JPH04290491A - セラミック多層配線基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層配線基板の製造方法Info
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- JPH04290491A JPH04290491A JP3054597A JP5459791A JPH04290491A JP H04290491 A JPH04290491 A JP H04290491A JP 3054597 A JP3054597 A JP 3054597A JP 5459791 A JP5459791 A JP 5459791A JP H04290491 A JPH04290491 A JP H04290491A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック多層配線基板
の製造方法に係り、特に、高密度で信頼性の高いセラミ
ック多層配線基板であって、電子機器の実装密度の増大
及び信頼性の向上に有用なセラミック多層配線基板を製
造する方法に関する。
の製造方法に係り、特に、高密度で信頼性の高いセラミ
ック多層配線基板であって、電子機器の実装密度の増大
及び信頼性の向上に有用なセラミック多層配線基板を製
造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基材としてセラミックを用いた多
層配線基板を製造する方法としては、次の■，■の方法
が提案されている。■ セラミックグリーンシートを
用いる方法セラミックグリーンシートに、Ｗ，Ｍｏ等の
高融点の金属ペーストを印刷乾燥後、各層を構成するグ
リーンシートを積層し、層間の導通をとるためのスルー
ホールをパンチング加工する。次いで、前記ペーストに
よりスルーホール印刷を行なった後、湿潤還元雰囲気中
、１５００〜１６００℃程度の高温下で焼成する。■
焼成済みセラミック基板を用いる方法焼成済みセラミ
ック基板にＡｇ／Ｐｄ等の導体ペースト、抵抗ペースト
等を印刷、焼成した後、積層面に接合用ガラスペースト
を印刷、乾燥すると共に、層間の導通をとるための導体
バンプを印刷、乾燥した後、各層を構成するセラミック
基板を重ね合せ、適当な圧力を加えながら焼成し、同時
焼成による導体バンプの焼結結合及び接合用ガラスの溶
融接合で一体化する。
層配線基板を製造する方法としては、次の■，■の方法
が提案されている。■ セラミックグリーンシートを
用いる方法セラミックグリーンシートに、Ｗ，Ｍｏ等の
高融点の金属ペーストを印刷乾燥後、各層を構成するグ
リーンシートを積層し、層間の導通をとるためのスルー
ホールをパンチング加工する。次いで、前記ペーストに
よりスルーホール印刷を行なった後、湿潤還元雰囲気中
、１５００〜１６００℃程度の高温下で焼成する。■
焼成済みセラミック基板を用いる方法焼成済みセラミ
ック基板にＡｇ／Ｐｄ等の導体ペースト、抵抗ペースト
等を印刷、焼成した後、積層面に接合用ガラスペースト
を印刷、乾燥すると共に、層間の導通をとるための導体
バンプを印刷、乾燥した後、各層を構成するセラミック
基板を重ね合せ、適当な圧力を加えながら焼成し、同時
焼成による導体バンプの焼結結合及び接合用ガラスの溶
融接合で一体化する。
【０００３】なお、上記■，■いずれの方法においても
、グリーンシートの焼成は常圧下で行なっている。
、グリーンシートの焼成は常圧下で行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
次のような欠点があった。即ち、セラミックグリーンシ
ートを用いるグリーンシート積層法では、有機バインダ
の除去を湿潤還元雰囲気中で実施することにより導体を
酸化することなく有機バインダの除去を行なっているが
、実際上、有機バインダを低温で有効に除去できない場
合がある。この場合、有機バインダの残留物が酸化、ガ
ス化することにより、セラミック中の気孔の径が増大し
、嵩密度と収縮率の値を下げ、強度の低下、収縮率のバ
ラツキ（寸法の不安定）等をひき起こすという問題があ
る。
次のような欠点があった。即ち、セラミックグリーンシ
ートを用いるグリーンシート積層法では、有機バインダ
の除去を湿潤還元雰囲気中で実施することにより導体を
酸化することなく有機バインダの除去を行なっているが
、実際上、有機バインダを低温で有効に除去できない場
合がある。この場合、有機バインダの残留物が酸化、ガ
ス化することにより、セラミック中の気孔の径が増大し
、嵩密度と収縮率の値を下げ、強度の低下、収縮率のバ
ラツキ（寸法の不安定）等をひき起こすという問題があ
る。
【０００５】一方、焼成済みセラミック基板を用いる方
法では、ガラス溶融接合時に発生するガスが各層間に閉
じ込められ、それが気泡となって残留するために、接合
面の気密性が阻害されたり、また、はんだディップ等の
熱衝撃により閉じ込められた気泡の膨張或いは収縮等に
起因するクラックが発生するなどの不具合が発生する。
法では、ガラス溶融接合時に発生するガスが各層間に閉
じ込められ、それが気泡となって残留するために、接合
面の気密性が阻害されたり、また、はんだディップ等の
熱衝撃により閉じ込められた気泡の膨張或いは収縮等に
起因するクラックが発生するなどの不具合が発生する。
【０００６】このように、前記■の方法においては、セ
ラミック中の残留有機成分により、得られるセラミック
多層配線基板の強度の低下、収縮率のバラツキ等の問題
があり、また、■の方法においては、ガラス内部に残留
した気泡等により気密性が阻害されたり、熱衝撃等によ
るクラック発生の問題がある。このため、従来において
は、高密度で信頼性の高いセラミック多層配線基板を得
ることができなかった。
ラミック中の残留有機成分により、得られるセラミック
多層配線基板の強度の低下、収縮率のバラツキ等の問題
があり、また、■の方法においては、ガラス内部に残留
した気泡等により気密性が阻害されたり、熱衝撃等によ
るクラック発生の問題がある。このため、従来において
は、高密度で信頼性の高いセラミック多層配線基板を得
ることができなかった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、残留
有機成分又はガラス内部に残留した気泡等を効率よく除
去し、高密度で高信頼性のセラミック多層配線基板を製
造する方法を提供することを目的とする。
有機成分又はガラス内部に残留した気泡等を効率よく除
去し、高密度で高信頼性のセラミック多層配線基板を製
造する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１のセラミック多
層配線基板の製造方法は、セラミックグリーンシートの
少なくとも一方の面に回路形成した後、該セラミックグ
リーンシートを複数枚積層して得られる積層体を脱バイ
ンダ処理した後焼成することによりセラミック多層配線
基板を製造する方法において、該脱バインダ処理後の焼
成を真空又は減圧下で行なうことを特徴とする。
層配線基板の製造方法は、セラミックグリーンシートの
少なくとも一方の面に回路形成した後、該セラミックグ
リーンシートを複数枚積層して得られる積層体を脱バイ
ンダ処理した後焼成することによりセラミック多層配線
基板を製造する方法において、該脱バインダ処理後の焼
成を真空又は減圧下で行なうことを特徴とする。
【０００９】請求項２のセラミック多層配線基板の製造
方法は、焼成済みセラミック基板の少なくとも一方の面
に回路形成した後、該セラミック基板を、焼成により溶
融して接合機能を奏する接着剤を介して、複数枚積層し
て得られる積層体を荷重を加えながら焼成することによ
りセラミック多層配線基板を製造する方法において、該
焼成を真空又は減圧下で行なうことを特徴とする。
方法は、焼成済みセラミック基板の少なくとも一方の面
に回路形成した後、該セラミック基板を、焼成により溶
融して接合機能を奏する接着剤を介して、複数枚積層し
て得られる積層体を荷重を加えながら焼成することによ
りセラミック多層配線基板を製造する方法において、該
焼成を真空又は減圧下で行なうことを特徴とする。
【００１０】請求項３のセラミック多層配線基板の製造
方法は、請求項２の方法において、接着剤がガラスペー
ストであることを特徴とする。
方法は、請求項２の方法において、接着剤がガラスペー
ストであることを特徴とする。
【００１１】以下に図面を参照して本発明をより詳細に
説明する。第１図及び第２図は本発明セラミック多層配
線基板の製造方法の一実施例を示す正面図であって、各
々、第１図はセラミックグリーンシートを用いる方法、
第２図は焼成済みセラミック基板を用いる方法を示す。 ただし、第１図及び第２図において、焼成炉の正面の壁
面は図示されておらず、従って、第１図及び第２図は、
内部透視図となっている。第１図において、１は焼成炉
であって、壁面及び天井面にはヒータ（図示せず）が埋
設されている。また、天井面にはガス導入管２が接続さ
れており、両側壁には排気管３が接続されている。５は
被焼成物載置用の、セラミック板等よりなる底板である
。第２図に示す焼成炉１Ａは、ガス導入管を備えていな
い点のみが第１図に示す焼成炉１と異なり、他の構成は
同様である。
説明する。第１図及び第２図は本発明セラミック多層配
線基板の製造方法の一実施例を示す正面図であって、各
々、第１図はセラミックグリーンシートを用いる方法、
第２図は焼成済みセラミック基板を用いる方法を示す。 ただし、第１図及び第２図において、焼成炉の正面の壁
面は図示されておらず、従って、第１図及び第２図は、
内部透視図となっている。第１図において、１は焼成炉
であって、壁面及び天井面にはヒータ（図示せず）が埋
設されている。また、天井面にはガス導入管２が接続さ
れており、両側壁には排気管３が接続されている。５は
被焼成物載置用の、セラミック板等よりなる底板である
。第２図に示す焼成炉１Ａは、ガス導入管を備えていな
い点のみが第１図に示す焼成炉１と異なり、他の構成は
同様である。
【００１２】第１図に示す方法においては、まず、セラ
ミックグリーンシートを準備し、その片面又は両面に、
常法に従って、Ｗ，Ｍｏ等の高融点金属の導体ペースト
を印刷、乾燥して回路を形成する。導体ペーストを印刷
したグリーンシートを複数枚積層し、圧縮荷重をかけて
積層プレスして一体化する。その後、層間の導通をとる
ためのスルーホールをパンチング加工し、前記導体ペー
ストにてスルーホール印刷する。このようにして得られ
たグリーンシート積層体４を図示の如く、焼成炉２内の
底板５上に配置し、水素、窒素及び水蒸気の混合ガスを
ガス導入管２より導入し、この還元雰囲気にて５００〜
６００℃まで１５０〜２００℃／ｈｒで昇温し、脱バイ
ンダ処理を行なう。次いで、混合ガスの供給を止めた後
、排気管３より排気を行なって、焼成炉１内を真空又は
１０−１〜１０−２ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気とし、１
５００〜１６００℃程度まで１５０〜２００℃／ｈｒで
昇温し、この状態で１〜２時間程度焼成を行なう。なお
、排気は昇温過程において並行して行なうことも可能で
ある。
ミックグリーンシートを準備し、その片面又は両面に、
常法に従って、Ｗ，Ｍｏ等の高融点金属の導体ペースト
を印刷、乾燥して回路を形成する。導体ペーストを印刷
したグリーンシートを複数枚積層し、圧縮荷重をかけて
積層プレスして一体化する。その後、層間の導通をとる
ためのスルーホールをパンチング加工し、前記導体ペー
ストにてスルーホール印刷する。このようにして得られ
たグリーンシート積層体４を図示の如く、焼成炉２内の
底板５上に配置し、水素、窒素及び水蒸気の混合ガスを
ガス導入管２より導入し、この還元雰囲気にて５００〜
６００℃まで１５０〜２００℃／ｈｒで昇温し、脱バイ
ンダ処理を行なう。次いで、混合ガスの供給を止めた後
、排気管３より排気を行なって、焼成炉１内を真空又は
１０−１〜１０−２ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気とし、１
５００〜１６００℃程度まで１５０〜２００℃／ｈｒで
昇温し、この状態で１〜２時間程度焼成を行なう。なお
、排気は昇温過程において並行して行なうことも可能で
ある。
【００１３】このようにして得られたセラミック多層配
線基板は、常圧で焼成する従来の方法により得られたも
のに比べて、著しく緻密で高い収縮率を達成する。
線基板は、常圧で焼成する従来の方法により得られたも
のに比べて、著しく緻密で高い収縮率を達成する。
【００１４】第２図に示す方法では、まず、焼成済みセ
ラミック基板の片面又は両面に、Ａｇ／Ｐｄ系又はＣｕ
系等の導体ペーストや抵抗ペーストを付着、焼成するこ
とにより、回路を形成する。この回路形成は、厚膜印刷
、めっき、蒸着、スパッタ等のいずれの方法でも良く、
これらの方法の２以上を組み合わせて行なっても良い。 次いで、個々の基板に層間の導通をとる部分を除いて接
合用のガラスペーストを全面印刷、乾燥し、或いは、更
に導体バンプを印刷、乾燥、脱バインダーした後、複数
枚のセラミック基板を積層して仮り止め一体化する。こ
のようにして得られたセラミック基板積層体６を焼成炉
１Ａの底板５上に配置し、上方からセラミック板７等の
荷重をかける。そして、この状態で排気管３より排気を
行なって、焼成炉１内を真空又は１０−１〜１０−２ｔ
ｏｒｒ程度の減圧雰囲気とし、８５０〜９００℃程度ま
で１５０〜２００℃／ｈｒで昇温し、この状態で０．５
〜１時間程度焼成を行なう。なお、排気は昇温過程にお
いて並行して行なうことも可能である。
ラミック基板の片面又は両面に、Ａｇ／Ｐｄ系又はＣｕ
系等の導体ペーストや抵抗ペーストを付着、焼成するこ
とにより、回路を形成する。この回路形成は、厚膜印刷
、めっき、蒸着、スパッタ等のいずれの方法でも良く、
これらの方法の２以上を組み合わせて行なっても良い。 次いで、個々の基板に層間の導通をとる部分を除いて接
合用のガラスペーストを全面印刷、乾燥し、或いは、更
に導体バンプを印刷、乾燥、脱バインダーした後、複数
枚のセラミック基板を積層して仮り止め一体化する。こ
のようにして得られたセラミック基板積層体６を焼成炉
１Ａの底板５上に配置し、上方からセラミック板７等の
荷重をかける。そして、この状態で排気管３より排気を
行なって、焼成炉１内を真空又は１０−１〜１０−２ｔ
ｏｒｒ程度の減圧雰囲気とし、８５０〜９００℃程度ま
で１５０〜２００℃／ｈｒで昇温し、この状態で０．５
〜１時間程度焼成を行なう。なお、排気は昇温過程にお
いて並行して行なうことも可能である。
【００１５】このようにして得られたセラミック多層配
線基板は、常圧で焼成する従来の方法により得られたも
のに比べて、接合ガラスによる溶融接合層も緻密で、気
泡の少ない熱衝撃に強いものである。
線基板は、常圧で焼成する従来の方法により得られたも
のに比べて、接合ガラスによる溶融接合層も緻密で、気
泡の少ない熱衝撃に強いものである。
【００１６】なお、本発明の方法で使用されるセラミッ
クグリーンシート又は焼成済みセラミック基板は、その
厚さ（セラミックグリーンシートにあっては焼成後の厚
さ）が５０〜２００μｍ程度であることが好ましい。
クグリーンシート又は焼成済みセラミック基板は、その
厚さ（セラミックグリーンシートにあっては焼成後の厚
さ）が５０〜２００μｍ程度であることが好ましい。
【００１７】
【作用】セラミックグリーンシートを用いるにおいて、
脱バインダ処理後の焼成を真空又は減圧下で行なうこと
により、主に炭素の形で残った残留有機成分を効率的に
分解し、また、発生するガスを効率的に排出し、嵩密度
、収縮率の値の高い製品を得ることが可能とされる。 このため、高強度で品質の安定性に優れたセラミック多
層配線基板を得ることが可能とされる。
脱バインダ処理後の焼成を真空又は減圧下で行なうこと
により、主に炭素の形で残った残留有機成分を効率的に
分解し、また、発生するガスを効率的に排出し、嵩密度
、収縮率の値の高い製品を得ることが可能とされる。 このため、高強度で品質の安定性に優れたセラミック多
層配線基板を得ることが可能とされる。
【００１８】また、焼成済みセラミック基板を用いる方
法において、ガラス溶融接合のための焼成を真空又は減
圧下で行なうことにより、ガラスが溶融し、緻密化する
際に発生する気泡を接合界面と外部との圧力差に起因し
た力で外部に効率的に排出することが可能とされる。こ
のため、気密性が高く、熱衝撃等によるクラックの発生
のおそれがない、信頼性の高いセラミック多層配線基板
を得ることが可能とされる。
法において、ガラス溶融接合のための焼成を真空又は減
圧下で行なうことにより、ガラスが溶融し、緻密化する
際に発生する気泡を接合界面と外部との圧力差に起因し
た力で外部に効率的に排出することが可能とされる。こ
のため、気密性が高く、熱衝撃等によるクラックの発生
のおそれがない、信頼性の高いセラミック多層配線基板
を得ることが可能とされる。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。 実施例１ 下記セラミックグリーンシートを用いて、第１図に示す
方法に従って、セラミック多層配線基板の製造を行なっ
た。 セラミックグリーンシート 材 質：９２％Ａｌ２ Ｏ３ 大きさ：９．５ｃｍ×９．５ｃｍ×１５０μｍ厚さまず
、このセラミックグリーンシートにＷペーストを用いて
回路形成した後、１０枚積層一体化し、常法に従って、
スルーホールを形成し、スルーホール印刷を行なった。
説明する。 実施例１ 下記セラミックグリーンシートを用いて、第１図に示す
方法に従って、セラミック多層配線基板の製造を行なっ
た。 セラミックグリーンシート 材 質：９２％Ａｌ２ Ｏ３ 大きさ：９．５ｃｍ×９．５ｃｍ×１５０μｍ厚さまず
、このセラミックグリーンシートにＷペーストを用いて
回路形成した後、１０枚積層一体化し、常法に従って、
スルーホールを形成し、スルーホール印刷を行なった。
【００２０】得られたグリーンシート積層体を、焼成炉
２内に配置し、下記混合ガスを１３００ ｌ／ｈｒで
導入すると共に、６００℃まで２００℃／ｈｒで昇温し
て脱バインダ処理した。なお、混合ガスは、４０℃の水
槽バブラーを通過させて供給した。 混合ガス Ｈ２ ：８０体積％ Ｎ２ ：２０体積％ その後、混合ガスの供給を止め、炉内を１０−１ｔｏｒ
ｒに減圧し、１５００〜１６００℃まで２００℃／ｈｒ
で昇温し、１ｈｒ焼成を行なった。
２内に配置し、下記混合ガスを１３００ ｌ／ｈｒで
導入すると共に、６００℃まで２００℃／ｈｒで昇温し
て脱バインダ処理した。なお、混合ガスは、４０℃の水
槽バブラーを通過させて供給した。 混合ガス Ｈ２ ：８０体積％ Ｎ２ ：２０体積％ その後、混合ガスの供給を止め、炉内を１０−１ｔｏｒ
ｒに減圧し、１５００〜１６００℃まで２００℃／ｈｒ
で昇温し、１ｈｒ焼成を行なった。
【００２１】得られたセラミック多層配線基板について
、密度及び収縮率を調べ、脱バインダ処理後の焼成を常
圧で行なったこと以外は同様にして製造したものと比較
した。結果を表１に示す。
、密度及び収縮率を調べ、脱バインダ処理後の焼成を常
圧で行なったこと以外は同様にして製造したものと比較
した。結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例２
下記焼成済みセラミック基板を用いて、第２図に示す方
法に従って、セラミック多層配線基板の製造を行なった
。 焼成済みセラミック基板 材 質：９２％Ａｌ２ Ｏ３ 大きさ：７．５ｃｍ×７．５ｃｍ×１００μｍ厚さまず
、焼成済みセラミック基板にＡｇ／Ｐｄ系ペーストを用
いて厚膜印刷により回路形成し、ガラスペーストを用い
て１０枚のセラミック基板を積層一体化した。
法に従って、セラミック多層配線基板の製造を行なった
。 焼成済みセラミック基板 材 質：９２％Ａｌ２ Ｏ３ 大きさ：７．５ｃｍ×７．５ｃｍ×１００μｍ厚さまず
、焼成済みセラミック基板にＡｇ／Ｐｄ系ペーストを用
いて厚膜印刷により回路形成し、ガラスペーストを用い
て１０枚のセラミック基板を積層一体化した。
【００２４】得られたセラミック基板積層体を焼成炉に
配置し、脱バインダーを行ない、２００ｇ／ｃｍ２ の
荷重（セラミック板）をかけ、この状態で炉内を１０−
１ｔｏｒｒまで減圧した。そして、８５０℃まで２００
℃／ｈｒで昇温し、１ｈｒ焼成した。
配置し、脱バインダーを行ない、２００ｇ／ｃｍ２ の
荷重（セラミック板）をかけ、この状態で炉内を１０−
１ｔｏｒｒまで減圧した。そして、８５０℃まで２００
℃／ｈｒで昇温し、１ｈｒ焼成した。
【００２５】得られたセラミック多層配線基板について
、耐熱衝撃性（−４０℃〜＋１２５℃の５００回繰り返
しによる熱衝撃）を調べ、焼成を常圧で行なったこと以
外は同様にして製造したものと比較した。結果を表２に
示す。
、耐熱衝撃性（−４０℃〜＋１２５℃の５００回繰り返
しによる熱衝撃）を調べ、焼成を常圧で行なったこと以
外は同様にして製造したものと比較した。結果を表２に
示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のセラミック
多層配線基板の製造方法によれば、従来の技術を応用し
て、単に焼成時に排気を行なうという簡単な操作にて、
高密度かつ高強度で信頼性の高いセラミック多層配線基
板を得ることが可能とされる。本発明で製造されたセラ
ミック多層配線基板は、各種電子機器の実装密度の増大
、信頼性の向上に極めて有用である。
多層配線基板の製造方法によれば、従来の技術を応用し
て、単に焼成時に排気を行なうという簡単な操作にて、
高密度かつ高強度で信頼性の高いセラミック多層配線基
板を得ることが可能とされる。本発明で製造されたセラ
ミック多層配線基板は、各種電子機器の実装密度の増大
、信頼性の向上に極めて有用である。
【図１】第１図は本発明のセラミック多層配線基板の製
造方法の一実施例を示す正面図である。
造方法の一実施例を示す正面図である。
【図２】第２図は本発明のセラミック多層配線基板の製
造方法の他の実施例を示す正面図である。
造方法の他の実施例を示す正面図である。
１ 焼成炉
２ ガス導入管
３ 排気管
４ グリーンシート積層体
５ 底板
６ セラミック基板積層体
７ 荷重
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックグリーンシートの少なくと
も一方の面に回路形成した後、該セラミックグリーンシ
ートを複数枚積層して得られる積層体を脱バインダ処理
した後焼成することによりセラミック多層配線基板を製
造する方法において、該脱バインダ処理後の焼成を真空
又は減圧下で行なうことを特徴とするセラミック多層配
線基板の製造方法。 - 【請求項２】 焼成済みセラミック基板の少なくとも
一方の面に回路形成した後、該セラミック基板を、焼成
により溶融して接合機能を奏する接着剤を介して、複数
枚積層して得られる積層体を荷重を加えながら焼成する
ことによりセラミック多層配線基板を製造する方法にお
いて、該焼成を真空又は減圧下で行なうことを特徴とす
るセラミック多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 接着剤がガラスペーストであることを
特徴とする請求項２に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054597A JPH04290491A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | セラミック多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054597A JPH04290491A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | セラミック多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290491A true JPH04290491A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=12975145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054597A Pending JPH04290491A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | セラミック多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04290491A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100511109B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2005-08-31 | 한국기계연구원 | 층간 결합력이 향상된 다층 세라믹스의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916189B1 (ja) * | 1970-12-23 | 1974-04-20 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054597A patent/JPH04290491A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4916189B1 (ja) * | 1970-12-23 | 1974-04-20 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100511109B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2005-08-31 | 한국기계연구원 | 층간 결합력이 향상된 다층 세라믹스의 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980922 |