JPH04284074A - ビデオミキサ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示すべき画像に係る
信号のレベルを急速に変化させ得るビデオミキサ回路に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近は、テレビジョンの画面に、受信チ
ャンネルの番号又は音量の大、小を表す文字又はパター
ン等の画像を表示するようにしている。図２はこのよう
な画像表示をするための画像表示装置の構成を示すブロ
ック図である。水平同期信号ＨＳＹＣ　及び垂直同期信
号ＶＳＹＣ　が同期信号入力回路１５を介して表示用発
振回路１１、Ｈカウンタ１６、ブリンキング回路２０及
び複合ビデオ信号発生回路２２の同期信号発生用タイミ
ングジェネレータ２４へ入力され、Ｈカウンタ１６のカ
ウント値は表示位置検出回路１７及び同期信号発生用タ
イミングジェネレータ２４へ入力される。表示位置検出
回路１７は、画面に表示する文字又はパターン等の表示
位置を検出するようになっている。表示位置検出回路１
７の出力信号は表示制御回路２１及び複合ビデオ信号発
生回路２２の同期信号発生用タイミングジェネレータ２
４へ入力される。表示用発振回路１１は水平同期信号Ｈ
ＳＹＣ　に同期してリセットされ所定周波数で発振する
ようになっている。表示用発振回路１１の発振出力は入
力制御回路１３及びタイミングジェネレータ１２へ入力
される。タイミングジェネレータ１２は、入力された発
振出力に基づいて各部の動作に必要なクロックを作成し
、そのクロックは入力制御信号回路１３、表示用ＲＡＭ
　１４、Ｈカウンタ１６及び表示位置検出回路１７へ与
えられる。

【０００３】一方、文字あるいはパターンを画面に表示
させるべく、図示しないマイクロコンピュータから与え
られる画像データ　（表示開始、表示中止等のコマンド
及びキャラクタコード等）　ＣＤは、入力制御回路１３
を介して表示用ＲＡＭ　１４、表示位置検出回路１７、
表示制御回路２１及びブリンキング回路２０へ入力され
る。表示用ＲＡＭ　１４は入力された画像データＣＤを
記憶するようになっている。表示用ＲＡＭ　１４のキャ
ラクタコードは、表示すべき文字又はパターン等のデー
タを記憶している表示キャラクタＲＯＭ　１８へ入力さ
れ、また表示制御回路２１へ入力される。表示キャラク
タＲＯＭ１８のキャラクタデータは、シフトレジスタ１
９へ与えられ、ブリンキング回路２０から出力される縁
取りデータ等と合成されて表示制御回路２１へ入力され
る。表示制御回路２１の出力信号は複合ビデオ信号発生
回路２２の同期信号発生用タイミングジェネレータ２４
、ビデオ信号発生回路２５及びビデオミキサ回路２６へ
入力される。複合ビデオ信号発生回路２２は無信号時で
も画面への画像表示を可能にするようになっており、複
合ビデオ信号発生回路２２が出力する複合ビデオ信号は
複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ　を介して図示しな
い表示画面たるブラウン管に与えられる。

【０００４】なお、複合ビデオ信号発生回路２２は同期
信号発生用発振回路２３と、同期信号発生用タイミング
ジェネレータ２４と、ビデオ信号発生回路２５と、ビデ
オミキサ回路２６とから構成されている。同期信号発生
用発振回路２３の発振出力は、同期信号発生用タイミン
グジェネレータ２４に与えられ、同期信号発生用タイミ
ングジェネレータ２４の出力信号はビデオ信号発生回路
２５へ入力される。 ビデオ信号発生回路２５で発生させたビデオ信号はビデ
オミキサ回路２６でキャラクタデータ等と合成されるよ
うになっている。図４はビデオミキサ回路２６の構成を
示す回路図であって、複数のバイアス電位発生回路１ａ
，１ｂ，１ｃ，１ｄ　を備えている。これらのバイアス
電位発生回路１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ　は、個々に異な
る高バイアス電位と低バイアス電位とを発生するように
なっている。バイアス電位発生回路１ａは、電源電位Ｖ
ＣＣと接地電位ＶＳＳとの間にバイアス抵抗２を介装さ
せており、電源電位ＶＣＣ側のバイアス抵抗２のタップ
２ａと、接地電位ＶＳＳ側のバイアス抵抗２のタップ２
ｂとの間に、トランスミッションゲート３ａ及び３ｂの
直列回路を介装させている。

【０００５】トランスミッションゲート３ａ，３ｂ　の
直列接続部はビデオミキサ回路２６の複合ビデオ信号出
力端子ＶＤＯＵＴ　と接続されている。そして他のバイ
アス電位発生回路１ｂ，１ｃ，１ｄは、バイアス電位発
生回路１ａと同様に構成されており、夫々は複合ビデオ
信号出力端子ＶＤＯＵＴ　と接続されている。各バイア
ス電位発生回路１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ　と複合ビデオ
信号出力端子ＶＤＯＵＴ　とを接続する回路と、接地と
の間には寄生容量１０が介装している。次に複合ビデオ
信号発生回路２２の動作を、各信号のタイミングチャー
トを示す図３とともに説明する。図３（ａ）　は、ビデ
オ信号発生回路２５で作成した信号を、ビデオミキサ回
路２６で合成して作成した複合ビデオ信号の１水平走査
線分を示している。そしてペデスタルレベルＰＬは、バ
イアス電位発生回路１ａにおいて、図３（ｂ）　に示す
信号によりトランスミッションゲート３ａをオンさせて
出力される、電源電位ＶＣＣを分圧した電位となってい
る。シンクチップＳＴはバイアス電位発生回路１ａにお
いて図３（ｃ）　に示す信号によりトランスミッション
ゲート４ａをオンさせて出力される、電源電位ＶＣＣを
分圧した電位となっている。カラーバーストＣＢの上位
側のレベルＶＡ　は、バイアス電位発生回路１ｂにおい
て、図３（ｄ）　に示す信号により図示しないトランス
ミッションゲート　（図４の３ａに対応）　をオンさせ
て出力される、電源電位ＶＣＣを分圧した電位となって
いる。

【０００６】またカラーバーストＣＢの下位側のレベル
ＶＢ　は、バイアス電位発生回路１ｂにおいて図示しな
いトランスミッションゲート　（図４の４ａに対応）　
をオンさせて出力される、電源電位ＶＣＣを分圧した電
位となっている。クロマ信号ＣＭの上位側のレベルＶＣ
　は、バイアス電位発生回路１ｃにおいて図３（ｅ）　
に示す信号によ図示しないトランスミッションゲート　
（図４の３ａに対応）　をオンさせて出力される、電源
電位ＶＣＣを分圧した電位となっている。またクロマ信
号ＣＭの下位側のレベルＶＤ　は、バイアス電位発生回
路１ｃにおいて図示しないトランスミッションゲート　
（図４の４ａに対応）　をオンさせて出力される、電源
電位ＶＣＣを分圧した電位となっている。黒レベルＢＬ
はバイアス電位発生回路１ｄにおいて、図３（ｆ）　に
示す信号により図示しないトランスミッションゲート　
（図４の３ａに対応）　をオンさせて出力される電源電
位ＶＣＣを分圧した電位となっている。白レベルＷＬは
バイアス電位発生回路１ｄにおいて図３（ｇ）　に示す
信号により図示しないトランスミッションゲート（図４
の４ａに対応）　をオンさせて出力される電源電位ＶＣ
Ｃを分圧した電位となっている。そしてこのようにして
複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ　に出力した複合ビ
デオ信号により、画面に画像を表示する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、複数のバイ
アス電位発生回路の出力側を共通接続して、複合ビデオ
信号出力端子と接続しているために、各バイアス電位発
生回路と複合ビデオ信号出力端子とを接続する回路と接
地との間には大きな寄生容量が介装する。そのためバイ
アス電位発生回路によってバイアス電位を複合ビデオ信
号出力端子に与えたときには、大きな寄生容量を充電又
は放電させることになって、複合ビデオ信号出力端子の
電位が急速に変化しない。つまり複合ビデオ信号のレベ
ルが急速に変化せず複合ビデオ信号の色の鮮度及び画質
が低下するという問題がある。本発明は斯かる問題に鑑
み、複合ビデオ信号のレベルを急速に変化させ得て、表
示画像の色の鮮度及び画質が低下することがないビデオ
ミキサ回路を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るビデオミキ
サ回路は、複数のバイアス電位発生回路の高バイアス電
位をする回路同士を共通接続する接続部及び低バイアス
電位を出力する回路同士を共通接続する接続部と、バイ
アス電位を出力する複合ビデオ信号出力端子との夫々の
間にスイッチを介装させて構成する。

【０００９】

【作用】いずれかのバイアス電位発生回路で発生したバ
イアス電位により、バイアス電位発生回路とスイッチと
を接続している回路が、所定のバイアス電位に保持され
る。スイッチを導通させると、保持していたバイアス電
位が複合ビデオ信号出力端子に出力される。スイッチに
より、バイアス電位発生回路と複合ビデオ信号出力端子
とを接続する回路が分離されているから、スイッチと複
合ビデオ信号出力端子とを接続する回路の寄生容量が少
ない。そのため、複合ビデオ信号出力端子に出力したバ
イアス電位は急速に変化する。よって、複合ビデオ信号
のレベル変化が速くなる。

【００１０】

【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面によって
詳述する。図１は本発明に係るビデオミキサ回路の回路
図である。ビデオミキサ回路は複数のバイアス電位発生
回路１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ　を備えている。バイアス
電位発生回路１ａ（１ｂ，１ｃ，１ｄ）は、電源電位Ｖ
ＣＣ（ＶＣＣ，ＶＣＣ，ＶＣＣ）と接地電位ＶＳＳ（Ｖ
ＳＳ，ＶＳＳ，ＶＳＳ）との間にバイアス抵抗２（２，
２，２）を介装させている。電源電位ＶＣＣ側のバイア
ス抵抗２（２，２，２）のタップ２ａ（２ｃ，２ｅ，２
ｇ）はトランスミッションゲート３ａ（３ｂ，３ｃ，３
ｄ）を介してトランスミッションゲート５の入力側と接
続される。接地電位ＶＳＳ（ＶＳＳ，ＶＳＳ，ＶＳＳ）
側のバイアス抵抗２（２，２，２）のタップ２ｂ（２ｄ
，２ｆ，２ｈ）はトランスミッションゲート４ａ（４ｂ
，４ｃ，４ｄ）を介してトランスミッションゲート６の
入力側と接続される。これらのバイアス電位発生回路１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ　夫々が発生するバイアス電位は
、発生させるべき信号のレベルに応じて異ならせている
。

【００１１】トランスミッションゲート５，６の出力側
は共通接続されて、複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ
　と接続される。トランスミッションゲート５の入力側
が接続されている回路と接地との間に寄生容量７が介装
しており、トランスミッションゲート６の入力側が接続
されている回路と接地との間に寄生容量８が介装してい
る。トランスミッションゲート５，６の出力側が接続さ
れている回路と接地との間には寄生容量９が介装してい
る。次にこのビデオミキサ回路の動作を、複合ビデオ信
号の１水平走査線分及び各信号のタイミングチャートを
示す図３とともに説明する。バイアス電位発生回路１ａ
は電源電位ＶＣＣを分圧して、図３のビデオ信号のペデ
スタルレベルＰＬとなす高バイアス電位を、トランスミ
ッションゲート３ａを介して出力し、シンクチップＳＴ
のレベルとなす低バイアス電位を、トランスミッション
ゲート４ａを介して出力する。トランスミッションゲー
ト３ａ，４ａ　には図３（ｂ）　に示す信号が入力され
、図３（ｂ）　に示す信号がＨレベルのときトランスミ
ッションゲート３ａ，４ａ　が導通する。

【００１２】バイアス電位発生回路１ｂは、バイアス電
位発生回路１ａと同様に電源電位ＶＣＣを分圧して図３
（ａ）　のビデオ信号のカラーバーストＣＢの上位側の
レベルＶＡ　となす高バイアス電位を、トランスミッシ
ョンゲート３ｂを介して出力し、カラーバーストＣＢの
下位側のレベルＶＢ　となす低バイアス電位を、トラン
スミッションゲート４ｂを介して出力する。トランスミ
ッションゲート３ｂ，４ｂ　には図３（ｄ）　に示す信
号が入力され、その信号がＨレベルのときトランスミッ
ションゲート３ｂ，４ｂ　が導通する。バイアス電位発
生回路１ｃにおいては、電源電位ＶＣＣを分圧して、図
３（ａ）　に示す複合ビデオ信号のクロマ信号ＣＭの上
位側のレベルＶＣ　となす高バイアス電位を、トランス
ミッションゲート３ｃを介して出力し、クロマ信号ＣＭ
の下位側のレベルＶＤ　となす低バイアス電位を、トラ
ンスミッションゲート４ｃを介して出力する。トランス
ミッションゲート３ｃ，４ｃ　には図３（ｅ）　に示す
信号が入力され、図３（ｅ）に示す信号がＨレベルのと
きトランスミッションゲート３ｃ，４ｃ　が導通する。

【００１３】バイアス電位発生回路１ｄにおいては、電
源電位ＶＣＣを分圧し、図３（ａ）　に示すビデオ信号
の白レベルＷＬとなす高バイアス電位を、トランスミッ
ションゲート３ｄを介して出力し、黒レベルＢＬとなす
低バイアス電位を、トランスミッションゲート４ｄを介
して出力する。トランスミッションゲート３ｄ，４ｄ　
には図３（ｆ）　に示す信号が入力され、図３（ｆ）　
に示す信号がＨレベルのときトランスミッションゲート
３ｃ，４ｃ　が導通する。これらのトランスミッション
ゲート３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ　と４ａ，４ｂ，４ｃ，
４ｄ　及びトランスミッションゲート５，６には、それ
を導通、非導通にする信号が、表示制御回路２１及びビ
デオ信号発生回路２５　（図２参照）　から、図３（ａ
）　に示す各信号に応じて与えられる。そして、これら
のバイアス電位発生回路１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ　のい
ずれかがバイアス電位を出力し、高バイアス電位を与え
る回路の寄生容量７及び低バイアス電位を与える回路の
寄生容量８が充電される。複合ビデオ信号出力端子ＶＤ
ＯＵＴ　へ出力する複合ビデオ信号は、Ｈレベルの信号
により導通するトランスミッションゲート５及びＬレベ
ルの信号により導通するトランスミッションゲート６を
介して複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ　へ出力され
る。

【００１４】図３（ａ）　に示す複合ビデオ信号におけ
るペデスタルレベルＰＬ及びシンクチップレベルＳＴを
出力する際は、トランスミッションゲート３ａ，４ａ　
を導通、非導通にする信号に図３（ｂ）　及び（ｃ）　
の信号が選択され、トランスミッションゲート５，６を
導通、非導通にする信号に、搬送色信号に関連する信号
が選択される。図３（ｂ）　に示す信号がＨレベルのと
き図３（ａ）　のペデスタルレベルＰＬになるバイアス
電位がトランスミッションゲート３ａ及び５を介して出
力される。また図３（ｃ）　に示す信号がＬレベルのと
き、図３（ａ）　のシンクチップレベルＳＴになすバイ
アス電位がトランスミッションゲート４ａ及びトランス
ミッションゲート６を介して出力される。図３（ａ）　
に示す複合ビデオ信号におけるカラーバーストＣＢ及び
クロマ信号ＣＭを出力する際は、トランスミッションゲ
ート３ｂ，４ｂ　を導通、非導通にする信号に図３（ｄ
），（ｅ）　に示す信号が選択される。トランスミッシ
ョンゲート５，６を導通、非導通にする信号に、搬送色
信号（ＮＴＳＣ信号では３．５８ＭＨｚ　、ＰＡＬ　信
号では４．４３ＭＨｚ）が選択される。

【００１５】したがって、カラーバーストＣＢにおいて
は搬送色信号がＨレベルのとき、図３（ａ）　のカラー
バーストの上位側レベルＶＡ　になすバイアス電位がト
ランスミッションゲート３ｂ及びトランスミッションゲ
ート５を介して出力される。また搬送色信号がＬレベル
のとき、図３（ａ）　のカラーバーストの下位側レベル
ＶＢ　になすバイアス電位がトランスミッションゲート
４ｂ及びトランスミッションゲート６を介して出力され
る。同様にクロマ信号ＣＭにおいては、搬送色信号がＨ
レベルのとき、図３（ａ）　に示すクロマ信号ＣＭの上
位側レベルＶＣ　になすバイアス電位がトランスミッシ
ョンゲート３ｃ及びトランスミッションゲート５を介し
て出力される。また搬送色信号がＬレベルのとき、図３
（ａ）　に示すクロマ信号ＣＭの下位側レベルＶＤ　に
なすバイアス電位がトランスミッションゲート４ｃ及び
トランスミッションゲート６を介して出力される。

【００１６】図３（ａ）　に示すビデオ信号の白レベル
ＷＬ及び黒レベルＢＬを出力する際は、トランスミッシ
ョンゲート３ｄ，４ｄ　を導通、非導通にする信号とし
て図３（ｇ）　及び（ｆ）に示す信号が選択される。図
３（ｇ）　に示す信号がＨレベルのとき、図３（ａ）　
に示す白レベルＷＬになすバイアス電位がトランスミッ
ションゲート３ｄ及びトランスミッションゲート５を介
して出力される。また図３（ｆ）　の信号がＬレベルの
とき、図３（ａ）　に示す信号の黒レベルＢＬになすバ
イアス電位がトランスミッションゲート４ｄ及びトラン
スミッションゲート６を介して出力される。このように
して、各信号のレベルが、バイアス電位発生回路１ａ，
１ｂ，１ｃ，１ｄ　から出力されるバイアス電位によっ
て設定されて表示すべき画像の複合ビデオ信号が得られ
る。

【００１７】そして、このようにバイアス電位発生回路
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ　の高バイアス電位を与える回
路を共通に接続し、低バイアス電位を与える回路を共通
に接続して高バイアス電位を与える回路と低バイアス電
位を与える回路とを分離したことにより、分離された夫
々の回路の寄生容量７，８は小さい値になる。また高バ
イアス電位を与える回路の共通接続部と複合ビデオ信号
出力端子ＶＤＯＵＴ　との間及び低バイアス電位を与え
る回路の共通接続部と複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵ
Ｔ　との間に、トランスミッションゲート５，６を各別
に介装したから、トランスミッションゲート５，６と複
合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ　とを接続する回路の
寄生容量９は小さい値になる。 したがって、例えばトランスミッションゲート３ａと５
とを導通させて、複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ　
に高バイアス電位を与える場合は、寄生容量７，９のみ
が充電又は放電し、またトランスミッションゲート４ａ
と６とを導通させて、複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵ
Ｔ　に低バイアス電を与える場合は寄生容量８，９のみ
が充電又は放電する。このように寄生容量７，９の値及
び寄生容量８，８の値が小さいから、寄生容量７，９又
は８，９は急速に充電又は放電をして、複合ビデオ信号
出力端子ＶＤＯＵＴの電位が急速に変化する。

【００１８】なお、他のバイアス電位発生回路１ｂ，１
ｃ，１ｄからバイアス電位を前述したように複合ビデオ
信号出力端子ＶＤＯＵＴ　に与える場合も同様である。 更に、カラーバーストＣＢ及びクロマ信号ＣＭの場合に
は、トランスミッションゲート３ａ，４ａ　をともに導
通させた状態で、トランスミッションゲート５と６とを
交互に導通、表示導通にして高バイアス電位及び低バイ
アス電位を複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ　に与え
るが、複合ビデオ信号出力端子ＶＤＯＵＴ　と接続され
た回路の寄生容量９は小さい値であるから、その寄生容
量９を急速に充電又は放電させ得て、複合ビデオ信号出
力端子ＶＤＯＵＴ　の電位が急速に変化する。 これにより、複合ビデオ信号のレベル変化を急速になし
得て、表示すべき画像の色の鮮度及び画質の低下を防止
できる。

【００１９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明は複数のバイ
アス電位発生回路の高バイアス電位を与える回路同士及
び低バイアス電位を与える回路同士を共通に接続して、
高バイアス電位を与える回路と低バイアス電位を与える
回路とを分離し、また高バイアス電位を与える回路の共
通接続部及び低バイアス電位を与える回路の共通接続部
と、複合ビデオ信号出力端子との間に夫々スイッチを介
装させたから、バイアス電位発生回路と複合ビデオ信号
出力端子とを接続する回路の全寄生容量を複数の分割で
きる。そのため、本発明によれば複合ビデオ信号出力端
子にバイアス電位を与えるときの回路の寄生容量が小さ
い値になり、バイアス電位によりその寄生容量を急速に
充電又は放電させ得て、複合ビデオ信号出力端子のバイ
アス電位を急速に変化させることができる。したがって
、複合ビデオ信号のレベルが急速に変化し、表示すべき
画像の色の鮮度及び画質の低下が生じないビデオミキサ
回路を提供できる優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るビデオミキサ回路の構成を示す回
路図である。

【図２】画像表示装置の構成を示すブロック図である。

【図３】複合ビデオ信号の１水平走査線分及び各信号の
タイミングチャートである。

【図４】従来のビデオミキサ回路の構成を示す回路図で
ある。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ　　　バイアス電位発生回路２
　　　　　　　　　　　　バイアス抵抗３ａ，３ｂ，３
ｃ，３ｄ　　　トランスミッションゲート４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄ　　　トランスミッションゲート５，６　　
　　　　　　トランスミッションゲート７，８，９　　
　　寄生容量

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　表示すべき画像に係る２つの信号を合
   成すべく構成され、複数のバイアス電位発生回路の夫々
   が発生する高バイアス電位及び低バイアス電位を選択的
   に与えるビデオミキサ回路において、前記高バイアス電
   位を与える回路同士を共通接続した接続部及び前記低バ
   イアス電位を与える回路同士を共通接続した接続部と前
   記複合ビデオ信号出力端子との夫々の間にスイッチを介
   装していることを特徴とするビデオミキサ回路。