JPH04285167A - 連続薄膜の形成方法 - Google Patents
連続薄膜の形成方法Info
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- JPH04285167A JPH04285167A JP5161591A JP5161591A JPH04285167A JP H04285167 A JPH04285167 A JP H04285167A JP 5161591 A JP5161591 A JP 5161591A JP 5161591 A JP5161591 A JP 5161591A JP H04285167 A JPH04285167 A JP H04285167A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000005204 segregation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 70
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に連続した超薄
膜、または連続した超薄膜を積層した多層薄膜を形成す
る法に関する。
膜、または連続した超薄膜を積層した多層薄膜を形成す
る法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、基板上に薄膜を形成する際、成
膜初期の膜厚が極めて薄い、例えば数１００オングスト
ローム（以下、オングストロームをＡとする）段階にお
いて薄膜は多数の分離した島状構造となるため、連続し
た薄膜を形成することが難しい。これは、熱力学的な平
衡状態において薄膜の表面張力（表面エネルギー）の影
響により、蒸着物質が凝縮して島状構造となることに起
因する。したがって、前記島状化を防ししなければ、数
１００Ａ以下の膜厚の連続した超薄膜を形成することが
できない。前記薄膜の島状化を防止するために、従来よ
り以下に説明する薄膜形成方法が知られている。 （１）基板材料として薄膜形成物質より表面エネルギー
の大きな物質を選び、相対的に薄膜形成物質の表面エネ
ルギーを低下させて薄膜形成を行う方法。 （２）成膜時の基板温度を低くし、熱力学的に不平衡状
態にして薄膜形成を行う方法。 （３）成膜速度を増加させて過飽和度を増大させること
により有効な成膜温度を低下させ、熱力学的に不平衡状
態にして薄膜形成を行う方法。
膜初期の膜厚が極めて薄い、例えば数１００オングスト
ローム（以下、オングストロームをＡとする）段階にお
いて薄膜は多数の分離した島状構造となるため、連続し
た薄膜を形成することが難しい。これは、熱力学的な平
衡状態において薄膜の表面張力（表面エネルギー）の影
響により、蒸着物質が凝縮して島状構造となることに起
因する。したがって、前記島状化を防ししなければ、数
１００Ａ以下の膜厚の連続した超薄膜を形成することが
できない。前記薄膜の島状化を防止するために、従来よ
り以下に説明する薄膜形成方法が知られている。 （１）基板材料として薄膜形成物質より表面エネルギー
の大きな物質を選び、相対的に薄膜形成物質の表面エネ
ルギーを低下させて薄膜形成を行う方法。 （２）成膜時の基板温度を低くし、熱力学的に不平衡状
態にして薄膜形成を行う方法。 （３）成膜速度を増加させて過飽和度を増大させること
により有効な成膜温度を低下させ、熱力学的に不平衡状
態にして薄膜形成を行う方法。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記（
１）の薄膜形成方法では薄膜形成物質よりも表面エネル
ギーが大きく、かつ他の特性も成膜に適した基板材料を
見出だすことが困難であり、仮にそのような材料が存在
したとしても基板の選択が限定されるという問題がある
。
１）の薄膜形成方法では薄膜形成物質よりも表面エネル
ギーが大きく、かつ他の特性も成膜に適した基板材料を
見出だすことが困難であり、仮にそのような材料が存在
したとしても基板の選択が限定されるという問題がある
。
【０００４】前記（２）、（３）の薄膜形成方法は、い
ずれも成膜温度を低くするため、成膜時の薄膜形成物質
の拡散による移動が不十分となる。その結果、単結晶薄
膜を形成しようとしても多結晶化が生じたり、或るは単
結晶、多結晶の薄膜のいずれでも薄膜中の転位、空孔な
どの格子欠陥密度が高くなり、膜質劣化を招く。また、
層状成長による連続薄膜を形成するためには基板温度を
室温以下に下げる必要があるが、かかる場合には複雑か
つ高価な基板冷却機構が必要になるという問題を生じる
。
ずれも成膜温度を低くするため、成膜時の薄膜形成物質
の拡散による移動が不十分となる。その結果、単結晶薄
膜を形成しようとしても多結晶化が生じたり、或るは単
結晶、多結晶の薄膜のいずれでも薄膜中の転位、空孔な
どの格子欠陥密度が高くなり、膜質劣化を招く。また、
層状成長による連続薄膜を形成するためには基板温度を
室温以下に下げる必要があるが、かかる場合には複雑か
つ高価な基板冷却機構が必要になるという問題を生じる
。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたもので、基板の材質に依存せず、層状成長
された連続した超薄膜またはこれらを積層した多層薄膜
を容易に形成し得る方法を提供しようとするものである
。
めになされたもので、基板の材質に依存せず、層状成長
された連続した超薄膜またはこれらを積層した多層薄膜
を容易に形成し得る方法を提供しようとするものである
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板または前
記基板上の下地層の表面に薄膜を連続的に形成するに際
し、前記基板または下地層の表面に前記薄膜形成物質の
表面エネルギーよりも低い偏析形成物質を１／１００原
子層以上の膜厚で成膜した後、薄膜形成物質を成膜する
と共に、前記各物質の成膜時の温度を下記式（１）、（
２）に示す下限温度（ＴＬＣ）と上限温度（ＴＵＣ）の
範囲に設定することを特徴とする連続薄膜の形成方法。 ＴＬＣ＝ＱＳ ／｛Ｒ・ｌｎ（ＤＯＳ／ａ・ｒ）｝…（
１）ＴＵＣ＝ＱＶ ／｛Ｒ・ｌｎ（ＤＯＶ／ａ・ｒ）｝
…（２）ただし、ＴＬＣ；成膜温度の下限（°Ｋ）ＴＵ
Ｃ；成膜温度の上限（°Ｋ） ＱＳ ；偏析形成物質の薄膜形成物質上または偏析形成
物質上における表面拡散エネルギー（Ｊ／ｍｏｌ）ＱＶ
；偏析形成物質の薄膜形成物質中における体積拡散エ
ネルギー（Ｊ／ｍｏｌ） Ｒ；気体定数（Ｊ／ｍｏｌ／°Ｋ） ＤＯＳ；偏析形成物質の薄膜形成物質上または偏析形成
物質上における表面拡散係数の振動数項（ｍ２ ／ｓ）
ＤＯＶ；偏析形成物質の薄膜形成物質中の体積拡散の振
動数項（ｍ２ ／ｓ） ａ；偏析形成物質の格子定数（ｍ） ｒ；平均成膜速度（ｍ／ｓ）
記基板上の下地層の表面に薄膜を連続的に形成するに際
し、前記基板または下地層の表面に前記薄膜形成物質の
表面エネルギーよりも低い偏析形成物質を１／１００原
子層以上の膜厚で成膜した後、薄膜形成物質を成膜する
と共に、前記各物質の成膜時の温度を下記式（１）、（
２）に示す下限温度（ＴＬＣ）と上限温度（ＴＵＣ）の
範囲に設定することを特徴とする連続薄膜の形成方法。 ＴＬＣ＝ＱＳ ／｛Ｒ・ｌｎ（ＤＯＳ／ａ・ｒ）｝…（
１）ＴＵＣ＝ＱＶ ／｛Ｒ・ｌｎ（ＤＯＶ／ａ・ｒ）｝
…（２）ただし、ＴＬＣ；成膜温度の下限（°Ｋ）ＴＵ
Ｃ；成膜温度の上限（°Ｋ） ＱＳ ；偏析形成物質の薄膜形成物質上または偏析形成
物質上における表面拡散エネルギー（Ｊ／ｍｏｌ）ＱＶ
；偏析形成物質の薄膜形成物質中における体積拡散エ
ネルギー（Ｊ／ｍｏｌ） Ｒ；気体定数（Ｊ／ｍｏｌ／°Ｋ） ＤＯＳ；偏析形成物質の薄膜形成物質上または偏析形成
物質上における表面拡散係数の振動数項（ｍ２ ／ｓ）
ＤＯＶ；偏析形成物質の薄膜形成物質中の体積拡散の振
動数項（ｍ２ ／ｓ） ａ；偏析形成物質の格子定数（ｍ） ｒ；平均成膜速度（ｍ／ｓ）
【０００７】前記偏析形成物質は、前記薄膜形成物質の
表面エネルギーよりも低いものであれば、いかなるもの
でもよく、特に制限されない。また、前記偏析形成物質
は前記基板との関係で表面エネルギーが前記基板と同等
かもしくはそれより低いことが望ましいが、前記薄膜形
成物質との関係でその表面エネルギーより低ければ、前
記基板との関係を満たさなくてもよい。
表面エネルギーよりも低いものであれば、いかなるもの
でもよく、特に制限されない。また、前記偏析形成物質
は前記基板との関係で表面エネルギーが前記基板と同等
かもしくはそれより低いことが望ましいが、前記薄膜形
成物質との関係でその表面エネルギーより低ければ、前
記基板との関係を満たさなくてもよい。
【０００８】前記偏析形成物質の成膜時の膜厚を限定し
たのは、その膜厚を１／１００原子層未満にすると、前
記薄膜の基板への成膜初期に前記基板の表面エネルギー
を十分に低くできなくなり、連続した薄膜を形成できな
くなるからである。ただし、前記偏析形成物質の膜厚を
厚くすると、薄膜の成膜後において前記偏析形成物質が
すべて薄膜表面に偏析せず、前記基板の界面に残存する
。このため、特に前記偏析形成物質の成膜厚さを１／１
００原子層〜２原子層の範囲にすると、薄膜の成膜時に
前記基板の界面に前記偏析形成物質が残存することなく
薄膜表面にすべて偏析することが可能となる。したがっ
て、超薄膜の積層の後にスパッタエッチング等のエッチ
ングを施して表面に偏析層を除去することにより偏析物
質が存在しない薄膜形成物質のみからなる多層薄膜の形
成が可能となる。
たのは、その膜厚を１／１００原子層未満にすると、前
記薄膜の基板への成膜初期に前記基板の表面エネルギー
を十分に低くできなくなり、連続した薄膜を形成できな
くなるからである。ただし、前記偏析形成物質の膜厚を
厚くすると、薄膜の成膜後において前記偏析形成物質が
すべて薄膜表面に偏析せず、前記基板の界面に残存する
。このため、特に前記偏析形成物質の成膜厚さを１／１
００原子層〜２原子層の範囲にすると、薄膜の成膜時に
前記基板の界面に前記偏析形成物質が残存することなく
薄膜表面にすべて偏析することが可能となる。したがっ
て、超薄膜の積層の後にスパッタエッチング等のエッチ
ングを施して表面に偏析層を除去することにより偏析物
質が存在しない薄膜形成物質のみからなる多層薄膜の形
成が可能となる。
【０００９】前記偏析形成物質および薄膜形成物質の成
膜に際しての温度範囲を限定したのは、次のような理由
によるものである。前記成膜温度を下限温度（ＴＬＣ）
未満にすると、前記偏析形成物質を基板表面に成膜し、
薄膜形成物質を成膜した後において、前記物質を薄膜表
面に偏析させることができなくなり、前記基板の表面エ
ネルギーを十分に低減できず、連続した超薄膜を形成で
きなくなる。このため、超薄膜を積層する際にも、その
前の超薄膜の表面エネルギーを十分に低減できず、連続
した多層薄膜を形成できなくなる。一方、前記成膜温度
が上限温度（ＴＵＣ）を越えると、薄膜形成物質の成膜
後において前記偏析形成物質が前記薄膜中に拡散し、偏
析状態を維持できなくなって前記薄膜の表面エネルギー
を低減できなくなり、この後の薄膜形成物質の成膜に際
して島状化が生じて層状の連続した多層薄膜を形成でき
なくなる。
膜に際しての温度範囲を限定したのは、次のような理由
によるものである。前記成膜温度を下限温度（ＴＬＣ）
未満にすると、前記偏析形成物質を基板表面に成膜し、
薄膜形成物質を成膜した後において、前記物質を薄膜表
面に偏析させることができなくなり、前記基板の表面エ
ネルギーを十分に低減できず、連続した超薄膜を形成で
きなくなる。このため、超薄膜を積層する際にも、その
前の超薄膜の表面エネルギーを十分に低減できず、連続
した多層薄膜を形成できなくなる。一方、前記成膜温度
が上限温度（ＴＵＣ）を越えると、薄膜形成物質の成膜
後において前記偏析形成物質が前記薄膜中に拡散し、偏
析状態を維持できなくなって前記薄膜の表面エネルギー
を低減できなくなり、この後の薄膜形成物質の成膜に際
して島状化が生じて層状の連続した多層薄膜を形成でき
なくなる。
【００１０】
【作用】本発明によれば、基板または基板上の下地層の
表面に薄膜形成物質の表面エネルギーより低い偏析形成
物質を前記式（１）、（２）に示す下限温度（ＴＬＣ）
と上限温度（ＴＵＣ）の範囲の温度で成膜することによ
って、前記基板の表面に前記物質が偏析できるため、そ
の後の薄膜形成物質の成膜により島状化がなされること
なく、連続した（層状の）超薄膜を形成できる。
表面に薄膜形成物質の表面エネルギーより低い偏析形成
物質を前記式（１）、（２）に示す下限温度（ＴＬＣ）
と上限温度（ＴＵＣ）の範囲の温度で成膜することによ
って、前記基板の表面に前記物質が偏析できるため、そ
の後の薄膜形成物質の成膜により島状化がなされること
なく、連続した（層状の）超薄膜を形成できる。
【００１１】また、前記超薄膜の成膜を前記下限温度（
ＴＬＣ）と上限温度（ＴＵＣ）の範囲の温度で続行する
と、前記偏析形成物質と前記超薄膜の表面エネルギーの
差を駆動力として前記薄膜表面に前記物質が偏析するた
め、薄膜の有効表面エネルギーを薄膜本来の表面エネル
ギーからそれより低い偏析物質の表面エネルギーに変化
させることができる。その結果、次の薄膜形成物質の成
膜に際して、島状成長が阻止され、層状成長が促進され
て連続した多層薄膜を形成できる。
ＴＬＣ）と上限温度（ＴＵＣ）の範囲の温度で続行する
と、前記偏析形成物質と前記超薄膜の表面エネルギーの
差を駆動力として前記薄膜表面に前記物質が偏析するた
め、薄膜の有効表面エネルギーを薄膜本来の表面エネル
ギーからそれより低い偏析物質の表面エネルギーに変化
させることができる。その結果、次の薄膜形成物質の成
膜に際して、島状成長が阻止され、層状成長が促進され
て連続した多層薄膜を形成できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１
【００１３】まず、表面が（１００）面のＭｇＯ単結晶
基板を清浄化した後、超高真空の真空チャンバ内にて前
記基板を室温に保持してＦｅを電子ビーム蒸着を行って
厚さ１０ＡのＦｅ下地層を成膜した。つづいて、同超高
真空の真空チャンバ内にて偏析形成物質であるＡｇ（表
面エネルギー；１．３０２Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸
着して厚さ１０Ａの偏析層を成膜した後、前記基板を４
００℃に加熱し、薄膜形成物質であるＦｅ（表面エネル
ギー；２．９３９Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸着により
１Ａ／ｓの速度で５００Ａ成膜した。 比較例１
基板を清浄化した後、超高真空の真空チャンバ内にて前
記基板を室温に保持してＦｅを電子ビーム蒸着を行って
厚さ１０ＡのＦｅ下地層を成膜した。つづいて、同超高
真空の真空チャンバ内にて偏析形成物質であるＡｇ（表
面エネルギー；１．３０２Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸
着して厚さ１０Ａの偏析層を成膜した後、前記基板を４
００℃に加熱し、薄膜形成物質であるＦｅ（表面エネル
ギー；２．９３９Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸着により
１Ａ／ｓの速度で５００Ａ成膜した。 比較例１
【００１４】実施例１と同様なＦｅ下地層が形成された
ＭｇＯ基板を４００℃に加熱し、薄膜形成物質であるＦ
ｅを電子ビーム蒸着により１Ａ／ｓの速度で５００Ａ厚
さに直接成膜した。
ＭｇＯ基板を４００℃に加熱し、薄膜形成物質であるＦ
ｅを電子ビーム蒸着により１Ａ／ｓの速度で５００Ａ厚
さに直接成膜した。
【００１５】実施例１及び比較例１のＦｅ薄膜表面を、
２×１０４ 倍の走査電子顕微鏡により調べた。その結
果、実施例１で歯平坦で異物が観察されず、層状の連続
したＦｅ薄膜が形成されていることが観察された。これ
に対し、比較例１のＦｅ薄膜ではファセット状の島状構
造が観察された。
２×１０４ 倍の走査電子顕微鏡により調べた。その結
果、実施例１で歯平坦で異物が観察されず、層状の連続
したＦｅ薄膜が形成されていることが観察された。これ
に対し、比較例１のＦｅ薄膜ではファセット状の島状構
造が観察された。
【００１６】また、前記Ａｇ、Ｆｅについて前記式（１
）、（２）に基づいて成膜時の下限温度（ＴＬＣ）と上
限温度（ＴＵＣ）を求めると、それぞれ−２６．４℃、
５６３℃であり、前記成膜時の条件をＴＬＣとＴＵＣの
範囲内で行なうことによって、連続したＦｅ薄膜を形成
できることがわかる。 実施例２
）、（２）に基づいて成膜時の下限温度（ＴＬＣ）と上
限温度（ＴＵＣ）を求めると、それぞれ−２６．４℃、
５６３℃であり、前記成膜時の条件をＴＬＣとＴＵＣの
範囲内で行なうことによって、連続したＦｅ薄膜を形成
できることがわかる。 実施例２
【００１７】表面が（１１１）面のＳｉ単結晶基板を清
浄化した後、超高真空の真空チャンバ内にて前記基板を
１５０℃に加熱し、偏析形成物質であるＰｂ（表面エネ
ルギー；０．５３４Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸着して
厚さ２Ａの偏析層を成膜した後、前記基板を室温とし、
薄膜形成物質であるＡｇ（表面エネルギー；１．３０２
Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸着により１Ａ／ｓの速度で
３００Ａ成膜した。 比較例２
浄化した後、超高真空の真空チャンバ内にて前記基板を
１５０℃に加熱し、偏析形成物質であるＰｂ（表面エネ
ルギー；０．５３４Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸着して
厚さ２Ａの偏析層を成膜した後、前記基板を室温とし、
薄膜形成物質であるＡｇ（表面エネルギー；１．３０２
Ｊ／ｍ２ ）を電子ビーム蒸着により１Ａ／ｓの速度で
３００Ａ成膜した。 比較例２
【００１８】表面が（１１１）面のＳｉ単結晶基板を清
浄化した後、超高真空の真空チャンバ内にて前記基板を
１５０℃に加熱し、薄膜形成物質であるＡｇを電子ビー
ム蒸着により１Ａ／ｓの速度で３００Ａ厚さに直接成膜
した。
浄化した後、超高真空の真空チャンバ内にて前記基板を
１５０℃に加熱し、薄膜形成物質であるＡｇを電子ビー
ム蒸着により１Ａ／ｓの速度で３００Ａ厚さに直接成膜
した。
【００１９】実施例２及び比較例２の薄膜形成後のＳｉ
基板を、前記真空チャンバに連結している分析室に搬送
し、オージェ電子分光器を用いて表面分析を行った。そ
の結果、実施例２ではＰｂ及びＡｇが検出され、基板の
材料であるＳｉは検出されなかった。また、Ａｒイオン
により薄膜表面を約１分間スパッタエッチングを行ない
、再度表面分析を行った。その結果、Ａｇのみが検出さ
れた。これにより、連続したＡｇ薄膜が形成され、その
表面にＰｂが偏析していることがわかった。これに対し
、比較例２では薄膜形成物質であるＡｇのみならずＳｉ
が検出された。これは、Ａｇ薄膜が島状成長したため、
一部露出している基板のＳｉがＡｇ薄膜の隙間から検出
されたものと考えられる。
基板を、前記真空チャンバに連結している分析室に搬送
し、オージェ電子分光器を用いて表面分析を行った。そ
の結果、実施例２ではＰｂ及びＡｇが検出され、基板の
材料であるＳｉは検出されなかった。また、Ａｒイオン
により薄膜表面を約１分間スパッタエッチングを行ない
、再度表面分析を行った。その結果、Ａｇのみが検出さ
れた。これにより、連続したＡｇ薄膜が形成され、その
表面にＰｂが偏析していることがわかった。これに対し
、比較例２では薄膜形成物質であるＡｇのみならずＳｉ
が検出された。これは、Ａｇ薄膜が島状成長したため、
一部露出している基板のＳｉがＡｇ薄膜の隙間から検出
されたものと考えられる。
【００２０】また、実施例２の薄膜の表面をＡｒイオン
により基板表面近傍までスパッタエッチングを行ない、
再度表面分析を行った。その結果、Ａｇのみが検出され
、偏析形成物質であるＰｂは検出されなかった。これに
より、Ｐｂを前記膜厚で基板表面に成膜することにより
、ＰｂのすべてがＡｇ薄膜表面に順次偏析されて、基板
の界面に残存しないことがわかる。
により基板表面近傍までスパッタエッチングを行ない、
再度表面分析を行った。その結果、Ａｇのみが検出され
、偏析形成物質であるＰｂは検出されなかった。これに
より、Ｐｂを前記膜厚で基板表面に成膜することにより
、ＰｂのすべてがＡｇ薄膜表面に順次偏析されて、基板
の界面に残存しないことがわかる。
【００２１】更に、前記Ｐｂ、Ａｇについて前記式（１
）、（２）に基づいて成膜時の下限温度（ＴＬＣ）と上
限温度（ＴＵＣ）を求めると、それぞれ−１５３℃、３
２８℃であり、前記成膜時の条件をＴＬＣとＴＵＣの範
囲内で行なうことによって、連続したＡｇ薄膜を形成で
きることがわかる。
）、（２）に基づいて成膜時の下限温度（ＴＬＣ）と上
限温度（ＴＵＣ）を求めると、それぞれ−１５３℃、３
２８℃であり、前記成膜時の条件をＴＬＣとＴＵＣの範
囲内で行なうことによって、連続したＡｇ薄膜を形成で
きることがわかる。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば基板
の材質に依存せず、単結晶、多結晶で膜質が良好な層状
の連続した超薄膜またはこれらを積層した多層薄膜を容
易に形成し得る方法を提供できる。
の材質に依存せず、単結晶、多結晶で膜質が良好な層状
の連続した超薄膜またはこれらを積層した多層薄膜を容
易に形成し得る方法を提供できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板または前記基板上の下地層の表面
に薄膜を連続的に形成するに際し、前記基板または下地
層の表面に前記薄膜形成物質の表面エネルギーよりも低
い偏析形成物質を１／１００原子層以上の膜厚で成膜し
た後、薄膜形成物質を成膜すると共に、前記各物質の成
膜時の温度を下記式（１）、（２）に示す下限温度（Ｔ
ＬＣ）と上限温度（ＴＵＣ）の範囲に設定することを特
徴とする連続薄膜の形成方法。 ＴＬＣ＝ＱＳ ／｛Ｒ・ｌｎ（ＤＯＳ／ａ・ｒ）｝…（
１）ＴＵＣ＝ＱＶ ／｛Ｒ・ｌｎ（ＤＯＶ／ａ・ｒ）｝
…（２）ただし、ＴＬＣ；成膜温度の下限（°Ｋ）ＴＵ
Ｃ；成膜温度の上限（°Ｋ） ＱＳ ；偏析形成物質の薄膜形成物質上または偏析形成
物質上における表面拡散エネルギー（Ｊ／ｍｏｌ）ＱＶ
；偏析形成物質の薄膜形成物質中における体積拡散エ
ネルギー（Ｊ／ｍｏｌ） Ｒ；気体定数（Ｊ／ｍｏｌ／°Ｋ） ＤＯＳ；偏析形成物質の薄膜形成物質上または偏析形成
物質上における表面拡散係数の振動数項（ｍ２ ／ｓ）
ＤＯＶ；偏析形成物質の薄膜形成物質中の体積拡散の振
動数項（ｍ２ ／ｓ） ａ；偏析形成物質の格子定数（ｍ） ｒ；平均成膜速度（ｍ／ｓ） - 【請求項２】 偏析形成物質を１／１００原子層以上
２原子層以下の膜厚で成膜し、更に薄膜形成物質を成膜
した後、エッチングして前記薄膜表面の偏析物質を除去
することを特徴とする請求項１記載の連続薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161591A JPH07109032B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 連続薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161591A JPH07109032B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 連続薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285167A true JPH04285167A (ja) | 1992-10-09 |
| JPH07109032B2 JPH07109032B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=12891800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5161591A Expired - Lifetime JPH07109032B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 連続薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109032B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| JP2019021676A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5161591A patent/JPH07109032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| JP2019021676A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109032B2 (ja) | 1995-11-22 |
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