JPH04296715A - 電気光学結晶材料 - Google Patents
電気光学結晶材料Info
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- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- -1 purity 99.99%) Chemical compound 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QTJOIXXDCCFVFV-UHFFFAOYSA-N [Li].[O] Chemical compound [Li].[O] QTJOIXXDCCFVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 2
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- KUJOABUXCGVGIY-UHFFFAOYSA-N lithium zinc Chemical compound [Li].[Zn] KUJOABUXCGVGIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 2
- 229910017251 AsO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005833 GeO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011763 Li2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008095 Li3 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSHPUQQHKKJVIO-UHFFFAOYSA-N [Na].[Zn] Chemical compound [Na].[Zn] KSHPUQQHKKJVIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFVBQNYINQMZDO-UHFFFAOYSA-N [O].[As] Chemical compound [O].[As] BFVBQNYINQMZDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVAOQJNBYYIDSI-UHFFFAOYSA-N [O].[Na] Chemical compound [O].[Na] IVAOQJNBYYIDSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCIMSXHQSIHQW-UHFFFAOYSA-N [O].[P] Chemical compound [O].[P] AFCIMSXHQSIHQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBYSTTGVDIFUAY-UHFFFAOYSA-N vanadium monoxide Chemical compound [V]=O IBYSTTGVDIFUAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学結晶材料に係り
、特に、特定の金属−酸素四配位構造を含有する新規電
気光学結晶材料に関する。
、特に、特定の金属−酸素四配位構造を含有する新規電
気光学結晶材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学結晶はスイッチング、光変調、
メモリー、ディスプレー等に応用され、オプトエレクト
ロニクス材料の中でも重要な素子を提供するものである
。従来、誘電体電気光学結晶材料では、ペロブスカイト
及びその類似物質のような原子−酸素八面体を中心にし
た物質、及び水素結合を含むリン−酸素四面体について
の研究がなされてきた。
メモリー、ディスプレー等に応用され、オプトエレクト
ロニクス材料の中でも重要な素子を提供するものである
。従来、誘電体電気光学結晶材料では、ペロブスカイト
及びその類似物質のような原子−酸素八面体を中心にし
た物質、及び水素結合を含むリン−酸素四面体について
の研究がなされてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電気光学結晶材料に関
する研究の歴史は非常に古く、現在においては、画期的
な進展は望めない状況にある。本発明は、上記従来の実
情に鑑みてなされたものであって、上記従来の結晶構造
とは全く異なる新たな結晶構造を有する新規高特性電気
光学材料を提供することを目的とする。
する研究の歴史は非常に古く、現在においては、画期的
な進展は望めない状況にある。本発明は、上記従来の実
情に鑑みてなされたものであって、上記従来の結晶構造
とは全く異なる新たな結晶構造を有する新規高特性電気
光学材料を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１の電気光学結晶
材料は、元素Ｍが４個の酸素により配位されたＭ−酸素
四面体を含み、該Ｍ−酸素四面体が一方向に配向した構
造を有する無機酸化物の結晶よりなる電気光学結晶材料
であって、該元素Ｍは、元素Ｍａと元素Ｍｂとよりなり
、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、ＩＩａ族及びＩＩｂ族よ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍｂ
はＶａ族、Ｖｂ族及びＩＶｂ族よりなる群から選ばれる
少なくとも１種であることを特徴とする。
材料は、元素Ｍが４個の酸素により配位されたＭ−酸素
四面体を含み、該Ｍ−酸素四面体が一方向に配向した構
造を有する無機酸化物の結晶よりなる電気光学結晶材料
であって、該元素Ｍは、元素Ｍａと元素Ｍｂとよりなり
、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、ＩＩａ族及びＩＩｂ族よ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍｂ
はＶａ族、Ｖｂ族及びＩＶｂ族よりなる群から選ばれる
少なくとも１種であることを特徴とする。
【０００５】請求項２の電気光学結晶材料は、請求項１
の電気光学結晶材料において、無機酸化物の結晶が、Ｍ
−酸素四配位構造のみで構成されることを特徴とする。
の電気光学結晶材料において、無機酸化物の結晶が、Ｍ
−酸素四配位構造のみで構成されることを特徴とする。
【０００６】請求項３の電気光学結晶材料は、請求項１
又は２の電気光学結晶材料において、元素ＭａがＬｉ、
Ｎａ、Ｚｎ及びＭｇよりなる群から選ばれる少なくとも
１種であり、元素ＭｂがＶ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧｅよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴
とする。
又は２の電気光学結晶材料において、元素ＭａがＬｉ、
Ｎａ、Ｚｎ及びＭｇよりなる群から選ばれる少なくとも
１種であり、元素ＭｂがＶ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧｅよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴
とする。
【０００７】請求項４の電気光学結晶材料は、請求項３
の電気光学結晶材料において、元素ＭａがＬｉ又はＮａ
であり、元素ＭｂがＶであることを特徴とする。
の電気光学結晶材料において、元素ＭａがＬｉ又はＮａ
であり、元素ＭｂがＶであることを特徴とする。
【０００８】請求項５の電気光学結晶材料は、請求項１
又は２の電気光学結晶材料において、無機酸化物が、一
般式Ｍａ３ ＭｂＯ４ （元素ＭａはＩａ族及びＩｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂはＶａ族及びＶｂ族よりなる群から選ばれる少なくと
も１種）で表される化合物であることを特徴とする。
又は２の電気光学結晶材料において、無機酸化物が、一
般式Ｍａ３ ＭｂＯ４ （元素ＭａはＩａ族及びＩｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂはＶａ族及びＶｂ族よりなる群から選ばれる少なくと
も１種）で表される化合物であることを特徴とする。
【０００９】請求項６の電気光学結晶材料は、請求項５
の電気光学結晶材料において、元素ＭａがＬｉ又はＮａ
であり、元素ＭｂがＰ又はＡｓであることを特徴とする
。
の電気光学結晶材料において、元素ＭａがＬｉ又はＮａ
であり、元素ＭｂがＰ又はＡｓであることを特徴とする
。
【００１０】請求項７の電気光学結晶材料は、請求項１
又は２の電気光学結晶材料において、元素Ｍａは元素Ｍ
ｃと元素Ｍｄとからなり、無機酸化物が、一般式Ｍｃ２
ＭｄＭｂＯ４ （元素ＭｃはＩａ族及びＩｂ族よりな
る群から選ばれる少なくとも１種であり、元素ＭｄはＩ
Ｉａ族及びＩＩｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも
１種であり、元素ＭｂはＩＶｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種）で表される化合物であることを特徴
とする。
又は２の電気光学結晶材料において、元素Ｍａは元素Ｍ
ｃと元素Ｍｄとからなり、無機酸化物が、一般式Ｍｃ２
ＭｄＭｂＯ４ （元素ＭｃはＩａ族及びＩｂ族よりな
る群から選ばれる少なくとも１種であり、元素ＭｄはＩ
Ｉａ族及びＩＩｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも
１種であり、元素ＭｂはＩＶｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種）で表される化合物であることを特徴
とする。
【００１１】請求項８の電気光学結晶材料は、請求項７
の電気光学結晶材料において、元素ＭｃがＬｉ又はＮａ
であり、元素ＭｄがＺｎ又はＭｇであり、元素ＭｂがＳ
ｉ又はＧｅであることを特徴とする。
の電気光学結晶材料において、元素ＭｃがＬｉ又はＮａ
であり、元素ＭｄがＺｎ又はＭｇであり、元素ＭｂがＳ
ｉ又はＧｅであることを特徴とする。
【００１２】以下に本発明を図面を参照して詳細に説明
する。第１図は本発明の電気光学結晶材料に係る元素−
酸素四面体構造の元素配置を説明する模式図である。図
中、１は酸素原子、２は元素Ｍａ、３は元素Ｍｂを示す
。本発明の電気光学結晶材料は、このように、元素Ｍａ
２及びＭｂ３が、各々、４つの酸素原子１により配位さ
れた正四面体形状の（Ｍａ、Ｍｂ）−酸素四面体構造を
含み、好ましくは、該四面体構造のみで構成され、該四
面体が一方向に配向した構造を有する無機酸化物の結晶
よりなる。しかして、本発明の電気光学結晶材料におい
て、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、ＩＩａ族及びＩＩｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂはＶａ族、Ｖｂ族及びＩＶｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種である。
する。第１図は本発明の電気光学結晶材料に係る元素−
酸素四面体構造の元素配置を説明する模式図である。図
中、１は酸素原子、２は元素Ｍａ、３は元素Ｍｂを示す
。本発明の電気光学結晶材料は、このように、元素Ｍａ
２及びＭｂ３が、各々、４つの酸素原子１により配位さ
れた正四面体形状の（Ｍａ、Ｍｂ）−酸素四面体構造を
含み、好ましくは、該四面体構造のみで構成され、該四
面体が一方向に配向した構造を有する無機酸化物の結晶
よりなる。しかして、本発明の電気光学結晶材料におい
て、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、ＩＩａ族及びＩＩｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂはＶａ族、Ｖｂ族及びＩＶｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種である。
【００１３】特に、元素ＭａはＬｉ、Ｎａ、Ｚｎ及びＭ
ｇよりなる群から選ばれる少なくとも１種、元素Ｍｂは
Ｖ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧｅよりなる群から選ばれる少
なくとも１種であることが好ましい。なお、本発明の電
気光学結晶材料を構成する結晶群において、対称心の有
無には制限はなく、あってもなくても良い。
ｇよりなる群から選ばれる少なくとも１種、元素Ｍｂは
Ｖ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧｅよりなる群から選ばれる少
なくとも１種であることが好ましい。なお、本発明の電
気光学結晶材料を構成する結晶群において、対称心の有
無には制限はなく、あってもなくても良い。
【００１４】本発明の電気光学結晶材料を構成する結晶
化合物としては、例えば、次の■〜■が挙げられる。■
ＭａがＬｉ又はＮａ、ＭｂがＶの化合物。具体的に
は、一般式Ｌｉｋ Ｖｍ Ｏｎ （Ｋ、ｍ、ｎは任意の
整数）で表されるバナジン酸リチウム。バナジン酸リチ
ウムには、複数の相が存在し、組成としては、例えば、
２Ｌｉ２ Ｏ・５Ｖ２ Ｏ５ 、Ｌｉ２ Ｏ・Ｖ２ Ｏ
５ 、３Ｌｉ２ Ｏ・Ｖ２ Ｏ５ 等がある。■ 一
般式Ｍａ３ ＭｂＯ４ （元素ＭａはＩａ族及びＩｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂはＶａ族及びＶｂ族よりなる群から選ばれる少なくと
も１種、好ましくはＭａはＬｉ又はＮａ、ＭｂはＰ又は
Ａｓ）で表される化合物。具体的には、Ｌｉ３ ＰＯ４
、Ｌｉ３ ＡｓＯ４ 。
化合物としては、例えば、次の■〜■が挙げられる。■
ＭａがＬｉ又はＮａ、ＭｂがＶの化合物。具体的に
は、一般式Ｌｉｋ Ｖｍ Ｏｎ （Ｋ、ｍ、ｎは任意の
整数）で表されるバナジン酸リチウム。バナジン酸リチ
ウムには、複数の相が存在し、組成としては、例えば、
２Ｌｉ２ Ｏ・５Ｖ２ Ｏ５ 、Ｌｉ２ Ｏ・Ｖ２ Ｏ
５ 、３Ｌｉ２ Ｏ・Ｖ２ Ｏ５ 等がある。■ 一
般式Ｍａ３ ＭｂＯ４ （元素ＭａはＩａ族及びＩｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂはＶａ族及びＶｂ族よりなる群から選ばれる少なくと
も１種、好ましくはＭａはＬｉ又はＮａ、ＭｂはＰ又は
Ａｓ）で表される化合物。具体的には、Ｌｉ３ ＰＯ４
、Ｌｉ３ ＡｓＯ４ 。
【００１５】■ ＭａがＭｃとＭｄとからなり、一般
式Ｍｃ２ ＭｄＭｂＯ４ （ＭｃはＩａ族及びＩｂ族よ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍｄ
はＩＩａ族及びＩＩｂ族よりなる群から選ばれる少なく
とも１種であり、元素ＭｂはＩＶｂ族よりなる群から選
ばれる少なくとも１種、好ましくは、ＭｃはＬｉ又はＮ
ａ、ＭｄはＺｎ又はＭｇ、ＭｂはＳｉ又はＧｅ）で表さ
れる化合物。 具体的には、Ｌｉ２ （Ｚｎ又はＭｇ）ＳｉＯ４ 、Ｌ
ｉ２ （Ｚｎ又はＭｇ）ＧｅＯ４ 。なお、上記■、■
の化合物の結晶にも、複数の相が存在し、また、それら
の固溶体も形成される。
式Ｍｃ２ ＭｄＭｂＯ４ （ＭｃはＩａ族及びＩｂ族よ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍｄ
はＩＩａ族及びＩＩｂ族よりなる群から選ばれる少なく
とも１種であり、元素ＭｂはＩＶｂ族よりなる群から選
ばれる少なくとも１種、好ましくは、ＭｃはＬｉ又はＮ
ａ、ＭｄはＺｎ又はＭｇ、ＭｂはＳｉ又はＧｅ）で表さ
れる化合物。 具体的には、Ｌｉ２ （Ｚｎ又はＭｇ）ＳｉＯ４ 、Ｌ
ｉ２ （Ｚｎ又はＭｇ）ＧｅＯ４ 。なお、上記■、■
の化合物の結晶にも、複数の相が存在し、また、それら
の固溶体も形成される。
【００１６】本発明に係る上記■〜■等の化合物の合成
方法としては、特に制限はなく、固相反応法、溶液法等
の公知の方法が採用される。例えば、固相反応法によれ
ば、当該化合物を構成する元素のそれぞれの原料粉末を
所望の組成となるように混合し、焼成することにより容
易に透明焼結体として製造することができる。この場合
、焼成温度は、通常の場合、４００〜１２００℃で４〜
２０時間程度焼成すれば良い。また、溶液法であれは、
所望組織の原料を溶融し、徐冷することにより、容易に
単結晶として得ることができる。
方法としては、特に制限はなく、固相反応法、溶液法等
の公知の方法が採用される。例えば、固相反応法によれ
ば、当該化合物を構成する元素のそれぞれの原料粉末を
所望の組成となるように混合し、焼成することにより容
易に透明焼結体として製造することができる。この場合
、焼成温度は、通常の場合、４００〜１２００℃で４〜
２０時間程度焼成すれば良い。また、溶液法であれは、
所望組織の原料を溶融し、徐冷することにより、容易に
単結晶として得ることができる。
【００１７】なお、原料としては、特に制限はなく、各
元素を含む化合物を用いることができ、例えば酸化物、
炭酸塩、ハロゲン化物、水酸化物、アンモニウム塩等が
用いられる。
元素を含む化合物を用いることができ、例えば酸化物、
炭酸塩、ハロゲン化物、水酸化物、アンモニウム塩等が
用いられる。
【００１８】
【作用】本発明の電気光学結晶材料を構成する特定の元
素Ｍが４個の酸素により配位されたＭ−四面体は配向性
が著しく高い。このため、良好な電気光学特性が得られ
る。
素Ｍが４個の酸素により配位されたＭ−四面体は配向性
が著しく高い。このため、良好な電気光学特性が得られ
る。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。 実施例１ 五酸化バナジウム（Ｖ２ Ｏ５ 、純度９９．９９％）
及び炭酸リチウム（Ｌｉ２ＣＯ３ 、純度９９．９９％
）を１：３のモル比で十分に混合し、大気中、６００℃
で５時間焼成することにより、白色の粉末を得た。得ら
れた粉末は、Ｘ線回折分析により、バナジン酸リチウム
（Ｌｉ３ ＶＯ４ ）の対称心のない結晶であることを
確認した。そのＸ線回折チャートを第２図に示す。この
対称心を欠くバナジン酸リチウムはウルツ鉱型の結晶の
亜鉛の位置をリチウムとバナジウムで３：１に置換し、
硫黄の位置を酸素で置換した構造を有する。結晶構造中
でバナジウム−酸素四面体、リチウム−酸素四面体は結
晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配向している。得られた
粉末を用いて赤外線集光加熱炉によって透明の結晶を得
た。この結晶を用いて、２次電気光学定数を測定したと
ころ、２×１０−１６ ｍ２／Ｖ２ であった。
説明する。 実施例１ 五酸化バナジウム（Ｖ２ Ｏ５ 、純度９９．９９％）
及び炭酸リチウム（Ｌｉ２ＣＯ３ 、純度９９．９９％
）を１：３のモル比で十分に混合し、大気中、６００℃
で５時間焼成することにより、白色の粉末を得た。得ら
れた粉末は、Ｘ線回折分析により、バナジン酸リチウム
（Ｌｉ３ ＶＯ４ ）の対称心のない結晶であることを
確認した。そのＸ線回折チャートを第２図に示す。この
対称心を欠くバナジン酸リチウムはウルツ鉱型の結晶の
亜鉛の位置をリチウムとバナジウムで３：１に置換し、
硫黄の位置を酸素で置換した構造を有する。結晶構造中
でバナジウム−酸素四面体、リチウム−酸素四面体は結
晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配向している。得られた
粉末を用いて赤外線集光加熱炉によって透明の結晶を得
た。この結晶を用いて、２次電気光学定数を測定したと
ころ、２×１０−１６ ｍ２／Ｖ２ であった。
【００２０】実施例２
酸化砒素（Ａｓ２ Ｏ５ 、純度９９．９％）及び炭酸
リチウム（Ｌｉ２ ＣＯ３ 、純度９９．９％）を１：
３のモル比で十分に混合し、大気中、６００℃で５時間
焼成することにより、白色の粉末を得た。得られた粉末
は、Ｘ線回折分析によりＬｉ３ ＡｓＯ４ の対称心の
ない結晶であることを確認した。この結晶も実施例１と
同様、結晶構造中で、砒素−酸素四面体、リチウム−酸
素四面体は結晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配向してい
る。得られた粉末を用いて赤外線集光加熱炉によって透
明の結晶を得た。この結晶を用いて、２次電気光学定数
を測定したところ、１．５×１０−１６ ｍ／Ｖ２ で
あった。
リチウム（Ｌｉ２ ＣＯ３ 、純度９９．９％）を１：
３のモル比で十分に混合し、大気中、６００℃で５時間
焼成することにより、白色の粉末を得た。得られた粉末
は、Ｘ線回折分析によりＬｉ３ ＡｓＯ４ の対称心の
ない結晶であることを確認した。この結晶も実施例１と
同様、結晶構造中で、砒素−酸素四面体、リチウム−酸
素四面体は結晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配向してい
る。得られた粉末を用いて赤外線集光加熱炉によって透
明の結晶を得た。この結晶を用いて、２次電気光学定数
を測定したところ、１．５×１０−１６ ｍ／Ｖ２ で
あった。
【００２１】実施例３
酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２ 、純度９９．９９％）、
酸化マグネシウム（ＭｇＯ、純度９９．９％）、炭酸リ
チウム（Ｌｉ２ ＣＯ３、純度９９．９９％）を１：１
：１のモル比で十分に混合し、大気中、９００℃で焼成
し、更に続けて６００℃で焼成した。これにより得られ
たゲルマン酸リチウムマグネシウム（Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ
４ ）の結晶も、実施例１と同様、結晶構造中でゲルマ
ニウム−酸素四面体、マグネシウム−酸素四面体、リチ
ウム−酸素四面体は結晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配
向している。得られた粉末を用いて赤外線集光加熱炉に
よって透明の結晶を得た。この結晶を用いて、２次電気
光学定数を測定したところ、１×１０−１６ ｍ／Ｖ２
であった。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ、純度９９．９％）、炭酸リ
チウム（Ｌｉ２ ＣＯ３、純度９９．９９％）を１：１
：１のモル比で十分に混合し、大気中、９００℃で焼成
し、更に続けて６００℃で焼成した。これにより得られ
たゲルマン酸リチウムマグネシウム（Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ
４ ）の結晶も、実施例１と同様、結晶構造中でゲルマ
ニウム−酸素四面体、マグネシウム−酸素四面体、リチ
ウム−酸素四面体は結晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配
向している。得られた粉末を用いて赤外線集光加熱炉に
よって透明の結晶を得た。この結晶を用いて、２次電気
光学定数を測定したところ、１×１０−１６ ｍ／Ｖ２
であった。
【００２２】実施例４
酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２ 、純度９９．９９％）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ、純度９９．９％）、炭酸リチウム（
Ｌｉ２ ＣＯ３ 、純度９９．９９％）を１：１：１の
モル比で十分に混合し、大気中、９００℃で焼成し、更
に続けて６００℃で焼成した。これにより得られた、ゲ
ルマン酸リチウム亜鉛（Ｌｉ２ ＺｎＧｅＯ４ ）の結
晶も、実施例１と同様、結晶構造中でゲルマニウム−酸
素四面体、亜鉛−酸素四面体、リチウム−酸素四面体は
結晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配向している。得られ
た粉末を用いて赤外線集光加熱炉によって透明の結晶を
得た。この結晶を用いて、２次電気光学定数を測定した
ところ、１．２×１０−１６ ｍ／Ｖ２ であった。
酸化亜鉛（ＺｎＯ、純度９９．９％）、炭酸リチウム（
Ｌｉ２ ＣＯ３ 、純度９９．９９％）を１：１：１の
モル比で十分に混合し、大気中、９００℃で焼成し、更
に続けて６００℃で焼成した。これにより得られた、ゲ
ルマン酸リチウム亜鉛（Ｌｉ２ ＺｎＧｅＯ４ ）の結
晶も、実施例１と同様、結晶構造中でゲルマニウム−酸
素四面体、亜鉛−酸素四面体、リチウム−酸素四面体は
結晶軸のＣ軸方向に頂点を向けて配向している。得られ
た粉末を用いて赤外線集光加熱炉によって透明の結晶を
得た。この結晶を用いて、２次電気光学定数を測定した
ところ、１．２×１０−１６ ｍ／Ｖ２ であった。
【００２３】実施例５
酸化ケイ素（ＳｉＯ２ 、純度９９．９％）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ、純度９９．９％）、炭酸リチウム（Ｌｉ２
ＣＯ３ 、純度９９．９９％）を１：１：１のモル比で
十分に混合し、大気中、１０００℃で焼成し、更に続け
て６００℃で焼成した。これにより得られた、ケイ酸リ
チウム亜鉛（Ｌｉ２ ＺｎＳｉＯ４ ）の結晶も、実施
例１と同様、結晶構造中でケイ素−酸素四面体、亜鉛−
酸素四面体、リチウム−酸素四面体は結晶軸のＣ軸方向
に頂点を向けて配向している。得られた粉末を用いて赤
外線集光加熱炉によって透明の結晶を得た。この結晶を
用いて、２次電気光学定数を測定したところ、１．８×
１０−１６ ｍ／Ｖ２ であった。
（ＺｎＯ、純度９９．９％）、炭酸リチウム（Ｌｉ２
ＣＯ３ 、純度９９．９９％）を１：１：１のモル比で
十分に混合し、大気中、１０００℃で焼成し、更に続け
て６００℃で焼成した。これにより得られた、ケイ酸リ
チウム亜鉛（Ｌｉ２ ＺｎＳｉＯ４ ）の結晶も、実施
例１と同様、結晶構造中でケイ素−酸素四面体、亜鉛−
酸素四面体、リチウム−酸素四面体は結晶軸のＣ軸方向
に頂点を向けて配向している。得られた粉末を用いて赤
外線集光加熱炉によって透明の結晶を得た。この結晶を
用いて、２次電気光学定数を測定したところ、１．８×
１０−１６ ｍ／Ｖ２ であった。
【００２４】実施例６
酸化ケイ素（ＳｉＯ２ 、純度９９．９％）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ、純度９９．９％）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２
ＣＯ３ 、純度９９．９９％）を１：１：１のモル比
で十分に混合し、大気中、１０００℃で焼成し、更に続
けて６００℃で焼成した。これにより得られた、ケイ酸
ナトリウム亜鉛（Ｎａ２ ＺｎＳｉＯ４ ）の結晶も、
実施例１と同様、結晶構造中でケイ素−酸素四面体、亜
鉛−酸素四面体、ナトリウム−酸素四面体は結晶軸のＣ
軸方向に頂点を向けて配向している。得られた粉末を用
いて赤外線集光加熱炉によって透明の結晶を得た。この
結晶を用いて、２次電気光学定数を測定したところ、１
．５×１０−１６ ｍ／Ｖ２ であった。
（ＺｎＯ、純度９９．９％）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２
ＣＯ３ 、純度９９．９９％）を１：１：１のモル比
で十分に混合し、大気中、１０００℃で焼成し、更に続
けて６００℃で焼成した。これにより得られた、ケイ酸
ナトリウム亜鉛（Ｎａ２ ＺｎＳｉＯ４ ）の結晶も、
実施例１と同様、結晶構造中でケイ素−酸素四面体、亜
鉛−酸素四面体、ナトリウム−酸素四面体は結晶軸のＣ
軸方向に頂点を向けて配向している。得られた粉末を用
いて赤外線集光加熱炉によって透明の結晶を得た。この
結晶を用いて、２次電気光学定数を測定したところ、１
．５×１０−１６ ｍ／Ｖ２ であった。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の電気光学結
晶材料によれば、著しく良好な電気光学特性を示す電気
光学結晶材料が提供される。本発明の電気光学結晶材料
は、誘電体材料等の各種電気光学材料等として、工業的
に極めて有用である。
晶材料によれば、著しく良好な電気光学特性を示す電気
光学結晶材料が提供される。本発明の電気光学結晶材料
は、誘電体材料等の各種電気光学材料等として、工業的
に極めて有用である。
【図１】第１図は本発明の電気光学結晶材料に係る元素
−酸素四面体構造の元素配置を説明する模式図である。
−酸素四面体構造の元素配置を説明する模式図である。
【図２】第２図は実施例１で得られたバナジン酸リチウ
ムのＸ線回折チャートを示す図である。
ムのＸ線回折チャートを示す図である。
１ 酸素原子
２ 元素Ｍａ
３ 元素Ｍｂ
Claims (8)
- 【請求項１】 元素Ｍが４個の酸素により配位された
Ｍ−酸素四面体を含み、該Ｍ−酸素四面体が一方向に配
向した構造を有する無機酸化物の結晶よりなる電気光学
結晶材料であって、該元素Ｍは、元素Ｍａと元素Ｍｂと
よりなり、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、ＩＩａ族及びＩ
Ｉｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、
元素ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びＩＶｂ族よりなる群から
選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする電気光
学結晶材料。 - 【請求項２】 無機酸化物の結晶が、Ｍ−酸素四配位
構造のみで構成されることを特徴とする請求項１に記載
の電気光学結晶材料。 - 【請求項３】 元素ＭａがＬｉ、Ｎａ、Ｚｎ及びＭｇ
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂがＶ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧｅよりなる群から選ばれ
る少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の電気光学結晶材料。 - 【請求項４】 元素ＭａがＬｉ又はＮａであり、元素
ＭｂがＶであることを特徴とする請求項３に記載の電気
光学結晶材料。 - 【請求項５】 無機酸化物が、一般式Ｍａ３ ＭｂＯ
４ （元素ＭａはＩａ族及びＩｂ族よりなる群から選ば
れる少なくとも１種であり、元素ＭｂはＶａ族及びＶｂ
族よりなる群から選ばれる少なくとも１種）で表される
化合物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
電気光学結晶材料。 - 【請求項６】 元素ＭａがＬｉ又はＮａであり、元素
ＭｂがＰ又はＡｓであることを特徴とする請求項５に記
載の電気光学結晶材料。 - 【請求項７】 元素Ｍａは元素Ｍｃと元素Ｍｄとから
なり、無機酸化物が、一般式Ｍｃ２ ＭｄＭｂＯ４ （
元素ＭｃはＩａ族及びＩｂ族よりなる群から選ばれる少
なくとも１種であり、元素ＭｄはＩＩａ族及びＩＩｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍ
ｂはＩＶｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種）
で表される化合物であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の電気光学結晶材料。 - 【請求項８】 元素ＭｃがＬｉ又はＮａであり、元素
ＭｄがＺｎ又はＭｇであり、元素ＭｂがＳｉ又はＧｅで
あることを特徴とする請求項７に記載の電気光学結晶材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195291A JPH04296715A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 電気光学結晶材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195291A JPH04296715A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 電気光学結晶材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296715A true JPH04296715A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=13186042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6195291A Pending JPH04296715A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | 電気光学結晶材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04296715A (ja) |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP6195291A patent/JPH04296715A/ja active Pending
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