JP2003263951A - Field emission type electron source and driving method - Google Patents

Field emission type electron source and driving method

Info

Publication number
JP2003263951A
JP2003263951A JP2002063877A JP2002063877A JP2003263951A JP 2003263951 A JP2003263951 A JP 2003263951A JP 2002063877 A JP2002063877 A JP 2002063877A JP 2002063877 A JP2002063877 A JP 2002063877A JP 2003263951 A JP2003263951 A JP 2003263951A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
cathode
electron source
control electrode
potential
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002063877A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3727894B2 (en )
Inventor
Mizuyoshi Atozawa
Hiroshi Hagiwara
Masahiko Seki
Tatsuya Takei
Tomoshi Ueda
Toshihiro Yamamoto
智志 上田
敏裕 山本
瑞芳 後沢
達哉 武井
啓 萩原
昌彦 関
Original Assignee
Nippon Hoso Kyokai <Nhk>
日本放送協会
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field emission type electron source and a driving method so that the emission of electrons can be controlled well and the electrons can be emitted uniformly from a planate cathode surface. <P>SOLUTION: In an electron source 10, a control electrode 18 is formed on a backside plate 12. An insulating layer 20 is formed around the control electrode 18. A cathode 14 is formed in proximity of the control electrode 18 on the insulating layer 20, and the insulating layer 26 is formed on the insulating layer 20 around the cathode 14. A gate 16 provided with a round shaped opening 30 exposing the control electrode 18 and the electrode 14 is formed on the insulating layer 26. Electrons are emitted from the cathode 14 by having high voltage applied in between the cathode 14 and an anode 38. The emitting of electrons from the cathode 14 is stopped with the high electric field in the vicinity of the cathode 14 is eased by having the potential of the gate 16 and the control electrode 18 to be the same potential which is lower than the potential of the cathode 14. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出型電子源およびその駆動方法に関し、より詳細には、陽極と平面状の電子放出部位を有する陰極との間に高電界が生成される電界放出型電子源に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a field emission electron source and a driving method thereof, and more particularly, a cathode having an anode and a flat electron-emitting portion a field emission electron source a high electric field is created between. 【0002】 【従来の技術】高発光効率で低消費電力化が期待できる表示装置として、電界放出型電子源を用いた冷陰極表示装置(FED)の開発が進められている。 2. Description of the Related Art A display device high luminous efficiency at low power consumption can be expected, the development of cold cathode display device using a field emission electron source (FED) has been developed. 【0003】冷陰極表示装置(以下、単に表示装置ということがある。)は、電界放出型電子源(以下、単に電子源ということがある。)の陰極で生成した電子を真空中で加速して蛍光体に衝突させ、蛍光体を励起して発光させるものであり、この点においてブラウン管(CR [0003] cold cathode display device (hereinafter, simply referred to as the display device.) The field emission electron source (hereinafter, simply referred to as an electron source.) The electrons produced at the cathode and accelerated in vacuum collide with the phosphor Te, which emit light by exciting the phosphor, cathode ray tube in this regard (CR
T)と類似する。 T) to be similar. 但し、ブラウン管が熱陰極から発生する熱電子を電磁界で偏向させて蛍光面を走査する方式であるのに対して、冷陰極表示装置は陰極(冷陰極)から電界放出によって放出された電子を蛍光面に当てるものであり、走査は各陰極のスイッチングにより行う方式である点において両者は相違する。 However, with respect to cathode ray tube by deflecting thermal electrons generated from the hot cathode in the electromagnetic field of a system for scanning the phosphor screen, cold cathode display device the electrons emitted by field emission from the cathode (cold cathode) are those against the fluorescent screen, scanning both differs in that it is a method of performing the switching of the cathodes. 【0004】この冷陰極表示装置に用いられる電界放出型電子源には種々の方式がある。 [0004] The field emission electron source used in the cold cathode display device there are various schemes. 【0005】スピント型電子源は、研究の歴史も長く現在最も完成度の高い技術と考えられる代表的なものであり、シリコンやモリブデン等で作製された円錐状の陰極(チップ)とこれを取り囲むゲートの間に電圧を印加して、陰極の先鋭な先端部分から電子を放出させる方式である。 [0005] The Spindt-type electron source, the history of research long are those currently most considered most complete technical representative, surrounding the cathode of conical shape made with silicon and molybdenum (chips) by applying a voltage between the gate, it is a method to emit electrons from the sharp tip portion of the cathode. この場合、陰極の先鋭な先端部分に電界が集中して高電界が生成されるため、陰極とゲートとの間には数十V程度の比較的低い電圧を印加することで電子の良好な放出を実現できる。 In this case, since the electric field in the sharp tip of the cathode is a high electric field concentrates is generated, electrons good release by applying a relatively low voltage of about several tens V between the cathode and the gate It can be realized. 【0006】しかしながら、上記スピント型電子源を用いた表示装置は、電子放出箇所が陰極の先鋭な先端部分、言い換えれば、点であるため、大電流を取り出すことができない。 However, a display device using the Spindt type electron source, sharp tip portion of the electron emission portion is a cathode, in other words, for a point, can not be taken out a large current. また、スピント型電子源は、製造方法が複雑であり、特に円錐状の陰極を精度良く形成することは必ずしも容易ではないため、1つの画素を複数の微小なスピント型電子源(陰極)で構成してスピント型電子源間の特性バラツキを相殺して平均化したり、陰極の下部に抵抗層を挿入する等の工夫が行われているが、均一な特性を有する大画面の表示装置を得るには未だ多くの課題を残している。 Further, Spindt type electron source manufacturing method is complicated, especially because it is not always easy to accurately form a conical cathode, constituting one pixel a plurality of minute Spindt-type electron source with (cathode) or averaged offset the characteristic variations between the Spindt-type electron source and, on it devised such that a resistor layer on the lower part of the cathode have been made to obtain a large-screen display device having uniform characteristics It has left still many challenges. 【0007】上記スピント型電子源と構造上比較的に近いものとして、最近では、カーボンナノチューブ、ダイアモンド、ダイアモンドライクカーボン等の炭素材料で膜状の陰極を形成し、この陰極の近傍に陰極を取り囲むようにゲートを配置した表示装置が開発されている。 [0007] As an almost above Spindt-type electron source and structurally relatively, recently, carbon nanotubes, diamond, to form a film-like cathode with a carbon material such as diamond-like carbon, surrounding the cathode in the vicinity of the cathode display devices have been developed that place a gate to. 【0008】陰極としてダイアモンド薄膜を用いた表示装置の例(特開平10−40805号公報)について図1を参照して説明する。 [0008] An example of the display device (JP-A-10-40805) is described with reference to FIG. 1 using the diamond thin film as a cathode. 図1は、表示装置の1画素に対応する部分のみを示す。 Figure 1 shows only a portion corresponding to one pixel of the display device. なお、後述する実施例を含む以下の各図においても、特に断らない限り、表示装置の1 Also in the following figures, including the examples described below, unless otherwise specified, the display device 1
画素に対応する部分のみを示す。 It shows only a portion corresponding to the pixel. また、図1において、 Further, in FIG. 1,
各部材には異なる模様を付しているが、これは各部材の識別の便宜上付したものであり、各部材の材質や断面等を表示するものではない。 Although given different pattern in each member, which in this specification are used for convenience of identification of the members, not to display the material and cross-section of each member. なお、後述する実施例を含む以下の各図においても同様である。 The same applies to the following figures, including the examples described below. 【0009】表示装置1は、背面板2上にダイアモンド薄膜からなる陰極3aが形成され、また陰極3aを取り囲んで背面板2上に絶縁層3bが形成されている。 [0009] The display device 1, the cathode 3a made of diamond thin film is formed on the rear plate 2, also the insulating layer 3b is formed on the rear plate 2 surrounds the cathode 3a. 絶縁層3b上にはゲート3cが形成される。 Gate 3c is formed on the insulating layer 3b. これにより、ゲート3cが陰極3aを取り囲んで露出させた形態の電子源3が得られる。 Thus, form an electron source 3 of the gate 3c is exposed surrounding the cathode 3a is obtained. 電子源3と対向して、背面板2と平行に前面板4が配置される。 Opposite to the electron source 3, the front plate 4 is arranged in parallel to the rear plate 2. 前面板4の電子源3に向けた面上に蛍光面5が形成され、蛍光面5上に陽極6が形成される。 On the surface towards the electron source 3 of the front plate 4 a phosphor screen 5 is formed, the anode 6 is formed on the phosphor screen 5. 陽極6とゲート3cとの間にスペーサ7が設けられ、陽極6と陰極3aとが所定間隔l離間した状態で保持される。 Spacer 7 is provided between the anode 6 and the gate 3c, the anode 6 and the cathode 3a is maintained in a state of being separated by a predetermined distance l. これらの各部材は図示しないフリットで封着され、内部空間aは真空に保たれる。 Each of these members are sealed with frit (not shown), the inner space a is kept in a vacuum. 【0010】上記のように構成した表示装置1は、陰極3aの電子放出箇所が平面状であるため上記スピント型電子源の場合に比べて大電流を取り出すことができる。 [0010] The display device 1 configured as described above, it is possible to extract a large current as compared with the case of the Spindt-type electron source for the electron emission portion of the cathode 3a is flat. 【0011】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の表示装置1は、陰極3aと陽極6との間に印加した電圧で電子放出を行わせる駆動方法において、電子源3の陰極3aの全表面から電子を良好に放出させるには、上記スピント型電子源の場合に比べて高い電圧を陰極3aと陽極6との間に印加して、陰極3a付近に高い電界を生成する必要がある。 [0011] SUMMARY OF THE INVENTION However, the display device 1 described above, in the driving method for causing electron emission by an applied voltage between the cathode 3a and the anode 6, the electron source 3 of the cathode 3a to satisfactorily emitting electrons from the entire surface, the higher voltage than that of the Spindt type electron source is applied between the cathode 3a and the anode 6, it is necessary to generate a high electric field near the cathode 3a . なお、このためには、スペーサ7の高さを小さくして陰極3aと陽極6との間隔lを小さくすることが好ましく、また、スペーサ7の高さを小さくすることは、表示装置1の製造のし易さやコスト面からも好ましい。 Incidentally, for this purpose, it is preferable that by reducing the height of the spacer 7 to reduce the distance l between the cathode 3a and the anode 6, also possible to reduce the height of the spacer 7, production of the display device 1 It is preferable from the easiness and cost. 【0012】より端的な例として、上記の表示装置1に変えて、カーボンナノチューブを陰極とした表示装置の場合について説明する。 [0012] As typical example from, instead of the display device 1 described above will be described for the case of a display device in which a cathode of carbon nanotubes. この場合、良好な電子の引き出しを行うとともに、蛍光面に到達する電子のエネルギーを大きくして良好な発光効率を得るためには、例えば陰極と陽極との間の間隔が1mmのとき、陰極と陽極との間に8kVの電圧を印加して陰極付近の電界をおよそ8 In this case, performs withdrawal of good electron, to increase the energy of electrons reaching the phosphor screen to obtain a satisfactory luminous efficiency, for example when the distance between the cathode and anode of 1 mm, and a cathode the electric field near the cathode by applying a voltage of 8kV between the anode approximately 8
V/μmの高い値とすることが必要である。 It is necessary that the high value of V / μm. このとき、 At this time,
陰極と陽極との間に印加した高い電圧そのものによって陰極からの電子の引き出しが実現されているため、陰極とゲートとの間に電圧を印加しても電子の放出(引き出し)をON、OFF制御できない。 Because it is realized electrons withdrawal from the cathode by the high voltage itself that is applied between the cathode and the anode, also the emission of electrons by applying a voltage between the cathode and the gate (withdrawal) of ON, OFF control Can not. この電子の放出のO O of the electron emission
N、OFF制御を陽極のスイッチング操作で行うことは現実的ではないため、結局、ゲートによって電子の放出のON、OFFを行うことができる程度に陰極と陽極との間の印加電圧を低下させて、電子の引出し性能や蛍光面の発光効率を犠牲にせざるを得ないことになる。 N, because it is not practical to perform OFF control by the switching operation of the anode, eventually, ON of electrons emitted by the gate, to lower the voltage applied between the cathode and the anode to the extent that it is possible to perform the OFF It would be forced to sacrifice the emission efficiency of the electron drawer performance and the phosphor screen. 【0013】また、上記の表示装置1はゲート3cが陰極3aを取り囲んで露出させた形態となっているため、 Further, since the display device 1 described above has a configuration in which gate 3c is exposed surrounding the cathode 3a,
平面状の陰極3aの各部位とゲート3cとの間の間隔が各部位によって差があり(図1中、間隔をl1、l2で例示した。)、例えば大きな間隔l1となっている陰極3aの中央の部位(放出サイト)からの電子の放出をゲート3cによって制御することが難しく、このため、電子放出特性が陰極3aの各部位によってばらつくことを避けることができない。 There is a difference by each site distance between each site and the gates 3c planar cathode 3a (in FIG. 1, and illustrates the interval l1, l2.), The cathode 3a which is for example a greater spacing l1 it is difficult to control the emission of electrons from the central site (release site) by the gate 3c, Therefore, electron emission characteristics can not be avoided that vary by each part of the cathode 3a. なお、この場合、例えば図2に示す表示装置1aのように、陰極3aの中央の部位に開口8を形成すると、言い換えれば、ゲート3cの開口9 In this case, for example, as a display device 1a shown in FIG. 2, to form an opening 8 at the site of the center of the cathode 3a, in other words, the gate 3c opening 9
の中心の直下に陰極3aを形成しない構造とすると、エッジ効果により陰極3aのエッジ部位(図2中、矢印e If a structure that does not form a cathode 3a directly under the center of the, in the edge portions (FIG. 2 of the cathode 3a by the edge effect, arrow e
で示す。 Illustrated by. )での電子の放出が顕著となり、電子の放出をゲート3cによって制御することがやはり難しい。 ) Electron emission becomes remarkable in, it is still difficult to control by the gate 3c electron emission. 【0014】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、電子の放出を良好に制御することができ、また、平面状の陰極表面から均一に電子を放出させることができる電界放出型電子源およびその駆動方法を提供することを目的とする。 [0014] The present invention has been made in view of the above problems, it is possible to better control the electron emission, also, field emission can be uniformly emit electrons from planar cathode surface and to provide a type electron source and a driving method thereof. 【0015】 【課題を解決するための手段】本発明に係る電界放出型電子源は、陽極に衝突させる電子を放出するための平面状の電子放出部位を有する陰極と、該陰極から離間して配設され、該陰極を取り囲んで該陰極を該陽極に向けて露出させるように形成されたゲートとを有する電界放出型電子源において、該陰極に近接して配設され、該陰極近傍に生成される電界を緩和するための制御電極をさらに有することを特徴とする。 The field-emission electron source according to the present invention, in order to solve the problems] includes a cathode having a flat electron-emitting portion for emitting electrons impinging on the anode, spaced from the cathode is disposed, in the field emission electron source and a gate formed to expose toward the cathode to the anode surrounding the cathode, disposed proximate to the cathode, generating near cathode characterized by further comprising a control electrode for mitigating electric field. ここで、平面状の電子放出部位を有する陰極とは、少なくともスピント型陰極のような電子の放出部位が点状であるもの以外の陰極を指し、ダイアモンド等の薄膜で形成された陰極に限らず、 Here, the cathode having a flat electron-emitting portion, refers to a cathode other than the electron emission sites, such as at least Spindt cathode is point-like, not limited to the cathode formed by a thin film such as diamond ,
例えば、無数のカーボンナノチューブが立設された陰極等のように小さな面あるいは点が集合して、いわば1つの平面状の一定の電子の放出面積をもつものも含む。 For example, including those having a release area of ​​small surface or points are gathered, so to speak one planar certain electronic as cathode such that countless carbon nanotubes is erected. また、制御電極を陰極に近接して配設するとは、陰極とゲートとの距離(間隔)よりも陰極と制御電極との距離が小さくなる位置に制御電極を配設することをいう。 Further, a to dispose the control electrode in proximity to the cathode refers to arranging the control electrode distance is reduced the positions of the cathode and the control electrode than the distance (interval) between the cathode and the gate. なお、陰極と制御電極とは空間または絶縁体等によって絶縁される。 Note that the cathode and the control electrode is insulated by space or an insulator or the like. 【0016】これにより、ゲートまたは陽極のうちの少なくとも一方との間の電位差(電圧)によって陰極近傍に生成される電界を制御電極によって緩和することで電子の放出程度を良好に制御することができ、また、制御電極によって陰極の全面近傍の電界を均一に緩和することで平面状の陰極表面から均一に電子を放出させることができる。 [0016] Thus, it is possible to better control the degree of electron emission by mitigating the electric field control electrode which is generated near the cathode by a potential difference (voltage) between the at least one of the gate or anode in addition, it is possible to uniformly emit electrons from planar cathode surface by uniformly reducing the electric field in the entire vicinity of the cathode by the control electrode. 特に、陰極と陽極との間に印加する高電圧によって生成した高電界によって陰極からの電子の放出が行われる場合は、電子放出のON、OFF制御を制御電極によって行うことができ、また、このとき、電子放出の閾値電圧の小さい材料を用いて陰極を形成したものであっても確実に電子放出のON、OFF制御を行うことができ、より好適に本発明の効果を得ることができる。 In particular, when the electron emission from the cathode is carried out by a high electric field generated by the high voltage applied between the cathode and the anode may be carried out ON of electron emission, the OFF control by a control electrode, also, the when the electron emission threshold voltage smaller material using a obtained by forming the cathode also ensures emission ON, it is possible to perform the OFF control, it is possible to obtain the effect of more suitably present invention. 【0017】この場合、前記制御電極が、前記陰極と同一平面上に、または、該陰極の前記ゲートに向けた側とは反対側の面の後方に配設されてなると、例えば電子源の作製方法が煩雑となることを避けることができて好適である。 [0017] In this case, the control electrode, on the cathode flush, or, becomes disposed behind the surface opposite to the side toward the gate of the cathode, for example, fabrication of the electron source the method is suitable to be able to avoid that becomes complicated. 【0018】また、本発明に係る電界放出型電子源の駆動方法は、上記の電界放出型電子源の駆動方法であって、制御電極の電位を陰極の電位よりも低くして該陰極近傍に生成される電界を緩和することを特徴とする。 [0018] The driving method of a field emission electron source according to the present invention is a driving method of a field emission electron source described above, the potential of the control electrode near the cathode to be lower than the cathode potential characterized by relieving the electric field generated. 【0019】これにより、電子の放出程度を良好に制御することができ、さらに、高電界下において、また、電子放出の閾値電圧の小さい陰極を用いた場合において制御電極によって電子の放出をON、OFF制御することができる。 [0019] Thus, it is possible to better control the degree of electron emission, and further, in a high electric field, also, ON electrons emitted by the control electrode in the case of using a small cathode threshold voltage of electron emission, it is possible to OFF control. また、平面状の陰極表面の無数の放出サイトから均一に電子を放出させることができる。 Further, it is possible to uniformly emit electrons from innumerable emission sites planar cathode surface. 【0020】この場合、ゲートの電位を前記陰極の電位よりも低くして該陰極近傍に生成される電界をさらに緩和すると、好適である。 [0020] In this case, further to alleviate the electric field generated in the vicinity of the cathode by the electric potential of the gate lower than the potential of the cathode, which is preferable. 【0021】また、この場合、前記制御電極の電位および前記ゲートの電位を陰極の電位よりも低い同一の値として該陰極近傍に生成される電界を緩和すると、制御電極およびゲートの電源(制御回路)を共用することができて好適である。 Further, in this case, when relaxing the electric field generated in the cathode vicinity as low same value than the cathode potential potential potential and the gate of the control electrode, the control electrode and a gate of the power supply (control circuit ) it is preferred to be able to share. 【0022】 【発明の実施の形態】本発明に係る電界放出型電子源およびその駆動方法の好適な実施の形態(以下、本実施の形態例という。)について、図を参照して、以下に説明する。 The preferred embodiment of the field emission electron source and a driving method thereof according to the embodiment of the present invention (hereinafter, referred to as the present embodiment.) For, with reference to FIG, below explain. 【0023】まず、本実施の形態例に係る電界放出型電子源およびその駆動方法について、図3〜図6を参照して説明する。 [0023] First, the field emission electron source and a driving method thereof according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 【0024】本実施の形態例に係る電界放出型電子源(以下、他の実施例の場合も含め、単に電子源という。)10は、背面板12と、陰極14と、ゲート16 The field-emission electron source according to this embodiment (hereinafter, including the other embodiments, as. Simply electron source) 10 includes a back plate 12, a cathode 14, gate 16
と、制御電極18とを有する。 When, a control electrode 18. 【0025】電子源10は、背面板12上に制御電極1 The electron source 10 is controlled on the back plate 12 electrode 1
8が形成され、制御電極18を取り囲んで背面板12上に、制御電極18の厚みT1よりも大きい厚みT2を有する絶縁層20が形成される。 8 is formed, on the back plate 12 surrounds the control electrode 18, the insulating layer 20 is formed to have a larger thickness T2 than the thickness T1 of the control electrode 18. 絶縁層20上に、制御電極18を露出させる絶縁層20の円形の開口22に連通した開口24を有するストライプ状(図1参照)の薄膜からなる陰極14が制御電極18に近接して形成される。 On the insulating layer 20, a cathode 14 formed of a thin film of a stripe (see FIG. 1) having an opening 24 communicating with the circular opening 22 of the insulating layer 20 to expose the control electrode 18 is formed proximate to the control electrode 18 that. したがって、陰極14は、制御電極18を上方に向けて露出させた状態にある。 Accordingly, cathode 14 is the control electrode 18 in a state of being exposed upward. 陰極14を取り囲んで、絶縁層20上に、陰極の厚みT3よりも大きい厚みT4を有する絶縁層26が形成される。 It surrounds the cathode 14, on the insulating layer 20, insulating layer 26 having a thickness greater T4 than cathode thickness T3 is formed. 絶縁層26は、円形の開口28が上方に向けて広がるテーパ状に形成される。 Insulating layer 26 is formed in a tapered shape in which a circular opening 28 widens upward.
絶縁層26上に、制御電極18および陰極14を露出させる円形の開口30を有するゲート16が形成される。 On the insulating layer 26, a gate 16 having a circular opening 30 for exposing the control electrode 18 and the cathode 14 are formed. 【0026】ここで、厚みT1〜T4は、電界条件、陰極14の材質等に応じて適宜所望の値に設定することができ、例えば、1〜30μm程度である。 [0026] Here, the thickness T1~T4, the electric field conditions, can be set to an appropriate desired value depending on the material of the cathode 14, for example, about 1 to 30 [mu] m. 【0027】上記のように構成した電子源10を含む冷陰極表示装置(以下、単に表示装置という。)32は、 The cold cathode display device including the electron source 10 constructed as described above (hereinafter, simply. As display device) 32,
前記した従来例と同様に、前面板34、蛍光面36、陽極38およびスペーサ40等を有する。 Similar to the conventional example described above, has a front plate 34, fluorescent screen 36, the anode 38 and spacer 40 or the like. 【0028】なお、1つの電子源10で構成された1画素分のみを図3に示し、複数の画素について図4に示した。 It should be noted, shows only one pixel, which is composed of one of the electron source 10 in FIG. 3, shown in FIG. 4 for a plurality of pixels. 【0029】図4では、それぞれストライプ状に形成されて平行に配置された陰極14およびゲート16が空間的に交差する複数の交差箇所Cに、それぞれ電子源10 [0029] In Figure 4, a plurality of intersections C the cathode 14 and the gate 16 arranged in parallel are formed in a stripe shape respectively spatially intersects each electron source 10
が配置されており、各交差箇所C、言い換えれば各電子源10の1つずつがそれぞれ1つの画素に対応する。 There are disposed, each intersection C, one of the electron sources 10 in other words corresponds to one pixel, respectively. 【0030】陰極表示装置32の各部材の材料について以下説明する。 [0030] will be described below the material of the members of the cathode display device 32. 【0031】ゲート16および陽極28の材料は、特に限定するものではないが、例えば、ニッケル、モリブデン、白金、タングステン、クロム、アルミニウム等の金属、あるいは導電性のシリコン等の導電性材料を使用することができる。 The material of the gate 16 and anode 28, in particular but not limited to, for example, using nickel, molybdenum, platinum, tungsten, chromium, a metal such as aluminum, or a conductive material such as conductive silicon be able to. 【0032】陰極14の材料は、特に限定するものではないが、例えば、カーボンナノチューブ、ダイアモンド、ダイアモンドライクカーボン(DLC)、グラファイト等の炭素材料を使用することができる。 The material of the cathode 14 is not particularly limited, for example, it may be used carbon nanotubes, diamond, diamond-like carbon (DLC), a carbon material such as graphite. 【0033】絶縁層20、26は、特に限定するものではないが、例えば、Al 、CeO 、ZrO The insulating layer 20 and 26 is not particularly limited, for example, Al 2 O 3, CeO 2 , ZrO 2,
MgO、Y 、SiO 等の薄膜またはガラス成分を含む厚膜等で形成することができる。 MgO, may be formed by Y 2 O 3, thick film or the like including a thin film or glass component such as SiO 2. 【0034】蛍光面36の材料は、例えば、CRT用のP22の蛍光体(Y S:Eu(赤)、ZnS:C The material of the phosphor screen 36, for example, phosphor P22 for CRT (Y 2 O 2 S: Eu ( red), ZnS: C
u,Al(緑)、ZnS:Ag(青)等)等を使用することができる。 u, Al (green), ZnS: Ag (blue), etc.) and the like can be used. 【0035】陽極38は、例えば、アルミニウムを材料として用いて蛍光面36上にメタルバックとして形成される。 The anode 38 is, for example, using aluminum as the material is formed as a metal back on the phosphor screen 36. 【0036】なお、電子源10において、陰極は、開口のない平板状に形成してもよい。 [0036] Note that in the electron source 10, the cathode may be formed on without opening flat. また、制御電極は、陰極と同一平面上に絶縁体等を介して陰極を取り囲むように設けてもよく、あるいは、陰極の上方であってゲートの下方に設けてもよい。 The control electrode may be provided so as to surround the cathode on the cathode in the same plane via an insulator or the like, or may be provided under the gate a top of the cathode. 【0037】電子源10の駆動方法について、図6を参照して説明する。 The method for driving the electron source 10 will be described with reference to FIG. 【0038】陰極14を例えば0Vの固定電位とする。 [0038] a fixed potential of the cathode 14, for example 0V.
そして、陽極38を例えば5〜10kVの固定電位とするような電圧を陰極14および陽極38間に印加して、 Then, a voltage such that a fixed potential of the anode 38 for example 5~10kV is applied between the cathode 14 and the anode 38,
陰極14から電子を放出する(図6中)。 It emits electrons from the cathode 14 (in FIG. 6). この5〜1 This 5 to 1
0kVの電圧は、上記したP22のような高電圧タイプの蛍光体を用いた場合において、印加電圧と電子の放出効率、言い換えれば発光効率とが比例関係にある領域であり、大きな発光効率を得るのに望ましい大きな電圧レベルである。 Voltage of 0kV, in the case of using the phosphor of a high voltage type, such as P22 described above, applied voltage and electron emission efficiency, a region where the luminous efficiency is proportional other words, obtain a large emission efficiency a large voltage level desired to. この場合、陰極14からの電子の放出は、 In this case, the emission of electrons from the cathode 14,
ゲート16によってではなく陽極38によって(陰極1 By anodic 38 rather than by gate 16 (cathode 1
4と陽極38との間に印加した電圧によって)行われる。 4 and the voltage applied between the anode 38) is performed. このため、ゲート16は、例えば陰極14と同じ0 Therefore, the gate 16, for example the same 0 cathode 14
Vの電位にしておく。 Keep the V of potential. また、制御電極18も陰極14と同じ0Vの電位にしておく。 The control electrode 18 also keep the potential of the same 0V cathode 14. 【0039】陰極14から放出された(引き出された) [0039] emitted from the cathode 14 (drawn)
電子は、加速されて蛍光面38に衝突し、蛍光体を励起して発光させる。 Electrons are accelerated to collide with the phosphor screen 38 emit light to excite the phosphor. 【0040】つぎに、蛍光面38の発光を停止するには、ゲート16および制御電極18の電位を0Vよりも低い同一の電位E1とする(図6中)。 Next, to stop the emission of the phosphor screen 38, the potential of the gate 16 and the control electrode 18 to the same potential E1 less than 0V (in Fig. 6). このゲート1 The gate 1
6および制御電極18の電位の制御は、共通の電源(制御回路)を用いて行うことができる。 Control of the potential of 6 and the control electrode 18 can be performed using a common power supply (control circuit). これにより、陰極14近傍の高い電界が緩和され、陰極14からの電子の放出が停止する。 This will alleviate the high electric field of the cathode 14 near stops the emission of electrons from the cathode 14. この場合、電界条件によっては、制御電極18の電位のみをE1としてもよい。 In this case, by an electric field conditions, only it may be used as E1 potential of the control electrode 18. また、必要に応じてゲート16の電位のみをE1としてもよい。 Further, only it may be used as E1 potential of the gate 16 as required. 【0041】一方、ゲート16および制御電極18の電位を0Vよりも低く、かつ電位E1よりも高い電位E2 On the other hand, the potential of the gate 16 and the control electrode 18 lower than 0V, and higher than the potential E1 potential E2
とすると(図6中)、電界の緩和状態が適度に調整されて、陰極14からの電子の放出状態(放出量)を調整、制御することができる。 When (in FIG. 6), the relaxed state of the electric field is appropriately adjusted, adjust the electron emitting state of the (emission) from the cathode 14 can be controlled. また、このとき、ゲート1 In addition, at this time, gate 1
6から遠い位置にあり、かつこの場合、開口24が形成されてエッジ状となっている陰極14の中央部位の電子の放出状態を制御電極18によって制御できるため、陰極14の全面から均一に電子を放出させることができる。 There 6 position far, and in this case, since it is possible to control the electron emission states of the central portion of the cathode 14 with an opening 24 is formed has an edge shaped by the control electrode 18, uniformly electrons from the entire surface of the cathode 14 it can be released. この場合、電界条件によっては、制御電極18の電位のみをE2としてもよい。 In this case, by an electric field conditions, only it may be used as E2 potential of the control electrode 18. 【0042】つぎに、電子源10の変形例について、図7を参照して説明する。 Next, a modified example of the electron source 10 will be described with reference to FIG. 【0043】変形例の電子源10aは、基本的な構成は電子源10と同様である。 The electron source 10a modification, the basic configuration is the same as that of the electron source 10. したがって、電子源10aについて、電子源10と同一の構成要素には電子源10と同一の参照符号を付すとともに重複する説明を省略する。 Thus, the electron source 10a, the same components as the electron source 10 and the description thereof is omitted here with the same reference characters and the electron source 10. 【0044】電子源10aは、制御電極18が絶縁層2 The electron source 10a, the control electrode 18 is an insulating layer 2
0の下に形成されている点が電子源10と相違する。 That it is formed under the 0 is different from the electron source 10. 【0045】上記のように構成した電子源10aは、制御電極18と陰極14とが導通するおそれが少なく、また、電子源10aの製造が容易である。 The electron source 10a configured as described above, the control electrode 18 and the cathode 14 and may have less to conduct, also, it is easy to manufacture the electron source 10a. なお、この場合、制御電極18と陰極14との間に絶縁層20が介在しているため、駆動方法としては、陰極14近傍の電界を緩和するには、電子源10の場合よりもより小さい電位レベルに制御電極18の電位を設定する。 Smaller Since the insulating layer 20 is interposed between the case, the control electrode 18 and the cathode 14, as a driving method to reduce the electric field of the cathode 14 near, than in the case of the electron source 10 setting the potential of the control electrode 18 to the potential level. 【0046】つぎに、1画素を構成する電子源10の変形例について、図8を参照して説明する。 Next, a modified example of the electron source 10 constituting one pixel will be described with reference to FIG. 【0047】図8では、図5と同様に、それぞれストライプ状に形成されて平行に配置された陰極14およびゲート16が空間的に交差して複数の交差箇所Cが設けられ、1つの交差箇所Cが1つの画素に対応する。 [0047] In Figure 8, similarly to FIG. 5, the cathode 14 and a gate 16 arranged in parallel are formed in stripes, each spatially intersect a plurality of intersection C is provided, one of the crossing points C corresponds to one pixel. 但し、 However,
この場合、1つの交差箇所Cに設けられた1つの電子源10bは、ゲート16には9つの開口が形成されて各開口のそれぞれに陰極14および制御電極30aが設けられている。 In this case, one electron source 10b provided on one intersection C is the gate 16 nine openings are formed respectively on the cathode 14 and the control electrode 30a of each opening is provided. 【0048】上記のように構成した電子源10bは、陰極14の電子を放出する部位が9つの小さな円に分割されているため、各電子を放出する部位およびゲート16 The electron source 10b which is configured as described above, since the portion which emits electrons of the cathode 14 is divided into nine small circles, sites and the gate 16 emits the electrons
の寸法ばらつきがあったとしても1画素分全体としては相殺されて平均化され、電子の放出が均一に行われる。 Of the whole one pixel even if dimensional variations are averaged are offset, the electron emission is performed uniformly.
また、9つの各電子を放出する部位の中央の箇所とゲート16との離間間隔が図3の電子源10よりもはるかに小さいため、電子を放出する部位の中央の箇所とその周囲の箇所とで電子の放出状態に差がない。 Furthermore, since separation distance between the center point and the gate 16 of the portion releasing nine each electron is much smaller than the electron source 10 in FIG. 3, the central portion of the portion emitting electrons and portions of the surrounding in no difference in the electron emission state. 【0049】なお、この場合、電子源10bを9つの微小な電子源の集合体とみてもよい。 [0049] In this case, the electron source 10b may be viewed as a collection of nine minute electron sources. 【0050】 【発明の効果】本発明に係る電界放出型電子源によれば、陽極に衝突させる電子を放出するための平面状の電子放出部位を有する陰極と、陰極から離間して配設され、陰極を取り囲んで陰極を陽極に向けて露出させるように形成されたゲートとを有する電界放出型電子源において、陰極に近接して配設され、陰極近傍に生成される電界を緩和するための制御電極をさらに有するため、電子の放出程度を良好に制御することができ、また、平面状の陰極表面から均一に電子を放出させることができる。 [0050] According to the field emission electron source according to the present invention, a cathode having a flat electron-emitting portion for emitting electrons impinging on the anode, disposed apart from the cathode in the field emission electron source and a gate formed to expose toward the cathode to the anode surrounding the cathode, it disposed proximate to the cathode, to reduce the electric field generated in the vicinity of the negative electrode to further having a control electrode, it is possible to better control the degree of electron emission, and can be uniformly emit electrons from planar cathode surface. 特に、陰極と陽極との間に印加する高電圧によって生成した高電界によって陰極からの電子の放出が行われる場合は、電子放出のON、OFF制御を制御電極によって行うことができ、また、このとき、電子放出の閾値電圧の小さい材料を用いて陰極を形成したものであっても確実に電子放出のON、OFF制御を行うことができる。 In particular, when the electron emission from the cathode is carried out by a high electric field generated by the high voltage applied between the cathode and the anode may be carried out ON of electron emission, the OFF control by a control electrode, also, the when, ON also reliably electron emitting be one obtained by forming a cathode by using a material having a small threshold voltage of electron emission, it is possible to perform the OFF control. 【0051】また、本発明に係る電界放出型電子源によれば、制御電極が、陰極と同一平面上に、または、陰極のゲートに向けた側とは反対側の面の後方に配設されてなるため、例えば電子源の作製方法が煩雑となることを避けることができる。 Further, according to the field-emission electron source according to the present invention, the control electrode, on the cathode flush, or are disposed behind the side opposite to the side toward the gate of the cathode made, for example producing method of the electron source Te can avoid becoming complicated. 【0052】また、本発明に係る電界放出型電子源の駆動方法によれば、上記の電界放出型電子源の駆動方法であって、制御電極の電位を陰極の電位よりも低くして陰極近傍に生成される電界を緩和するため、電子の放出程度を良好に制御することができ、さらに、高電界下において、また、電子放出の閾値電圧の小さい陰極を用いた場合において制御電極によって電子の放出をON、OF Further, according to the driving method of a field emission electron source according to the present invention, there is provided a driving method of a field emission electron source of the cathode near the potential of the control electrode is lower than the cathode potential to reduce the electric field to be generated, it is possible to better control the degree of electron emission, and further, in a high electric field, also electrons by the control electrode in the case of using a small cathode threshold voltage of electron emission ON the release, oF
F制御することができる。 It is possible to F control. また、平面状の陰極表面の無数の放出サイトから均一に電子を放出させることができる。 Further, it is possible to uniformly emit electrons from innumerable emission sites planar cathode surface. 【0053】また、本発明に係る電界放出型電子源の駆動方法によれば、ゲートの電位を陰極の電位よりも低くして該陰極近傍に生成される電界をさらに緩和するため、好適である。 [0053] Further, according to the driving method of a field emission electron source according to the present invention, in order to further relax the electric field generated in the vicinity of the cathode by the electric potential of the gate to be lower than the cathode potential, it is preferred . 【0054】また、本発明に係る電界放出型電子源の駆動方法によれば、制御電極の電位およびゲートの電位を陰極の電位よりも低い同一の値として陰極近傍に生成される電界を緩和するため、制御電極およびゲートの電源を共用することができて好適である。 [0054] Further, according to the driving method of a field emission electron source according to the present invention, to relax the electric field generated in the vicinity of the negative electrode as a lower same value than the potential and the gate potential of the cathode potential of the control electrode Therefore, it is preferable to be able to share the power of the control electrode, and a gate.

【図面の簡単な説明】 【図1】ダイアモンドによって陰極を形成した従来の電子源を含む表示装置の概略構成を示す図である。 By BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] Diamond is a diagram showing a schematic configuration of a display device including a conventional electron source to form a cathode. 【図2】図1の表示装置の変形例である。 Figure 2 is a modification of the display device of FIG. 【図3】本実施の形態例の1つの電子源の平面図である。 3 is a plan view of one of the electron source of this embodiment. 【図4】図3の電子源を含む表示装置を、図3中IV− [4] The display device including the electron source of FIG. 3, in FIG. 3 IV-
IV線上断面で示した図である。 It illustrates in IV line section. 【図5】本実施の形態例の複数の電子源の平面図である。 5 is a plan view of a plurality of electron source of the present embodiment. 【図6】本実施の形態例の電子源の駆動方法を説明するための図である。 6 is a diagram for explaining a driving method of the electron source of this embodiment. 【図7】変形例の電子源を含む表示装置の断面構成を示す図である。 7 is a diagram showing a cross-sectional view of a display device including an electron source modification. 【図8】図5とは異なる複数の電子源の平面図である。 It is a plan view of a plurality of different electron source and [8] FIG. 【符号の説明】 10、10a、10b 電子源12 背面板14 陰極16 ゲート18、30a 制御電極20、26 絶縁層32 表示装置34 前面板36 蛍光面38 陽極40 スペーサ [Reference Numerals] 10, 10a, 10b electron source 12 back plate 14 cathode 16 gate 18,30a control electrode 20, 26 dielectric layer 32 display device 34 front plate 36 a phosphor screen 38 anode 40 spacer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) // H01J 31/12 H01J 1/30 F (72)発明者 後沢 瑞芳 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内(72)発明者 上田 智志 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内(72)発明者 武井 達哉 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内(72)発明者 萩原 啓 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会 放送技術研究所内Fターム(参考) 5C031 DD17 5C036 EE10 EE19 EF01 EF06 EF09 EG12 EG15 EG21 EG22 EG48 EH04 5C080 AA18 BB05 DD03 DD28 EE28 FF12 JJ04 JJ06 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) // H01J 31/12 H01J 1/30 F ( 72) inventor after Sawa Rueifang Setagaya-ku, Tokyo Kinuta chome No. 10 No. 11 Japan broadcasting Association broadcasting technology within the Institute (72) inventor Satoshi Ueda Setagaya-ku, Tokyo Kinuta chome No. 10, No. 11, Japan broadcasting Association broadcasting technology within the Institute (72) inventor Tatsuya Takei Setagaya-ku, Tokyo Kinuta chome No. 10, No. 11, Japan broadcasting Association broadcasting technology within the Institute (72) inventor Kei Hagiwara Setagaya-ku, Tokyo Kinuta chome No. 10, No. 11, Japan broadcasting Association of broadcasting technology Institute in the F-term (reference) 5C031 DD17 5C036 EE10 EE19 EF01 EF06 EF09 EG12 EG15 EG21 EG22 EG48 EH04 5C080 AA18 BB05 DD03 DD28 EE28 FF12 JJ04 JJ06

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 陽極に衝突させる電子を放出するための平面状の電子放出部位を有する陰極と、該陰極から離間して配設され、該陰極を取り囲んで該陰極を該陽極に向けて露出させるように形成されたゲートとを有する電界放出型電子源において、 該陰極に近接して配設され、該陰極近傍に生成される電界を緩和するための制御電極をさらに有することを特徴とする電界放出型電子源。 A cathode having a flat electron-emitting portion for emitting electrons impinging to the Claims 1 anode, disposed apart from the cathode, the cathode surrounds the cathode in the field emission electron source having a formed gate to expose toward the anode, it disposed proximate to the cathode, further control electrode for mitigating electric field generated in the vicinity of the cathode field emission electron source, characterized in that it comprises. 【請求項2】 前記制御電極が、前記陰極と同一平面上に、または、該陰極の前記ゲートに向けた側とは反対側の面の後方に配設されてなることを特徴とする請求項1 Wherein said control electrode is on the cathode flush, or claims, characterized by comprising disposed behind the surface opposite to the side toward the gate of the cathode 1
    記載の電界放出型電子源。 Field-emission electron source described. 【請求項3】 請求項1または2に記載の電界放出型電子源の駆動方法であって、 制御電極の電位を陰極の電位よりも低くして該陰極近傍に生成される電界を緩和することを特徴とする電界放出型電子源の駆動方法。 3. A driving method of a field emission electron source according to claim 1 or 2, relieving the electric field generated in the vicinity of the cathode to be lower than the potential of the cathode potential of the control electrode the driving method of the field emission-type electron source according to claim. 【請求項4】 ゲートの電位を前記陰極の電位よりも低くして該陰極近傍に生成される電界をさらに緩和することを特徴とする請求項3記載の電界放出型電子源の駆動方法。 Claim 3 driving method of a field emission electron source according to the gate potential, characterized in that it further relax the electric field generated in the vicinity of the cathode to be lower than the potential of the cathode. 【請求項5】 前記制御電極の電位および前記ゲートの電位を陰極の電位よりも低い同一の値として該陰極近傍に生成される電界を緩和することを特徴とする請求項4 5. A method according to claim, characterized in that to relieve the electric field generated in the cathode vicinity potential of potential and the gate as the same value is lower than the cathode potential of the control electrode 4
    記載の電界放出型電子源の駆動方法。 The driving method of the field emission-type electron source according.
JP2002063877A 2002-03-08 2002-03-08 Field-emission electron source Expired - Fee Related JP3727894B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002063877A JP3727894B2 (en) 2002-03-08 2002-03-08 Field-emission electron source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002063877A JP3727894B2 (en) 2002-03-08 2002-03-08 Field-emission electron source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003263951A true true JP2003263951A (en) 2003-09-19
JP3727894B2 JP3727894B2 (en) 2005-12-21

Family

ID=29196937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002063877A Expired - Fee Related JP3727894B2 (en) 2002-03-08 2002-03-08 Field-emission electron source

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3727894B2 (en)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005128193A (en) * 2003-10-23 2005-05-19 Sony Corp Display device
JP2005158696A (en) * 2003-11-27 2005-06-16 Samsung Sdi Co Ltd Field emission display device
JP2005340200A (en) * 2004-05-22 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd Field emission display and manufacturing method thereof
JP2005338823A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd Electron emission element, electron emission display device using same, and driving method of electron emission element
JP2006023332A (en) * 2004-07-06 2006-01-26 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Driving device and driving method for field emission display device
JP2006066376A (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Samsung Sdi Co Ltd Electron emission device
JP2012129180A (en) * 2010-12-15 2012-07-05 Hon Hai Precision Industry Co Ltd Electric field emission cathode element, and electric field emission display device utilizing the same
CN106024556A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Luminescent display with bilateral ring flat concave angle spine and cathode combination slope surface gate controlled structure
CN106024558A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Luminescent display with annular convex polygon prism laminated cathode arc gated structure
CN106024555A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Luminous display with round tip-shaped double-gate controlled spring water-sprayed cathode structure
CN106024557A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Reversely opposite oblique straight double gating misalignment ring cathode structured luminous display
CN106783482A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with different-radian curved single-gate control double-hung conical ring surface cathode structure
CN106783480A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with special-shaped arc internal auxiliary interconnect silver gate control oblique hook concave tread cathode structure
CN106783481A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with inclined clamp type single-gate controlled octangular pyramid large-edge cathode structure
CN106783461A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with flat-lower-camber upper-opening type independent gate controlled concave probe-surround multi-edge cathode structure
CN106783462A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with front-rear-arc nonequivalent silver gate controlled alternating spot-ring interconnecting cathode structure
CN106803474A (en) * 2017-01-03 2017-06-06 金陵科技学院 Light-emitting display with arc-assisted all curve silver gated three-continuous concave surface edge cathode structure
CN106847655A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light-emitting display with three-cambered-surface diagonal single-gating multi-protrusion cake-layer hollow anode structure
CN106847647A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting displayer with same-gradient four-concave-surface silver gating high-low double upper convex cambered surface cathode structure
CN106847656A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light-emitting display with internally-connected upper-lower double-convex silver gating insolated equivalent concave cathode structure
CN106847646A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting displayer with small arc mixed silver gating inclined long leaf convex edge strewn cathode structure
CN106847643A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of symmetrical wavy line point gating multi-convex inverted tile groove combination cathode structure
CN106847645A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of multi-angle straight arc combination silver gate control different skew surface segmentation large skirt cathode structure
CN106847644A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light-emitting display with double front-flat back-curved round independent gating scattered two-arris-tip edge cathode structure
CN106847653A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of multi-sided cathode structure with multi-elbow-bottomed hetero-loop skirt uniquely controlled by high lower monolateral bias
CN106847642A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of multisurface combination single gate control double positive and negative semi-circle long edge cathode structure

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106128921B (en) * 2016-07-07 2017-08-29 金陵科技学院 Light emitting display oblique roof bow arc recessed elliptical cone-gated cathode structure
CN106128922B (en) * 2016-07-07 2017-08-29 金陵科技学院 Vertebral bevel composition polygonal linear light emitting display triclinic structure gated cathode strip
CN106128923B (en) * 2016-07-07 2017-08-29 金陵科技学院 Parallel to the long straight side double gated inverted bowl-shaped ring emission display cathode structure
CN106206209B (en) * 2016-07-07 2017-08-11 金陵科技学院 Multilateral oblique angle gear emitting display seven upright double prismatic composite cathode structure of a curved arc-gated
CN106128904B (en) * 2016-07-07 2017-08-11 金陵科技学院 Light emitting display electrode tip crescent annular cathode structure inclined straight side mix door
CN106128920B (en) * 2016-07-07 2017-08-29 金陵科技学院 Branch interleaved gating faceted silver composite cathode structure of a light emitting display

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005128193A (en) * 2003-10-23 2005-05-19 Sony Corp Display device
JP2005158696A (en) * 2003-11-27 2005-06-16 Samsung Sdi Co Ltd Field emission display device
JP2005340200A (en) * 2004-05-22 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd Field emission display and manufacturing method thereof
JP2005338823A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Samsung Sdi Co Ltd Electron emission element, electron emission display device using same, and driving method of electron emission element
JP2006023332A (en) * 2004-07-06 2006-01-26 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Driving device and driving method for field emission display device
JP2006066376A (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Samsung Sdi Co Ltd Electron emission device
US8710729B2 (en) 2010-12-15 2014-04-29 Tsinghua University Field emission cathode device and field emission display using the same
JP2012129180A (en) * 2010-12-15 2012-07-05 Hon Hai Precision Industry Co Ltd Electric field emission cathode element, and electric field emission display device utilizing the same
CN106024556A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Luminescent display with bilateral ring flat concave angle spine and cathode combination slope surface gate controlled structure
CN106024558A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Luminescent display with annular convex polygon prism laminated cathode arc gated structure
CN106024555A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Luminous display with round tip-shaped double-gate controlled spring water-sprayed cathode structure
CN106024557A (en) * 2016-07-07 2016-10-12 金陵科技学院 Reversely opposite oblique straight double gating misalignment ring cathode structured luminous display
CN106024558B (en) * 2016-07-07 2017-08-04 金陵科技学院 Flagging polygonal annular light emitting display column cathode laminated flat curved arc gated structure
CN106783481A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with inclined clamp type single-gate controlled octangular pyramid large-edge cathode structure
CN106783480A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with special-shaped arc internal auxiliary interconnect silver gate control oblique hook concave tread cathode structure
CN106783461A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with flat-lower-camber upper-opening type independent gate controlled concave probe-surround multi-edge cathode structure
CN106783462A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with front-rear-arc nonequivalent silver gate controlled alternating spot-ring interconnecting cathode structure
CN106803474A (en) * 2017-01-03 2017-06-06 金陵科技学院 Light-emitting display with arc-assisted all curve silver gated three-continuous concave surface edge cathode structure
CN106847655A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light-emitting display with three-cambered-surface diagonal single-gating multi-protrusion cake-layer hollow anode structure
CN106847647A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting displayer with same-gradient four-concave-surface silver gating high-low double upper convex cambered surface cathode structure
CN106847656A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light-emitting display with internally-connected upper-lower double-convex silver gating insolated equivalent concave cathode structure
CN106847646A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting displayer with small arc mixed silver gating inclined long leaf convex edge strewn cathode structure
CN106847643A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of symmetrical wavy line point gating multi-convex inverted tile groove combination cathode structure
CN106847645A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of multi-angle straight arc combination silver gate control different skew surface segmentation large skirt cathode structure
CN106847644A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light-emitting display with double front-flat back-curved round independent gating scattered two-arris-tip edge cathode structure
CN106847653A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of multi-sided cathode structure with multi-elbow-bottomed hetero-loop skirt uniquely controlled by high lower monolateral bias
CN106847642A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 金陵科技学院 Light emitting display of multisurface combination single gate control double positive and negative semi-circle long edge cathode structure
CN106783482A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 金陵科技学院 Light-emitting display with different-radian curved single-gate control double-hung conical ring surface cathode structure
CN106803474B (en) * 2017-01-03 2018-04-03 金陵科技学院 Secondary arcs whole song silver gated light emitting display three consecutive depression edge surface of the cathode structure

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP3727894B2 (en) 2005-12-21 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6380671B1 (en) Fed having a carbon nanotube film as emitters
US5552659A (en) Structure and fabrication of gated electron-emitting device having electron optics to reduce electron-beam divergence
US6791278B2 (en) Field emission display using line cathode structure
US20010024086A1 (en) Displays
US6204597B1 (en) Field emission device having dielectric focusing layers
US7652418B2 (en) Electronic emission device, electron emission display device having the same, and method of manufacturing the electron emission device
US20050184647A1 (en) Electron emission device
US5543691A (en) Field emission display with focus grid and method of operating same
US5445550A (en) Lateral field emitter device and method of manufacturing same
US6515429B2 (en) Method of variable resolution on a flat panel display
US5473218A (en) Diamond cold cathode using patterned metal for electron emission control
US5548185A (en) Triode structure flat panel display employing flat field emission cathode
US5965977A (en) Apparatus and method for light emitting and cold cathode used therefor
US6663454B2 (en) Method for aligning field emission display components
US20050116612A1 (en) Field emission display having an improved emitter structure
US6023126A (en) Edge emitter with secondary emission display
US20020185951A1 (en) Carbon cathode of a field emission display with integrated isolation barrier and support on substrate
US6624590B2 (en) Method for driving a field emission display
US20020185964A1 (en) Field emission display utilizing a cathode frame-type gate and anode with alignment method
US6559602B2 (en) Method for controlling the electric field at a fed cathode sub-pixel
WO1994015352A1 (en) Triode structure flat panel display employing flat field emission cathodes
US20020185950A1 (en) Carbon cathode of a field emission display with in-laid isolation barrier and support
US20050266766A1 (en) Method for manufacturing carbon nanotube field emission display
US6624566B2 (en) Vacuum fluorescent display
US20040232823A1 (en) Cold cathode display device and cold cathode display device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040405

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041019

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050405

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050601

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050927

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050929

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091007

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101007

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111007

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121007

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121007

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131007

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees