JPH04280048A - Flat type image display device - Google Patents

Flat type image display device

Info

Publication number
JPH04280048A
JPH04280048A JP6799991A JP6799991A JPH04280048A JP H04280048 A JPH04280048 A JP H04280048A JP 6799991 A JP6799991 A JP 6799991A JP 6799991 A JP6799991 A JP 6799991A JP H04280048 A JPH04280048 A JP H04280048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrons
electron source
image display
film
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6799991A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Rikio Ikeda
利喜夫 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP6799991A priority Critical patent/JPH04280048A/en
Priority to GB9204704A priority patent/GB2254486B/en
Priority to GB9217604A priority patent/GB2259183B/en
Priority to GB9217605A priority patent/GB2259184B/en
Priority to DE4207003A priority patent/DE4207003A1/en
Priority to KR1019920003678A priority patent/KR920019214A/en
Publication of JPH04280048A publication Critical patent/JPH04280048A/en
Priority to US08/188,736 priority patent/US5378963A/en
Priority to US08/320,253 priority patent/US5473219A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To provide a clear image and a high-intensity image by constituting an electron source with the primary electron source generating primary electrons and the secondary electron source amplifying the primary electrons from it via the Malter effect. CONSTITUTION:When voltage is applied across a cathode 16 and extracting electrodes 19a, 19b, primary electrons are extracted from the cathode 16 into an opening section 17, and the electrons are accelerated by an upper accelerating grid 22b and a lower accelerating grid 22a. The primary electrons are slantly radiated on the surface of a Cs oxide 15, and secondary electrons are emitted outward from the Cs oxide 15. The Cs oxide 15 is electrified to plus, the electric field is applied to an Al oxide film 14 functioning as a dielectric substance, and the strong electric field is generated near the very thin Al oxide film 14. A large quantity of electrons are extracted from an Al film 13 by the strong electric field via the Malter effect, the electrons are accelerated by the electric field between it and an anode 24, and a large quantity of electrons reaching the anode 24 illuminate a phosphor layer 25.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は平面型画像表示装置に関
し、特に複数の電子源からの電子ビームによって発光体
が発光する平面型画像表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat image display device, and more particularly to a flat image display device in which a light emitter emits light by electron beams from a plurality of electron sources.

【0002】0002

【従来の技術】現在主流のテレビジョン受像機のCRT
に代わる画像表示装置として、平面型の画像表示装置が
検討されており、このような平面型の画像表示装置とし
ては、液晶表示装置(LCD)、エレクトロルミネセン
ス素子(ELD),プラズマ表示装置(PDP)等が挙
げられ、また、画面の明るさの点で、電界放出型の画像
表示装置も注目されている。ここで、その電界放出型の
画像表示装置について簡単に説明すると、半導体製造プ
ロセスを利用して基板上に形成された直径1.0ミクロ
ン以下のモリブデン等よりなる円錐状のカソードをエミ
ッション源とし、そのカソードの先端側に、板状とされ
各カソードに対応して孔が配されたゲート電極が形成さ
れる。ゲート電極はカソードの先端と離間され、両者の
間には選択的に高電圧が印加されて電界放出が発生し、
上記カソードから電子ビームが引き出される。そして、
この電子ビームをアノードの裏面に配された発光体(蛍
光体)に照射することで、所要の画面が表示される。こ
のような電界放出型の画像表示装置については、例えば
、米国特許第3665241号公報や特開平1−294
336号公報等にその記載がある。
[Prior Art] CRTs in currently mainstream television receivers
Planar image display devices are being considered as alternative image display devices, and examples of such planar image display devices include liquid crystal displays (LCDs), electroluminescent devices (ELDs), and plasma display devices ( In addition, field emission type image display devices are also attracting attention in terms of screen brightness. Here, to briefly explain the field emission type image display device, a conical cathode made of molybdenum or the like with a diameter of 1.0 microns or less formed on a substrate using a semiconductor manufacturing process is used as an emission source. A plate-shaped gate electrode is formed on the tip side of the cathode, and has a hole corresponding to each cathode. The gate electrode is separated from the tip of the cathode, and a high voltage is selectively applied between the two to generate field emission.
An electron beam is extracted from the cathode. and,
A desired screen is displayed by irradiating this electron beam onto a light emitting body (phosphor) arranged on the back surface of the anode. Regarding such a field emission type image display device, for example, U.S. Pat.
There is a description of this in Publication No. 336, etc.

【0003】図4は従来の電界放出型の画像表示装置の
一例の断面である。基体101上に複数の尖頭形状のカ
ソード102が配列されて形成される。基体101上に
は絶縁膜103を介してゲート電極104が形成される
。ゲート電極104とカソード102間に印加される電
圧により電子が引き出される。このゲート電極104は
、カソード102上で孔104aを有し、カソード10
2からの電子ビームは孔104aを通過する。そして、
高電圧が印加され基体101に対向した面状のアノード
105に、その電子ビームは照射され、その裏面の発光
体層106に電子が到達して、その発光体層106が発
光する。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an example of a conventional field emission type image display device. A plurality of pointed cathodes 102 are arranged and formed on a base 101 . A gate electrode 104 is formed on the base 101 with an insulating film 103 interposed therebetween. Electrons are extracted by the voltage applied between the gate electrode 104 and the cathode 102. This gate electrode 104 has a hole 104a on the cathode 102, and the gate electrode 104 has a hole 104a on the cathode 102.
The electron beam from 2 passes through the hole 104a. and,
A planar anode 105 facing the base 101 to which a high voltage is applied is irradiated with the electron beam, and the electrons reach the light-emitting layer 106 on the back surface of the anode 105, causing the light-emitting layer 106 to emit light.

【0004】0004

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
電界放出型の画像表示装置では、尖頭形状のカソード1
02から放出される電子ビームが散乱し易く、発光体層
106における発光強度が十分にならない。従って、よ
り明るい画面を形成するための新たな技術的な創意が必
要とされていた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in such a field emission type image display device, the point-shaped cathode 1
The electron beam emitted from the electron beam 02 is easily scattered, and the emission intensity in the light emitter layer 106 is not sufficient. Therefore, new technical ingenuity was needed to form a brighter screen.

【0005】そこで、本発明は上記技術的な課題に鑑み
、強力な電子ビームを放出する電子源を利用して、発光
体の発光強度を向上させてなる平面型画像表示装置の提
供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above technical problems, the present invention aims to provide a flat image display device that uses an electron source that emits a powerful electron beam to improve the luminous intensity of a light emitter. do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明の平面型画像表示装置は、基体と、その基体
上に配される複数の電子源と、その電子源に真空空間を
介して対向する電極と、その電極の上記基体と反対側に
設けられた発光体とを有し、上記電子源は1次電子を発
生させる1次電子源と、その1次電子源からの1次電子
をマルタ効果により増幅する2次電子源とからなること
を特徴とする。このマルタ効果により電子を発生させる
2次電子源は、酸化セシウム膜と、酸化アルミニューム
膜と、アルミニューム膜の積層膜や、酸化マグネシウム
膜と、酸化ニッケル膜と、ニッケル膜の積層膜等が用い
られる。上記電子源と電極の間には、電極に向かって放
出される電子ビームを制御するゲート電極を設けること
ができる。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the flat image display device of the present invention includes a base, a plurality of electron sources disposed on the base, and a vacuum space for the electron sources. The electron source includes a primary electron source that generates primary electrons, and a light emitting body provided on the opposite side of the electrode to the base body, and the electron source includes a primary electron source that generates primary electrons, and a primary electron source that generates primary electrons. It is characterized by comprising a secondary electron source that amplifies secondary electrons by the Malta effect. Secondary electron sources that generate electrons due to the Malta effect include laminated films of a cesium oxide film, an aluminum oxide film, and an aluminum film, a laminated film of a magnesium oxide film, a nickel oxide film, and a nickel film, etc. used. A gate electrode may be provided between the electron source and the electrode to control the electron beam emitted toward the electrode.

【0007】[0007]

【作用】電界放出のみでは、少量の電子ビームしか発生
させることができないが、これを1次電子源とし、その
1次電子源からの1次電子をマルタ効果によって増幅さ
せることで、大量の電子ビームを発生させることができ
る。マルタ効果は界面の絶縁薄膜に強電界が加わった場
合に、大量の電子が所要の金属から引き出される現象で
ある。2次電子源で発生する電子が大量であるため、発
光体の発光強度を改善できる。
[Operation] Only a small amount of electron beam can be generated by field emission alone, but by using this as a primary electron source and amplifying the primary electrons from the primary electron source by the Malta effect, a large amount of electron beams can be generated. Can generate a beam. The Malta effect is a phenomenon in which a large amount of electrons are extracted from a metal when a strong electric field is applied to an insulating thin film at the interface. Since the secondary electron source generates a large amount of electrons, the emission intensity of the light emitter can be improved.

【0008】[0008]

【実施例】本発明の好適な実施例を図面を参照しながら
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0009】〔第1の実施例〕本実施例は、2次電子源
としてマルタ効果を用いる平面型の画像表示装置であり
、図1にその要部を示す。絶縁体からなる基体11の一
部に2次電子源12が形成される。
[First Embodiment] This embodiment is a flat image display device using the Malta effect as a secondary electron source, and the main part thereof is shown in FIG. A secondary electron source 12 is formed in a part of a base 11 made of an insulator.

【0010】この2次電子源12は基体11に形成され
た溝23に、アルミニューム膜13と、そのアルミニュ
ーム膜13上に積層された薄い酸化アルミニューム膜1
4と、その酸化アルミニューム膜14上に積層された酸
化セシウム膜15からなる。最も下層のアルミニューム
膜13には接地電位が与えられる。また、アルミニュー
ム膜13と酸化セシウム膜15の間に形成された酸化ア
ルミニューム膜14は、500〜1000オングストロ
ーム程度の薄膜である。この2次電子源では後述する機
構により大量の電子ビームが発生する。
This secondary electron source 12 has an aluminum film 13 and a thin aluminum oxide film 1 laminated on the aluminum film 13 in a groove 23 formed in a base 11.
4 and a cesium oxide film 15 laminated on the aluminum oxide film 14. A ground potential is applied to the lowermost aluminum film 13. Further, the aluminum oxide film 14 formed between the aluminum film 13 and the cesium oxide film 15 is a thin film of about 500 to 1000 angstroms. This secondary electron source generates a large amount of electron beams by a mechanism described later.

【0011】この3つの金属及び金属酸化膜の積層構造
からなる2次電子源12の近傍では、上記基体11上に
1次電子源20が形成される。この1次電子源20は、
エミッション源として鋸歯状の電界放出面を有するカソ
ード16を有する。図2は、カソード16の形状を示す
斜視図である。カソード16は下部絶縁膜18a上に形
成された平板状の例えばモリブデンやタングステン等の
金属材料からなる。このカソード16の電界放出面33
側は、山部31と谷部32が交互に配された鋸歯状とさ
れ、その突出した山部31に電界が集中して、1次電子
が引き出される。このカソード16は下部絶縁膜18a
と上部絶縁膜18bに挟まれており、電界放出面33側
には開口部17が形成される。
A primary electron source 20 is formed on the base 11 in the vicinity of the secondary electron source 12, which has a laminated structure of three metals and metal oxide films. This primary electron source 20 is
It has a cathode 16 having a sawtooth field emission surface as an emission source. FIG. 2 is a perspective view showing the shape of the cathode 16. The cathode 16 is formed on the lower insulating film 18a and is made of a flat metal material such as molybdenum or tungsten. Field emission surface 33 of this cathode 16
The sides have a sawtooth shape in which peaks 31 and valleys 32 are arranged alternately, and an electric field is concentrated on the protruding peaks 31 to extract primary electrons. This cathode 16 is a lower insulating film 18a.
and an upper insulating film 18b, and an opening 17 is formed on the field emission surface 33 side.

【0012】この開口部17内には、上部引き出し電極
19b,下部引き出し電極19a及び上部加速グリッド
22b,下部加速グリッド22aが臨む。上部引き出し
電極19bは上記カソード16を挟む一方の上部絶縁膜
18bの2次電子源側の端部に配され、下部引き出し電
極19aは上記カソード16を挟む他方の下部絶縁膜1
8aの2次電子源側の端部に配される。これら上部引き
出し電極19b,下部引き出し電極19aはカソード1
6の電界放出面33と近い位置に配され、これら上部引
き出し電極19b,下部引き出し電極19aに所要の電
圧を印加することで、カソード16から1次電子が引き
出される。下部引き出し電極19aとの間に下部層間絶
縁膜21aを介在させて基体主面上には、下部加速グリ
ッド22bが配される。また、前記上部引き出し電極1
9bとの間に上部層間絶縁膜21bを介在させて上部加
速グリッド22aが形成される。これら上部加速グリッ
ド22b及び下部加速グリッド22aは、前記引き出し
電極19b,19aよりも膜厚が厚くされ、該引き出し
電極19b,19aよりも高い電圧が印加されて、開口
部17内の1次電子を加速する。この時、1次電子に与
えられるエネルギーは、例えば50〜100eV程度と
される。
[0012] Inside this opening 17, an upper extraction electrode 19b, a lower extraction electrode 19a, an upper acceleration grid 22b, and a lower acceleration grid 22a face. The upper extraction electrode 19b is arranged at the end of the secondary electron source side of one of the upper insulating films 18b sandwiching the cathode 16 therebetween, and the lower extraction electrode 19a is arranged at the end of the other lower insulating film 1 sandwiching the cathode 16 therebetween.
It is arranged at the end of the secondary electron source side of 8a. These upper lead-out electrodes 19b and lower lead-out electrodes 19a are connected to the cathode 1.
Primary electrons are extracted from the cathode 16 by applying a required voltage to the upper extraction electrode 19b and the lower extraction electrode 19a. A lower acceleration grid 22b is arranged on the main surface of the base body with a lower interlayer insulating film 21a interposed between it and the lower extraction electrode 19a. Further, the upper lead-out electrode 1
9b, an upper acceleration grid 22a is formed with an upper interlayer insulating film 21b interposed therebetween. The upper acceleration grid 22b and the lower acceleration grid 22a are made thicker than the extraction electrodes 19b and 19a, and a voltage higher than that of the extraction electrodes 19b and 19a is applied to the primary electrons in the opening 17. To accelerate. At this time, the energy given to the primary electrons is, for example, about 50 to 100 eV.

【0013】これら1次電子源20及び2次電子源12
が隣接して形成された基体11に対向する電極としてア
ノード24が配される。基体11とアノード24の間は
真空空間とされ、基体11の主面と面状のアノード24
は略平行に配される。このアノード24には、高電圧が
印加され、2次電子源12で発生した大量の電子が到達
する。アノード24の真空空間側の裏面には発光体層2
5が設けられ、この発光体層25に電子が衝突して発光
体が発光する。発光体層25はアノード24と前面パネ
ルガラス26に挟まれて存在する。前面パネルガラス2
6は透明なガラスよりなり、この前面パネルガラスを介
して画像が表示される。
These primary electron sources 20 and secondary electron sources 12
An anode 24 is disposed as an electrode facing the base 11 formed adjacent to the substrate 11 . A vacuum space is provided between the base body 11 and the anode 24, and the main surface of the base body 11 and the planar anode 24
are arranged approximately parallel to each other. A high voltage is applied to this anode 24, and a large amount of electrons generated by the secondary electron source 12 reach the anode 24. A light emitter layer 2 is provided on the back surface of the anode 24 on the vacuum space side.
5 is provided, and electrons collide with this luminous body layer 25, causing the luminous body to emit light. The light emitter layer 25 exists sandwiched between the anode 24 and the front panel glass 26. Front panel glass 2
6 is made of transparent glass, and images are displayed through this front panel glass.

【0014】このような構造の本実施例の平面型画像表
示装置は、カソード16と引き出し電極19a,19b
間に電圧を印加することで、カソード16から開口部1
7内に1次電子が引き出され、その1次電子は上部加速
グリッド22b及び下部加速グリッド22aによって加
速される。加速された1次電子は、酸化セシウム15の
表面に斜めに照射され、その酸化セシウム15から外に
2次電子を放出させる。このように2次電子が放出され
る結果、酸化セシウム15はプラスに帯電する。すると
、誘電体として機能する酸化アルミニューム膜14には
電界が加わることになり、この酸化アルミニューム膜1
4は極めて薄い膜であることから、酸化アルミニューム
膜14の近傍には強力な電界が発生する。この強い電界
によってアルミニューム膜13からは電子が大量に引き
出され(マルタ効果)、アノード24との間の電界に従
って加速される。そして、アノード24に至った大量の
電子は発光体層25にまで到達し、その部分で発光体層
25を発光させる。この時、電子の量が大きいため、そ
の発光強度は強いものとなる。
The flat image display device of this embodiment having such a structure has a cathode 16 and extraction electrodes 19a, 19b.
By applying a voltage between the cathode 16 and the opening 1
Primary electrons are extracted within the grid 7, and the primary electrons are accelerated by the upper acceleration grid 22b and the lower acceleration grid 22a. The accelerated primary electrons are obliquely irradiated onto the surface of the cesium oxide 15, causing the cesium oxide 15 to emit secondary electrons to the outside. As a result of the secondary electrons being emitted in this way, the cesium oxide 15 becomes positively charged. Then, an electric field is applied to the aluminum oxide film 14 that functions as a dielectric, and the aluminum oxide film 1
Since 4 is an extremely thin film, a strong electric field is generated near the aluminum oxide film 14. A large amount of electrons are extracted from the aluminum film 13 by this strong electric field (Maltese effect) and are accelerated according to the electric field between the aluminum film 13 and the anode 24 . The large amount of electrons that have reached the anode 24 reach the luminescent layer 25, causing the luminescent layer 25 to emit light at that portion. At this time, since the amount of electrons is large, the emission intensity is strong.

【0015】以上のように本実施例の平面型画像表示装
置は、マルタ効果を利用して、大量の電子が発光体層2
5に衝突する。このため画像表示のための発光強度を大
幅に改善することができる。
As described above, in the flat image display device of this embodiment, a large amount of electrons are transferred to the light emitting layer 2 by utilizing the Maltese effect.
Collision with 5. Therefore, the light emission intensity for image display can be significantly improved.

【0016】なお、本実施例の画像表示装置では、2次
電子源として、酸化セシウム膜15と、酸化アルミニュ
ーム膜14と、アルミニューム膜13の積層膜を用いた
が、これに限定されず、酸化マグネシウム膜と、酸化ニ
ッケル膜と、ニッケル膜の積層膜等を使用することも可
能である。
In the image display device of this embodiment, a laminated film of the cesium oxide film 15, the aluminum oxide film 14, and the aluminum film 13 is used as the secondary electron source, but the present invention is not limited to this. It is also possible to use a laminated film of a magnesium oxide film, a nickel oxide film, and a nickel film.

【0017】〔第2の実施例〕本実施例の平面型画像表
示装置は、図3に示すように、ゲート電極を有した構造
とされる。
[Second Embodiment] The flat image display device of this embodiment has a structure having a gate electrode, as shown in FIG.

【0018】本実施例の画像表示装置が第1の実施例の
画像表示装置と異なる点は、ゲート電極41が形成され
ている点であり、その他の部分については、第1の実施
例と同様なため、図3中に同じ引用符号を用いて図示す
ると共に重複した説明を省略する。
The image display device of this embodiment differs from the image display device of the first embodiment in that a gate electrode 41 is formed, and other parts are the same as the first embodiment. Therefore, the same reference numerals are used in FIG. 3 to illustrate the figures, and redundant explanation will be omitted.

【0019】ゲート電極41は、基板11上及び上部加
速グリッド22a上に形成された層間絶縁膜42上に形
成される。層間絶縁膜42とゲート電極41は、2次電
子源12上で開口され、その開口部46内を通過する2
次電子源12からの大量の電子を制御する。ゲート電極
41の電位はスイッチ43によって制御される。スイッ
チ43はゲート電極41の電位を接地端子45若しくは
所要電圧端子44に切り換えるものであり、ゲート電極
41の電位が接地レベルとなった時に2次電子源12か
らの電子が遮断され、ゲート電極41の電位がプラスの
所要電圧となった時に2次電子源12からの電子がゲー
ト電極41を通過して発光体層25に衝突する。
The gate electrode 41 is formed on an interlayer insulating film 42 formed on the substrate 11 and the upper acceleration grid 22a. The interlayer insulating film 42 and the gate electrode 41 are opened above the secondary electron source 12, and the 2 electrons passing through the opening 46
A large amount of electrons from the secondary electron source 12 is controlled. The potential of gate electrode 41 is controlled by switch 43. The switch 43 switches the potential of the gate electrode 41 to the ground terminal 45 or the required voltage terminal 44, and when the potential of the gate electrode 41 reaches the ground level, electrons from the secondary electron source 12 are cut off and the gate electrode 41 When the potential of the secondary electron source 12 reaches the required positive voltage, electrons from the secondary electron source 12 pass through the gate electrode 41 and collide with the light emitting layer 25.

【0020】このようなゲート電極41を付加すること
で、マルタ効果を利用した2次電子源12からの大量の
電子を制御することができる。また、第1の実施例と同
様に、画像表示のための発光強度を大幅に改善すること
ができ、鮮明な画像や輝度の高い画像を提供できる。
By adding such a gate electrode 41, a large amount of electrons from the secondary electron source 12 can be controlled using the Maltese effect. Further, as in the first embodiment, the light emission intensity for image display can be significantly improved, and clear images and images with high brightness can be provided.

【0021】なお、この第2の実施例においても、マル
タ効果を発生させる積層膜を酸化セシウム膜、酸化アル
ミニューム膜及びアルミニューム膜からなる積層膜に限
定せず、酸化マグネシウム膜、酸化ニッケル膜及びニッ
ケル膜の積層膜等とすることができる。
[0021] Also in this second embodiment, the laminated film that generates the Malta effect is not limited to a laminated film consisting of a cesium oxide film, an aluminum oxide film, and an aluminum film, but a magnesium oxide film, a nickel oxide film, etc. It can be a laminated film of a nickel film or the like.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明の平面型画像表示装置は、上述の
ように、マルタ効果によって、1次電子源からの1次電
子を増幅した2次電子源からの大量の電子を対向する電
極(アノード)側の発光体に照射することができる。従
って、画像表示のための発光強度を大幅に改善すること
ができ、鮮明な画像や輝度の高い画像を提供できる。ま
た、ゲート電極を付加することで、2次電子源からの大
量の電子を確実に制御することができ、発光体の発光強
度を強くながら鮮明な画像や輝度の高い画像の提供に寄
与する。
Effects of the Invention As described above, the flat image display device of the present invention uses the Maltese effect to amplify the primary electrons from the primary electron source and transfer a large amount of electrons from the secondary electron source to the opposing electrodes ( It is possible to irradiate the light emitter on the anode) side. Therefore, the light emission intensity for image display can be significantly improved, and clear images and images with high brightness can be provided. Furthermore, by adding a gate electrode, a large amount of electrons from the secondary electron source can be reliably controlled, contributing to the provision of clear images and images with high brightness while increasing the emission intensity of the light emitter.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の平面型画像表示装置の一例の模式的な
断面図
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a flat image display device of the present invention.

【図2】上記一例のカソード部分の形状を示す断面斜視
[Fig. 2] A cross-sectional perspective view showing the shape of the cathode portion of the above example.

【図3】本発明の平面型画像表示装置の他の一例の模式
的な断面図
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of another example of the flat image display device of the present invention.

【図4】従来の電界放出型の画像表示装置の一例の模式
的な断面図
[Fig. 4] A schematic cross-sectional view of an example of a conventional field emission type image display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…基体 12…2次電子源 13…アルミニューム膜 14…酸化アルミニューム膜 15…酸化セシウム膜 16…カソード 17…開口部 18a,18b…下部,上部絶縁膜 19a,19b…下部,上部引き出し電極20…1次電
子源 21a,21b…下部,上部層間絶縁膜22a,22b
…下部,上部加速グリッド24…アノード 25…発光体層 26…前面パネルガラス 41…ゲート電極
11...Substrate 12...Secondary electron source 13...Aluminum film 14...Aluminum oxide film 15...Cesium oxide film 16...Cathode 17...Openings 18a, 18b...Lower, upper insulating film 19a, 19b...Lower, upper extraction electrode 20...Primary electron sources 21a, 21b...Lower and upper interlayer insulating films 22a, 22b
...Lower and upper acceleration grids 24...Anode 25...Light emitter layer 26...Front panel glass 41...Gate electrode

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  基体と、その基体上に配される複数の
電子源と、その電子源に真空空間を介して対向する電極
と、その電極の上記基体と反対側に設けられた発光体と
を有し、上記電子源は1次電子を発生させる1次電子源
と、その1次電子源からの1次電子をマルタ効果により
増幅する2次電子源とからなることを特徴とする平面型
画像表示装置。
Claim 1: A base body, a plurality of electron sources disposed on the base body, an electrode facing the electron source through a vacuum space, and a light emitting body provided on the opposite side of the electrode from the base body. A planar electron source comprising a primary electron source that generates primary electrons and a secondary electron source that amplifies the primary electrons from the primary electron source by the Malta effect. Image display device.
【請求項2】  2次電子源は、酸化セシウム膜と、酸
化アルミニューム膜と、アルミニューム膜の積層膜から
なることを特徴とする請求項1記載の平面型画像表示装
置。
2. The flat image display device according to claim 1, wherein the secondary electron source comprises a laminated film of a cesium oxide film, an aluminum oxide film, and an aluminum film.
【請求項3】  2次電子源は、酸化マグネシウム膜と
、酸化ニッケル膜と、ニッケル膜の積層膜からなること
を特徴とする請求項1記載の平面型画像表示装置。
3. The flat image display device according to claim 1, wherein the secondary electron source comprises a laminated film of a magnesium oxide film, a nickel oxide film, and a nickel film.
【請求項4】  電子源と電極の間には、電極に向かっ
て放出される電子ビームを制御するゲート電極が設けら
れることを特徴とする請求項1記載の平面型画像表示装
置。
4. The flat image display device according to claim 1, further comprising a gate electrode provided between the electron source and the electrode for controlling the electron beam emitted toward the electrode.
JP6799991A 1991-03-06 1991-03-07 Flat type image display device Withdrawn JPH04280048A (en)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6799991A JPH04280048A (en) 1991-03-07 1991-03-07 Flat type image display device
GB9204704A GB2254486B (en) 1991-03-06 1992-03-04 Flat image-display apparatus
GB9217604A GB2259183B (en) 1991-03-06 1992-03-04 Flat image-display apparatus
GB9217605A GB2259184B (en) 1991-03-06 1992-03-04 Flat image-display apparatus
DE4207003A DE4207003A1 (en) 1991-03-06 1992-03-05 FIELD EMISSION DISPLAY
KR1019920003678A KR920019214A (en) 1991-03-06 1992-03-06 Field emission flat display
US08/188,736 US5378963A (en) 1991-03-06 1994-01-31 Field emission type flat display apparatus
US08/320,253 US5473219A (en) 1991-03-06 1994-10-11 Field emission type flat display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6799991A JPH04280048A (en) 1991-03-07 1991-03-07 Flat type image display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04280048A true JPH04280048A (en) 1992-10-06

Family

ID=13361163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6799991A Withdrawn JPH04280048A (en) 1991-03-06 1991-03-07 Flat type image display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04280048A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5378963A (en) Field emission type flat display apparatus
JP2809129B2 (en) Field emission cold cathode and display device using the same
JP2003263951A (en) Field emission type electron source and driving method
US5955833A (en) Field emission display devices
JPH11329308A (en) Plate display and manufacture thereof
US20060125373A1 (en) Double-sided luminous compound substrate
WO2002027745A1 (en) Cold-cathode electron source and field-emission display
JP3105932B2 (en) Light emitting element
JPH04280048A (en) Flat type image display device
GB2259183A (en) Flat image-display apparatus
US7321192B2 (en) Image display apparatus
JPH04282540A (en) Plane type image display device
JP2606406Y2 (en) Vacuum sealing device and display device
JP2001084930A (en) Fluorescent character display tube
JP3101044B2 (en) Light emitting element
JPH0652803A (en) Light-emitting device
CN100521055C (en) Electron emission device and method for manufacturing the same
JP3253811B2 (en) Display element
JP2795184B2 (en) Display device
KR100257701B1 (en) Diamond field emission display of gride
JPH03149736A (en) Image forming device and image forming method
JPH04286853A (en) Electroluminescent device
JP3596014B2 (en) Field emission display panel
JPH03250543A (en) Display device
RU2095880C1 (en) Autoelectronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19980514