
低温で、かつ連続的に製造できるのである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法により作製した固定磁気ディ
スクの要部拡大図である。

【図２】本発明のの製造方法を実施するために使用する
プラズマＣＶＤ装置の概略図である。

【図３】本発明の固定磁気ディスクの記録波長と再生出
力の関係を比較し示した特性図である。

【図４】本発明の固定磁気ディスクの記録波長と再生出
力の関係を比較し示した特性図である。

【図５】本発明の固定磁気ディスクの記録波長と再生出
力の関係を比較し示した特性図である。

【図６】従来例および実施例の固定磁気ディスクの要部
拡大図である。

【符号の説明】

１　　アルミニウム基板 ２　　Ｎｉ−Ｐめっき層 ３　　Ｃｒ層 ４　　Ｃｏ−Ｎｉ磁性層 ５　　保護層 ６　　潤滑層 ７　　ディスク基板 ８　　ＮｉＯ膜 ９　　Ｃｏフェライト膜 １０　　潤滑層 １１　　反応チャンバ− １２　　電極 １３　　排気系 １４　　ガラスディスク基板 １５　　高周波電源 １６　　気化器 １７　　気化器 １８　　気化器 １９　　気化器 ２０　　キャリアガス供給バルブ ２１　　キャリアガス供給バルブ ２２　　キャリアガス供給バルブ ２３　　キャリアガス供給バルブ ２４　　原料ガス供給バルブ ２５　　原料ガス供給バルブ ２６　　原料ガス供給バルブ ２７　　原料ガス供給バルブ ２８　　窒素ボンベ ２９　　酸素ボンベ ３０　　オゾナイザー ３１　　Ｎ２Ｏボンベ ３２　　気化器 ３３　　基板加熱ヒ−タ−

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　亜鉛を含む有機金属化合物、マンガン
   を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物
   のうち少なくとも一種以上の有機金属化合物の蒸気と、
   鉄を含む有機金属化合物の蒸気と、オゾンの混合ガスを
   、プラズマを用いて分解し反応させることにより、ディ
   スク基板上にスピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜を
   化学蒸着し、さらに鉄を含む有機金属化合物の蒸気とコ
   バルトを含む有機金属化合物の蒸気とオゾンの混合ガス
   を、プラズマを用いて分解し反応させることにより、前
   記スピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜上にコバルト
   を含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着
   することを特徴とする固定磁気ディスクの製造方法。
2. 【請求項２】　　亜鉛を含む有機金属化合物、マンガン
   を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物
   のうち少なくとも一種以上の有機金属化合物の蒸気と、
   鉄を含む有機金属化合物の蒸気と、Ｎ２Ｏの混合ガスを
   、プラズマを用いて分解し反応させることにより、ディ
   スク基板上にスピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜を
   化学蒸着し、さらに鉄を含む有機金属化合物の蒸気とコ
   バルトを含む有機金属化合物の蒸気とＮ２Ｏの混合ガス
   を、プラズマを用いて分解し反応させることにより、前
   記スピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜上にコバルト
   を含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着
   することを特徴とする固定磁気ディスクの製造方法。
3. 【請求項３】　　亜鉛を含む有機金属化合物、マンガン
   を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物
   のうち少なくとも一種以上の有機金属化合物の蒸気と、
   鉄を含む有機金属化合物の蒸気と、水蒸気と酸素の混合
   ガスを、プラズマを用いて分解し反応させることにより
   、ディスク基板上にスピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性
   薄膜を化学蒸着し、さらに鉄を含む有機金属化合物の蒸
   気とコバルトを含む有機金属化合物の蒸気と水蒸気と酸
   素の混合ガスを、プラズマを用いて分解し反応させるこ
   とにより、前記スピネル型結晶構造の酸化鉄軟磁性薄膜
   上にコバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄
   膜を化学蒸着することを特徴とする固定磁気ディスクの
   製造方法。
4. 【請求項４】　　亜鉛を含む有機金属化合物およびマン
   ガンを含む有機金属化合物およびニッケルを含む有機金
   属化合物および鉄を含む有機金属化合物およびコバルト
   を含む有機金属化合物が、β−ジケトン系金属錯体であ
   ることを特徴とする請求項１、２または３のいずれかに
   記載の固定磁気ディスクの製造方法。