JPH04291804A - 一体化された導波管結合器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波装置に関し
、特に高電力マイクロ波装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】当技術において周知のように、ＩＭＰＡ
ＴＴ・ダイオードの如き負性抵抗ダイオードがＤＣ電力
を無線周波電力へ変換する発振器または増幅器としてし
ばしば用いられる。ＩＭＰＡＴＴダイオードは、超高周
波数および比較的高い周波数における超高出力無線周波
電力が要求される無線周波利用装置においてしばしば使
用される。また複数のこのようなＩＭＰＡＴＴダイオー
ドから生じる無線周波信号が高出力の複合出力信号を発
生させるため１つに結合されることがよく知られている
。

【０００３】このような高出力の複合出力信号を生じさ
せるため使用される１つの試みは、共通の共振空胴を使
用して複数のＩＭＰＡＴＴダイオード・ソースを共通の
共振空胴内で１つに結合させることである。１つのこの
ような共振空胴結合器はＫｕｒｏｋａｗａ結合器として
知られている。

【０００４】Ｋｕｒｏｋａｗａ結合器の場合、例えば導
波管の形状の共振空胴は、一般に導波管結合器の対向す
る側壁部上に配置されかつこれを介して結合された複数
対のダイオード要素を有する。

【０００５】上記のＫｕｒｏｋａｗａ結合器の試みは、
多くの用途、例えばこのようなＩＭＰＡＴＴダイオード
がＫｕｒｏｋａｗａ結合器の如き共振空胴において結合
される時、ＩＭＰＡＴＴダイオードが、ダイオードのイ
ンピーダンス特性が適切に共振空胴のインピーダンス特
性と整合される周波数範囲と関連する比較的狭い使用周
波数帯域幅を有するので、許容帯域幅が狭いＲＦ発振器
用途に適している。

【０００６】電力結合技術において公知であり、特に増
幅器用途に適合し得る第２の試みは、複数のハイブリッ
ド結合器、特に「マジックＴ」の使用を含む。周知のよ
うに、マジックＴは、Ｅ面アームとＨ面アーム、および
１対の分岐アームを持つハイブリッドＴである。マジッ
クＴは、Ｈ面アームに入る波動が１対の分岐アームにお
ける同位相の等しい強さの波を励起し、Ｅ面アームに入
る波動が１対の分岐面アームにおける反対の位相の等し
い波を励起するという特性を有する。装置の幾何学的対
称性の故に、Ｅ面アームに入る波はＨ面アームにおける
基本モード波は励起せず、あるいはＨ面アームに入る波
もＥ面アームにおける基本モード波を励起しない。もし
接合のＥ面およびＨ面アームが整合されれば、他の２つ
の分岐アームもまた整合される。整合されたハイブリッ
ドＴは、一般にいわゆる「マジックＴ」と呼ばれる。

【０００７】複数のＩＭＰＡＴＴダイオード・ソースを
結合して例えば増幅器用途における如き複合出力信号を
生じる場合は、マジックＴは上記の共振器に比較して比
較的広い帯域幅を持つことになる。マジックＴの試みで
は、一般に特定の周波数でマイクロ波電力を生じるよう
に適当にバイアスされた負性抵抗特性を呈する各々がＩ
ＭＰＡＴＴダイオードまたは他の適当なデバイスを有す
る１対のＩＭＰＡＴＴダイオード・モジュールが、マジ
ックＴの１対の分岐アームと結合される。Ｅ面およびＨ
面のアームの一方は、結合されたエネルギに対する出力
ポート（一般に、Ｈ面アーム）を提供するため使用され
、Ｅ面およびＨ面アームの他方は、整合インピーダンス
で終端されて後方反射エネルギを排除し整合されたハイ
ブリッドＴを提供する。一般に、マジックＴは、別個の
マイクロ波要素として作られ、２つ以上の複数のダイオ
ードまたは増幅モジュールが１つに結合され、別の各対
のダイオード・モジュールが別の個々のマジックＴを用
いて一つに結合されあるいは組合わされる。２対のダイ
オード・モジュールおよびその関連するマジックＴが更
に別の個々のマジックＴを使用することにより１つに結
合される。後者の個々のマジックＴは、２つの前者のマ
ジックＴ間に介挿されて、１対のダイオード・モジュー
ルが第１の面内にあり、第２の対のダイオード・モジュ
ールが第１の面から３つの個々のマジックＴにより隔て
られる略々平行な第２の異なる面内にある構造を結果と
して得る。別の増幅段が、ＩＭＰＡＴＴダイオード・モ
ジュール対を別の個々のマジックＴを介して次々に１つ
に結合し、このようなマジックＴを更に別の個々のマジ
ックＴにより１つに結合することにより提供される。

【０００８】上記の試みにおける１つの問題は、個々の
マジックＴ構造がしばしば大きくなり製造が高くつくこ
とである。特に、これらの個別マジックＴの大きさは一
般にこのようなデバイスを用いる増幅器または発振器の
全体サイズを増す。ミサイルの能動追跡装置におけるソ
リッドステート・マイクロ波信号ソースとしてのある用
途においては、この信号ソースの大きさおよび荷重は最
小限に抑えねばならない。

【０００９】第２に、それでも時に更に重要な問題は、
高電力用途において、複合増幅器をヒート・シンクを施
してＩＭＰＡＴＴダイオードがその指定された臨界温度
より低い接合温度で動作してダイオードの破壊を防止す
ることを保証することが一般に望ましい。先に述べたデ
スクリート結合器の試みでは、ＩＭＰＡＴＴダイオード
・モジュール対が異なる面のマジックＴと結合されるた
め、このような構成は、ＩＭＰＡＴＴダイオード・モジ
ュール対が異なる面内に配置され各ダイオード・モジュ
ールの各々を経由する熱経路がダイオード・モジュール
対間に配置されたマジックＴを通るため、ダイオード・
モジュールのヒート・シンクを比較的難しくする。

【００１０】従って、ヒート・シンク措置は、ＩＭＰＡ
ＴＴダイオード・モジュールを結合するマジックＴによ
り提供される比較的高質量の熱伝導金属を用いることに
より行われる。しかし、ＩＭＰＡＴＴダイオード・モジ
ュール対間の金属質量を増すことにより、これもまた複
合増幅器の重量および大きさを同時に増す。例えばミサ
イル等に用いられる如き移動レーダの送信機におけるマ
イクロ波電力のソリッドステート源用の如きこのような
複合増幅器に対する多くの用途においては、大きさおよ
び重量のこのような増加は望ましくない。

【００１１】

【発明の概要】本発明によれば、マイクロ波電力結合器
は、その第１の面内に第１の複数の溝が配置された第１
のプレートと、第２の面の第１の面内に第２の複数の溝
が配置された第２のプレートとを含み、前記第２のプレ
ートは前記第１のプレートと係合され、第１のプレート
における前記第１の複数の溝が第２のプレートの第２の
複数の溝と整合状態に配置されて複数の導波管（導波路
）領域を提供する。この導波管領域は更に、集積結合器
構造を形成するように選択的に相互に結合される整合さ
れたハイブリッドＴまたはマジックＴであることが望ま
しい複数のハイブリッドＴを提供するように配置される
。このような構成により、第１および第２の複数の溝を
持つ第１および第２のプレートを提供してこれら溝を一
緒に係合させてその間に導波管領域を形成することによ
り、プレートの第１の面が、複数のＩＭＰＡＴＴダイオ
ード・モジュールを支持するため使用できるが、複合プ
レートの第２の反対面は、ヒート・シンクを支持するこ
とにより複合プレートを介してヒート・シンクに至るダ
イオード・モジュール間の熱経路を提供するため使用す
ることができる。このような構成はまた、従来技術の構
成よりも更にコンパクトである。

【００１２】本発明の別の特徴によれば、プレートは、
その一部を介して前記第１の面内に配置された複数の開
口を持つ第１の面を有し、前記プレートの内部は、通路
の各部がプレートの第１の部分に設けられた開口にわた
り整合され、この通路が前記プレートの内部を通る導波
管経路を提供するよう配置される複数の通路を有する。 このプレートは、種々のマイクロ波要素を取付け可能な
平坦面を提供する。これらの要素は、次に、前記プレー
トにおける通路により提供される導波管経路を介して電
気的に一つに結合される。これら要素を１つの面上に置
くことにより、プレートを介するヒート・シンク作用が
達成でき、更にプレートの反対側面は、プレートと一体
に形成されるか、あるいはプレートの反対面に取付けら
れるヒート・シンク部材を持つことができる。

【００１３】本発明の上記の諸特徴については、本発明
それ自体と共に、図面の以降の詳細な説明から更によく
理解されよう。

【００１４】

【実施例】次に図１において、例えばミサイルあるいは
他の用途におけるソリッドステート送信機を提供する増
幅器１０が、低電力マイクロ波またはＲＦ信号ソース１
１により信号を供給される入力端子１０ａと、Ｒで全体
的に示した整合インピーダンスと接続される入力ポート
（無番号）および出力ポート（無番号）および分離ポー
ト（無番号）を有する第１のアイソレータ１２とを含む
ように示される。アイソレータ１２は、本例では、増幅
器チェーン１０に置かれて増幅器１０の後続段から発振
器１１へのＲＦエネルギの反射を防止する。アイソレー
タ１２は、前置増幅器１４の入力と接続されたポートを
有し、本例ではこの前置増幅器は、アイソレータ１２を
経て前置増幅器１４へ伝播する端子１０ａに与えられた
信号に対する所定量の利得を生じるモノリシック・マイ
クロ波集積回路である。前置増幅器１４の出力から信号
が与えられて、各段間の絶縁を行うため使用される第２
のアイソレータ１６へ進み、このアイソレータ１６の出
力から信号が本例では周波数マルチプライヤ（逓倍器）
１８へ送られる。

【００１５】本例においては、信号源１１ａからの信号
は比較的低いマイクロ波周波数、本例では１１ギガヘル
ツ（ＧＨｚ）であり、本例では１１ＧＨｚに同調された
ＭＭＩＣ前置増幅段１４を経て、本例では４対１の周波
数逓倍器である周波数逓倍器１８へ送られて、その出力
において４４ＧＨｚの周波数の低レベルのマイクロ波信
号を生じる。周波数逓倍器１８からの出力は、図２に関
して更に述べるように、方向性結合器２０を経、更に高
電力ＩＭＰＡＴＴダイオード増幅器２４へ送られる。方
向性結合器２０は、その出力からの信号の比較的小さな
部分をサンプリングして、このサンプルされた信号部分
をダイオード検出器２２へ送る。このダイオード検出器
回路２２は、信号をバイアス制御回路２６へ与え、この
回路は増幅器２４に送られたバイアスを選択的に制御す
るため使用される。増幅器のある実施例においては、増
幅器２４において行われるＩＭＰＡＴＴダイオード増幅
（図示せず）の段が条件的に不安定となり、このため、
その端子２４ａに送られる印加入力ＲＦ信号が存在しな
い時弱く発振する傾向を有する。従って、増幅器２４の
入力２４ａに信号が存在しない場合に増幅器２４に対す
るＤＣバイアス電力を遮断するため、ダイオード検出器
２２およびバイアス制御回路２６を通る経路が提供され
る。送信機１０は更に、図示の如く回路１４、１６、２
４にＤＣ電力を供給するＤＣ電源２８を含む。

【００１６】次に図２において、図１に関して全体的に
述べた、複数の、本例では６個のカスケード増幅段４０
ａ−４０ｆを含むように高電力増幅器２４の概略図が示
される。本例においては、このような連続的なカスケー
ド段４０ａ−４０ｆの各々は、段間の分離を行うアイソ
レータ４１ａとサーキュレータ４１ｂとを組合わせて含
む。簡単に言えば、以降の記述では、全ての段４０ａ−
４０ｆにおけるアイソレータの各々が４１ａとして示さ
れ、全ての段４０ａ−４０ｆにおけるサーキュレータの
各々が４１ｂとして示される。各アイソレータ４１ａは
、図示の如く、インピーダンスＲで終端されたポート（
無番号）を有する。各アイソレータ４１ａは更に、入力
ポート（無番号）および出力ポート（無番号）を有し、
入力ポートは前段から信号が送られ、出力ポートは対応
すえるサーキュレータ４１ｂの入力へ信号を送る。 サーキュレータ４１ｂはそれぞれ、上記の入力ポート、
ならびに以下に述べるようにダイオード増幅器と接続さ
れた第１のポート（無番号）と、図示の如く、増幅器２
４の段４０ｂ−４０ｆの連続する１つと接続された第２
のポートとを有する。ここでは、各サーキュレータ４１
ｂが図示の如く導波管（導波路）４４ａ−４４ｆを介し
てダイオード・モジュール４２、あるいは図３乃至図６
Ｄに関して述べるようにマジックＴを介して相互に接続
された複数のダイオード・モジュール４２と接続された
ポートを有するといえば充分であろう。本例では、最初
の２段４０ａおける４０ｂがそれぞれ、図示の如く、導
波管４４ａ、４４ｂの対応する１つを介してサーキュレ
ータ４１ｂおよびモジュール４２間に接続された１つの
ダイオード・モジュール４２により信号が送られる。本
例では、段４０ａおよび４０ｂが、１つのＩＭＰＡＴＴ
ダイオード・モジュール４２の使用により適当に処理す
ることができる比較的低い電力要求を有する。しかし、
以降の段４０ｃ−４０ｆは、以下に述べるように、一緒
に結合された複数のＩＭＰＡＴＴダイオード・モジュー
ル４２により与えられねばならないより高い出力電力要
求を有する。ダイオード・モジュール４２は、モジュー
ル４２に固定された回路板（全て２５ａで示される）上
に組立てられたバイアス調整回路（レギュレータ）を有
する。このバイアス調整器２５ａは、周知のＤＣ調整回
路であり、電源２８（図１）からの線２５ｂを介してＤ
Ｃバイアス電圧が送られて、モジュール４２におけるダ
イオード（図示せず）をバイアスするため調整されたバ
イアス電圧を生じる。ダイオード・モジュール４２は、
印加されるＲＦ信号およびバイアス電圧に応答して、印
加された入力ＲＦ信号より高い利得と電力を有するＲＦ
出力信号を生じる。この信号の各々はダイオード・モジ
ュール４２の同じポートで与えられる。

【００１７】更に図２において、増幅器２４の後続段、
ここでは第３段４０ｃが段４０ｂのサーキュレータ４１
ｂの出力ポートから送られるアイソレータ４１ａを持つ
ように示され、段４０ｃの前記アイソレータ４１ａの出
力ポートがこれも図示の如く段４０ｃのサーキュレータ
４１ｂの入力ポートに信号を送る。ここでは、段４０ｃ
のサーキュレータ４１ｂの１つのポートが、図３乃至図
６Ｄに関して更に説明するように、上方に曲がった外側
の直角に組合わされた分岐ポート（無番号）を持つ第１
の「マジックＴ」４６を介して１対のＩＭＰＡＴＴダイ
オード・モジュール４２に結合されている。ここでは、
マジックＴ４６は、モジュール４２からの出力電力を結
合して、この結合された電力を導波管４４ｃを介して段
４０ｃのサーキュレータ４１ｂへ送る。前記最初の３段
からの出力電力は、段４０ａ−４０ｃに関して述べた如
き同様な構成を有する第４段４０ｄへ送られる。しかし
、ここでは、段４０ｄのサーキュレータ４１ｂは４個の
ＩＭＰＡＴＴダイオード・モジュール４２と接続される
。ＩＭＰＡＴＴダイオード・モジュール４２は、２つの
外側の組合わされた上方へ直角に曲がった分岐ポートの
マジックＴ４６、ならびに図示の如く、導波管４４ｄを
介してサーキュレータ４１ｂと接続された直線状の曲が
らないマジックＴ４７と接続される。４個のＩＭＰＡＴ
Ｔダイオード・モジュール４２、２個のマジックＴ４６
が上方に曲がった分岐ポートおよび曲がらない分岐ポー
トのマジックＴ４７の組合わせは、４８で示されるダイ
オード・モジュールおよびマジックＴの電力結合器の複
合ブロックを提供する。

【００１８】同様に、段４０ｅは、先に述べた如きアイ
ソレータ４１ａおよびサーキュレータ４１ｂの類似の構
成を有する。ここでは、サーキュレータ４１ｂは、８個
のＩＭＰＡＴＴダイオード・モジュール４２により送信
される１つのポート（無番号）を有する。８個のモジュ
ールは、前記複合ブロック４８の２つ（前段４０ｃと関
連して述べた如き）が図示の如く曲がらない分岐ポート
・マジックＴ４９を介して一緒に接続される形態で構成
される。即ち、ここでは４個のＩＭＰＡＴＴダイオード
・モジュール４２の各ブロック４８が曲がらない分岐ポ
ート・マジックＴ４９の２つの入力（無番号）に送信さ
れる。マジックＴ４９の出力は、図示の如く導波管４４
ｅと接続されている。ここでは、ＩＭＰＡＴＴダイオー
ド・モジュール４２および曲がらない分岐ポート・マジ
ックＴ４９の接続されたブロック４８の対の構成がブロ
ック５０として示される。

【００１９】ここでは、高電力増幅器２４の最後の段４
０ｆが、前段４０ｅに関して全体的に述べたように１対
のブロック５０からなり、ブロック５０は図示の如く、
曲がらない分岐ポート・マジックＴ５１の１対の入力（
無番号）に送信する。マジックＴ５１の出力（無番号）
が、これも図示の如く、導波管４４ｆを介して段４０ｆ
のサーキュレータ４１ｂと接続されている。段４０ｆは
、第１のポート（無番号）が前段４０ｅから信号を受け
、段４０ｆ”の第２のポート送信サーキュレータ４１ｂ
に信号を送る第２のポート、および絶縁抵抗Ｒで終端さ
れる第３のポートを有するアイソレータ４１ａを有する
。サーキュレータ４１ｂの第２のポートは、ここでは類
似のダイオード・モジュール４２から導波管４４ｆを介
してＲＦエネルギが送られ、アイソレータ４１ａび第３
のポートが増幅器１０（図１）の出力端子１０ｂと接続
されている。

【００２０】図１に関して述べた如き増幅器１０、特に
図２に関して述べた高電力増幅器２４を、ヒート・シン
クおよびＩＭＰＡＴＴダイオード・モジュール間の熱イ
ンピーダンスを最小限に抑えることにより増幅器１０の
充分な機能を保証する有効な方法で提供するため、集積
結合器プレート（無番号）を用いて図３乃至図６Ｅに関
して述べる如きマジックＴおよび導波管経路を提供する
。

【００２１】最初に図３に関して、集積複合結合器（図
６）の上部プレート５０が、第１の面５０ａの一部を介
して第１の複数の溝即ち凹部５３（選択的に番号を付す
）がプレート５０の第１の面５０ａの部分を介して配置
された状態で示されている。上部プレート５０は、ここ
では熱的および電気的に伝導性を有する材料からなり、
電気的および熱的に伝導性が非常によい材料が用いられ
ることが望ましい。適当な材料例は、アルミニウムおよ
び真鍮を含む。もしアルミニウムが使用されるならば、
全ての面がＭＩＬ−Ｃ−５５４１の種別３に合致しかつ
浸漬あるいは他の適当な手段により沈積される化学的変
換コーティングあるいはクロメートで保護される。 ここでは、溝即ち凹部５３が適当なパターンで配置され
て、図２に関して述べたマイクロ波導波管要素の第１の
部分を提供する。即ち、溝５３の第１の部分は、直角に
組合わされた上方に曲がった分岐ポートのマジックＴ４
６（図２）の第１の部分４６’、ならびに曲がらない分
岐ポートのマジックＴ４７、マジックＴ４９の第１の部
分４９’（図２）およびマジックＴ５１の第１の部分（
図２）を提供するように配置される。溝５３の他の部分
は、対応する導波管部分４４ａ−４４ｆの第１の部分４
４ａ’−４４ｆ’（図２）を提供するように配置される
。適当に曲がった導波管経路は、前記外側の側壁部が図
示の如くここでは４５°の角度θで傾斜した外側の組合
わせにより提供される。

【００２２】凹んだ領域５５（選択的に番号を付した）
が更に、図示の如く、図６に関して更に説明するように
コーン状のエネルギ分散部材（図示せず）を配置する領
域を提供するため、直線状マジックＴ部分４７’、４９
’、５１’の接合部に隣接して配置される。図３に全体
的に示されるように、このパターン化された領域は、図
２に関して述べた結合器回路のマジックＴおよび導波管
を提供するため使用される。この領域は、これも図２に
関して述べその詳細を以下に説明するアイソレータ４１
／サーキュレータ組立体の使用により、相互に機械的に
分離され、電気的に一体に接続される。

【００２３】次に図４において、プレート５０は、その
第２の対向面５０ｂに複数の矩形状開口が配置された状
態で示され、開口５４がアイソレータ／サーキュレータ
部材（図２）との結合のための入出力ポートを提供し、
開口５６がダイオード・モジュール（図示せず）を連結
する入出力ポートを提供し、ポート５８がマジックＴ４
６、４７、４９、５１（図２）をその整合インピーダン
スで終端するように負荷（図示せず）を挿入するため用
いられる。開口５４または５６からプレート５３を経て
設けられたプレート５０（番号なし）を通る経路は、外
隅の組合わせ壁（図６Ａに示される如き）により溝５３
の各部で終る。開口５４、５６は、上方に曲がった経路
（番号なし）の終端を提供して、ＲＦエネルギがプレー
ト５０の頂面５０ｂへあるいはこれから送られることを
可能にする。プレート５０の面５０ｂは更に、図８に関
して更に述べるように、ダイオード・モジュール（図示
せず）を所定位置に固定するため機構ネジまたはボルト
が設けられるネジ穴５９（適当番号が付された）が配置
されている。同様に、面５０ｂには、図８に関して更に
説明されるように、アイソレータ／サーキュレータ回路
を固定するためネジと共に使用される開口５９（選択的
に番号を付す）が設けられる。

【００２４】次に図５において、第２のプレート７０が
、第１の面７０ａを持ち、またこの第１の面７０ａに第
２の複数の溝７４が配置された状態で示される。溝７４
は、図２に関して述べたマイクロ波要素の第２の部分を
提供するように配置される。図３に関して述べたように
、底部プレート７０もまた、アルミニウムまたは真鍮の
如き熱的および電気的に良導体材料からなり、一般に、
プレート５０に対して選択された同じものである。 即ち、溝７４の第１の部分は、図示の如く、直角に組合
わせた上方に曲がった分岐ポートのマジックＴ４６の第
２の部分４６”（図２）、ならびに曲がらない分岐ポー
ト・マジックＴ４９の第２の部分４９”（図２）、およ
び曲がらない分岐ポート・マジックＴ５１の第２の部分
５１”（図２）を提供するように配置されている。溝７
４の他の部分は、対応する導波管部分４４ａ−４４ｆの
第２の部分４４ａ’−４４ｆ’（図２）を提供するよう
に配置される。

【００２５】凹部７６（適当に番号を付した）は更に、
図示の如く、直線状のマジックＴの部分４７”、４９”
、５１”の接合部に隣接して配置され、図６に関して更
に述べるように、コーン状の同調部材、緊締ナット（図
示せず）および緊締金具を配置するための領域を提供す
る。ここでは、前記凹部７６はプレート７０を完全に貫
通して配置された開口である。ここでは、パターン化さ
れた領域を用いて図２に関して述べた結合器回路のマジ
ックＴ部分および導波管を提供するといえば充分であろ
う。このような領域は、これまた図２に関して述べかつ
その詳細を以下において更に説明するアイソレータ／サ
ーキュレータ組立体を使用することにより、相互に絶縁
されかつ電気的に一緒に接続されている。

【００２６】このように、ここでは、周知の加工手法を
用いてプレート５０およびプレート７０が凹んだ溝部５
３、７４、凹部５４、５６、５８および開口７６を持つ
ように作られるといえば充分であろう。プレート５０、
７０が相互に係合されると、図６に関して更に説明する
ように、各溝５３、７４は、選定された電磁波伝播特性
を有する導波管を提供する。溝の正確な寸法、即ち、そ
の長さ、幅、高さおよび深さは、実現されるべきマイク
ロ波機能（結合器、導波管経路、ハイブリッド等）、伝
える周波数、ならびに所要の伝播モードに依存すること
になる。このような要件は、当業者には明瞭であろう。 組合わされた外隅部の構造ならびに溝のこれ以上の詳細
は図６Ａ乃至図６Ｆに関して示す。

【００２７】次に図６Ａにおいて、組立てられた結合器
プレート８０は、上部プレート５０の溝５３が下部プレ
ート７０に設けられた対応する溝７４と整合されてマイ
クロ波要素、ここでは図２に関して全体的に述べた如く
導波管およびマジックＴを提供するように、上部プレー
ト５０が下部プレート７０に結合された状態で示される
。上部プレート５０に設けられた開口５６もまた、図２
および図４に関して述べたように、プレート５０に設け
た溝５３の選択されたものの対応する端部と整合されて
直交する平坦でない導波管ポートを形成してダイオード
・モジュール４２をマジックＴと結合する。これと対応
して、図２および図４に関して述べたように、上部プレ
ート５０に設けられた開口５４もまた、溝５３の選択さ
れた異なる部分の端部と整合されて、サーキュレータに
対する直交した非平坦導波管ポートを提供する。

【００２８】どのようにプレート５０および７０が一つ
に配置されて導波管領域を提供するかの事例として、ポ
ート５４上に置かれたサーキュレータ間の第１段４０ａ
をポート５６上に配置されたダイオード・モジュールに
連結するため使用される図６Ｃに示した導波管について
考察しよう。この導波管の経路は、図６Ｃに斜視図で示
すように、プレート５０および７０の各部により提供さ
れる。ポート５６は、サーキュレータ４１ｂ（図２）の
出力側の対応するポートに対して結合されるが、ポート
５４は、ダイオード振幅モジュール４２（図２）の入出
力ポートに対して結合されることになる。

【００２９】他の事例として、図６Ｄに示される結合器
装置について考察しよう。ここでは、この結合器装置は
、前記ブロック４８において一つに結合された４個のダ
イオード・モジュールを有する段４０ｅのブロック４８
の１つと対応する。ブロック４８は、各々が１対の上方
に曲がった分岐ポート５６を持つ２個の直角に組合わさ
れた上方に曲がった分岐ポートのマジックＴ４６を含み
、これがダイオード・モジュール（図示せず）に対する
プレート５０の上面５０ｂにおけるポート結合部、プレ
ート５０の上面５０ｂ上の開口５８で終わる終端ポート
、および曲がらない分岐ポートのマジックＴ４７の対応
する対の分岐ポートの一方に接続された出力ポートを提
供する。マジックＴ４７は、開口５８で終わる１つのポ
ート即ちＥ面ポートを持ち、図２に示したマジックＴ４
９の一部である導波管部分４９ａと結合されたＨ面ポー
トを持つ。ブロック４８は、終端９２、ここではマジッ
クＴ４６、４７のポート５８を終端し、これにより整合
されたハイブリッド結合器即ちマジックＴを提供するよ
うに開口５８内に置かれる当業者には周知の如きテーパ
状終端を更に有するように示される。

【００３０】コーン状のエネルギ分散組立体９４もまた
、マジックＴの接合部に置かれたコーン組立体９４の尖
端部により結合器４６、４７の各部を通って配置された
（図６Ｆ）状態で示される。このような配置は、各マジ
ックＴの分岐アームの各対に対して入射エネルギの等し
い分散を生じるため使用される。これらは、アルミニウ
ムまたは真鍮の如き適当な金属から作られる。ここでは
、コーン９４が導波管の床部（図示せず）の基部に対し
て平坦に配置される平坦な底部面（図６Ｅ参照）を持つ
。コーン９４ｂの広い部分は更に、当業者には明らかな
ように、導波管の垂直壁に対して平坦に配置される。

【００３１】コーン状同調組立体９４は、望ましくは、
プレート５０、７０の係合に先立ち、図６Ｂに全体的に
示された如くプレート７０に設けられた凹部７６内に配
置される。即ち、コーン状組立体９４は、底部プレート
７０に対して結合され、対で上部プレートが底部プレー
トに対して結合され、組立体９４のネジ部９４ａの最終
的な緊締はナット９４ｂを緊締する小さなレンチまたは
他の適当な手段を用いて行われる。このナットへの接近
は、プレートがそれぞれ穴７６およびプレート７０、５
０の凹部４４を介して一つに組立てられた後に行われる
。

【００３２】図６Ｅに示されるように、小さな矩形状の
凹部５３、７３がプレート５０、７０のこのようなプレ
ートが一体に組合わさる領域にそれぞれ設けられ、これ
を通ってコーン同調組立体９４が配置されて組立体９４
のネジ軸部９４ａを収受して各マジックＴの接合部内に
等エネルギ分散構成を提供する領域を提供する。このよ
うに、矩形状領域５３、７３が、接近穴７６、５６を各
マジックＴに接続する小さな溝を介して小さな領域にお
いて加工される。

【００３３】結合器のプレート８０に設けられたパター
ンは、上部プレート５０と下部プレート７０間の仕切り
即ち境界面が導波管における電流が典型的にはゼロとな
る最小値である導波管チャンネルの部分に生じるように
配置される。即ち、図６Ａに関して記述した形態が信号
ポートとしてマジックＴのＨ面アームを使用し、マジッ
クＴのＥ面アームが特性インピーダンスで終端されるた
め、この境界面は導波管内の電流の分散がゼロとなる場
所に位置される。この場所では、２つのプレート間の境
界面が電気的な不連続を最小限に抑えるように配置され
る。このような特定の配置により、上部および下部のプ
レートが一緒に固定される時、この境界面が導波管内で
ゼロ電流点にあるため、２つのプレート間に生じる境界
面は、導波管内のマイクロ波エネルギの伝播に最小限の
効果を持つことになる。

【００３４】上記の如く上部プレート５０の上部５０ａ
のポート５６で終わるように分岐アームが上方へ曲がる
組合わせマジックＴ４６により、アームの外壁部は図示
の如く組合わされる。この組合わされた外壁部は、下部
プレート７０から上部プレート５０の小さな部分に延長
する。当業者には明らかなように、導波管の寸法が導波
管内で伝播する周波数に従って選定される時、また組合
わされた外壁部が導波管内に設けられる時、組合わされ
た壁部の一部は上部プレート５０と下部プレート７０間
の境界面間を越えて延長し、このため上部プレート５０
は、図６Ｃに示されるように、プレート５０に設けられ
た溝に加工された壁部の小さな組合わされた部分を有す
ることになる。

【００３５】このため、結合器８０は、導波管形態の半
分を２つの係合プレートの各々に加工し、対でこれらプ
レートを機械の整合された部分と一緒に機械的に固定す
ることにより提供される。コーンもまた、プレート５０
、７０を一緒に係合させるのに先立ち所定位置に固定さ
れる。コーン９４は、前記プレートが一体に係合された
後、ナットで固定される。一般に、最適の性能を保証す
るために、部品の整合セットが結合器プレートのそれぞ
れに対して提供される。放電加工手法を用いて、図３に
示される如き組合わせた導波管組立体における直角のＨ
面曲部を形成する。先に述べたように、この曲部の小さ
な部分が上部プレートに生じるが、曲部の大部分は下部
プレートに存在する。

【００３６】次に図７において、組立てられた結合器プ
レート８０は、ダイオード増幅モジュール４２が上部プ
レート５０の面５０ａに結合された状態で示される。こ
こで、ダイオード増幅モジュール４２は、周知のように
ＩＭＰＡＴＴダイオードが関連するＲＦチョーク、アブ
ソーバ、変圧器部材、ならびにヒート・シンク（全て図
示されない）と共に配置された周知のモジュールである
。モジュール４２におけるＩＭＰＡＴＴダイオードは、
モジュール４２に配置された電圧調整回路板（図示せず
）から与えられるＤＣバイアス信号が送られる。モジュ
ール４２に送られたこのようなＤＣバイアス信号および
入力ＲＦ信号に応答して、ＩＭＰＡＴＴダイオードはこ
のようなＤＣエネルギの一部をここでは４４ＧＨｚの周
波数のＲＦエネルギに変換する。変換されたＲＦエネル
ギは、モジュール４２内に配置された導波管（図示せず
）へ送られる。モジュール４２は、複合結合器プレート
８０の上部プレートに設けられた対応する開口５６と係
合する導波管ポート（図示せず）がその底部に配置され
ている。面５０ｂは、このような複数の、ここでは３２
個のダイオード・モジュール４２を支持する。ダイオー
ド・モジュール４２は各々、ここではプレート５０上に
４２’として示される対応するフットプリント上に配置
される。

【００３７】同様に、サーキュレータ／アイソレータの
組合わせ（ここでは、図２のアイソレータ４１ａおよび
サーキュレータ４１ｂ）が、図示の如く上部プレート５
０に配置された大きさが開口５６と対応する開口を有す
る。面５０ｂは更に、複数の（ここでは、６個の）サー
キュレータ／アイソレータ・モジュール４１を支持する
。サーキュレータ／アイソレータ・モジュール４１の各
々は、これもプレート５０上に示される如きフットプリ
ント４１’上に配置される。従来の導波管部分（図示せ
ず）のフットプリント４１’は、プレート５０の上面５
０ｂ上に示され、アイソレータ／サーキュレータ部材４
１を相互に結合し、これにより増幅器２４の段４０ａ−
４０ｆを相互に結合するため使用される。これらモジュ
ールは、モジュール４１、４２の各々の穴（モジュール
４１では示されない）を通して設けられ機械ネジを用い
てプレートに取付けられる。

【００３８】次に図８において、周波数４倍器、ｘバン
ド・アイソレータ、ｘバンド前置増幅器および領域８２
に一般に設けられるダイオード検出回路の如き、ソリッ
ドステート送信機１０の他の関連する要素（図示せず）
と共に、ダイオード・モジュール４２およびサーキュレ
ータ／アイソレータ・モジュール４１が図７に関して述
べたようにその上に載置された結合器プレート８０が、
フレーム即ちハウジング１１０内に置かれている。ハウ
ジング１１０は、下部プレート７０の底面上で結合器プ
レート８０の背後に、ヒート・シンク１１２、ここでは
複数の熱伝導性材料のフィン１１２ａが配置され、この
材料は図示の如く支持プレート１１２ｂ上に配置されか
つ結合器の下部プレート７０の背部に接して配置される
。あるいはまた、ヒート・シンク支持プレートは、プレ
ート７０の背面上に配置することもできる。このような
試みにおいては、周知のヒート・シンク装置を使用する
ことができる。ヒート・シンクを結合器プレート８０の
底面７０ｂに後部に設置することにより、更に直接的な
ヒート・シンク経路が提供されて組立体からの熱を更に
容易に除去する。ハウジング１１０は、電源ならびにソ
リッドステート送信機において使用される他の回路の如
き別の要素を収受するため使用される領域１１６、１１
８を有する。

【００３９】底部プレートは、コーン保持金具に対する
工具の接近のために設けられる切欠きを含む。しかし、
この面はまた、ヒート・シンク即ち熱交換器との熱的な
境界面でもある。前記切欠きは、熱交換器と接触する表
面積を少なくし、熱性能を節減する。更に、上下のプレ
ートを分離する仕切り線即ち境界面は、これも熱性能を
低減して、境界面の場所が最適の電気的性能となるよう
に導波管内の最小の電流分布の場所と一致しなければな
らない重要な整合を提供する別の熱インピーダンスを呈
する。このコーンはまた、必要に応じて、マジックＴの
各々の接合点において適正に整合されなければならない
。一般に、プレートに対するコーンの組立ては労力を要
する作業である。

【００４０】次に図９Ａ、図９Ｂおよび図９Ｃにおいて
、マンドレル１１０、即ち寸法的に安定し、厳密な公差
を保持しかつ鋳造過程の終了時に犠牲部材となる能力を
有する材料から提供される正の空胴を含む本発明の別の
実施例が示される。このマンドレル１１０は、ここでは
例えばアルミニウムの棒材から加工され、全体的に示さ
れる如き導波管部分と対応する、また導波管部材の所要
の形態と対応するパターン１１３を提供する。マンドレ
ル１１０は、ここでは図示の如く、所要の形態および方
位のマジックＴ１１６、１１７、１１８、１１９の如き
特定形状の導波管経路のネットワークを形成するように
配置される。マンドレルの各パターン化部分１１３は更
に、マンドレルの各ポートから突出する取付けピン１２
４（図９Ｂ）をもつように加工される。この取付けピン
１２４は、個々のマンドレルの各々をピン１２４を受取
る対応する貫通穴１１１ａを持つ複合プレート１１１に
対して取付けて、これによりマンドレル１１０のパター
ン化部分１１３の各々を所定の配置で提供するため使用
される。更に、パターン化部分１１３は、開口１２２の
所要の形状（即ち、コーン形状）を持つ電極を用いて放
電加工の如き手法により加工される。開口１２２は、マ
ジックＴを形成するパターン化部分１１３の各々に設け
られて、マジックＴの接合点の正確に規定された場所に
コーン状の開口１２２を提供する。各パターン化部分１
１３はこのようにプレート１１１に対して取付けられる
。フィン１３２を持つヒート・シンク・パターン１３０
もまた、取付けプレート１１１がその内面に固定され所
定の形態で取付けられるマンドレル１１０を含むように
マンドレル背後のプレートに対して取付けられ、ヒート
・シンク・パターン１３０が導波管の結合器部分のマン
ドレルとヒート・シンク１３０間の適当な空間を許容す
るキー付きピン１２６を有する。次いで、組立体は鋳造
容器内に置かれ、銅の如き融解金属がプレート１１１と
ヒート・シンクに対するマンドレル１３０間の領域に注
入される。

【００４１】このため、ここではマンドレル１１０、ヒ
ート・シンク・パターン１３０およびピン１２４、１２
６、ならびにプレート１１１はアルミニウムからなるが
、鋳物は銅の如き異なる材料となる。この部品が鋳造さ
れた後、アルミニウム・プレート１１１、ヒート・シン
ク・パターン１３０おかれマンドレル１１０が、苛性ソ
ーダの如き適当な材料中で異なる金属、ここではアルミ
ニウムを溶解させることにより取除かれる。後に残るの
は、マンドレル１１０と対応するプレートの内部に配置
された通路を持つ鋳物である。これらの通路は、ここで
はプレート内に設けられる矩形状、溝あるいは凹部（図
示せず）であり、図３乃至図６Ｆに関して述べたものと
機能的に同じ構成を提供する。

【００４２】このように、結合器プレートが鋳造され結
合器プレートからマンドレルが取除かれた後、上下のプ
レート間に境界面領域がなく、プレートの背面に位置し
た一体形成ヒート・シンクのある一体の結合器プレート
が提供される。更に、コーン状分散部材もまたマジック
Ｔに一体に形成されるが、これはマンドレル内部で放電
加工された開口がこの場合銅の如き鋳造材料で充填され
るためである。これは、図６に示される構成の有害な熱
境界面を無くすモノリシック構造を提供する。更に、導
波管部材が所定位置で鋳造され、このため導波管内部に
面間の層がないため、マジックＴの別の構成を提供する
ことができる。例えば、マジックＴは、マイクロ波エネ
ルギを送るため結合器のＥ面アームを使用することがで
き、マジックＴのＨ面アームを特性的なインピーダンス
で終端することができる。

【００４３】本発明の望ましい実施態様について述べた
が、当業者には、本発明の思想を取り入れた他の実施態
様も使用できることが明らかであろう。従って、これら
の実施態様は開示されたものに限定されるべきでなく、
頭書の特許請求の範囲によってのみ限定されるできであ
ると考える。

【図面の簡単な説明】

【図１】移動レーダ用のソリッドステート送信機に特に
適合するＲＦ増幅器チェーンを示すブロック図である。

【図２】図１の増幅器チェーンにおいて使用される高電
力増幅器を示すブロック図である。

【図３】本発明の一特徴による集積マジックＴを提供す
るため用いられる第１の面内に配置された溝を有する第
１のプレートの第１面を示す平面図である。

【図４】図３に示されるプレートの対抗する第２の面を
示す平面図である。

【図５】集積結合器構造を提供するため用いられる第２
のプレートの第１面を示す平面図である。

【図６】図６Ａは、明瞭にするため機構ねじ穴が省かれ
た集積結合器構造（仮想線で示す）を提供するため並列
関係の図３および図５のプレートを示す平面図である。 図６Ｂは、図６Ａの線６Ａ−６Ａに関する断面図である
。 図６Ｃは、図６Ａの線６Ｂ−６Ｂに関する斜視図である
。 図６Ｄは、図６Ａの線６Ｃ−６Ｃに関する斜視図である
。 図６Ｅは、図６Ａの線６Ｄ−６Ｄに関する斜視図である
。 図６Ｆは、図６Ａの面内で使用されるコーン状終端を示
す立面図である。

【図７】本発明の別の特徴に従って載置されたサーキュ
レータ／アイソレータ・モジュールを備えた結合器プレ
ートを示す斜視図である。

【図８】本発明の別の特徴に従ってプレートの裏面上に
配置された一体のヒート・シンクを備えたフレームに配
置された増幅器およびアイソレータ／結合器モジュール
を含む図３乃至図７に関して全体的に示される結合器プ
レートの斜視図である。

【図９】 図９Ａは、本発明の別の実施例を理解するため役立つ斜
視図である。 図９Ｂは、本発明の別の実施例を理解するため役立つ斜
視図である。 図９Ｃは、本発明の別の実施例を理解するため役立つ斜
視図である。

【符号の説明】

１０　　ソリッドステート送信機 １１　　信号源（発振器） １２　　アイソレータ １３　　サーキュレータ １４　　前置増幅器 １６　　アイソレータ １８　　周波数逓倍器 ２０　　方向性結合器 ２２　　ダイオード検出器 ２４　　高電力ＩＭＰＡＴＴダイオード増幅器２６　　
バイアス制御回路 ２８　　ＤＣ電源 ４０　　カスケード段 ４１　　サーキュレータ／アイソレータ・モジュール４
２　　ＩＭＰＡＴＴダイオード増幅モジュール４４　　
導波管部分 ４６　　マジックＴ ４７　　マジックＴ ４８　　複合ブロック ４９　　マジックＴ ５０　　上部プレート ５１　　マジックＴ ５３　　溝 ５４　　開口 ５６　　開口 ５８　　ポート ５９　　ネジ穴 ７０　　下部プレート ７３　　凹部 ７４　　溝 ７６　　接近穴 ８０　　結合器プレート ９４　　コーン状エネルギ分散組立体 １１０　　ハウジング（マンドレル） １１１　　複合プレート １１２　　ヒート・シンク １１３　　パターン化部分 １２２　　コーン形状開口 １３０　　ヒート・シンク・パターン １３２　　フィン

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　第１の面に配置された第１の複数の溝
   を有する第１のプレートと、第２のプレートの第１の面
   に配置された第２の複数の溝を有する第２のプレートと
   を設け、該第２のプレートは前記第１のプレートに対し
   て係合され、該第１および第２の複数の溝が整合関係に
   配置されて複数の導波路領域を形成する組合わせ。
2. 【請求項２】　　前記複数の導波路領域の各部がマジッ
   クＴを提供するように配置される請求項１記載の組合わ
   せ。
3. 【請求項３】　　前記第１のプレートが更に、その第２
   の面内で第１のプレートの前記第１の面に配置された溝
   の選択された部分上で整合された前記プレートを貫通し
   て配置された複数の開口を含む請求項２記載の組合わせ
   。
4. 【請求項４】　　前記第１のプレートの第２の面内に配
   置された前記複数の開口の第１の部分が、前記マジック
   Ｔに対する結合されたポートを提供する請求項３記載の
   組合わせ。
5. 【請求項５】　　前記第１のプレートの第２の面内に配
   置された前記複数の開口の第２の部分が、前記マジック
   Ｔの終端ポートを提供する請求項４記載の組合わせ。
6. 【請求項６】　　複数の開口が第１の面内でプレートの
   一部を貫通して配置され、かつ該プレートの内部が、通
   路の部分がプレートの第１の部分に設けられた開口の上
   で整合され、前記通路が導波路を提供するように配置さ
   れた、組合わせ。
7. 【請求項７】　　前記プレートの第２の面上に配置され
   た複数の長手方向フィンを含むヒート・シンク部材を更
   に設けてなる請求項６記載の組合わせ。
8. 【請求項８】　　前記フィンが前記プレートと一体に形
   成される請求項７記載の組合わせ。
9. 【請求項９】　　前記プレートの前記通路の一部がマジ
   ックＴハイブリッドを提供し、該プレートの第１の面に
   設けられた前記開口のあるものが前記マジックＴハイブ
   リッドに対するポートを提供する請求項８記載の組合わ
   せ。
10. 【請求項１０】　　第１の複数の溝がその第１の面に配
    置された第１のプレートと、第２の複数の溝が第２のプ
    レートの第１の面に配置された第２のプレートとを設け
    、該第２のプレートが整合関係に配置された前記第１お
    よび第２の複数の溝に対して係合されて複数の導波路領
    域を提供する、マイクロ波導波路要素。
11. 【請求項１１】　　前記複数の導波路領域の各部がマジ
    ックＴを提供するように配置される請求項１０記載の導
    波管要素。
12. 【請求項１２】　　前記第１のプレートが更に、その第
    ２の面内で、第１のプレートの前記第１の面内に配置さ
    れた溝の選択された部分上で整合された前記プレートを
    貫通して配置された複数の開口を含む請求項１１記載の
    導波管要素。
13. 【請求項１３】　　前記第１のプレートの第２の面に配
    置された前記複数の開口の第１部分が前記マジックＴに
    対する信号ポートを提供する請求項１２記載の導波管要
    素。
14. 【請求項１４】　　前記各信号ポートが対応するマジッ
    クＴのＨ面アームと対応する請求項１３記載の導波管要
    素。
15. 【請求項１５】　　前記第１のプレートの第２の面内に
    配置された前記複数の開口の第２の部分が前記マジック
    Ｔの終端ポートを提供する請求項１４記載の導波管要素
    。
16. 【請求項１６】　　前記各終端ポートが、対応するマジ
    ックＴのＥ面アームと対応する請求項１５記載の導波管
    要素。
17. 【請求項１７】　　複数の開口が第１の面内でプレート
    の一部を貫通して配置され、かつ前記プレートの内部が
    複数の通路を持ち、通路の一部がプレートの第１の部分
    に設けられた開口上で整合され、前記通路がハイブリッ
    ド・マジックＴを提供するように配置された、第１の面
    を有するプレートと、各々が各プレートの前記第１の面
    内に配置された前記複数の開口の１つと整合された開口
    を有する前記第１の面上に配置された複数のモジュール
    とを設け、各モジュールが負性抵抗特性を呈するデバイ
    スを含むマイクロ波導波管要素。
18. 【請求項１８】　　前記プレートの第２の面上に配置さ
    れた複数の長手方向フィンを含むヒート・シンク部材を
    更に設ける請求項１６記載のマイクロ波導波管要素。
19. 【請求項１９】　　前記フィンが前記プレートと一体に
    形成される請求項１７記載のマイクロ波導波管要素。
20. 【請求項２０】　　前記負性抵抗デバイスがＩＭＰＡＴ
    Ｔダイオードである請求項１９記載のマイクロ波導波管
    要素。
21. 【請求項２１】　　第１の面内に配置された第１の複数
    の溝を有する第１のプレートと、第２のプレートの第１
    の面内に配置された第２の複数の溝を有する第２のプレ
    ートとを設け、該第２のプレートが前記第１のプレート
    、および複数の導波路領域を形成するように整合関係に
    配置された前記第１の複数の溝および第２の複数の溝と
    整合され、前記第１のプレートが更に、前記導波路領域
    の終端部分上で整合関係に前記第１のプレートの第２の
    面を貫通して配置された複数の開口を有して、前記第１
    のプレートの上面と直角をなす導波路経路を提供し、前
    記溝の部分が複数のマジックＴハイブリッド結合器を提
    供する、導波管結合器プレート。
22. 【請求項２２】　　プレートを貫通する複数の開口と、
    第１のプレートの第１の面内で前記プレートの一部を貫
    通して配置された第１の複数の溝とを有する第１のプレ
    ートと、第２の複数の溝が第２のプレートの一部を貫通
    して配置された第２の複数の溝を有する第２のプレート
    とを設け、該第２のプレートが前記第１のプレート、お
    よび前記第１の複数の溝および第２の複数の溝に対して
    整合関係に配置され、複数の導波路領域を形成し、前記
    第１のプレートの前記複数の開口が前記導波路領域の終
    端部分上で整合されて、前記第１のプレートの上面と直
    角をなす導波路経路を提供し、各々が前記モジュール内
    に配置されかつ該モジュールに設けられた開口を介して
    前記モジュールからのマイクロ波エネルギを結合するよ
    う配置された負性抵抗デバイスを含む複数のモジュール
    を設け、前記複数のモジュールの各々が前記第１のプレ
    ート上に配置され、該モジュールの開口が前記第１のプ
    レートにおける対応する開口と整合されてマイクロ波エ
    ネルギを前記第１のプレートにおける導波路構造へ供給
    する、組合わせ。
23. 【請求項２３】　　導波路要素を提供する方法であって
    、第１の複数の溝を第１のプレートの第１の面内に加工
    し、第２の複数の溝を第２のプレートの第１の面内に加
    工し、前記第２のプレートを前記第１のプレートに対し
    て係合させ、前記第１および第２の複数の溝が整合関係
    に配置されて複数の導波路領域を提供する、ステップを
    含む方法。
24. 【請求項２４】　　前記複数の導波路領域の部分がマジ
    ックＴを提供するように配置される請求項２３記載の方
    法。
25. 【請求項２５】　　複数の開口を前記第１のプレートの
    第２の面内で該プレートを貫通して加工し、該開口が第
    １のプレートの前記第１の面内に配置された溝の選択さ
    れた部分上で整合される請求項２４記載の方法。
26. 【請求項２６】　　導波路要素を提供する方法であって
    、導波路形態の正の空洞と対応するマンドレルを提供し
    、該マンドレルは分解可能な材料からなり、前記マンド
    レルの周囲に異なる材料のプレートを鋳造し、前記マン
    ドレルを分解して、前記プレートの一部を貫通して前記
    第１の面内に配置された複数の開口と、通路の部分がプ
    レートの第１の部分に設けられた開口上で整合されかつ
    前記通路が導波路領域を提供するように配置された複数
    の通路を有する前記プレートの内部とを持つ第１の面を
    有するプレートを提供する、ステップを含む方法。
27. 【請求項２７】　　前記マンドレルを提供するステップ
    が更に、ヒート・シンクの正の空洞と対応する第２のマ
    ンドレルを提供し、該第２のマンドレルは犠牲材料から
    なり、前記鋳造ステップは更に、前記マンドレルの周囲
    に前記ヒート・シンク部材およびプレートを鋳造するス
    テップを含み、前記分解ステップは更に、前記マンドレ
    ルを分解してプレートと、前記プレートの第２の面上に
    配置された複数の長手方向フィンを含むヒート・シンク
    部材とを提供する請求項２６記載の方法。