JPH04286855A - Electroluminescent device - Google Patents

Electroluminescent device

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JPH04286855A
JPH04286855A JP5002291A JP5002291A JPH04286855A JP H04286855 A JPH04286855 A JP H04286855A JP 5002291 A JP5002291 A JP 5002291A JP 5002291 A JP5002291 A JP 5002291A JP H04286855 A JPH04286855 A JP H04286855A
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JP
Japan
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electron beam
beam source
transparent electrode
phosphor layer
grid
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JP5002291A
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Jun Matsuura
松浦 潤
Hideyoshi Kimura
秀吉 木村
Yukihiro Kondo
近藤 行広
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent an electron beam source from deteriorating due to the collision of positive ions of a gas remaining in a glass container. CONSTITUTION:A transparent electrode 2 is formed at a site of the inner circumference of a glass container 1 whose inside is made vacuum. A phosphor layer is formed on the surface of the transparent electrode 2 and an electric field radiating-type electron beam source 4 is set on the opposite to the phosphor layer 3 in the glass container 1. An anode of an electric power source 6 is connected with the transparent electrode 2 and at the same time a cathode of the electric power source 6 is connected with the electron beam source 4 and then electron beam radiated from the electron beam source 4 is radiated to the phosphor layer 3 to emit luminescence. A grid 9 is so set near the electron beam source 4 as to make the electron beam be transmitted. The generation of an electric field toward the electron beam source 4 from the transparent electrode 2 is suppressed by connecting the transparent electrode 2 and the grid 9 with the same voltage.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、電界放出型の電子線源
より蛍光体層に電子線を照射して発光させる発光素子に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device which emits light by irradiating a phosphor layer with an electron beam from a field emission type electron beam source.

【0002】0002

【従来の技術】従来より、この種の発光素子として、図
5に示すように、電子線源4に対向して蛍光体層3を配
設し、電子線源4からの電子線を蛍光体層3に照射する
ことによって発光させるものが提供されている。電子線
源4は内部を真空にした真空容器としてのガラス容器1
内に配置され、電子線源4に対向する部位でガラス容器
1の内周面には透明電極2が形成されている。また、蛍
光体層3は透明電極2の表面に被着される。電子線源4
と透明電極2との間には、電子線源4から放射される電
子7を加速するために、加速用直流電源6が透明電極2
を正極とするように接続される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 5, this type of light emitting device has a phosphor layer 3 disposed opposite to an electron beam source 4, and the electron beam from the electron beam source 4 is emitted from the phosphor layer. It is provided that the layer 3 emits light by irradiating it. The electron beam source 4 is a glass container 1 as a vacuum container whose inside is evacuated.
A transparent electrode 2 is formed on the inner peripheral surface of the glass container 1 at a portion facing the electron beam source 4 . Further, the phosphor layer 3 is deposited on the surface of the transparent electrode 2. Electron beam source 4
An acceleration DC power source 6 is connected between the transparent electrode 2 and the transparent electrode 2 in order to accelerate the electrons 7 emitted from the electron beam source 4.
is connected as the positive terminal.

【0003】電子線源4には、多数の透孔4aを形成し
た平板状のゲート4bと、各透孔4aに対応してそれぞ
れ配置された錐状のエミッタ4cとを備えた電界放出型
のものを用いている。この電子線源4は、ゲート4bと
エミッタ4cとをゲート4bが正極となるようにカソー
ド用直流電源5に接続し、ゲート4bとエミッタ4cと
の間に強い電界(たとえば、108 V/m以上)を形
成することによってエミッタ4cの表面から電子を放出
させるものである。エミッタ4cから放出された電子7
は、ゲート4bの透孔4aを通して放射される。
The electron beam source 4 includes a field emission type gate 4b having a plate-shaped gate 4b formed with a large number of through holes 4a, and a conical emitter 4c disposed corresponding to each through hole 4a. using things. In this electron beam source 4, a gate 4b and an emitter 4c are connected to a cathode DC power source 5 such that the gate 4b becomes a positive electrode, and a strong electric field (for example, 108 V/m or more) is applied between the gate 4b and the emitter 4c. ) to emit electrons from the surface of the emitter 4c. Electrons 7 emitted from emitter 4c
is emitted through the through hole 4a of the gate 4b.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】上記構成では、ガラス
容器1内の残留ガスの分子に電子7が衝突して残留ガス
の分子が正にイオン化されると、この正イオン8は電子
線源4と透明電極2との間に生じている電界によって電
子線源4に向かって加速されるものであるから、正イオ
ン8が電子線源4に衝突して損傷を与え、電子線源4の
劣化の原因になるという問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above configuration, when the electrons 7 collide with the molecules of the residual gas in the glass container 1 and the molecules of the residual gas are positively ionized, the positive ions 8 are transferred to the electron beam source 4. Since the positive ions 8 are accelerated toward the electron beam source 4 by the electric field generated between the electron beam source 4 and the transparent electrode 2, the positive ions 8 collide with the electron beam source 4 and cause damage, causing deterioration of the electron beam source 4. There was a problem that it could cause

【0005】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、イオン化された残留ガスによる電子線源の劣
化を防止した発光素子を提供しようとするものである。
The present invention aims to solve the above-mentioned problems and provides a light-emitting element in which deterioration of an electron beam source due to ionized residual gas is prevented.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1では、上記目的
を達成するために、電界放出型の電子線源と、電子線源
に対向して配置し電子線源に対して正電位に設定した透
明電極とを、電子線源から放射される電子の照射により
発光する蛍光体層を挟んで真空容器中に配置した発光素
子において、電子線源と蛍光体層との間の電子線源の近
傍に、透明電極と同電位に接続したグリッドを配設して
いるのである。
[Means for Solving the Problems] In claim 1, in order to achieve the above object, there is provided a field emission type electron beam source, which is arranged opposite to the electron beam source and set at a positive potential with respect to the electron beam source. In a light-emitting element, a transparent electrode is placed in a vacuum container with a phosphor layer that emits light when irradiated with electrons emitted from an electron beam source interposed therebetween. A grid connected to the same potential as the transparent electrode is placed nearby.

【0007】請求項2では、電界放出型の電子線源と、
電子線源に対向して配置し電子線源に対して正電位に設
定した透明電極とを、電子線源から放射される電子の照
射により発光する蛍光体層を挟んで真空容器中に配置し
た発光素子において、電子線源と蛍光体層との間の電子
線源の近傍に、電子線源および透明電極に対して正電位
に設定したグリッドを配設しているのである。
In claim 2, a field emission type electron beam source;
A transparent electrode placed facing the electron beam source and set at a positive potential with respect to the electron beam source was placed in a vacuum container with a phosphor layer that emits light when irradiated with electrons emitted from the electron beam source sandwiched therebetween. In the light emitting element, a grid set at a positive potential with respect to the electron beam source and the transparent electrode is disposed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer.

【0008】請求項3では、電界放出型の電子線源と、
電子線源に対向して配置し電子線源に対して正電位に設
定した透明電極とを、電子線源から放射される電子の照
射により発光する蛍光体層を挟んで真空容器中に配置し
た発光素子において、電子線源と蛍光体層との間の電子
線源の近傍に、電子線源に対して正電位に設定したグリ
ッドを配置し、グリッドと蛍光体層との間で電子線の蛍
光体層への照射を妨げない位置に、透明電極に対して負
電位に設定したイオンコレクタ板を設けているのである
In claim 3, a field emission type electron beam source;
A transparent electrode placed facing the electron beam source and set at a positive potential with respect to the electron beam source was placed in a vacuum container with a phosphor layer that emits light when irradiated with electrons emitted from the electron beam source sandwiched therebetween. In a light emitting element, a grid set at a positive potential with respect to the electron beam source is placed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer, and the electron beam is transferred between the grid and the phosphor layer. An ion collector plate set at a negative potential with respect to the transparent electrode is provided at a position that does not interfere with irradiation to the phosphor layer.

【0009】[0009]

【作用】請求項1の構成によれば、電子線源と蛍光体層
との間の電子線源の近傍に、透明電極と同電位に接続し
たグリッドを配設しているので、蛍光体層とグリッドと
の間には電界が形成されないのであり、真空容器の内部
で発生したイオン化された残留ガスのうち電子線源に向
かって加速されるものが少なくなるのである。その結果
、残留ガスの正イオンが電子線源に衝突することによる
電子線源の損傷が抑制できるのである。
[Operation] According to the structure of claim 1, since the grid connected to the same potential as the transparent electrode is disposed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer, the phosphor layer Since no electric field is formed between the electron beam and the grid, less of the ionized residual gas generated inside the vacuum vessel is accelerated toward the electron beam source. As a result, damage to the electron beam source due to collision of positive ions in the residual gas with the electron beam source can be suppressed.

【0010】請求項2の構成によれば、電子線源と蛍光
体層との間の電子線源の近傍に、電子線源および透明電
極に対して正電位に設定したグリッドを配設しているの
で、蛍光体層とグリッドとの間に生じた正イオンが、透
明電極とグリッドとの間に形成されている電界内へ拡散
するのを防止できるのであって、請求項1の構成に比較
して電子線源の損傷を抑制する効果が一層高くなるので
ある。
According to the structure of claim 2, a grid set at a positive potential with respect to the electron beam source and the transparent electrode is disposed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer. Therefore, positive ions generated between the phosphor layer and the grid can be prevented from diffusing into the electric field formed between the transparent electrode and the grid, compared to the structure of claim 1. As a result, the effect of suppressing damage to the electron beam source becomes even higher.

【0011】請求項3の構成によれば、電子線源と蛍光
体層との間の電子線源の近傍に、電子線源に対して正電
位に設定したグリッドを配置し、グリッドと蛍光体層と
の間で電子線の蛍光体層への照射を妨げない位置に、透
明電極に対して負電位に設定したイオンコレクタ板を設
けているので、蛍光体層とグリッドとの間に生じた正イ
オンの再結合を促進することができ、請求項1および請
求項2の構成に比較して電子線源の損傷を抑制する効果
が一層高くなるのである。
According to the structure of claim 3, a grid set to a positive potential with respect to the electron beam source is arranged near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer, and the grid and the phosphor layer are arranged at a positive potential with respect to the electron beam source. An ion collector plate set at a negative potential with respect to the transparent electrode is installed at a position that does not impede the irradiation of the electron beam to the phosphor layer. The recombination of positive ions can be promoted, and the effect of suppressing damage to the electron beam source is even higher than that of the structures of claims 1 and 2.

【0012】0012

【実施例】(実施例1)図1に示すように、グリッド9
を設けた点以外の基本的な構成は、図5に示した従来構
成と同様であるから主として相違部分について説明する
。真空容器としては内部を真空として密閉されたガラス
容器1を用いる。ガラス容器1の内部には電界放出型の
電子線源4(従来の技術で説明した)が配設され、ガラ
ス容器1の一面であって電子線源4に対向する部位には
透明電極2が形成されている。透明電極2は、ITO(
indium tin oxide)等を用いて形成し
た透明導電膜よりなる周知のものである。透明電極2の
表面には蛍光体層3が形成され、電子線源4から放射さ
れた電子7が蛍光体層3に照射されることによって発光
するのである。 電子線源4にはカソード用直流電源5が接続され、電子
線源4と透明電極2との間には加速用直流電源6が透明
電極2を正極とするように接続される。したがって、電
子線源4に対して透明電極2は正電位になるのであり、
電子線源4から放射された電子7は、透明電極2に向か
って加速されることになる。
[Example] (Example 1) As shown in FIG.
The basic configuration other than the provision of is the same as the conventional configuration shown in FIG. 5, so the different parts will be mainly explained. As the vacuum container, a glass container 1 which is sealed with a vacuum inside is used. A field emission type electron beam source 4 (described in the prior art) is disposed inside the glass container 1, and a transparent electrode 2 is provided on one surface of the glass container 1 facing the electron beam source 4. It is formed. The transparent electrode 2 is made of ITO (
This is a well-known transparent conductive film formed using indium tin oxide or the like. A phosphor layer 3 is formed on the surface of the transparent electrode 2, and when the phosphor layer 3 is irradiated with electrons 7 emitted from an electron beam source 4, light is emitted. A cathode DC power source 5 is connected to the electron beam source 4, and an accelerating DC power source 6 is connected between the electron beam source 4 and the transparent electrode 2 so that the transparent electrode 2 is the positive electrode. Therefore, the transparent electrode 2 has a positive potential with respect to the electron beam source 4,
Electrons 7 emitted from the electron beam source 4 are accelerated toward the transparent electrode 2.

【0013】ところで、ガラス容器1内には蛍光体層3
と電子線源4との間で、電子線源4の近傍にグリッド9
が配設されている。グリッド9は電子線源4から放射さ
れた電子7が透過できるように金属を用いて形成されて
いる。また、グリッド9は透明電極2と同電位になるよ
うに接続されている。上記構成によれば、グリッド9と
透明電極2との間の空間には電界が形成されないもので
あるから、この空間で正イオン8にイオン化された残留
ガスは電子線源4に引きつけられることがないのである
。すなわち、残留ガスの正イオン8のうち電子線源4に
衝突する可能性があるのは、電子線源4とグリッド9と
の間で生じた正イオン8のみとなるのであって、電子線
源4に衝突する正イオン8の数は従来に比較して大幅に
減少する。ここに、上記空間で発生した正イオン8はガ
ラス容器1の周壁や蛍光体層3等で電子と再結合するこ
とによって消滅すると考えられる。
By the way, there is a phosphor layer 3 inside the glass container 1.
and the electron beam source 4, a grid 9 is placed near the electron beam source 4.
is installed. The grid 9 is formed of metal so that the electrons 7 emitted from the electron beam source 4 can pass therethrough. Further, the grid 9 is connected to the transparent electrode 2 so as to have the same potential. According to the above configuration, since no electric field is formed in the space between the grid 9 and the transparent electrode 2, residual gas ionized into positive ions 8 in this space is not attracted to the electron beam source 4. There isn't. That is, of the positive ions 8 in the residual gas, only the positive ions 8 generated between the electron beam source 4 and the grid 9 have a possibility of colliding with the electron beam source 4. The number of positive ions 8 colliding with 4 is significantly reduced compared to the conventional case. Here, it is considered that the positive ions 8 generated in the above space disappear by recombining with electrons on the peripheral wall of the glass container 1, the phosphor layer 3, etc.

【0014】一方、透明電極2とグリッド9との間には
電界が形成されないから、電子線源4から放射された電
子7はグリッド9に至るまでは加速され、その後、ほぼ
等速度で透明電極2に向かって移動することになる。し
たがって、透明電極2に印加する電圧を図5に示した従
来構成と同じにしておけば、電子7の得るエネルギーは
従来と同じになり、発光の強度には変化がないのである
On the other hand, since no electric field is formed between the transparent electrode 2 and the grid 9, the electrons 7 emitted from the electron beam source 4 are accelerated until they reach the grid 9, and then move toward the transparent electrode at approximately the same speed. It will move towards 2. Therefore, if the voltage applied to the transparent electrode 2 is kept the same as in the conventional structure shown in FIG. 5, the energy obtained by the electrons 7 will be the same as in the conventional structure, and the intensity of light emission will not change.

【0015】(実施例2)本実施例では、図2に示すよ
うに、透明電極2とグリッド9との間に、グリッド9が
透明電極2に対して正電位となるように拡散防止用直流
電源10を接続している。拡散防止用直流電源10の電
圧は、イオン化された残留ガスによって蛍光体層3が損
傷することがないように、数ボルトから十数ボルト程度
に設定される。また、拡散防止用直流電源10を設けた
ことによって、電子線源4から放射された電子7の透明
電極2までの加速電圧は拡散防止用直流電源10の電圧
分だけ低くなるので加速用直流電源6の電圧を拡散防止
用直流電源10の電圧分だけ高く設定することが必要で
ある。
(Embodiment 2) In this embodiment, as shown in FIG. 2, a direct current for preventing diffusion is applied between the transparent electrode 2 and the grid 9 so that the grid 9 has a positive potential with respect to the transparent electrode 2. The power supply 10 is connected. The voltage of the DC power source 10 for preventing diffusion is set to about several volts to about ten-odd volts so that the phosphor layer 3 is not damaged by the ionized residual gas. Furthermore, by providing the diffusion prevention DC power supply 10, the acceleration voltage of the electrons 7 emitted from the electron beam source 4 to the transparent electrode 2 is lowered by the voltage of the diffusion prevention DC power supply 10. It is necessary to set the voltage of 6 to be higher by the voltage of the diffusion prevention DC power supply 10.

【0016】上記構成によれば、透明電極2とグリッド
9との間の空間にはグリッド9から透明電極2に向かう
電界が形成されることになり、上記空間内で発生した正
イオン8が電子線源4とグリッド9との間に拡散しよう
としてもグリッド9によって阻止されることになる。し
かも、拡散防止用直流電源10によって上記空間内に形
成される電界は、正イオン8を透明電極2に向かって加
速するから、電子線源4に衝突する正イオン8の数はさ
らに減少することになり、電子線源4の正イオン8によ
る損傷を確実に防止できることになる。
According to the above configuration, an electric field directed from the grid 9 toward the transparent electrode 2 is formed in the space between the transparent electrode 2 and the grid 9, and the positive ions 8 generated in the space become electrons. Any attempt to diffuse between the source 4 and the grid 9 will be blocked by the grid 9. Moreover, since the electric field formed in the space by the diffusion prevention DC power source 10 accelerates the positive ions 8 toward the transparent electrode 2, the number of positive ions 8 colliding with the electron beam source 4 is further reduced. Therefore, damage caused by positive ions 8 to the electron beam source 4 can be reliably prevented.

【0017】(実施例3)本実施例は、図3に示すよう
に、実施例1の構成に加えてグリッド9と透明電極2と
の間にイオンコレクタ板12を配設したものである。イ
オンコレクタ板12は、電子線源4から放出された電子
7の進行を妨げない位置に配設される。ここでは、イオ
ンコレクタ板12は筒状を想定しているが、他の形状と
してもよいのはもちろんのことである。透明電極2とグ
リッド9とは同電位になるように接続され、透明電極2
に対してイオンコレクタ板12が負電位となるようにイ
オン吸引用直流電源11が接続される。
(Embodiment 3) In this embodiment, as shown in FIG. 3, in addition to the structure of Embodiment 1, an ion collector plate 12 is disposed between the grid 9 and the transparent electrode 2. The ion collector plate 12 is disposed at a position where it does not hinder the progress of the electrons 7 emitted from the electron beam source 4. Here, the ion collector plate 12 is assumed to have a cylindrical shape, but it goes without saying that it may have another shape. The transparent electrode 2 and the grid 9 are connected to have the same potential, and the transparent electrode 2
The ion attracting DC power supply 11 is connected so that the ion collector plate 12 has a negative potential.

【0018】この構成によれば、蛍光体層3とグリッド
9との間で発生した正イオン8はイオンコレクタ板12
に引きつけられるので、電子線源4や蛍光体層3に衝突
する正イオン8の数は減少する。イオン吸引用直流電源
11の電圧は電子線源4からの電子7の進行を乱さない
ように加速用直流電源6の電圧に比べて十分低い電圧に
設定する。
According to this configuration, the positive ions 8 generated between the phosphor layer 3 and the grid 9 are transferred to the ion collector plate 12.
, the number of positive ions 8 colliding with the electron beam source 4 and the phosphor layer 3 decreases. The voltage of the ion attraction DC power supply 11 is set to a voltage sufficiently lower than the voltage of the acceleration DC power supply 6 so as not to disturb the progress of the electrons 7 from the electron beam source 4.

【0019】(実施例4)本実施例は、図4に示すよう
に、実施例1におけるグリッド9の形状を変えたもので
ある。すなわち、グリッド9において電子線源4と対向
する部位に、電子線源4から離れる向きに凸となる半球
状の拡散部9aを形成しているのである。このような形
状のグリッド9を用いれば、電子線源4から放射された
電子7は、拡散部9aを通過することによって広がるこ
とになり、電子線源4による電子7の放射面積に対する
蛍光体層4の照射面積の比率を大きくとることができ、
放射面積の小さい電子線源4を用いながらも、発光面積
を広くとることができるのである。
(Embodiment 4) In this embodiment, as shown in FIG. 4, the shape of the grid 9 in Embodiment 1 is changed. That is, a hemispherical diffusion portion 9a that is convex in a direction away from the electron beam source 4 is formed in a portion of the grid 9 that faces the electron beam source 4. If the grid 9 having such a shape is used, the electrons 7 emitted from the electron beam source 4 will spread by passing through the diffusion part 9a, and the phosphor layer will be The ratio of the irradiation area of 4 can be increased,
Although the electron beam source 4 with a small emission area is used, the emission area can be made large.

【0020】[0020]

【発明の効果】上述したように、請求項1の構成によれ
ば、電子線源と蛍光体層との間の電子線源の近傍に、透
明電極と同電位に接続したグリッドを配設しているので
、蛍光体層とグリッドとの間には電界が形成されないの
であり、真空容器の内部で発生したイオン化された残留
ガスのうち電子線源に向かって加速されるものが少なく
なるのである。その結果、残留ガスの正イオンが電子線
源に衝突することによる電子線源の損傷が抑制できると
いう効果を奏するのである。
As described above, according to the structure of claim 1, a grid connected to the same potential as the transparent electrode is disposed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer. Therefore, no electric field is formed between the phosphor layer and the grid, and less of the ionized residual gas generated inside the vacuum chamber is accelerated toward the electron beam source. . As a result, damage to the electron beam source due to collision of positive ions in the residual gas with the electron beam source can be suppressed.

【0021】請求項2の構成によれば、電子線源と蛍光
体層との間の電子線源の近傍に、電子線源および透明電
極に対して正電位に設定したグリッドを配設しているの
で、蛍光体層とグリッドとの間に生じた正イオンが、透
明電極とグリッドとの間に形成されている電界内へ拡散
するのを防止できるのであって、請求項1の構成に比較
して電子線源の損傷を抑制する効果が一層高くなるとい
う利点がある。
According to the structure of claim 2, a grid set at a positive potential with respect to the electron beam source and the transparent electrode is disposed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer. Therefore, positive ions generated between the phosphor layer and the grid can be prevented from diffusing into the electric field formed between the transparent electrode and the grid, compared to the structure of claim 1. This has the advantage of further increasing the effect of suppressing damage to the electron beam source.

【0022】請求項3の構成によれば、電子線源と蛍光
体層との間の電子線源の近傍に、電子線源に対して正電
位に設定したグリッドを配置し、グリッドと蛍光体層と
の間で電子線の蛍光体層への照射を妨げない位置に、透
明電極に対して負電位に設定したイオンコレクタ板を設
けているので、蛍光体層とグリッドとの間に生じた正イ
オンの再結合を促進することができ、請求項1および請
求項2の構成に比較して電子線源の損傷を抑制する効果
が一層高くなるという利点がある。
According to the structure of claim 3, a grid set to a positive potential with respect to the electron beam source is arranged near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer, and the grid and the phosphor layer are arranged at a positive potential with respect to the electron beam source. An ion collector plate set at a negative potential with respect to the transparent electrode is installed at a position that does not impede the irradiation of the electron beam to the phosphor layer. This has the advantage that recombination of positive ions can be promoted, and the effect of suppressing damage to the electron beam source is higher than that of the structures of claims 1 and 2.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】実施例1を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing Example 1.

【図2】実施例2を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing Example 2.

【図3】実施例3を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing Example 3.

【図4】実施例4を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing Example 4.

【図5】従来例を示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    ガラス容器 2    透明電極 3    蛍光体層 4    電子線源 5    カソード用直流電源 6    加速用直流電源 7    電子 8    正イオン 9    グリッド 10  拡散防止用直流電源 11  イオン吸引用直流電源 12  イオンコレクタ板 1 Glass container 2 Transparent electrode 3 Phosphor layer 4. Electron beam source 5 DC power supply for cathode 6 DC power supply for acceleration 7 Electron 8 Positive ions 9 Grid 10 DC power supply for diffusion prevention 11 DC power supply for ion suction 12 Ion collector plate

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  電界放出型の電子線源と、電子線源に
対向して配置し電子線源に対して正電位に設定した透明
電極とを、電子線源から放射される電子の照射により発
光する蛍光体層を挟んで真空容器中に配置した発光素子
において、電子線源と蛍光体層との間の電子線源の近傍
に、透明電極と同電位に接続したグリッドを配設したこ
とを特徴とする発光素子。
Claim 1: A field emission type electron beam source and a transparent electrode placed opposite to the electron beam source and set at a positive potential with respect to the electron beam source are connected by irradiation with electrons emitted from the electron beam source. In a light-emitting element placed in a vacuum container with a light-emitting phosphor layer in between, a grid connected to the same potential as the transparent electrode is arranged near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer. A light emitting element characterized by:
【請求項2】  電界放出型の電子線源と、電子線源に
対向して配置し電子線源に対して正電位に設定した透明
電極とを、電子線源から放射される電子の照射により発
光する蛍光体層を挟んで真空容器中に配置した発光素子
において、電子線源と蛍光体層との間の電子線源の近傍
に、電子線源および透明電極に対して正電位に設定した
グリッドを配設したことを特徴とする発光素子。
2. A field emission type electron beam source and a transparent electrode placed opposite to the electron beam source and set at a positive potential with respect to the electron beam source are connected by irradiation with electrons emitted from the electron beam source. In a light-emitting element placed in a vacuum container with a luminescent phosphor layer in between, a transparent electrode is placed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer and set at a positive potential with respect to the electron beam source and the transparent electrode. A light emitting element characterized by having a grid arranged therein.
【請求項3】  電界放出型の電子線源と、電子線源に
対向して配置し電子線源に対して正電位に設定した透明
電極とを、電子線源から放射される電子の照射により発
光する蛍光体層を挟んで真空容器中に配置した発光素子
において、電子線源と蛍光体層との間の電子線源の近傍
に、電子線源に対して正電位に設定したグリッドを配置
し、グリッドと蛍光体層との間で電子線の蛍光体層への
照射を妨げない位置に、透明電極に対して負電位に設定
したイオンコレクタ板を設けたことを特徴とする発光素
子。
3. A field emission type electron beam source and a transparent electrode placed opposite to the electron beam source and set at a positive potential with respect to the electron beam source are connected by irradiation with electrons emitted from the electron beam source. In a light-emitting element placed in a vacuum container with a light-emitting phosphor layer in between, a grid set at a positive potential with respect to the electron beam source is placed near the electron beam source between the electron beam source and the phosphor layer. A light-emitting element characterized in that an ion collector plate set at a negative potential with respect to the transparent electrode is provided between the grid and the phosphor layer at a position that does not impede irradiation of the electron beam to the phosphor layer.
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