JPH04287995A - 可視光半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
可視光半導体レ−ザおよびその製造方法Info
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- JPH04287995A JPH04287995A JP2468591A JP2468591A JPH04287995A JP H04287995 A JPH04287995 A JP H04287995A JP 2468591 A JP2468591 A JP 2468591A JP 2468591 A JP2468591 A JP 2468591A JP H04287995 A JPH04287995 A JP H04287995A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高出力動作をする可視
光半導体レ−ザおよびその製造方法に関するものである
。
光半導体レ−ザおよびその製造方法に関するものである
。
【０００２】
【従来の技術】図７は、例えば第３７回応用物理学関係
連合講演会予稿集（１９９０年春季）、２９ａーＳＡー
４、ｐ９３０に示された従来の窓構造を有する可視光半
導体レ−ザを示す断面側面図である。この図において、
１はｎ形ＧａＡｓ基板、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラ
ッド層、４はＧａＩｎＰ活性層、５はリッジ形成された
ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、８は選択成長により
リッジの一部の領域を残して埋め込むように形成したｎ
形ＧａＡｓブロック層、１２はこのブロック層８を埋め
込むように形成したｐ形ＧａＡｓコンタクト層、１０は
ｎ側電極、１１はｐ側電極、１３は前記上クラッド層５
を通してＺｎを固相または気相拡散したＺｎ拡散領域で
ある。なお、以下の説明では特に必要の場合を除き組成
成分を省略して、例えば基板１のようにいうことにする
。
連合講演会予稿集（１９９０年春季）、２９ａーＳＡー
４、ｐ９３０に示された従来の窓構造を有する可視光半
導体レ−ザを示す断面側面図である。この図において、
１はｎ形ＧａＡｓ基板、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラ
ッド層、４はＧａＩｎＰ活性層、５はリッジ形成された
ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、８は選択成長により
リッジの一部の領域を残して埋め込むように形成したｎ
形ＧａＡｓブロック層、１２はこのブロック層８を埋め
込むように形成したｐ形ＧａＡｓコンタクト層、１０は
ｎ側電極、１１はｐ側電極、１３は前記上クラッド層５
を通してＺｎを固相または気相拡散したＺｎ拡散領域で
ある。なお、以下の説明では特に必要の場合を除き組成
成分を省略して、例えば基板１のようにいうことにする
。
【０００３】図８，図９に、図７の従来の可視光半導体
レ−ザの製造工程の例を示す。図８（ａ）は基板１に下
クラッド層３，活性層４，上クラッド層５を形成した第
１回目の成長工程であり、図８（ｂ）はＺｎ拡散工程で
、気相または固相より選択的にＺｎを拡散し、斜線を施
したＺｎ拡散領域１３を形成する。
レ−ザの製造工程の例を示す。図８（ａ）は基板１に下
クラッド層３，活性層４，上クラッド層５を形成した第
１回目の成長工程であり、図８（ｂ）はＺｎ拡散工程で
、気相または固相より選択的にＺｎを拡散し、斜線を施
したＺｎ拡散領域１３を形成する。
【０００４】図９（ａ）は、図８（ｂ）に引続く工程で
、上クラッド層５をリッジ形成にした後に第２回目の成
長としてブロック層８を形成する。この時、選択成長マ
スク１４をリッジ上の一部に設け、この上には成長しな
いようにする。次いで、選択成長マスク１４を除去し、
図９（ｂ）のように第３回目の成長工程によりコンタク
ト層１２を形成する。
、上クラッド層５をリッジ形成にした後に第２回目の成
長としてブロック層８を形成する。この時、選択成長マ
スク１４をリッジ上の一部に設け、この上には成長しな
いようにする。次いで、選択成長マスク１４を除去し、
図９（ｂ）のように第３回目の成長工程によりコンタク
ト層１２を形成する。
【０００５】上記活性層４はＧａＩｎＰ層の場合を説明
したが、一般的には、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の活性層４
ということができる。すなわち、結晶の組成は（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ）０．５ ＩｎＰ（０≦ｘ≦１）と表さ
れ、したがって、任意にｘを変えることにより、上記結
晶はＧａＩｎＰ（ｘ＝０）からＡｌＩｎＰ（ｘ＝１）ま
で変えることができ、ＧａＩｎＰもＡｌＧａＩｎＰ系と
見られるからである。
したが、一般的には、ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の活性層４
ということができる。すなわち、結晶の組成は（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ ）０．５ ＩｎＰ（０≦ｘ≦１）と表さ
れ、したがって、任意にｘを変えることにより、上記結
晶はＧａＩｎＰ（ｘ＝０）からＡｌＩｎＰ（ｘ＝１）ま
で変えることができ、ＧａＩｎＰもＡｌＧａＩｎＰ系と
見られるからである。
【０００６】次に、図７の従来の半導体レ−ザの動作に
ついて説明する。ｐ側電極１１とｎ側電極１０の間にｐ
ｎ接合の順方向バイアス電圧を印加すると、電流はブロ
ック層８に覆われていないリッジ部から活性層４へ注入
される。注入されたこれらのキャリアはヘテロ接合によ
り活性層４へ閉じ込められて、再結合し発光する。さら
に、ブロック層８の光の吸収および電流狭窄により活性
層４内の水平方向に屈折率差を生じ、横方向の光の広が
りが制限される。このような導波路により導波される光
は、ストライプ状のリッジの奥行方向に垂直な対向する
劈開端面によって構成されるファブリ・ペロー（Ｆａｂ
ｒｙ Ｐｅｒｏｔ）型共振器によりレ−ザ発振に至る。
ついて説明する。ｐ側電極１１とｎ側電極１０の間にｐ
ｎ接合の順方向バイアス電圧を印加すると、電流はブロ
ック層８に覆われていないリッジ部から活性層４へ注入
される。注入されたこれらのキャリアはヘテロ接合によ
り活性層４へ閉じ込められて、再結合し発光する。さら
に、ブロック層８の光の吸収および電流狭窄により活性
層４内の水平方向に屈折率差を生じ、横方向の光の広が
りが制限される。このような導波路により導波される光
は、ストライプ状のリッジの奥行方向に垂直な対向する
劈開端面によって構成されるファブリ・ペロー（Ｆａｂ
ｒｙ Ｐｅｒｏｔ）型共振器によりレ−ザ発振に至る。
【０００７】次に、レーザ端の領域において、活性層４
をＺｎ拡散により、その結晶配列を無秩序（ディスオー
ダ）化することによりＺｎ拡散領域１３の禁制帯幅を広
くしているため、レーザ端面における光の吸収による表
面再結合が低減され、レーザの光学損傷（ＣＯＤ）によ
る劣化を防ぐことができ、また、そのため高出力化が可
能となる。
をＺｎ拡散により、その結晶配列を無秩序（ディスオー
ダ）化することによりＺｎ拡散領域１３の禁制帯幅を広
くしているため、レーザ端面における光の吸収による表
面再結合が低減され、レーザの光学損傷（ＣＯＤ）によ
る劣化を防ぐことができ、また、そのため高出力化が可
能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように構成された従来の可視光半導体レ−ザにあっては
、気相からのＺｎ拡散により窓層を形成しなければなら
ず、この場合、Ｚｎ拡散領域１３からのリ−ク電流によ
るしきい値電流の上昇を防ぐため、下クラッド層３中で
Ｚｎの拡散を止めなければならず、また、共振器端面に
電流を流さないようにするためにＺｎ拡散領域１３上に
ブロック層８を設けなければならないなどの問題点があ
った。
ように構成された従来の可視光半導体レ−ザにあっては
、気相からのＺｎ拡散により窓層を形成しなければなら
ず、この場合、Ｚｎ拡散領域１３からのリ−ク電流によ
るしきい値電流の上昇を防ぐため、下クラッド層３中で
Ｚｎの拡散を止めなければならず、また、共振器端面に
電流を流さないようにするためにＺｎ拡散領域１３上に
ブロック層８を設けなければならないなどの問題点があ
った。
【０００９】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、気相によるＺｎ拡散なしで結晶
成長により活性層のみを選択的に無秩序化（ｄｉｓｏｒ
ｄｅｒｉｎｇ） し、窓構造を有する高出力および高信
頼性の可視光半導体レ−ザおよびその製造方法を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、気相によるＺｎ拡散なしで結晶
成長により活性層のみを選択的に無秩序化（ｄｉｓｏｒ
ｄｅｒｉｎｇ） し、窓構造を有する高出力および高信
頼性の可視光半導体レ−ザおよびその製造方法を得るこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１に
記載の可視光半導体レ−ザは、ＧａＩｎＰ活性層を含む
ダブルヘテロ構造のウエハ上に選択的にＧａＡｓ再生層
を結晶成長させ、この選択成長したＧａＡｓ再生層の領
域下のＧａＩｎＰ活性層を窓構造領域（レーザ光の非吸
収領域）としたものである。
記載の可視光半導体レ−ザは、ＧａＩｎＰ活性層を含む
ダブルヘテロ構造のウエハ上に選択的にＧａＡｓ再生層
を結晶成長させ、この選択成長したＧａＡｓ再生層の領
域下のＧａＩｎＰ活性層を窓構造領域（レーザ光の非吸
収領域）としたものである。
【００１１】また、請求項２に記載の可視光半導体レ−
ザの製造方法は、リッジ以外の部分に選択的な結晶成長
を行い、この結晶成長した領域下のＧａＩｎＰ活性層の
みを無秩序化したものである。
ザの製造方法は、リッジ以外の部分に選択的な結晶成長
を行い、この結晶成長した領域下のＧａＩｎＰ活性層の
みを無秩序化したものである。
【００１２】
【作用】本発明における可視光半導体レ−ザは、最上層
にｐ形ＧａＡｓ層を有し、ＧａＩｎＰ活性層を有するダ
ブルヘテロ構造のウエハ上に選択的に結晶成長すること
により、この選択成長した領域下のＧａＩｎＰ活性層部
分の結晶状態が無秩序化され、半導体レ−ザの窓領域と
なる。
にｐ形ＧａＡｓ層を有し、ＧａＩｎＰ活性層を有するダ
ブルヘテロ構造のウエハ上に選択的に結晶成長すること
により、この選択成長した領域下のＧａＩｎＰ活性層部
分の結晶状態が無秩序化され、半導体レ−ザの窓領域と
なる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面について説明
する。図１において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２はｎ形
ＧａＡｓバッファ層、３はｎ形ＡｌＧａＩｎＰ下クラッ
ド層、４はＧａＩｎＰ活性層、５はストライプ状にリッ
ジ形成したｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、６はｐ形
ＧａＩｎＰバッファ層、７はｐ形ＧａＡｓコンタクト層
、８は選択成長によりリッジ部の一部を残して埋め込む
ように形成したｎ形ＧａＡｓブロック層、９は前記ｎ形
ＧａＡｓブロック層８と同様に形成したｐ形ＧａＡｓ層
、１０はｎ側電極、１１はｐ側電極である。
する。図１において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２はｎ形
ＧａＡｓバッファ層、３はｎ形ＡｌＧａＩｎＰ下クラッ
ド層、４はＧａＩｎＰ活性層、５はストライプ状にリッ
ジ形成したｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、６はｐ形
ＧａＩｎＰバッファ層、７はｐ形ＧａＡｓコンタクト層
、８は選択成長によりリッジ部の一部を残して埋め込む
ように形成したｎ形ＧａＡｓブロック層、９は前記ｎ形
ＧａＡｓブロック層８と同様に形成したｐ形ＧａＡｓ層
、１０はｎ側電極、１１はｐ側電極である。
【００１４】なお、２から９の各層は、いずれもＭＯＣ
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法やＭＢＥ（
Ｍｏｌｅｃｕｌｅｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ）
法などの気相成長法により形成される。本実施例では、
上，下クラッド層（（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５
Ｉｎ０．５ Ｐ）５，３のＡｌ組成比ｘは０．６〜０．
７である。
ＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） 法やＭＢＥ（
Ｍｏｌｅｃｕｌｅｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ）
法などの気相成長法により形成される。本実施例では、
上，下クラッド層（（Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ ）０．５
Ｉｎ０．５ Ｐ）５，３のＡｌ組成比ｘは０．６〜０．
７である。
【００１５】次に、動作について説明する。この半導体
レ−ザの動作機構は、従来の半導体レーザの動作機構と
ほぼ同様であるので、以下ではその作用について説明す
る。ＭＯＣＶＤ法により成長したＧａＩｎＰ結晶（Ｇａ
ＩｎＰ活性層４）は、その成長温度やＶ／ＩＩＩ 比（
Ｖ族材料とＩＩＩ 族材料のモル流量比）により、結晶
の禁制帯幅を約７０ｍｅＶ変えることができる。すなわ
ち、これらの成長条件を任意に選ぶことにより、禁制帯
幅の狭い（オーダ）状態から広い（ディスオーダ）状態
まで変化させられる。また、従来例の動作のところでも
説明したように、オーダ状態に近いＧａＩｎＰにＺｎが
拡散すると、その原子配列が無秩序化し、禁制帯幅が広
くなる。
レ−ザの動作機構は、従来の半導体レーザの動作機構と
ほぼ同様であるので、以下ではその作用について説明す
る。ＭＯＣＶＤ法により成長したＧａＩｎＰ結晶（Ｇａ
ＩｎＰ活性層４）は、その成長温度やＶ／ＩＩＩ 比（
Ｖ族材料とＩＩＩ 族材料のモル流量比）により、結晶
の禁制帯幅を約７０ｍｅＶ変えることができる。すなわ
ち、これらの成長条件を任意に選ぶことにより、禁制帯
幅の狭い（オーダ）状態から広い（ディスオーダ）状態
まで変化させられる。また、従来例の動作のところでも
説明したように、オーダ状態に近いＧａＩｎＰにＺｎが
拡散すると、その原子配列が無秩序化し、禁制帯幅が広
くなる。
【００１６】本発明は、これらのＧａＩｎＰ結晶特有な
性質に加え、ＧａＩｎＰ活性層４のＧａＩｎＰとｐ形Ｇ
ａＡｓコンタクト層７を含むダブルヘテロ（ＤＨ）構造
のウエハ上に選択的にＧａＡｓ（ｐ形，アンドープいず
れでも可）層を再成長すると、図２，図３に対比して示
すように、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層５側からド
−パントのＺｎがＧａＩｎＰ活性層４へ拡散する。した
がって、オーダ状態に近いＧａＩｎＰ活性層４は、この
Ｚｎ拡散によりディスオーダ状態となり、ＧａＡｓ層を
再成長した領域下のみのＧａＩｎＰ活性層４の禁制帯幅
が広くなる。
性質に加え、ＧａＩｎＰ活性層４のＧａＩｎＰとｐ形Ｇ
ａＡｓコンタクト層７を含むダブルヘテロ（ＤＨ）構造
のウエハ上に選択的にＧａＡｓ（ｐ形，アンドープいず
れでも可）層を再成長すると、図２，図３に対比して示
すように、ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層５側からド
−パントのＺｎがＧａＩｎＰ活性層４へ拡散する。した
がって、オーダ状態に近いＧａＩｎＰ活性層４は、この
Ｚｎ拡散によりディスオーダ状態となり、ＧａＡｓ層を
再成長した領域下のみのＧａＩｎＰ活性層４の禁制帯幅
が広くなる。
【００１７】したがって、図４に示すように、ストライ
プ状にリッジ形成したＤＨウエハ上に選択成長によりＧ
ａＡｓ層を再成長した領域を半導体レーザの共振器端面
にすることにより、レーザ端面における光の吸収による
表面再結合が低減され、レーザの光学損傷（ＣＯＤ）に
よる劣化を防ぐことができ、高出力化および高信頼性化
が可能となる。
プ状にリッジ形成したＤＨウエハ上に選択成長によりＧ
ａＡｓ層を再成長した領域を半導体レーザの共振器端面
にすることにより、レーザ端面における光の吸収による
表面再結合が低減され、レーザの光学損傷（ＣＯＤ）に
よる劣化を防ぐことができ、高出力化および高信頼性化
が可能となる。
【００１８】図５に本発明の製造方法の一実施例を示す
所要工程における斜視図を示す。本発明においては、図
５（ａ）のように、第１回目の成長により基板１上にバ
ッファ層２，下クラッド層３，活性層４，上クラッド層
５，バッファ層６，コンタクト層７を形成する。次いで
、図５（ｂ）のように、上クラッド層５をリッジ状に形
成し、リッジ上の一部に選択成長用マスク１４を設ける
。その後、図５（ｃ）のように、ブロック層８とｐ形Ｇ
ａＡｓ層９を設ける。次いで、図１のように、ｎ側電極
１０とｐ側電極１１を形成する。上記ｐ形ＧａＡｓ層９
（アンド−プＧａＡｓ層でもよい）の再成長により、そ
の下の活性層４部分にＺｎが拡散し、無秩序化し、窓構
造となる。この場合、複数の半導体レ−ザを１個の基板
１上に同時に形成できることはいうまでもない。
所要工程における斜視図を示す。本発明においては、図
５（ａ）のように、第１回目の成長により基板１上にバ
ッファ層２，下クラッド層３，活性層４，上クラッド層
５，バッファ層６，コンタクト層７を形成する。次いで
、図５（ｂ）のように、上クラッド層５をリッジ状に形
成し、リッジ上の一部に選択成長用マスク１４を設ける
。その後、図５（ｃ）のように、ブロック層８とｐ形Ｇ
ａＡｓ層９を設ける。次いで、図１のように、ｎ側電極
１０とｐ側電極１１を形成する。上記ｐ形ＧａＡｓ層９
（アンド−プＧａＡｓ層でもよい）の再成長により、そ
の下の活性層４部分にＺｎが拡散し、無秩序化し、窓構
造となる。この場合、複数の半導体レ−ザを１個の基板
１上に同時に形成できることはいうまでもない。
【００１９】なお、上記実施例では、リッジ形成後の２
回目の結晶成長において、ｎ形ＧａＡｓ層およびｐ形Ｇ
ａＡｓ層９を再成長したものについて示したが、図６に
示すように、ｎ形ＧａＡｓブロック層８の再成長後、ｐ
形ＧａＡｓ再成長層を成長してもよい。ただし、この場
合、リッジ形成した１回目成長のＤＨウエハにおいて、
リッジ上のｐ形ＧａＡｓコンタクト層７を除去した後に
、ｎ形ＧａＡｓブロック層８を選択成長し、その後にｐ
形ＧａＡｓ再成長層であるｐ形ＧａＡｓ層９を再成長す
る必要がある。
回目の結晶成長において、ｎ形ＧａＡｓ層およびｐ形Ｇ
ａＡｓ層９を再成長したものについて示したが、図６に
示すように、ｎ形ＧａＡｓブロック層８の再成長後、ｐ
形ＧａＡｓ再成長層を成長してもよい。ただし、この場
合、リッジ形成した１回目成長のＤＨウエハにおいて、
リッジ上のｐ形ＧａＡｓコンタクト層７を除去した後に
、ｎ形ＧａＡｓブロック層８を選択成長し、その後にｐ
形ＧａＡｓ再成長層であるｐ形ＧａＡｓ層９を再成長す
る必要がある。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の可視光半
導体レ−ザによれば、半導体レ−ザの共振器端面をＧａ
Ａｓ再成長層による活性層へのＺｎ拡散によりＧａＩｎ
Ｐ活性層を無秩序化させ、その禁制帯幅を広くするよう
にしたので、レーザ端面の光学損傷が低減できるため、
レーザの高出力化が実現でき、また、高信頼性の可視光
半導体レ−ザが得られる効果がある。
導体レ−ザによれば、半導体レ−ザの共振器端面をＧａ
Ａｓ再成長層による活性層へのＺｎ拡散によりＧａＩｎ
Ｐ活性層を無秩序化させ、その禁制帯幅を広くするよう
にしたので、レーザ端面の光学損傷が低減できるため、
レーザの高出力化が実現でき、また、高信頼性の可視光
半導体レ−ザが得られる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による可視光半導体レ−ザの
一部を断面とした斜視図である。
一部を断面とした斜視図である。
【図２】ＧａＡｓ層の再成長なしの場合のＺｎの活性層
への拡散を説明するための図である。
への拡散を説明するための図である。
【図３】本発明の作用を説明するための図である。
【図４】図１の実施例の側断面図である。
【図５】本発明の可視半導体レ−ザの製造方法の一実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図６】本発明の他の実施例による可視光半導体レ−ザ
の一部を断面とした斜視図である。
の一部を断面とした斜視図である。
【図７】従来の可視光半導体レ−ザを示す一部を断面と
した斜視図である。
した斜視図である。
【図８】従来の可視光半導体レ−ザの製造方法を説明す
るための斜視図である。
るための斜視図である。
【図９】図８に引続く斜視図である。
１ ｎ形ＧａＡｓ基板
２ ｎ形ＧａＡｓバッファ層
３ ｎ形ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４
ＧａＩｎＰ活性層 ５ ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層６
ｐ形ＧａＩｎＰバッファ層 ７ ｐ形ＧａＡｓコンタクト層 ８ ｎ形ＧａＡｓブロック層 ９ ｐ形ＧａＡｓ層 １０ ｎ側電極 １１ ｐ側電極
ＧａＩｎＰ活性層 ５ ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層６
ｐ形ＧａＩｎＰバッファ層 ７ ｐ形ＧａＡｓコンタクト層 ８ ｎ形ＧａＡｓブロック層 ９ ｐ形ＧａＡｓ層 １０ ｎ側電極 １１ ｐ側電極
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ形半導体基板上に少なくともｎ形ＡｌＧ
ａＩｎＰ下クラッド層，ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の活性層
，ｐ形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層が形成され、前記ｐ
形ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層上にｐ形ＧａＩｎＰバッ
ファ層とｐ形ＧａＡｓコンタクト層が順次形成され、半
導体レ−ザの共振器端面部の領域にｐ形またはアンドー
プのＧａＡｓ再成長層がｎ形ＧａＡｓブロック層を介し
て形成され、このＧａＡｓ再成長層が形成された領域下
の前記ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の活性層のみを無秩序化し
て窓構造としたことを特徴とする可視光半導体レ−ザ。 - 【請求項２】ｎ形半導体基板上にｎ形ＡｌＧａＩｎＰ下
クラッド層，ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の活性層，ｐ形Ａｌ
ＧａＩｎＰ上クラッド層を順次形成し、このｐ形ＡｌＧ
ａＩｎＰ上クラッド層の途中までエッチングしてストラ
イプ状のリッジを形成し、このリッジ以外の部分にｎ形
ＧａＡｓブロック層を形成し、前記ストライプ状のリッ
ジ上にはＧａＡｓ再生層が成長しないように、選択成長
によりＧａＡｓ層を再成長することにより、前記ＧａＡ
ｓ層が形成された領域下の前記ＡｌＧａＩｎＰ系結晶の
活性層を無秩序化し、前記ｎ形ＧａＡｓブロック層と窓
領域をあわせて形成することを特徴とする可視光半導体
レ−ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2468591A JPH04287995A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 可視光半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2468591A JPH04287995A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 可視光半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287995A true JPH04287995A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12145018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2468591A Pending JPH04287995A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 可視光半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287995A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159783A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP2468591A patent/JPH04287995A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159783A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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