JPH04292420A - 超伝導性化合物及びその調製方法 - Google Patents
超伝導性化合物及びその調製方法Info
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- JPH04292420A JPH04292420A JP3264982A JP26498291A JPH04292420A JP H04292420 A JPH04292420 A JP H04292420A JP 3264982 A JP3264982 A JP 3264982A JP 26498291 A JP26498291 A JP 26498291A JP H04292420 A JPH04292420 A JP H04292420A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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-
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビスマス、ストロンチ
ウム、カルシウム及び銅を酸化物形態で含有する黒色の
結晶性組成物の調製並びに80°K以上の臨界温度を有
する新規な超伝導体に関する。
ウム、カルシウム及び銅を酸化物形態で含有する黒色の
結晶性組成物の調製並びに80°K以上の臨界温度を有
する新規な超伝導体に関する。
【0002】
【従来の技術】金属のビスマス、ストロンチウム、カル
シウム及び銅から形成される超伝導性酸化物セラミック
化合物の群には、本質的に三種の代表的化合物が知られ
ており、適宜研究されてきた。これらの化合物は、11
0°Kの臨界温度を有する三層化合物として知られるB
i2Sr2Ca2Cu3O12−x化合物(前田(H.
Maeda)等、J.Appl.Phys.27(19
88)L209)、92°Kの臨界温度を有するBi2
Sr2CaCu2O10−δ化合物(例えば、サブラマ
ニアン(M.A.Subramanian)等、Sci
ence 239,1988,第1015頁を参照の
こと)及び約75°Kの臨界温度を有するBi2(Sr
,Ca)2CuO8−δ化合物(“1−層化合物”)(
例えばフオンシユネリンク(von Schnerin
g)等、Angewandte Chemie 第1
00巻、1988年、第604頁を参照のこと)である
。
シウム及び銅から形成される超伝導性酸化物セラミック
化合物の群には、本質的に三種の代表的化合物が知られ
ており、適宜研究されてきた。これらの化合物は、11
0°Kの臨界温度を有する三層化合物として知られるB
i2Sr2Ca2Cu3O12−x化合物(前田(H.
Maeda)等、J.Appl.Phys.27(19
88)L209)、92°Kの臨界温度を有するBi2
Sr2CaCu2O10−δ化合物(例えば、サブラマ
ニアン(M.A.Subramanian)等、Sci
ence 239,1988,第1015頁を参照の
こと)及び約75°Kの臨界温度を有するBi2(Sr
,Ca)2CuO8−δ化合物(“1−層化合物”)(
例えばフオンシユネリンク(von Schnerin
g)等、Angewandte Chemie 第1
00巻、1988年、第604頁を参照のこと)である
。
【0003】液体窒素温度以上の用途にこれまで適当と
される化合物は、前述の初めの二化合物のみであった。 他方、これらの化合物を広範な短期間用途に用いる際に
は幾つかの好ましくない特性がある。すなわち、3−層
化合物の相的に純粋な材料を高密度で製造することが、
これまで可能でなかった。2−層化合物を高密度で調製
するのは、極めて高温(約1100℃)での溶融合成を
介してのみ可能である。ボック(J.Bock)及びプ
レイスラー(E.Preissler)、Procee
ding of MRS Conference 19
89、Spring Meeting サンジエゴ、
1989年4月を参照されたい。
される化合物は、前述の初めの二化合物のみであった。 他方、これらの化合物を広範な短期間用途に用いる際に
は幾つかの好ましくない特性がある。すなわち、3−層
化合物の相的に純粋な材料を高密度で製造することが、
これまで可能でなかった。2−層化合物を高密度で調製
するのは、極めて高温(約1100℃)での溶融合成を
介してのみ可能である。ボック(J.Bock)及びプ
レイスラー(E.Preissler)、Procee
ding of MRS Conference 19
89、Spring Meeting サンジエゴ、
1989年4月を参照されたい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、液体窒素温度(77°K)以上の臨界温度を有し、
比較的低温で高い密度で得ることができる更なる材料を
提供することである。
は、液体窒素温度(77°K)以上の臨界温度を有し、
比較的低温で高い密度で得ることができる更なる材料を
提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】ビスマス、ストロンチウ
ム、カルシウム及び銅の酸化物から構成され、80°K
以上の臨界温度を有する新規な超伝導相を含有する組成
物の調製法が知見されたのである。この方法は、Bi4
(Sr,Ca)yCuzOd(式中、yは4乃至6、z
は2乃至3、Sr/Ca原子比は1:1乃至10:1)
なる実験式組成を有する酸化物の混合物を調製すること
、この混合物を加熱して溶融物にすること、この溶融物
を固化させること、及び5乃至15容積%の酸素を含ん
で残りが不活性ガスである雰囲気中で、この固化された
溶融物を750℃以上かつ融点未満の温度で熱処理する
こと並びにそれを室温まで冷却することからなる。この
ようにして黒色の結晶性組成物が得られる。
ム、カルシウム及び銅の酸化物から構成され、80°K
以上の臨界温度を有する新規な超伝導相を含有する組成
物の調製法が知見されたのである。この方法は、Bi4
(Sr,Ca)yCuzOd(式中、yは4乃至6、z
は2乃至3、Sr/Ca原子比は1:1乃至10:1)
なる実験式組成を有する酸化物の混合物を調製すること
、この混合物を加熱して溶融物にすること、この溶融物
を固化させること、及び5乃至15容積%の酸素を含ん
で残りが不活性ガスである雰囲気中で、この固化された
溶融物を750℃以上かつ融点未満の温度で熱処理する
こと並びにそれを室温まで冷却することからなる。この
ようにして黒色の結晶性組成物が得られる。
【0006】酸化物の価数はあまり重要でない。例えば
、Bi2O3やBi2O4、Cu2OやCuOを使用す
ることができる。指数dは使用する酸化物の酸素含量か
ら計算される。
、Bi2O3やBi2O4、Cu2OやCuOを使用す
ることができる。指数dは使用する酸化物の酸素含量か
ら計算される。
【0007】O2の容積割合が8乃至12%、特に9乃
至11%の雰囲気が好適である。しかしながら、不活性
ガスはアルゴン等の希ガスであることが好ましい。
至11%の雰囲気が好適である。しかしながら、不活性
ガスはアルゴン等の希ガスであることが好ましい。
【0008】この黒色の超伝導性組成物の実験式組成は
、(酸素含量を除き)出発混合物のそれに相当する。 この黒色の超伝導性組成物は、Bi4(Sr,Ca)y
CuzOd(式中、z=2−3、y=4−6、Sr/C
a=1:1乃至10:1)なる実験式組成を有する。
、(酸素含量を除き)出発混合物のそれに相当する。 この黒色の超伝導性組成物は、Bi4(Sr,Ca)y
CuzOd(式中、z=2−3、y=4−6、Sr/C
a=1:1乃至10:1)なる実験式組成を有する。
【0009】得られる黒色組成物中に存在する新規な超
伝導相は、Bi4+x(Sr,Ca)2−xCuzOe
なる一般式を有し、式中のxは0乃至0.6、特に0.
3乃至0.5であり、結晶学的基本格子(crysta
llographic elementary cel
l)の寸法はa=5.4Å、b=5.39Å、c=27
.4Åであり、Sr/Ca原子比は1:1乃至10:1
、特に2:1乃至4:1であり、超伝導性臨界温度は8
0°K以上である。酸素含量に関する指数eは多分に1
4乃至16である。
伝導相は、Bi4+x(Sr,Ca)2−xCuzOe
なる一般式を有し、式中のxは0乃至0.6、特に0.
3乃至0.5であり、結晶学的基本格子(crysta
llographic elementary cel
l)の寸法はa=5.4Å、b=5.39Å、c=27
.4Åであり、Sr/Ca原子比は1:1乃至10:1
、特に2:1乃至4:1であり、超伝導性臨界温度は8
0°K以上である。酸素含量に関する指数eは多分に1
4乃至16である。
【0010】この新規な超伝導相は、約12Å(=1.
2 nm)及び約15Å(=1.5 nm)の間隔を有
する本質的に交互に配列する層が存在する相である。二
重層間隔全体の75%以上が27.4Å(=2.74
nm)である。層間隔1.5 nmの個々の層/層間隔
1.2 nmの個々の相の数の比は0.95乃至1.0
5の範囲にある。
2 nm)及び約15Å(=1.5 nm)の間隔を有
する本質的に交互に配列する層が存在する相である。二
重層間隔全体の75%以上が27.4Å(=2.74
nm)である。層間隔1.5 nmの個々の層/層間隔
1.2 nmの個々の相の数の比は0.95乃至1.0
5の範囲にある。
【0011】この新規な層の理想組成Bi4Sr4Ca
Cu3O14+x(すなわち、Sr:Ca=4:1)に
おける構造を図1に示す。領域Aは1−層化合物の基本
構造を有する。領域B1+B2は合体して2−層化合物
の層(B)を形成する。AとBは交互に配列される。
Cu3O14+x(すなわち、Sr:Ca=4:1)に
おける構造を図1に示す。領域Aは1−層化合物の基本
構造を有する。領域B1+B2は合体して2−層化合物
の層(B)を形成する。AとBは交互に配列される。
【0012】基本格子中でaはおよそbに相当するので
、およそ正方晶の形状が存在する。他の酸化物セラミッ
クビスマス含有超伝導体では、例えば1−層化合物の場
合と同様に、その結晶学的基本格子はおそらく斜方晶で
あろう。
、およそ正方晶の形状が存在する。他の酸化物セラミッ
クビスマス含有超伝導体では、例えば1−層化合物の場
合と同様に、その結晶学的基本格子はおそらく斜方晶で
あろう。
【0013】出発混合物がBi2Sr1.3Ca0.7
CuO約6なる実験式組成を有するならば、約60重量
%という特に高い割合の新規な超伝導相が得られる。
CuO約6なる実験式組成を有するならば、約60重量
%という特に高い割合の新規な超伝導相が得られる。
【0014】溶融対象の酸化物の混合物は、酸化物前駆
体すなわち加熱して酸化物に転化される化合物を含む出
発混合物から調製することができる。酸化物前駆体は、
例えば、前記金属の炭酸塩、硝酸塩、水酸化物及びシユ
ウ酸塩である。この出発混合物はガスを放出するので、
徐々に加熱した後、酸化物が遊離するまで700乃至8
00℃で6時間以上加熱すると有利である。880℃以
上に加熱して全バッチが融解したことを確認しなければ
ならない。 1000℃を超えて加熱すると、酸化銅の揮発性が益々
増大するので有利とはならない。冷却方法はそう重要で
ないと思われる。冷基材上に注いで急速冷却しても、炉
内で徐冷しても似たような結果をもたらすからである。 750℃乃至融点の温度、例えば約880℃での熱処理
時間は1時間以上、特に4時間以上であることが好まし
く、8時間以上であると特に好ましい。大物体の場合に
は、酸素の分布(拡散律速)に長い時間を要する。
体すなわち加熱して酸化物に転化される化合物を含む出
発混合物から調製することができる。酸化物前駆体は、
例えば、前記金属の炭酸塩、硝酸塩、水酸化物及びシユ
ウ酸塩である。この出発混合物はガスを放出するので、
徐々に加熱した後、酸化物が遊離するまで700乃至8
00℃で6時間以上加熱すると有利である。880℃以
上に加熱して全バッチが融解したことを確認しなければ
ならない。 1000℃を超えて加熱すると、酸化銅の揮発性が益々
増大するので有利とはならない。冷却方法はそう重要で
ないと思われる。冷基材上に注いで急速冷却しても、炉
内で徐冷しても似たような結果をもたらすからである。 750℃乃至融点の温度、例えば約880℃での熱処理
時間は1時間以上、特に4時間以上であることが好まし
く、8時間以上であると特に好ましい。大物体の場合に
は、酸素の分布(拡散律速)に長い時間を要する。
【0015】この新規な超伝導相は、結晶学的観点から
、1−層化合物の結晶学的半格子(crystallo
graphic half−cell)と2−層化合物
の結晶学的半格子との組合わせであると見なすことがで
きる(各ケース共、c軸の方向に認められる)。TEM
観察から、001方向の最小繰り返し単位の長さは約2
.7 nmであることが分かる。これは、1−層化合物
のc/2と2−層化合物のc/2との合計に相当する。 これらの観察は、この新規な相が「11/2−層化合物
」と見なせることを裏付けている。
、1−層化合物の結晶学的半格子(crystallo
graphic half−cell)と2−層化合物
の結晶学的半格子との組合わせであると見なすことがで
きる(各ケース共、c軸の方向に認められる)。TEM
観察から、001方向の最小繰り返し単位の長さは約2
.7 nmであることが分かる。これは、1−層化合物
のc/2と2−層化合物のc/2との合計に相当する。 これらの観察は、この新規な相が「11/2−層化合物
」と見なせることを裏付けている。
【0016】溶融・再固化したが酸素の存在下で後処理
せず、従って超伝導性でない試料のTEM写真には、こ
の新規化合物の存在を示すものは見出されない。(TE
M=高解像度透過型電子顕微鏡、Angew.Chem
ie 1988,618を参照のこと)バッチを溶融す
る際のるつぼ材料、鋳造金属を固化するための基材及び
熱処理に使用する容器には、全て化学的に不活性な材料
を使用すべきである。 好適なるつぼ材料は、例えば、銀、酸化マグネシウム、
チタン酸ストロンチウム、銅、酸化ジルコニウム、酸化
錫及びインジウム酸ストロンチウムである。酸化アルミ
ニウム製のるつぼでは、X−線分析で汚染物として検出
されるアルミン酸塩が溶融物中に生成する。約880℃
を超えた温度で存在する溶融物は低粘度であって、例え
ば銅又はセラム(商標)板上に問題なく注ぐことができ
る。溶融温度での最小滞留時間は10分であることが好
ましい。
せず、従って超伝導性でない試料のTEM写真には、こ
の新規化合物の存在を示すものは見出されない。(TE
M=高解像度透過型電子顕微鏡、Angew.Chem
ie 1988,618を参照のこと)バッチを溶融す
る際のるつぼ材料、鋳造金属を固化するための基材及び
熱処理に使用する容器には、全て化学的に不活性な材料
を使用すべきである。 好適なるつぼ材料は、例えば、銀、酸化マグネシウム、
チタン酸ストロンチウム、銅、酸化ジルコニウム、酸化
錫及びインジウム酸ストロンチウムである。酸化アルミ
ニウム製のるつぼでは、X−線分析で汚染物として検出
されるアルミン酸塩が溶融物中に生成する。約880℃
を超えた温度で存在する溶融物は低粘度であって、例え
ば銅又はセラム(商標)板上に問題なく注ぐことができ
る。溶融温度での最小滞留時間は10分であることが好
ましい。
【0017】X−線分析によれば、Bi4(Sr,Ca
)5Cu3O約14なる実験式組成のバッチは、(更な
る処理後に)新規相と並んで微量の2−層化合物を有す
る。Bi2(Sr,Ca)5CuO約9なる実験式組成
のバッチは、(更なる処理後に)1−層化合物が混入し
た新規な相を与える。
)5Cu3O約14なる実験式組成のバッチは、(更な
る処理後に)新規相と並んで微量の2−層化合物を有す
る。Bi2(Sr,Ca)5CuO約9なる実験式組成
のバッチは、(更なる処理後に)1−層化合物が混入し
た新規な相を与える。
【0018】低O2含量(残りは不活性ガス)混合ガス
の存在下で後処理する間に、新規な超伝導性化合物/相
が形成され、それと同時に超伝導性に必要な酸素含量に
なる。後処理を空気中で行うと2−層化合物の形成が促
進され、新規な11/2−層化合物は観察されない。酸
素の非存在下、例えば純アルゴン下では、この新規相は
形成されない。主に低酸素分圧下(A2/O2=9:1
)で2−層化合物を伴わずに新規な相が形成される。(
既知の)1−層化合物だけは11/2−層化合物と共に
検出される。
の存在下で後処理する間に、新規な超伝導性化合物/相
が形成され、それと同時に超伝導性に必要な酸素含量に
なる。後処理を空気中で行うと2−層化合物の形成が促
進され、新規な11/2−層化合物は観察されない。酸
素の非存在下、例えば純アルゴン下では、この新規相は
形成されない。主に低酸素分圧下(A2/O2=9:1
)で2−層化合物を伴わずに新規な相が形成される。(
既知の)1−層化合物だけは11/2−層化合物と共に
検出される。
【0019】この新規な層は、既知の2−層化合物とお
よそ同一の電流担持容量(currentcarryi
ng capacity)及び臨界温度を有する。しか
しながら、その調製にはより低い溶融温度を必要とする
。
よそ同一の電流担持容量(currentcarryi
ng capacity)及び臨界温度を有する。しか
しながら、その調製にはより低い溶融温度を必要とする
。
【0020】溶融物マット(melt regulus
、固化した溶融物)の結晶化度は、反応温度が高いほど
、時間が長いほど促進される。1−層化合物は常に検出
することができる。新規相の割合のX−回折図の強度変
化及びピークの広がりにより認めることができる。これ
を図2に示す。
、固化した溶融物)の結晶化度は、反応温度が高いほど
、時間が長いほど促進される。1−層化合物は常に検出
することができる。新規相の割合のX−回折図の強度変
化及びピークの広がりにより認めることができる。これ
を図2に示す。
【0021】加熱処理された試料の冷却は、徐々に、特
に100°K/時の速度で室温まで行なうと有利である
。
に100°K/時の速度で室温まで行なうと有利である
。
【0022】本発明を以下の実施例で更に詳しく説明す
る。
る。
【0023】
【実施例1】金属比としてBi2Sr1.3Ca0.7
CuOとなるように秤量し、そしてBi2O3、SrC
O3、CaO及びCuOの混合物をメノウ乳鉢内で緊密
に混合した。この粉末をAr:O2 9:1の混合ガ
ス下、4時間にわたり室温から900℃に加熱し、この
温度に20分間維持した後、炉から取り出して切れ込み
を備えた銅ブロックに注ぎ込んだ。X−線分析によると
1−層化合物が専ら存在していた(図3)。スクイド(
超伝導量子干渉計、SQUID)測定によると、弱い常
磁性が存在した。
CuOとなるように秤量し、そしてBi2O3、SrC
O3、CaO及びCuOの混合物をメノウ乳鉢内で緊密
に混合した。この粉末をAr:O2 9:1の混合ガ
ス下、4時間にわたり室温から900℃に加熱し、この
温度に20分間維持した後、炉から取り出して切れ込み
を備えた銅ブロックに注ぎ込んだ。X−線分析によると
1−層化合物が専ら存在していた(図3)。スクイド(
超伝導量子干渉計、SQUID)測定によると、弱い常
磁性が存在した。
【0024】この固化された溶融物マットを同じ混合ガ
ス中で4時間にわたって820℃に加熱し、この温度に
12時間維持し、4時間にわたって600℃に冷却した
後、炉から取り出した。X−線回析図(図4)は相変わ
らず1−層化合物の特性像を示したが、強度比とピーク
形状は著しく変化した。磁気測定(スクイド)によると
、臨界温度は88°Kであり、超伝導性容積比(マイス
ナー効果)は実質的に20%であった(図5)。
ス中で4時間にわたって820℃に加熱し、この温度に
12時間維持し、4時間にわたって600℃に冷却した
後、炉から取り出した。X−線回析図(図4)は相変わ
らず1−層化合物の特性像を示したが、強度比とピーク
形状は著しく変化した。磁気測定(スクイド)によると
、臨界温度は88°Kであり、超伝導性容積比(マイス
ナー効果)は実質的に20%であった(図5)。
【0025】
【実施例2】空気雰囲気下であったことを除き実施例1
と同様に調製した試料(溶融物マット)を再度 9:
1のAr:O2混合ガス下で加熱処理に付した。4時間
にわたり820℃に加熱した後、試料をこの温度に更に
4時間維持し、20時間にわたって室温まで冷却した。 本試料をスクイド測定した結果、マイスナー含量は17
%であった(図6)。臨界温度Tcは86°Kであった
(伝導度測定に関しては図7を参照されたい)。78°
Kでは試料の抵抗は観察されなかった。この試料は4K
/Oガウスで約9000A/cm2であった。図8は、
外部印加磁界に対する臨界電流密度の関係を示す。
と同様に調製した試料(溶融物マット)を再度 9:
1のAr:O2混合ガス下で加熱処理に付した。4時間
にわたり820℃に加熱した後、試料をこの温度に更に
4時間維持し、20時間にわたって室温まで冷却した。 本試料をスクイド測定した結果、マイスナー含量は17
%であった(図6)。臨界温度Tcは86°Kであった
(伝導度測定に関しては図7を参照されたい)。78°
Kでは試料の抵抗は観察されなかった。この試料は4K
/Oガウスで約9000A/cm2であった。図8は、
外部印加磁界に対する臨界電流密度の関係を示す。
【0026】
【実施例3】実施例1と同様な出発混合物を空気雰囲下
で1時間にわたり900℃まで加熱し、この温度に5分
間維持した後、40時間にわたって700℃まで冷却し
た。実施例1で述べた混合ガス下に後処理を行うと、臨
界温度90°K及びマイスナー含量40%の生成物が得
られた。図9はスクイド測定の結果を示す。
で1時間にわたり900℃まで加熱し、この温度に5分
間維持した後、40時間にわたって700℃まで冷却し
た。実施例1で述べた混合ガス下に後処理を行うと、臨
界温度90°K及びマイスナー含量40%の生成物が得
られた。図9はスクイド測定の結果を示す。
【0027】
【実施例4】同様に調製し、加熱後処理前に唯の4時間
で700℃に冷却した試料は、加熱後処理後に同じX−
線回析図を示し、Tc 88°Kにおけるマイスナー
含量は16%であった(スクイド測定)。本試料のST
EM写真は、大領域の新規相と共に1−層化合物の領域
を示した(図10)。この方法では、その他の相は知見
されなかった。Bi原子のみを示す。相面する層(例え
ば、図1の領域B2内のBiO2及び隣接する領域A内
のBiO2)は分解されず、黒い線となっている。2本
の密接に隣接する線間の白い領域は図1の領域Aに相当
し、2本の広目の間隔をあけた線間の白い領域は図1の
層Bに相当する。
で700℃に冷却した試料は、加熱後処理後に同じX−
線回析図を示し、Tc 88°Kにおけるマイスナー
含量は16%であった(スクイド測定)。本試料のST
EM写真は、大領域の新規相と共に1−層化合物の領域
を示した(図10)。この方法では、その他の相は知見
されなかった。Bi原子のみを示す。相面する層(例え
ば、図1の領域B2内のBiO2及び隣接する領域A内
のBiO2)は分解されず、黒い線となっている。2本
の密接に隣接する線間の白い領域は図1の領域Aに相当
し、2本の広目の間隔をあけた線間の白い領域は図1の
層Bに相当する。
【0028】
【実施例5】実施例1で述べた出発配合物をBi4Sr
3Ca2Cu3O14の実験式比で混合し、乳鉢で粉砕
して実施例1と同様に融解した。Ar:O2後処理は以
下の通りであった。すなわち、1時間にわたって820
℃に加熱し、この温度に12時間維持した後、6時間に
わたって室温まで冷却した。X−線分析により、主相の
1−層化合物に加えて小割合の2−層化合物も検出する
ことができた(図11)。スクイド測定によると、Tc
は87°K、マイスナー含量は20%であり、遮蔽(s
hielding)含量は65%であった(図12)。
3Ca2Cu3O14の実験式比で混合し、乳鉢で粉砕
して実施例1と同様に融解した。Ar:O2後処理は以
下の通りであった。すなわち、1時間にわたって820
℃に加熱し、この温度に12時間維持した後、6時間に
わたって室温まで冷却した。X−線分析により、主相の
1−層化合物に加えて小割合の2−層化合物も検出する
ことができた(図11)。スクイド測定によると、Tc
は87°K、マイスナー含量は20%であり、遮蔽(s
hielding)含量は65%であった(図12)。
【図1】新規な相の理想組成Bi4Sr4CaCu3O
14+xの構造を示す図である。
14+xの構造を示す図である。
【図2】新規な相を含む組成物のX−線回析図である。
【図3】実施例1組成物のX−線回析図である。
【図4】実施例1組成物の再加熱後のX−線回析図であ
る。
る。
【図5】実施例1組成物の再加熱後の温度−磁化率を示
す図である。
す図である。
【図6】実施例2組成物の温度−磁化率を示す図である
。
。
【図7】実施例2組成物の温度−比抵抗を示す図である
。
。
【図8】実施例2組成物の外部印加磁界−電流密度を示
す図である。
す図である。
【図9】実施例3組成物の温度−磁化率を示す図である
。
。
【図10】実施例4組成物のSTEM写真である。
【図11】実施例5組成物のX−線回析図である。
【図12】実施例5組成物の温度−磁化率を示す図であ
る。
る。
Claims (9)
- 【請求項1】 Bi4(Sr,Ca)yCuzOd(
式中、zは2−3、yは4−6であり、Sr/Caは1
:1乃至10:1である)なる実験式組成を有し、Bi
4+x(Sr,Ca)5−xCu3O14+α(式中、
xは0乃至0.6、特に0.1乃至0.4である)なる
式の超伝導相を10重量%以上含有し、かつ、a=5.
4Å、b=5.39Å、C=27.4Åなる寸法の結晶
学的基本格子、1:1乃至10:1のSr/Ca原子比
及び80°K以上の超伝導性臨界温度を有する黒色の超
伝導性組成物。 - 【請求項2】 Bi4+X(Sr,Ca)5−XCu
3O14+δ(式中、xは0乃至0.7、特に0.1乃
至0.4である)なる式の黒色の超伝導性化合物であっ
て、a=5.4Å、b=5.39Å、C=27.4Åな
る寸法の結晶学的基本格子及び1:1乃至10:1、特
に2:1乃至4:1のSr/Ca原子比及び80°K以
上の超伝導性の臨界温度を有する黒色の超伝導性化合物
。 - 【請求項3】 12Å及び15Åの間隔で本質的に交
互に配列した層が存在する請求項2の化合物。 - 【請求項4】 Bi、Sr、Ca及びCuの酸化物を
加熱して次に酸素で処理することにより請求項1の超伝
導性組成物を調製する方法であって、Bi4(Sr,C
a)yCuzOd(式中、yは4−6、zは2−3であ
り、Sr/Caは1:1乃至10:1である)に相当す
る実験式組成を有する酸化物の混合物を溶融すること、
該溶融物を固化させること、その固化された溶融物を5
乃至15容量%のO2、特に9乃至12容量%のO2を
含み、残りが不活性ガスである雰囲気内で750℃以上
かつ約880℃の融点より低い温度に1時間以上維持す
ること及びその後に室温まで冷却することからなる方法
。 - 【請求項5】 750℃以上の温度で4時間以上の時
間にわたり加熱を行う請求項4の方法。 - 【請求項6】 不活性ガス中で加熱した後、室温まで
の冷却を100°K/時以下の速度で行う請求項4の方
法。 - 【請求項7】 加熱により酸化物に転化する化合物を
一種以上含有する出発混合物から加熱により酸化物の混
合物を調製する請求項4の方法。 - 【請求項8】 出発混合物を700−800℃で6時
間以上加熱する請求項7の方法。 - 【請求項9】 100°K/時以下の速度で出発混合
物を室温から700−800℃まで加熱する請求項8の
方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4032539:3 | 1990-10-13 | ||
DE4032539 | 1990-10-13 | ||
DE4109499:9 | 1991-03-22 | ||
DE4109499A DE4109499A1 (de) | 1990-10-13 | 1991-03-22 | Supraleitende verbindung und verfahren zu ihrer herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04292420A true JPH04292420A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=25897685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3264982A Pending JPH04292420A (ja) | 1990-10-13 | 1991-10-14 | 超伝導性化合物及びその調製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0481337A1 (ja) |
JP (1) | JPH04292420A (ja) |
DE (1) | DE4109499A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4234311A1 (de) * | 1992-10-12 | 1994-04-14 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters mit hoher Stromdichte |
DE4234312A1 (de) * | 1992-10-12 | 1994-04-14 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines resistiven Strombegrenzers oder Schaltelementes auf der Basis eines Supraleiters |
DE4302267A1 (de) * | 1993-01-28 | 1994-08-04 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung einer blasenfreien Galvanikschicht aus Silber auf einem Metallsubstrat aus Nickel oder aus einer nickelhaltigen Legierung und Schmelzvorrichtung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910007385B1 (ko) * | 1987-09-21 | 1991-09-25 | 후루가와덴기 고오교오 가부시기가이샤 | 플레이크상 산화물 초전도체 및 그 제조방법 |
ES2067489T5 (es) * | 1988-02-05 | 1998-08-16 | Hoechst Ag | Superconductores y procedimiento para su produccion. |
DE3830092A1 (de) * | 1988-09-03 | 1990-03-15 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung eines hochtemperatursupraleiters sowie daraus bestehende formkoerper |
DE3844207A1 (de) * | 1988-12-29 | 1990-07-05 | Hoechst Ag | Mehrphasiger supraleiter und verfahren zu seiner herstellung |
ES2264648B1 (es) * | 2005-06-24 | 2008-03-16 | Juan Carlos Tortosa Gonzalez | Generador de energia electrica. |
-
1991
- 1991-03-22 DE DE4109499A patent/DE4109499A1/de not_active Withdrawn
- 1991-10-09 EP EP91117168A patent/EP0481337A1/de not_active Withdrawn
- 1991-10-14 JP JP3264982A patent/JPH04292420A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4109499A1 (de) | 1992-04-16 |
EP0481337A1 (de) | 1992-04-22 |
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