JPH0430101A - 反射防止成形品の製造方法 - Google Patents
反射防止成形品の製造方法Info
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- JPH0430101A JPH0430101A JP2135491A JP13549190A JPH0430101A JP H0430101 A JPH0430101 A JP H0430101A JP 2135491 A JP2135491 A JP 2135491A JP 13549190 A JP13549190 A JP 13549190A JP H0430101 A JPH0430101 A JP H0430101A
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、反射防止成形品の製造方法に関し更に詳しく
は耐擦傷性に優れ、反射防止機能を有する成形品の製造
方法に関する。ここで、反射防止機能とは、光源等の像
が板等の成形品に鮮明に映り込むことを防ぐ機能を意味
する。
は耐擦傷性に優れ、反射防止機能を有する成形品の製造
方法に関する。ここで、反射防止機能とは、光源等の像
が板等の成形品に鮮明に映り込むことを防ぐ機能を意味
する。
従来、反射防止機能を有する成形品の表面には微細な凹
凸部が形成されており、CRT等のモニター画面前面、
工業計器類の測定値画面、液晶デイスプレィ画面の前面
等において非常に多く使われてきている。これらの場合
においては、透間性が要求される。
凸部が形成されており、CRT等のモニター画面前面、
工業計器類の測定値画面、液晶デイスプレィ画面の前面
等において非常に多く使われてきている。これらの場合
においては、透間性が要求される。
一方、不透明な反射防止機能を有する成形品は、高級感
を与えることができる、ため今日では、家具、事務用品
、自動車の内装物などに幅広く使用されている。
を与えることができる、ため今日では、家具、事務用品
、自動車の内装物などに幅広く使用されている。
更にまた、今日の多くの成形品は使用時にゴミやほこり
が付着し、これらのゴミ等が付着したま\洗浄すること
も多い。従って、このような洗浄時においても成形品に
傷が付かないことが要求される。
が付着し、これらのゴミ等が付着したま\洗浄すること
も多い。従って、このような洗浄時においても成形品に
傷が付かないことが要求される。
ところで、フォトレジスト材料のうちポジ型しシスト材
料の代表例であるジアゾ化ノボラック樹脂は、電子回路
用の集積回路を製造する際、あるいはまた回折格子の凹
凸形状を精度良く作製する際に用いられてふり、Ar
レーザ光(波長488nm)の露光によって3000本
/8の解像度が得られる材料である。
料の代表例であるジアゾ化ノボラック樹脂は、電子回路
用の集積回路を製造する際、あるいはまた回折格子の凹
凸形状を精度良く作製する際に用いられてふり、Ar
レーザ光(波長488nm)の露光によって3000本
/8の解像度が得られる材料である。
一般にレジスト膜上の凹凸形状は、溶剤によって希釈し
たレジスト溶液をガラス板上に数−の厚さで塗布してレ
ジスト薄膜をつくり、光を部分的に遮光するフォトマス
クを通して紫外線、遠紫外線をレジスト薄膜に露光し、
エツチング液に浸し、露光した部分のレジスト薄膜をエ
ツチング液に溶かすことにより作製している。
たレジスト溶液をガラス板上に数−の厚さで塗布してレ
ジスト薄膜をつくり、光を部分的に遮光するフォトマス
クを通して紫外線、遠紫外線をレジスト薄膜に露光し、
エツチング液に浸し、露光した部分のレジスト薄膜をエ
ツチング液に溶かすことにより作製している。
このようなホトリソグラフィー技術を応用し、単色性の
良いレーザ光線を光学的な表面粗さを持つ拡散物体を通
して上記レジスト薄膜に露光し、現像するとスペックル
パターンあるいは単にスペックルと呼ばれる明暗の斑点
模様が、レジスト薄膜の凹凸形状として配録され、この
凹凸形状が反射防止機能を有することが知られている。
良いレーザ光線を光学的な表面粗さを持つ拡散物体を通
して上記レジスト薄膜に露光し、現像するとスペックル
パターンあるいは単にスペックルと呼ばれる明暗の斑点
模様が、レジスト薄膜の凹凸形状として配録され、この
凹凸形状が反射防止機能を有することが知られている。
−拡散物体としては、凹凸を有するフィルムあるいはガ
ラスがよく用いられている。
ラスがよく用いられている。
この現象は、単色性の良いレーザ光線が拡散物体で不規
則に散乱され、各点からの散乱波が観測面の各点で重ね
合わさって生ずる不規則な干渉模様をレジスト薄膜に記
録することによるものである。
則に散乱され、各点からの散乱波が観測面の各点で重ね
合わさって生ずる不規則な干渉模様をレジスト薄膜に記
録することによるものである。
すなわち観測面の1点に注目するとこの点の振幅は、照
射領域内の各点からの不規則な位相を持った多数の散乱
波の重ね合わせによって形成され位相関係によって強め
合ったり弱め合ったりする。
射領域内の各点からの不規則な位相を持った多数の散乱
波の重ね合わせによって形成され位相関係によって強め
合ったり弱め合ったりする。
多数の散乱波の位相関係は、観測点の位置によって異な
り全体として不規則な明暗の斑点模様強度のスペックル
パターンが形成されるのである。このようなスペックル
パターンの形成に関しては、J、D、Rigden a
nd E、1.Gordon;Proc、 IRE、
502367(1962)、 BoM、01iver;
Proc、IEEE、 51220 (1963)。
り全体として不規則な明暗の斑点模様強度のスペックル
パターンが形成されるのである。このようなスペックル
パターンの形成に関しては、J、D、Rigden a
nd E、1.Gordon;Proc、 IRE、
502367(1962)、 BoM、01iver;
Proc、IEEE、 51220 (1963)。
M、Van、Laue;Sizungsbar、 Ak
ad、11iss(Berlin)。
ad、11iss(Berlin)。
441144 (1914)によって報告されている。
ところで、従来ガラス板上に作製したレジスト薄膜に前
記のスペックルパターンを記録する工程は、■ガラス板
上へのレジストの塗布、■塗布されたレジストのプリベ
ーク、■フォトマストを通してのレジスト薄膜の露光、
■レジストの現像および■レジストのポストベークの順
に行われている。
記のスペックルパターンを記録する工程は、■ガラス板
上へのレジストの塗布、■塗布されたレジストのプリベ
ーク、■フォトマストを通してのレジスト薄膜の露光、
■レジストの現像および■レジストのポストベークの順
に行われている。
このような工程において、■のプリベータは約60〜8
0℃の温度で行われ、■のポストベークは約100℃〜
130℃の温度で通常行われている。
0℃の温度で行われ、■のポストベークは約100℃〜
130℃の温度で通常行われている。
一方、レジスト塗膜中の溶剤は、ポストベークにおいて
ほぼ完全に蒸発し、ジアゾ化ノボラック樹脂も熱によっ
て架橋するため塗膜は、比較的傷が付きにくいのである
が、露光、現像工程までにおいては、塗膜は溶剤で膨潤
しており傷が付きやすく微細な凹凸を作製する際には、
この傷は欠陥になりやすい。
ほぼ完全に蒸発し、ジアゾ化ノボラック樹脂も熱によっ
て架橋するため塗膜は、比較的傷が付きにくいのである
が、露光、現像工程までにおいては、塗膜は溶剤で膨潤
しており傷が付きやすく微細な凹凸を作製する際には、
この傷は欠陥になりやすい。
一方、レーザ光源を用いず、第3図および第4図にそれ
ぞれ示す発光スペクトルを発する高圧水銀灯、低圧水銀
灯の単色性の良い紫外線を凹凸形状を有するフィルムを
通してレジスト膜に照射し、次いで現像しても膜上にス
ペックルパターンが記録できる。
ぞれ示す発光スペクトルを発する高圧水銀灯、低圧水銀
灯の単色性の良い紫外線を凹凸形状を有するフィルムを
通してレジスト膜に照射し、次いで現像しても膜上にス
ペックルパターンが記録できる。
しかしこれらの光源からは0.8−から1.0−の近赤
外線領域の熱放射線が生じ、光源のガラス管(バルブと
呼ばれている)も約700℃に達し周囲の空気を暖める
ため光源と凹凸形状を有するフィルムとの設置距離が近
くなると、フィルムは熱収縮を起こしレジスト膜上に均
一なスペックルパターンを記録しにくいという問題点が
あった。
外線領域の熱放射線が生じ、光源のガラス管(バルブと
呼ばれている)も約700℃に達し周囲の空気を暖める
ため光源と凹凸形状を有するフィルムとの設置距離が近
くなると、フィルムは熱収縮を起こしレジスト膜上に均
一なスペックルパターンを記録しにくいという問題点が
あった。
〔課題を解決するための手段および発明の作用〕本発明
は、上記のような問題点を解決すると共に、耐擦傷性に
優れかつ反射防止機能を有する成形品を提供するために
なされたものである。
は、上記のような問題点を解決すると共に、耐擦傷性に
優れかつ反射防止機能を有する成形品を提供するために
なされたものである。
すなわち、本発明の反射防止成形品の製造方法は、
1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を
有する多官能性モノマーの少なくとも1種の単量体を重
合して硬化薄膜を形成し、該硬化薄膜上に、微細な凹凸
部を有するフィルムを密着して設けて水中に浸漬し、 このフィルムに 300nm以下の波長を含む紫外線を
照射することにより該硬化薄膜表面にスペックルパター
ンを形成し、 紫外線照射後、前記フィルムを除去し、次いでアルカリ
条件下で該硬化薄膜を処理することを含んでなる。
有する多官能性モノマーの少なくとも1種の単量体を重
合して硬化薄膜を形成し、該硬化薄膜上に、微細な凹凸
部を有するフィルムを密着して設けて水中に浸漬し、 このフィルムに 300nm以下の波長を含む紫外線を
照射することにより該硬化薄膜表面にスペックルパター
ンを形成し、 紫外線照射後、前記フィルムを除去し、次いでアルカリ
条件下で該硬化薄膜を処理することを含んでなる。
このような本発明方法によって製造される反射防止成形
品とは、上記の方法で加工された硬化薄膜自体又は基材
上に一体的に形成された硬化薄膜を意味するものとする
。
品とは、上記の方法で加工された硬化薄膜自体又は基材
上に一体的に形成された硬化薄膜を意味するものとする
。
また、本発明方法で使用する、「1分子中に2個以上の
(メタ)アクリロイルオキシ基を有する多官能性モノマ
ー」の例としては、例えばエチレングリコールジアクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエ
チレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアク
リレート、1.3−ブチレングリコールジアクリレート
、1.4−ブチレングリコールジアクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、1.6−ヘキサング
リコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアク
リレート、2.2−ビス(4−アクリロキシブロピロキ
シフエニル)プロパン、2.2−ビス(4−アクリロキ
シジェトキシフェニル)プロパン、トリメチロールエタ
ントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタ
クリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート
、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ジプロピ
レングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリ
コールジメタクリレート、1.3−ブチレングリコール
ジメタクリレート、1.4−ブチレングリコールネオペ
ンチルグリコールジメタクリレート、1.6−ヘキサン
グリコールジアクリレート、2.2−ビス(4−メタク
リロキシジェトキシフェニル)プロパン、トリメチロー
ルエタントリメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリメタクリレートなどが挙げられる。
(メタ)アクリロイルオキシ基を有する多官能性モノマ
ー」の例としては、例えばエチレングリコールジアクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエ
チレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアク
リレート、1.3−ブチレングリコールジアクリレート
、1.4−ブチレングリコールジアクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、1.6−ヘキサング
リコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアク
リレート、2.2−ビス(4−アクリロキシブロピロキ
シフエニル)プロパン、2.2−ビス(4−アクリロキ
シジェトキシフェニル)プロパン、トリメチロールエタ
ントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタ
クリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート
、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ジプロピ
レングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリ
コールジメタクリレート、1.3−ブチレングリコール
ジメタクリレート、1.4−ブチレングリコールネオペ
ンチルグリコールジメタクリレート、1.6−ヘキサン
グリコールジアクリレート、2.2−ビス(4−メタク
リロキシジェトキシフェニル)プロパン、トリメチロー
ルエタントリメタクリレート、トリメチロールプロパン
トリメタクリレートなどが挙げられる。
本発明方法においては、上記モノマーを単独で用いても
よ(、あるいは上記モノマーの内2種以上を併用して用
いることもできる。
よ(、あるいは上記モノマーの内2種以上を併用して用
いることもできる。
更に、上記のような特定の基を有する多官能性モノマー
とは別種のモノマーを用いて共重合することも可能であ
る。このような七ツマ−の例として、例えばジビニルベ
ンゼン等が挙げられる。
とは別種のモノマーを用いて共重合することも可能であ
る。このような七ツマ−の例として、例えばジビニルベ
ンゼン等が挙げられる。
これらの単量体は、前記したようにそのま\重合したシ
ート状として用いることもできる。しかし、比較的耐擦
傷性の低い材料(基材)の表層部に、これらの単量体を
光硬化や熱硬化等の手段によって硬化量(硬化薄膜)を
形成するのが好ましい。
ート状として用いることもできる。しかし、比較的耐擦
傷性の低い材料(基材)の表層部に、これらの単量体を
光硬化や熱硬化等の手段によって硬化量(硬化薄膜)を
形成するのが好ましい。
また、本発明方法で用いられる多数の凹凸部を有するフ
ィルムとは、300nm以下の波長域における紫外線透
過率が、10%以上好ましくは50%以上の材料であっ
て、それらの片面もしくは両面に不規則に分布した微細
な凹部および凸部に有し、かつ凹部および凸部の高低差
が、照射紫外線波長よりも大きく、しかも凹部および凸
部の密度が、6x102個/cd以上で6X10’個/
cd1以下ノ条件ヲ充足するものをいう。
ィルムとは、300nm以下の波長域における紫外線透
過率が、10%以上好ましくは50%以上の材料であっ
て、それらの片面もしくは両面に不規則に分布した微細
な凹部および凸部に有し、かつ凹部および凸部の高低差
が、照射紫外線波長よりも大きく、しかも凹部および凸
部の密度が、6x102個/cd以上で6X10’個/
cd1以下ノ条件ヲ充足するものをいう。
このように凹部および凸部の密度の条件を定めたのは次
の理由による。すなわち、凹凸密度は、IMあたりの凹
凸部の個数すなわち凹凸の平均的な幅から求めたもので
ありその値が、凹部幅0.2μ凸部幅0.2−に相当す
る6 XIO@個/cd超であると照射紫外線の乱反射
が強く、フィルム材料を透過する光が減少するたt適さ
ない。一方、凹部幅200#−凸部幅200J−に相当
する6 XIO’個/ cr1未満であると以下で説明
する透過光の干渉によるスペックルコントラストが低下
するので適さない。
の理由による。すなわち、凹凸密度は、IMあたりの凹
凸部の個数すなわち凹凸の平均的な幅から求めたもので
ありその値が、凹部幅0.2μ凸部幅0.2−に相当す
る6 XIO@個/cd超であると照射紫外線の乱反射
が強く、フィルム材料を透過する光が減少するたt適さ
ない。一方、凹部幅200#−凸部幅200J−に相当
する6 XIO’個/ cr1未満であると以下で説明
する透過光の干渉によるスペックルコントラストが低下
するので適さない。
したがって前記の凹凸密度の条件が採用され、より好ま
しくは凹部幅5Js凸部幅5m−に相当する106個/
cIから凹部幅20.−凸部幅20J−に相当する6
x104個/ ctlが望ましい。
しくは凹部幅5Js凸部幅5m−に相当する106個/
cIから凹部幅20.−凸部幅20J−に相当する6
x104個/ ctlが望ましい。
また凹凸の高低差に関する条件は、照射紫外線が十分散
乱されるたtに必要である。またフィルム材料の凹部、
凸部は、前記のように片面に形成されていても両面に形
成されていてもよい。
乱されるたtに必要である。またフィルム材料の凹部、
凸部は、前記のように片面に形成されていても両面に形
成されていてもよい。
また、300nlll以下の紫外線透過率が10%未満
であると、紫外線エネルギーが吸収されていまい、本発
明の効果が十分得られないので上記の如き条件が採用さ
れる。
であると、紫外線エネルギーが吸収されていまい、本発
明の効果が十分得られないので上記の如き条件が採用さ
れる。
更にまた、本発明方法における「硬化薄膜上にフィルム
を密着して設ける」とは、干渉模様が生じる可干渉距離
の2倍までの距離をおいて設けることをいう。
を密着して設ける」とは、干渉模様が生じる可干渉距離
の2倍までの距離をおいて設けることをいう。
すなわち、照射する300nm以下の紫外線の中心波長
をλ(nm) 、照射紫外線の中心周波数をf(Hz)
、照射紫外線の波長幅をΔλ(nffl)、光速度をc
(cm/5ec)として、凹部、凸部の表面粗さ中心
線と該硬化薄膜表面との距離d(cm)がd≦(2XC
Xλ)/(Δλxf)を満足する条件をいう。
をλ(nm) 、照射紫外線の中心周波数をf(Hz)
、照射紫外線の波長幅をΔλ(nffl)、光速度をc
(cm/5ec)として、凹部、凸部の表面粗さ中心
線と該硬化薄膜表面との距離d(cm)がd≦(2XC
Xλ)/(Δλxf)を満足する条件をいう。
また、300nm以下の波長を含む紫外線の照射は、後
述のように高圧水銀灯あるいは低圧水銀灯を用いて行う
ことができる。
述のように高圧水銀灯あるいは低圧水銀灯を用いて行う
ことができる。
更に照射後のアルカリ処理とは、アルカリ試剤(例えば
水酸化ナトリウム、または水酸化ナトリ゛ウム等)を用
い、これを水溶液とし、硬化層(硬化薄膜)を水溶液に
浸漬処理することをいう。
水酸化ナトリウム、または水酸化ナトリ゛ウム等)を用
い、これを水溶液とし、硬化層(硬化薄膜)を水溶液に
浸漬処理することをいう。
以下、更に図面に従って、本発明方法を説明する。
第1図は、1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイル
オキシ基を有する多官能性モノマーの少なくとも1種の
単量体を重合して得られた硬化薄膜1を基材2上に積層
した模式図を示す。
オキシ基を有する多官能性モノマーの少なくとも1種の
単量体を重合して得られた硬化薄膜1を基材2上に積層
した模式図を示す。
本発明においては、前記のように重合体単独で使用して
も良いが、基材との複合を行った方が、基材の性能を合
わせ持つことができ好ましい。基材としては、透明性に
優れたポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポ
リエチレン、ポリエチレンテレフタレート等を使用する
ことによって透明性に優れた反射防止成形品を作製する
ことができる。また、他の基材材料としては、ポリ塩化
ビニノペポリスチレン、ABS樹脂、ポリ塩化ビニリデ
ンなど目的とする用途に合わせて選択することも可能で
ある。第1図に示す硬化薄膜1は、JIS K 540
0に基づくエンピッ硬度試験において2H以上好ましく
は4H以上を有することが、耐擦傷性の観点から望まし
い。
も良いが、基材との複合を行った方が、基材の性能を合
わせ持つことができ好ましい。基材としては、透明性に
優れたポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポ
リエチレン、ポリエチレンテレフタレート等を使用する
ことによって透明性に優れた反射防止成形品を作製する
ことができる。また、他の基材材料としては、ポリ塩化
ビニノペポリスチレン、ABS樹脂、ポリ塩化ビニリデ
ンなど目的とする用途に合わせて選択することも可能で
ある。第1図に示す硬化薄膜1は、JIS K 540
0に基づくエンピッ硬度試験において2H以上好ましく
は4H以上を有することが、耐擦傷性の観点から望まし
い。
基材2上への硬化薄膜の形成は、例えば浸漬法により基
材2の両面に本発明方法で用いる多官能性モノマーを塗
布して薄膜を形成し、次いで光照射して硬化薄膜1とす
ることができる。あるいはまた、別途に多官能性モノマ
ーを重合せしめて硬化薄膜を形成し、得られた硬化薄膜
1を基材2上に載置することにより行うこともできる。
材2の両面に本発明方法で用いる多官能性モノマーを塗
布して薄膜を形成し、次いで光照射して硬化薄膜1とす
ることができる。あるいはまた、別途に多官能性モノマ
ーを重合せしめて硬化薄膜を形成し、得られた硬化薄膜
1を基材2上に載置することにより行うこともできる。
次に先に定義したフィルム3を硬化薄膜1上に密着して
設ける。このようなフィルムとしては、例えばポリプロ
ピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、セロ
ハンなどが好マシく用いられ、またフィルムの厚さは通
常206〜50−である。
設ける。このようなフィルムとしては、例えばポリプロ
ピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、セロ
ハンなどが好マシく用いられ、またフィルムの厚さは通
常206〜50−である。
次にフィルム3を硬化薄膜1上に密着して設ける。この
密着の間隔は、先に説明した通りである。
密着の間隔は、先に説明した通りである。
二のように薄膜1上に密着して設けたフィルム3を、水
4を満たした水槽5に浸漬する。
4を満たした水槽5に浸漬する。
次に前記フィルム3に300nm以下の波長を含む紫外
線を照射して硬化薄膜1の表面にスペックルパターンを
形成する。
線を照射して硬化薄膜1の表面にスペックルパターンを
形成する。
この工程で用いるフィルムとは、先に定義したフィルム
を意味する。
を意味する。
紫外線光源としては、大面積に渡って短時間に照射可能
であり、300nm以下の波長光をスペクトルとして有
する高圧水銀灯、又は低圧水銀灯が適する。
であり、300nm以下の波長光をスペクトルとして有
する高圧水銀灯、又は低圧水銀灯が適する。
本発明方法では、紫外線光源から生ずる近赤外域の熱線
は、前記水槽5内の水4によって吸収されるため凹凸形
状を表面に有するフィルムの熱変形も生じにくい。また
、水の体積を大きくすることによって、水温の上昇も低
減することが容易である。次いで紫外線を照射後、フィ
ルム3を硬化薄膜1から取りはずし、第5図(b)に示
すようにアルカリ水溶液に硬化薄膜1を浸漬することに
よって散乱光の干渉模様であるスペックルパターンを硬
化薄膜1の表層部に凹凸形状として記録することができ
る。
は、前記水槽5内の水4によって吸収されるため凹凸形
状を表面に有するフィルムの熱変形も生じにくい。また
、水の体積を大きくすることによって、水温の上昇も低
減することが容易である。次いで紫外線を照射後、フィ
ルム3を硬化薄膜1から取りはずし、第5図(b)に示
すようにアルカリ水溶液に硬化薄膜1を浸漬することに
よって散乱光の干渉模様であるスペックルパターンを硬
化薄膜1の表層部に凹凸形状として記録することができ
る。
この時硬化薄膜1の表層部の架−橋構造は、紫外線エネ
ルギーによって部分的に切断され、低分子量化した物質
が生成する。この低分子量した物質がアルカリ水溶液に
よって加水分解することによって凹凸形状が作られるの
である。
ルギーによって部分的に切断され、低分子量化した物質
が生成する。この低分子量した物質がアルカリ水溶液に
よって加水分解することによって凹凸形状が作られるの
である。
このように現象を生じさせるためには、架橋構造の共有
結合エネルギーである約3eVよりも大きな光エネルギ
ーを硬化薄膜lに照射する必要があり照射光は、300
nm以下の波長を含む紫外線でなくてはならない。また
アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムの水溶液が望ましいが、加水分解反応が生じる水
溶液であれば特に限定するものではない。
結合エネルギーである約3eVよりも大きな光エネルギ
ーを硬化薄膜lに照射する必要があり照射光は、300
nm以下の波長を含む紫外線でなくてはならない。また
アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムの水溶液が望ましいが、加水分解反応が生じる水
溶液であれば特に限定するものではない。
さらにアルカリ水溶液に溶出せず残った硬化薄膜の部分
すなわち凸部は、架橋構造をしているため、硬化薄膜の
表面硬度は、極端には低下しない。
すなわち凸部は、架橋構造をしているため、硬化薄膜の
表面硬度は、極端には低下しない。
以下、更に実施例および比較例により本発明を説明する
。但し、本発明がこれらの実施例により限定されないこ
とはもとよりである。
。但し、本発明がこれらの実施例により限定されないこ
とはもとよりである。
実施例1、および比較例
厚さ2 ff1ffl、 50s X50mmのポリメ
チ)lz)lタフリレート板を1.6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート30重量% 1.3−ブチレングリコ
ールジアクリレート40重量%、トリメチロールエタン
トリアクリレート20重量% ベンゾインアルキルエー
テル10重量%の混合溶液中に浸−漬し、20℃の雰囲
気下において引き上げ板両面に混合溶液を塗布した。
チ)lz)lタフリレート板を1.6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート30重量% 1.3−ブチレングリコ
ールジアクリレート40重量%、トリメチロールエタン
トリアクリレート20重量% ベンゾインアルキルエー
テル10重量%の混合溶液中に浸−漬し、20℃の雰囲
気下において引き上げ板両面に混合溶液を塗布した。
溶液を塗布したポリメチルメタクリレート板ノ両面にち
っ素気流中で波長365nmの高圧水銀灯の紫外線を照
射し、ポリメチルメタクリレート板に架橋構造を有する
硬化薄膜を膜厚8#lにて作製した。
っ素気流中で波長365nmの高圧水銀灯の紫外線を照
射し、ポリメチルメタクリレート板に架橋構造を有する
硬化薄膜を膜厚8#lにて作製した。
硬化の際には、2000mJ/cdのエネルギーを用い
た。
た。
この硬化薄膜は、エンピッ硬度が4Hであった。
次に、波長254nmの紫外線透過率が40%である。
東し■製ポリプロピレンフィルム(型式YM−11)3
a(厚さ20J−)を用意した。このフィルムは片面に
ナンボス加工が施こしてあり本発明のフィルム条件を満
足するものである。
a(厚さ20J−)を用意した。このフィルムは片面に
ナンボス加工が施こしてあり本発明のフィルム条件を満
足するものである。
先に作製したポリメチルメタクリレート板上の硬化薄膜
をエタノールで濡らしておき上記ポリプロピレンフィル
ムの平滑面と向かい合わせて重ねた。
をエタノールで濡らしておき上記ポリプロピレンフィル
ムの平滑面と向かい合わせて重ねた。
線圧25kg/cmの圧力をかけてロールにてしごき、
ポリプロピレンフィルムと硬化薄膜との間のエタノール
を押し出しながらエタノール中に分散している微小な空
気も同時に押し出し、フィルムと硬化薄膜を密着させた
。ポリプロピレンフィルムの厚みと凹部の平均的な深さ
から計算するとエンボス面と硬化膜との距離は、本発明
方法における密着の条件を満足していた。
ポリプロピレンフィルムと硬化薄膜との間のエタノール
を押し出しながらエタノール中に分散している微小な空
気も同時に押し出し、フィルムと硬化薄膜を密着させた
。ポリプロピレンフィルムの厚みと凹部の平均的な深さ
から計算するとエンボス面と硬化膜との距離は、本発明
方法における密着の条件を満足していた。
次にポリプロピレンフィルムと硬化薄膜を密着させたポ
リメチルメタクリレート板を、次の(イ)(ロ)の2通
りの方法で中心波長254nm波長幅2nmの紫外線を
照射した。
リメチルメタクリレート板を、次の(イ)(ロ)の2通
りの方法で中心波長254nm波長幅2nmの紫外線を
照射した。
(イ)水中に浸漬させ、上記紫外線を8000mJ/c
lIl照射した。
lIl照射した。
(ロ)空気中にて上記紫外線を8000mJ/crl照
射した。
射した。
次にポリプロピレンフィルムを硬化薄膜より剥離し、8
0℃の10%水酸化ナトリウム水溶液に2時間浸漬した
。その後、硬化薄膜表面を顕微鏡にて観察した。
0℃の10%水酸化ナトリウム水溶液に2時間浸漬した
。その後、硬化薄膜表面を顕微鏡にて観察した。
(イ)の方法にて紫外線を照射した場合、硬化薄膜表面
には、直径10−〜20−の円形凹部が斑なく均一に形
成されていた。一方、(ロ)の方法にて紫外線を照射し
た場合、硬化膜表面には、一方向に引きのばされた楕円
型凹部が、部分的に斑となって形成されていた。
には、直径10−〜20−の円形凹部が斑なく均一に形
成されていた。一方、(ロ)の方法にて紫外線を照射し
た場合、硬化膜表面には、一方向に引きのばされた楕円
型凹部が、部分的に斑となって形成されていた。
このようなこの両者の相異は、紫外線光源からの熱放射
によるポリプロピレンフィルムの熱変形の有無によるも
のと推則される。
によるポリプロピレンフィルムの熱変形の有無によるも
のと推則される。
本実施例で示す様にスペックルパターンを斑なく凹凸模
様に記録するためには、(イ)の方法が必要である。
様に記録するためには、(イ)の方法が必要である。
(イ)、(ロ)ともに加工後の硬化膜のエンピッ硬度は
、4Hであり、加工前のエンピッ硬度を保持していた。
、4Hであり、加工前のエンピッ硬度を保持していた。
実施例2、および比較例
厚さ2 rtm、 50mm X50mmのポリメチル
メタクリレート板をペンタエリスリトールジアクリレー
ト50重量%、トリメチロールエタントリアクリレート
30重量%1.−6ヘキサンジオ一ルジアクリレート1
0重量% ベンゾインアルキルエーテル10重量%の混
合液中に浸漬し、20℃の雰囲気下において引き上げ、
板両面に混合溶液を塗布した。溶液を塗布したポリメチ
ルメタクリレート板の両面をポリエステルフィルム20
#lで被ふ<シ、波長3651mの高圧水銀灯の紫外線
を上記ポリエステルフィルムを通して照射し、ポリメチ
ルメタクリレート板に架橋構造を有する硬化薄膜を膜厚
3J−にて作製した。
メタクリレート板をペンタエリスリトールジアクリレー
ト50重量%、トリメチロールエタントリアクリレート
30重量%1.−6ヘキサンジオ一ルジアクリレート1
0重量% ベンゾインアルキルエーテル10重量%の混
合液中に浸漬し、20℃の雰囲気下において引き上げ、
板両面に混合溶液を塗布した。溶液を塗布したポリメチ
ルメタクリレート板の両面をポリエステルフィルム20
#lで被ふ<シ、波長3651mの高圧水銀灯の紫外線
を上記ポリエステルフィルムを通して照射し、ポリメチ
ルメタクリレート板に架橋構造を有する硬化薄膜を膜厚
3J−にて作製した。
硬化の際には、2501)nJ/c11のエネルギーを
用いた。
用いた。
この硬化薄膜はエンピッ硬度が3Hであった。次に波長
254r++nの紫外線透過率が40%である本州製紙
■製ポリプロピレンフィルム(型式5O−202) 厚
さ20j−を用意した。
254r++nの紫外線透過率が40%である本州製紙
■製ポリプロピレンフィルム(型式5O−202) 厚
さ20j−を用意した。
このフィルムは片面にエンボス調の凹凸加工が施こして
あり、その分光透過率を第6図に示す。このポリプロピ
レンフィルムは、厚さ方向には、光学的に等方性であり
屈折率n25Dが1.49である。
あり、その分光透過率を第6図に示す。このポリプロピ
レンフィルムは、厚さ方向には、光学的に等方性であり
屈折率n25Dが1.49である。
凹部と凸部の高低差は4.3J−1凹部、凸部の密度は
106個/ cnfであり本発明で用いるフィルムの条
件を満足している。
106個/ cnfであり本発明で用いるフィルムの条
件を満足している。
このフィルムを先に作製したポリメチルメタクリレート
板に密着させるため次の(イ)(ロ)の2通りの方法を
行った。
板に密着させるため次の(イ)(ロ)の2通りの方法を
行った。
(イ)ポリメチルメタクリレート板上の硬化薄膜をエタ
ノールで濡らしておき、上記フィルムのエンボス面を上
にして硬化膜上にのせ、さらに保護用の507−ポリエ
チレンテレフタレートフィルムをポリプロピレンフィル
ムの上にのせスキージにて硬化薄膜とポリプロピレンフ
ィルムとの間のエタノールをポリメチルメタクリレート
板の周囲へ押し出した。この押し出し時には、硬化薄膜
とポリプロピレンフィルムとの間に入った微小な空気も
外へ押し出されてしまうため、空気が入らぬような硬化
膜とポリプロピレンフィルムとの密着状態を得ることが
できた。
ノールで濡らしておき、上記フィルムのエンボス面を上
にして硬化膜上にのせ、さらに保護用の507−ポリエ
チレンテレフタレートフィルムをポリプロピレンフィル
ムの上にのせスキージにて硬化薄膜とポリプロピレンフ
ィルムとの間のエタノールをポリメチルメタクリレート
板の周囲へ押し出した。この押し出し時には、硬化薄膜
とポリプロピレンフィルムとの間に入った微小な空気も
外へ押し出されてしまうため、空気が入らぬような硬化
膜とポリプロピレンフィルムとの密着状態を得ることが
できた。
(ロ)ポリプロピレンフィルムのエンボス面(凹凸面)
とは反対面に粘着剤としてポリビニールアルコールを2
5声塗工し粘着性を持たせた。ポリメチルメタクリレー
ト板上の硬化薄膜に粘着面を向かい合わせて線圧20k
g/cmにてロールでプレスしながらポリメチルメタク
リレート板にフィルムをはり合わせた。
とは反対面に粘着剤としてポリビニールアルコールを2
5声塗工し粘着性を持たせた。ポリメチルメタクリレー
ト板上の硬化薄膜に粘着面を向かい合わせて線圧20k
g/cmにてロールでプレスしながらポリメチルメタク
リレート板にフィルムをはり合わせた。
(イ)、(ロ)の2通りの方法にてポリプロピレンフィ
ルムを重ね合わせたポリメチルメタクリレート板を水中
に漬浸し、低圧水銀灯の254nm紫外線をポリプロピ
レンフィルムのエンボス面側から9000mJ/cjの
エネルギーにて照射した。この低圧水銀灯254nmの
波長幅は5Hmであった。次に上記ポリメチルメタクリ
レート板からポリプロピレンフィルムを剥離し、10%
50℃の水酸化ナトリウム水溶液に2時間浸漬した後の
硬化膜表面を顕微鏡観察した。(イ)の場合では微小な
凹凸形状が見られた。一方、(ロ)の場合は表面は平滑
であり凹凸形状は見られなかった。なお、本発明のフィ
ルムの条件を満足したポリプロピレンフィルムと硬化薄
膜との設置距離はd≦20JIIlと計算される。
ルムを重ね合わせたポリメチルメタクリレート板を水中
に漬浸し、低圧水銀灯の254nm紫外線をポリプロピ
レンフィルムのエンボス面側から9000mJ/cjの
エネルギーにて照射した。この低圧水銀灯254nmの
波長幅は5Hmであった。次に上記ポリメチルメタクリ
レート板からポリプロピレンフィルムを剥離し、10%
50℃の水酸化ナトリウム水溶液に2時間浸漬した後の
硬化膜表面を顕微鏡観察した。(イ)の場合では微小な
凹凸形状が見られた。一方、(ロ)の場合は表面は平滑
であり凹凸形状は見られなかった。なお、本発明のフィ
ルムの条件を満足したポリプロピレンフィルムと硬化薄
膜との設置距離はd≦20JIIlと計算される。
(イ)の場合d″、16jllIであり本発明の条件を
満たしているが(ロ)の場合d″=、41μであり本発
明の条件を満たしていない。このため(ロ)の場合、ス
ペックルパターンがコントラスト良く生じていないので
ある。(イ)の場合加工後の硬化膜のエンピッ硬度は3
Hであり加工前の硬度を保持していた。
満たしているが(ロ)の場合d″=、41μであり本発
明の条件を満たしていない。このため(ロ)の場合、ス
ペックルパターンがコントラスト良く生じていないので
ある。(イ)の場合加工後の硬化膜のエンピッ硬度は3
Hであり加工前の硬度を保持していた。
以上本発明の詳細な説明したが、本発明はこれらの実施
例に限定されることなく硬化薄膜、およびフィルム材料
を適切に選択して本発明を実施することが可能である。
例に限定されることなく硬化薄膜、およびフィルム材料
を適切に選択して本発明を実施することが可能である。
本発明は、以上説明したように構成されるものであるか
ら、本発明の範囲でのフィルムの凹凸の粗さを変えある
いは、硬化薄膜表層部とフィルムとの距離を本発明に記
載した条件の範囲内で変え、紫外線照射量、あるいはア
ルカリ処理条件を種々設定することによって耐擦傷性に
優れ、かつ反射防止性能が制御された反射防止成形品を
製造できる効果を奏する。
ら、本発明の範囲でのフィルムの凹凸の粗さを変えある
いは、硬化薄膜表層部とフィルムとの距離を本発明に記
載した条件の範囲内で変え、紫外線照射量、あるいはア
ルカリ処理条件を種々設定することによって耐擦傷性に
優れ、かつ反射防止性能が制御された反射防止成形品を
製造できる効果を奏する。
また、本発明方法における各工程は単純であるため工場
での生産すなわち現業化が容易となる効果を奏する。
での生産すなわち現業化が容易となる効果を奏する。
4、 I!1面の簡単な説明
第1図は、本発明方法における硬化薄膜を基材に積層し
た模式図であり、 第2図は本発明方法を示す基本原理図であり、第3図は
、高圧水銀灯の発光スペクトル図であり、 第4図は、低圧水銀灯の発光スペクトル図であり、 第5図は、本発明方法の一例を示す工程図であり、 第6図は、本発明方法の一実施例で用いられるポリプロ
ピレンの分光透過率を示すグラフである。
た模式図であり、 第2図は本発明方法を示す基本原理図であり、第3図は
、高圧水銀灯の発光スペクトル図であり、 第4図は、低圧水銀灯の発光スペクトル図であり、 第5図は、本発明方法の一例を示す工程図であり、 第6図は、本発明方法の一実施例で用いられるポリプロ
ピレンの分光透過率を示すグラフである。
1・・・硬化薄膜、 2・・・基材、3・・・フ
ィルム、 L・・・高圧(又は低圧)水銀灯。
ィルム、 L・・・高圧(又は低圧)水銀灯。
基材1こ硬化薄膜を積層した模式図
第1図
本発明方法を示す基本原理図
第2図
1・・・硬化薄膜
2・・・基材
3・・・フィルム
4・・・水
5・・・水槽
波長(nm)
高圧水銀灯の発光スペクトル図
$3図
波長(nm)
低圧水銀灯の発光スペクトル図
第4図
第
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、1分子中に2個以上の(メタ)アクリロイルオキシ
基を有する多官能性モノマーの少なくとも1種の単量体
を重合して硬化薄膜を形成し、該硬化薄膜上に、微細な
凹凸部を有するフィルムを密着して設けて水中に浸漬し
、 このフィルムに300nm以下の波長を含む紫外線を照
射することにより該硬化薄膜表面にスペックルパターン
を形成し、 紫外線照射後、前記フィルムを除去し、次いでアルカリ
条件下で該硬化薄膜を処理することを含んでなる、反射
防止成形品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2135491A JPH0430101A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 反射防止成形品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2135491A JPH0430101A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 反射防止成形品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0430101A true JPH0430101A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15152979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2135491A Pending JPH0430101A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 反射防止成形品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0430101A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100510999B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2005-08-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
JP2011070116A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム製造用組成物、反射防止フィルム、反射防止フィルムの製造方法、偏光板、および液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2135491A patent/JPH0430101A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100510999B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2005-08-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
JP2011070116A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム製造用組成物、反射防止フィルム、反射防止フィルムの製造方法、偏光板、および液晶表示装置 |
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