JPH04305130A - 放射による被加熱物体温度の非接触測定方法およびシステム - Google Patents

放射による被加熱物体温度の非接触測定方法およびシステム

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JPH04305130A
JPH04305130A JP3104874A JP10487491A JPH04305130A JP H04305130 A JPH04305130 A JP H04305130A JP 3104874 A JP3104874 A JP 3104874A JP 10487491 A JP10487491 A JP 10487491A JP H04305130 A JPH04305130 A JP H04305130A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には温度とか放射
の測定に関連し，さらに詳しく言えば赤外光または他の
可視光に近い波長領域の電磁波によって加熱される物体
の高い熱処理の高温度測定技術に関連する。
【０００２】
【従来の技術】光学的に加熱する技術の応用について多
くの実例がある。第１の例はそれらを試験する目的で材
料を加熱することである。さらに他のものはその物体を
熱処理するために加熱するものである。さらに他の実例
は半導体処理産業によって見い出される。この最後の例
において、処理されるべきシリコンウェーハは光学的に
透明な材料か，あるいは少なくとも部分的に光学的に透
明な材料に囲まれた容器に配置される。容器外からラン
プがその透明な壁を介して前記ウェーハ上に大量にエネ
ルギーを照射する。前記ウェーハは前記光学的放射を吸
収した結果として加熱される。一般的にいって，前記容
器は水晶の容器，または光学的な窓を持つステンレス鋼
によって形成されている。加熱されたウェーハは前記室
内に適当なガスを導入し，前記ウェーハの加熱された表
面と作用することによって処理される。
【０００３】これらの工程において，ウェーハの温度は
良い処理結果を得るために狭い領域の範囲内に保持され
る必要がある。したがって、ウェーハの温度をモニタす
るための技術が必要になる。１つの可能性として、ウェ
ーハに通常の熱電対を接触させて測定するということが
考えられる、しかしこれは半導体ウェーハが加熱されて
いる物体であるときに精度の良い測定を得たいというこ
とおよび汚染への配慮から排除される。その他の物体の
ためにそのような接触測定技術は種々の現実的な配慮の
もとから排除される。この技術は熱容量により，または
熱接触が適当でないことや，熱電対と加熱された物体間
の放射度の違いなどによって物質的な誤差を招くという
点から排除されている。
【０００４】その結果として多くの光学熱応用において
は，長い波長の高熱温度計が使用されている。この技術
は半導体ウェーハまたはその他光学的に加熱された物体
の放射能強度を狭い波長領域において測定するものであ
る。この放射強度はそれからその物体の温度に相関させ
られる。加熱されている物体から反射させられる加熱用
の光学放射を受けることによるパイロ放射高温度計の誤
差を除去するためにパイロ放射高温度計によってモニタ
される波長は加熱ランプの放射のスペクトルの外に選ば
れている。この検出される波長領域は一般的には、ラン
プのスペクトルよりもかなり長い領域となっている。
【０００５】そのような現存する，パイロ放射高温度計
についてはいくつかの問題がある。まず第１により短い
波長領域において測定するようなものの感度に比べれば
，長い波長領域の測定は僅かな部分にすぎないという問
題がある。第２にシリコンとかその他の材料で光学的に
加熱されている放射度は，それが測定されるべき波長に
依存している。第３に最も高いＳＮ比をもつ光電検出器
はより短い波長領域の放射に応答するものである。第４
に現存する光学的なパイロ放射高温度計による測定は物
体の表面の粗さとか測定されているものの表面に成長さ
せられたフィルムに依存させられることである。第５に
、現存するパイロ放射高温度計の測定技術では応答が遅
く、高速加熱システムにおいてはこれが欠点となる。
【０００６】
【発明の目的】本発明の主たる目的は改良されたパイロ
放射高温度技術，または放射測定技術に関連するもので
あり、前述した問題点を解決するものである。
【０００７】
【発明の要約】この目的およびその他の目的は対象物の
温度，または放射を短い波長領域における放射を観測す
ることにより、例えそれがその物体を加熱するための強
い放射源からのものの波長と一致する場合であっても，
それを使用することにより可能にするものである。本発
明の１つの特徴によれば、これはランプと物体間にある
狭い領域の波長を反射させる反射鏡を配置することによ
って、この領域の波長を容器内から排除することによっ
て可能とするものである。１本の光パイプがその反射さ
れた帯域中の中からの物体からの放射のみを集める。本
発明の第２の特徴によれば交流電流で駆動される加熱ラ
ンプの光学放射が物体からの光と同時にモニタされ，こ
れによって物体によって反射された光に測定された値を
比例させることによって物体から反射させられた光を全
体の信号から引算することによって除く。いずれのケー
スにおいても，加熱光源の自然の影響が加熱ランプの波
長の領域における物体の放射をモニタするための温度を
打ち負かすことを克服することができる。本発明のこれ
らの２つの特徴は別々にも、または一緒にも実現できる
ものである。付加的な目的や本発明の利点は後述する本
発明の好適な実施例で添付図面に関連するものによって
明らかにされるであろう。
【０００８】
【実施例】ここに記述される本発明の具体例は，光学的
に物体を加熱するものの殆どの温度測定に利用されるも
のではあるが、重要な応用の１つである集積回路処理プ
ロセスにおける半導体ウェーハの加熱を例にして説明す
る。図１を参照すると，半導体ウェーハ１１が水晶の炉
，または処理室（容器）１３の中に配置されているとこ
ろが図示されている。ウェーハ１１が配置されている処
理室１５への処理ガスの導入源やその他の装置は表現を
簡潔するために省略されている。
【０００９】ウェーハ１１はランプが配置されている側
面（バンク）１７と１９から加熱さＤる。一例として例
えば，ウェーハ１１の両面から加熱されるのである。各
々の光のバンクは，例えば光のバンク１７のように，反
射鏡２１と複数の水晶ランプ２３を含んでいる。ウェー
ハ１１の温度を測定するために曲げられた光のパイプ２
５によって温度に従属する放射の部分を得るために光の
パイプは前記水晶の容器１３の中またはその近傍で充分
に耐久できるようになっている。囲いから適当な距離の
ところで光のパイプ２５はカプラ２７に結合されて光フ
ァイバ２９に導かれる。光ファイバ２９は放射された信
号を測定器３１に導き，そこでそれが検出されて電子的
に処理され，温度と相関される。ある場合においてまた
は１つの最も強力なランプが使用されるような場合にお
いて光のバンク１９が利用されないようなときには，こ
の方法は外見が変わるだけで同様に用いられる。他の場
合においては一般的に，物体１１の放射を測定するため
にランプ２３の放射の帯域の外側の波長を強力な光学ラ
ンプの雑音の影響を避けるために用いられる。しかしな
がら，この発明の技術によればランプ２３の頂点の波長
の近くの波長の使用も許容するものであって，それは高
い感度とより良い放射をパイロ放射高温度計にもたらす
ものである。
【００１０】図１の実施例においては，この重なり合わ
せの操作を各々の光のバンク１７，１９の表面にそれぞ
れ高い同調性を持つ鏡２３と２５を配置することによっ
て許容している。これらの鏡は非常に狭い，しかも鋭い
反射の帯域幅の光検出器の波長の近くに備えているもの
である。ランプの放射波長における特定の切込みの例は
図３の曲線３７によって示されている。ランプの放射の
波長はカーブ３９によって示されている。この特定の実
施例においてシリコンの検出器は検出装置３１の中に設
けられていて，物体１１からの放射をほぼ０．９５ミク
ロンの狭い幅でモニタしている。かくして反射鏡３３，
３５は各々ある領域の光をランプに反射させてこの例に
おいては，０．９５ミクロンの中心波長に対して±１０
ナノメータの範囲内である。その範囲内の光はランプか
ら室内１５に入ることが許されない。光をこの狭い帯域
において反射することにより、光をこの狭い帯域におい
て，それを吸収するというよりはむしろ反射することに
よってフィルタ３３と３５の加熱を避けている。これら
のミラーの構造としては大出力レーザに用いられる多層
ミラーが好ましい。
【００１１】図２を参照すると，放射により加熱された
シリコンウェーハ１１のそれと共通する純粋シリコンの
放射特性曲線を示すことによって本発明の利点が明らか
にされる。図２の曲線は１ミクロンよりも長い波長領域
における温度の関数として表される放射の変化を示すも
のである。この領域における計測は物体の温度の関数と
して放射特性が変わるということにおいて非常な困難を
伴うものである。そうであったとしても，使用されてい
るパイロ放射高温度技術において光学的に加熱された物
体を４，５ミクロンまたはそれ以上で測定することによ
り、ランプのスペクトルとの衝突を避けるものである。 しかしながら，この放射源からの誤差は本発明の技術に
おいて，例えば１ミクロンよりも低い波長領域において
物体からのエミッションの測定を可能にするものである
。
【００１２】図１の好ましい１施形態において，光パイ
プ２５はサファイヤで製造されている。なぜならば，そ
の屈折率の故にサファイヤの光パイプ２５は大きな開口
数（受入れの角度）をもっており、物体１１からの加熱
された表面からの放射を受け入れる。この優れた光学的
特性に加えてサファイヤは容器１５内における高温に充
分に耐えるものである。キュービックジルコニアも同様
にこのような好ましい特性を備えている。計測装置３１
は好ましくは現在販売されているオレゴン州のビーバー
トンのラクストロンコーポレイションのアクファイバデ
ィビジョンのモデル１００が望ましい。
【００１３】図４の構造的な要素は図１の対応に対応す
るものについては，同じ参照番号を付してあるが、（　
’）が付されている。電気的な電源装置４１は光のバン
ク１７’と１９’のそれぞれのランプを加熱駆動するた
めのものである。これらのランプは交流によって交流電
流，すなわち配電周波数６０ヘルツ米国または５０ヘル
ツヨーロッパによって駆動される。
【００１４】図４の実施例においては光のバンクと加熱
されている物体１１の間に光学的なフィルタとかミラー
を用いない。したがって，光パイプ２５’は反射された
ランプからの光と物体から放出された光の両者を含んだ
信号を受け入れる。この実施例においてランプの出力は
物体１１からの放射の影響を受けることなく測定される
。そして得られた信号は光パイプ２５から引算されるこ
とによって，放射源からの反射によって生ずる信号の影
響を除去する。図２の光パイプ４３が容器１５’内に設
けられ居ているがその表面は光バンク１９’のランプの
方向に向けられている。光のパイプ４３の中の光学信号
はカプラ４５を介して標準の光学ファイバ４７に結合さ
れている。光ファイバ２９’と４７からの光の信号は測
定装置３１’の中の同じ形式の検出器によって検出され
る。これらの検出器の電気的な信号は光のパイプ２５に
よって集められた信号の中における加熱電球の影響を減
産するように処理される。この変形として１つの光のパ
イプと検出器が用意されていてそれらが物体に対面する
位置とランプに対面する位置間を回転するようにするこ
ともできる。
【００１５】この処理は図５に示されている曲線によっ
て説明される。曲線５１は光パイプ４３を介してのみ得
られるランプの光学信号を受入れた検出器の出力レベル
を示している。同様にしてカーブ５３は光パイプ２５’
によって受け入れられた物体からの放射と加熱用光源か
らの光の結合されたものを受け入れたものである。信号
５１の交流成分（リップル）はデルタＩＬ　で示され，
信号５３の中の交流成分はΔＩＷ　で示されている。図
５の直線はまた信号５５の安定状態が物体１１’（ＥＷ
　）の放射に比例していることを示している。そしてこ
れは，装置３１’内において信号５１と５３を処理する
ことによって得られたものである。
【００１６】なぜならば光パイプ２５’と４３’は大変
大きな開口形をもつように選ばれており，次の関係式が
正しく成立する。 　　ウェーハの反射率＝ΔＩＷ　／ΔＩＬ　　　　　　
　　　　　　　　　…（１）なぜならば我々はある状況
下において物体の放射能力は１からその反射率を引いた
ものであることを知っているので 　　放射率＝１−（ΔＩＷ　／ΔＩＬ　）　　　　　　
　　　　　　　　　　…（２）式（２）は物体の放射力
の測定を提供するものである。 もしその温度が計られるべきであるとき、反射要素ＩＷ
　はそれから引き去られ，物体の放出信号のみが下記の
式において与えられる。 　　ＥＷ　＝ＩＷ　−ＩＬ　（ΔＩＷ　／ΔＩＬ　）　
　　　　　　　　　　　…（３）かくしてＥＷ　の量は
単に物体の放射と物体１１’の温度に変換し得るもので
ある。ＥＷ　は信号５１と５３の直流のレベルと交流の
レベルを処理することによって得られる。
【００１７】図４と図５に説明されたシステムはそれ自
身でも良好に動作するものであって，ランプバンク１７
’と１９’の前に図１で説明したような反射鏡３３と３
５を配置することもできる。そのような形態は両方のそ
れぞれの具体例の特徴を結合させたものとなる。
【００１８】図６を参照すると，図４に示された実施例
の変形例を示している。ここにおいて光パイプ２５”と
４３’は容器１３”の外側に配置されている。
【００１９】放射の種々の変形例がそれぞれの好ましい
実施例に関連して説明されたのであるが，本発明の保護
は添付の請求の範囲の全範囲において与えられるべきも
のであると理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の特徴による実施例を示す略図で
ある。
【図２】それぞれ図１の具体例の動作を説明するための
曲線群である。
【図３】それぞれ図１の具体例の動作を説明するための
曲線群である。
【図４】本発明の第２の特徴に基づく本発明の具体例を
示す略図である。
【図５】図４の具体例の１作を説明するための波形図で
ある。
【図６】図４の具体例の変形例を示す図である。
【符号の説明】
１１　　半導体ウェーハ １３，１３”，１５，１５’　　処理室（容器）１７，
１７’，１９，１９’　　光のバンク２１，３３，３５
　　反射鏡 ２３，２５　　鏡 ２５’，２５”，４３’　　光のパイプ２７　　カプラ ２９，２９’，４７　　光ファイバ ３１，３１’　　計測装置 ３７，３９，５１，５３　　５５　　曲線４１　　電源
装置 ４３　　光パイプ ４５　　カプラ

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　光学的領域内の電磁放射波長によって
    加熱されている物体の温度を測定する無接触測定方法に
    おいて、物体を加熱するための放射を物体に到達する前
    に１枚の鏡を介して通過させ、前記鏡は前記光学的な加
    熱放射波長領域の中の極めて狭い範囲のものを反射して
    残りの全ての殆どの部分を通過させる特徴を持っており
    、前記反射鏡と物体の間で前記狭い範囲内の物体から放
    出された光学放射のレベルを検出し、前記検出された放
    射レベルにより物体の温度を決定する放射による被加熱
    物体温度の非接触測定方法。
  2. 【請求項２】　　物体の表面に向けられている電磁放射
    源であって，電磁放射スペクトルの光学領域内の波長を
    持つ光源によって加熱されている物体の放射を計測する
    ための無接触測定方法であって、前記放射源の波長領域
    内の前記表面からの反射または光学的放射のレベルを検
    出することにより，前記物体から反射された加熱源のレ
    ベルの総量と物体から放射されたレベルの加算量に比例
    する第１の信号を得，前記物体表面に向けられる前記規
    定されるバンド幅内の光学放射のレベルを検出すること
    により，前記物体の表面に向けられた放射源のレベルに
    比例する第２の信号を得、前記第１と第２の信号を前記
    物体の放射を決定するように結合する放射による被加熱
    物体温度の非接触測定方法。
  3. 【請求項３】　　物体の表面に向けられる電磁放射源で
    あって，前記電力放射スペクトルの中の光学領域の波長
    電流を含むものによって加熱されている物体の温度を無
    接触で検出する方法であって、前記物体の表面からの前
    記加熱源の放射波長領域内に含まれる定義された放射領
    域の光学放射の反射と放射のレベルを検出することによ
    って物体から反射された源のレベルと物体から放射され
    たレベルとの和に比例する第１の信号を得て、前記物体
    の表面に向けられる前記規定された領域内の光学放射の
    レベルを検出することによって前記物体の表面に向けら
    れた放射源のレベルに比例する第２の信号を得て、前記
    第１と第２の信号を前記加熱された物体の温度を決定す
    るように結合される工程とを含む放射による被加熱物体
    温度の非接触測定方法。
  4. 【請求項４】　　請求項２または３記載の方法において
    、前記放射源からの放射は前記物体表面に到達する前に
    １つの鏡を通過させられ，前記鏡は前記放射源の波長領
    域内のある狭い範囲の領域を反射させ，残りのほとんど
    の波長を通過させるものであり，それと放射されまたは
    反射された放射を検出する工程は前記限られたバンド内
    で行なわれる放射による被加熱物体温度の非接触測定方
    法。
  5. 【請求項５】　　請求項１から３記載の方法において，
    前記物体は炉内において処理されている半導体ウェーハ
    である放射による被加熱物体温度の非接触測定方法。
  6. 【請求項６】　　請求項１記載の方法において，前記狭
    いバンド幅は前記物体の放射が問題としている温度領域
    において実質的に均一である波長領域を含んで選択され
    ている放射による被加熱物体温度の非接触測定方法。
  7. 【請求項７】　　請求項１記載の方法において、前記狭
    いバンド幅は１ミクロンよりもわずかに短い波長領域に
    中心を持っている放射による被加熱物体温度の非接触測
    定方法。
  8. 【請求項８】　　請求項１記載の方法において，前記物
    体によって放射された光学放射のレベルに検出されるス
    テップは前記放出された放射をシリコンの放電検出器内
    において検出し，そこにおいて前記狭い帯域は実質的に
    ０．９５ミクロン波長に中心を持っている放射による被
    加熱物体温度の非接触測定方法。
  9. 【請求項９】　　請求項１から３記載のいずれかの方法
    において，少なくとも前記光学放射のレベルを検出する
    ステップは光学的光パイプを前記光学放射を受け入れる
    位置と，前記光学信号を前記光パイプの反対の端子で受
    け入れるホトディテクタ間に配置されている放射による
    被加熱物体温度の非接触測定方法。
  10. 【請求項１０】　　請求項１から３記載の方法において
    ，前記光学放射のレベルを検出するステップは少なくと
    も光学的光パイプかサファイヤまたはキュービックジル
    コニアによるものであり，一方の端は前記光学放射を受
    け入れる位置で他方の端は光電検出器が光学信号を受け
    入れるものである放射による被加熱物体温度の非接触測
    定方法。
  11. 【請求項１１】　　請求項１記載の方法において，前記
    物体は少なくとも光学的に透明な壁部分を持つ容器内に
    閉じこめられており，それを介して前記容器の外に配置
    された源から加熱され，前記ミラーは前記囲いとの間に
    配置されるものであって，前記光学放射のレベルを検出
    するステップは前記囲いの中に光パイプの一端を前記光
    学放射を受け入れるように配置し，前記光パイプを外側
    に引き出して前記光学信号を他端から前記囲いの外の光
    電検出器に位置させる放射による被加熱物体温度の非接
    触測定方法。
  12. 【請求項１２】　　請求項２または３記載の方法におい
    て，前記物体は少なくとも光学的に透明な壁を持つ容器
    内に配置され，前記物体を加熱する放射は前記囲いの外
    側に置かれており，前記光学放射のレベルを検出するス
    テップは前記囲いの中に光パイプの一端を前記光学的放
    射を受け入れる向きに配置し，前記光パイプの伸びだし
    た他端に光電検出器が前記光信号を他端から取り出すよ
    うに配置されている放射による被加熱物体温度の非接触
    測定方法。
  13. 【請求項１３】　　請求項２または３記載の方法におい
    て，前記物体は少なくとも光学的に透明な壁を持つ容器
    内に閉じこめられており，前記物体は前記囲いの外に配
    置された放射源により加熱され，ここにおいて前記光学
    放射のレベルを検出するステップは前記容器の外側に光
    パイプの一端を配置し，前記光学放射を受け入れ，そし
    て他端は光電検出器に連絡するものである放射による被
    加熱物体温度の非接触測定方法。
  14. 【請求項１４】　　請求項２記載の方法において，前記
    放射源は複数個のランプを持ち交流電流源によって駆動
    されることによって前記第１と第２の信号は前記周波数
    に対応する可変成分を持ち，さらに前記信号は前記可変
    要素の振幅の比を求めていた位置から引くようにしたも
    のである放射による被加熱物体温度の非接触測定方法。
  15. 【請求項１５】　　請求項３記載の方法において，前記
    放射源は複数のランプを交流電流源により与えられた周
    波数によって駆動されるものであって，前記第１と第２
    の信号はお互いに前記周波数に対応する可変要素を持っ
    ており，さらに前記信号を結合する工程は次のステップ
    を含む。前記第１および第２の信号の可変要素の振幅の
    比を求める前記第２の信号の値によって前記比を掛ける
    ことによって反射された第１の信号の量を検出し，前記
    第１の信号から前記量を引くことによって，温度に依存
    する光学放射の物体からのレベルを前記バンドの領域に
    おいて規定する放射による被加熱物体温度の非接触測定
    方法。
  16. 【請求項１６】　　容器の外に配置される放射源から前
    記容器の実質的に透明な部分を介して放射される光学的
    放射によって加熱されている物品の温度を測定するのに
    適したシステムであって、前記加熱放射源と放射源の経
    路に配置されたミラーであって，前記加熱源から特定の
    バンド幅領域の部分を反射して除き，他の部分を前記物
    品に向ける前記ミラーと前記物品の間に位置させられて
    前記物品からの放射された光学放射の部分を検出するス
    テーションと、前記検出ステーションは光電検出器が配
    置されており，前記波長内の前記物品から放射された光
    学放射のレベルに比例する信号を得る放射による被加熱
    物体温度の非接触測定システム。
  17. 【請求項１７】　　請求項１６記載のシステムにおいて
    ，前記放射を搬送する手段は一端は前記容器内にあり，
    前記検出ステーションは前記検出器の外側に存在する放
    射による被加熱物体温度の非接触測定システム。
  18. 【請求項１８】　　請求項１６記載のシステムにおいて
    ，前記物品は半導体ウェーハを含む放射による被加熱物
    体温度の非接触測定システム。
  19. 【請求項１９】　　請求項１６記載のシステムにおいて
    ，前記ミラーは前記バンド幅領域の中心はほぼ０．９５
    ミクロンであって，中心からほぼ±１０ナノメータの幅
    である放射による被加熱物体温度の非接触測定システム
    。
  20. 【請求項２０】容器の外に配置されており，容器の実質
    的な透明な壁部分を介して前記物品の表面に放射される
    線源により加熱されているところの物品の温度または放
    射を検出するためのシステムであって、それぞれはそれ
    らに入射させられた光学放射の量に比例する電気信号を
    発生する第１と第２の放電検出器と前記物品に対して前
    記物体の表面から反射された部分と前記物体の表面から
    放射された部分とを前記第１の検出器に接続する手段と
    、前記第２の光電検出器に前記放射光学源の光学放射を
    位置させる手段と、前記第１，第２の光電検出からの信
    号を結合して前記表面の温度または放射を検出する手段
    とを含む放射による被加熱物体温度の非接触測定システ
    ム。
  21. 【請求項２１】　　請求項２０記載のシステムにおいて
    ，前記搬送手段は前記容器の中に伸びており，前記第１
    ，第２の光電検出器は前記容器の外にある放射による被
    加熱物体温度の非接触測定システム。
  22. 【請求項２２】　　請求項２０記載のシステムにおいて
    ，前記搬送手段は物体に関連して前記容器の外の前記物
    体の表面からの反射または放出された光を受け入れる位
    置にあり，前記搬送手段は前記容器の外に配置されてい
    る放射による被加熱物体温度の非接触測定システム。
  23. 【請求項２３】　　物体の表面の温度を測定するための
    無接触方法であって、前記物体の表面を大きさがＩＬ　
    であり，リップル要素がΔＩＬ　を持つ光学放射により
    照明することにより，前記表面から反射された光学放射
    と前記表面から放射された光学的温度に依存するものを
    結合し，前記結合された光学的放射は大きさＩＷ　でリ
    ップル要素がΔＩＷ　であり、前記物体表面に向けられ
    る光学放射の大きさとリップル要素を検出し、前記物体
    の表面からきた大きさとリップル要素の結合を検出し、
    前記大きさとリップル要素が実質的に下記のリレーショ
    ンを持っているものであり、 ＩＷ　−ＩＬ　（ΔＩＷ　／ΔＩＬ　）、ここにおいて
    物体の表面の温度を測定する放射による被加熱物体温度
    の非接触測定方法。
  24. 【請求項２４】　　物体の表面の放射を検出する非接触
    方法において，前記物体表面を大きさΔＩＬ　のリップ
    ル要素を持つ光によって照明することによって，光学的
    な前記物体の表面で反射された光学的な放射と前記表面
    からの反射を結合させ，前記結合された光学的放射が大
    きさΔＩＷ　のリップル要素を持っており、前記物体の
    表面に向けられた前記光学放射を検出し，前記結合され
    た光学的放射と，物体の表面からのものを検出し，前記
    リップル要素が実質的に下記の式に従うものであり，１
    −（ΔＩＷ　／ΔＩＬ　） これによって物体表面の放射度を検出する放射による被
    加熱物体温度の非接触測定方法。
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