JPH04280676A - 増幅型固体撮像装置 - Google Patents
増幅型固体撮像装置Info
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- JPH04280676A JPH04280676A JP3069334A JP6933491A JPH04280676A JP H04280676 A JPH04280676 A JP H04280676A JP 3069334 A JP3069334 A JP 3069334A JP 6933491 A JP6933491 A JP 6933491A JP H04280676 A JPH04280676 A JP H04280676A
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- floating gate
- gate
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Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title abstract description 15
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title abstract description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、増幅型固体撮像装置に
関し、特にフォトセンサ部がＪ（ジャンクション）‐Ｆ
ＥＴ構造からなる増幅型固体撮像装置に関する。
関し、特にフォトセンサ部がＪ（ジャンクション）‐Ｆ
ＥＴ構造からなる増幅型固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置の１つの開発方向として、
小チップ・多画素化、すなわち小画素化の傾向がある。 例えば、１インチ２００万画素のＨＤ（Ｈｉｇｈ Ｄｅ
ｆｉｎｉｔｉｏｎ） ＴＶ用のものでは１画素の大きさ
が７．３×７．６μｍ、２／３インチ２００万画素のも
ので５μｍ２ 、１／２インチ２００万画素のもので３
．６５μｍ２ となって行く。この小画素化に伴う基本
的な問題として、配線、レジスタ等の受光に対する無効
領域の割合が増加し、信号電荷が極端に減少し、ＳＮ比
が低下する点が挙げられる。
小チップ・多画素化、すなわち小画素化の傾向がある。 例えば、１インチ２００万画素のＨＤ（Ｈｉｇｈ Ｄｅ
ｆｉｎｉｔｉｏｎ） ＴＶ用のものでは１画素の大きさ
が７．３×７．６μｍ、２／３インチ２００万画素のも
ので５μｍ２ 、１／２インチ２００万画素のもので３
．６５μｍ２ となって行く。この小画素化に伴う基本
的な問題として、配線、レジスタ等の受光に対する無効
領域の割合が増加し、信号電荷が極端に減少し、ＳＮ比
が低下する点が挙げられる。
【０００３】ところで、固体撮像装置には種々の構成の
ものがあるが、その１つとして、水平及び垂直方向にて
画素単位で２次元的に配列された複数個のフォトセンサ
部の各々に、増幅機能を持たせた構成の増幅型固体撮像
装置がある。この種の固体撮像装置としては、文献ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＥＬＥＣＴＲＯ
Ｎ ＤＥＶＩＣＥＳ，Ｖｏｌ．３５，ＮＯ．５，ｐ６４
６−ｐ６５２（ＭＡＹ １９８８） に記載された単位
画素のフォトセンサ部がＪ‐ＦＥＴ構造からなる構成の
ものが知られている。
ものがあるが、その１つとして、水平及び垂直方向にて
画素単位で２次元的に配列された複数個のフォトセンサ
部の各々に、増幅機能を持たせた構成の増幅型固体撮像
装置がある。この種の固体撮像装置としては、文献ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＥＬＥＣＴＲＯ
Ｎ ＤＥＶＩＣＥＳ，Ｖｏｌ．３５，ＮＯ．５，ｐ６４
６−ｐ６５２（ＭＡＹ １９８８） に記載された単位
画素のフォトセンサ部がＪ‐ＦＥＴ構造からなる構成の
ものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｊ‐ＦＥＴ構造の増幅型固体撮像装置では、フォトセン
サ部で光電変換によって得られる信号電荷が半導体基板
の表面に蓄積される構成となっているので、表面準位の
影響を受け易く、ノイズが多くなるという欠点があった
。そこで、本発明は、表面準位の影響を受け難くかつシ
ンプルな構造で、しかも小画素化を可能とした増幅型固
体撮像装置を提供することを目的とする。
Ｊ‐ＦＥＴ構造の増幅型固体撮像装置では、フォトセン
サ部で光電変換によって得られる信号電荷が半導体基板
の表面に蓄積される構成となっているので、表面準位の
影響を受け易く、ノイズが多くなるという欠点があった
。そこで、本発明は、表面準位の影響を受け難くかつシ
ンプルな構造で、しかも小画素化を可能とした増幅型固
体撮像装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による増幅型固体
撮像装置は、水平及び垂直方向にて画素単位で２次元的
に配列された複数個のフォトセンサ部を具備し、これら
フォトセンサ部の各々が、周囲から電気的に絶縁されて
入射光に応じた信号電荷を蓄積するフローティングゲー
トと、このフローティングゲートに対してチャネル層を
介して積層されて所定のバイアス電圧が印加されるコン
トロールゲートとを有するジャンクションＦＥＴ構造か
らなる構成となっている。
撮像装置は、水平及び垂直方向にて画素単位で２次元的
に配列された複数個のフォトセンサ部を具備し、これら
フォトセンサ部の各々が、周囲から電気的に絶縁されて
入射光に応じた信号電荷を蓄積するフローティングゲー
トと、このフローティングゲートに対してチャネル層を
介して積層されて所定のバイアス電圧が印加されるコン
トロールゲートとを有するジャンクションＦＥＴ構造か
らなる構成となっている。
【０００６】
【作用】本発明による増幅型固体撮像装置において、フ
ローティングゲートから蓄積電荷をコントロールゲート
に完全転送してリセットが行われる。これにより、リセ
ットノイズを低減できる。また、フローティングゲート
が埋め込み型であることから、暗電流も殆どない。さら
には、コントロールゲートのバイアス電圧を適当な値に
選定することで、ブルーミングマージンが調整可能とな
る。
ローティングゲートから蓄積電荷をコントロールゲート
に完全転送してリセットが行われる。これにより、リセ
ットノイズを低減できる。また、フローティングゲート
が埋め込み型であることから、暗電流も殆どない。さら
には、コントロールゲートのバイアス電圧を適当な値に
選定することで、ブルーミングマージンが調整可能とな
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明による増幅型固体撮像装置
の第１の実施例を示す１フォトセルユニットの断面構造
図であり、図２にその平面図を示す。図において、Ｎ＋
型のドレイン１の中に、周囲から電気的に絶縁された
Ｐ型のフローティングゲート２が形成されている。フロ
ーティングゲート２は、光電変換によって発生するフォ
トキャリアを蓄積する信号電荷蓄積部を構成する。この
フローティングゲート２に対し、Ｎ型のチャネル層３を
介して矩形環状のＰ＋ 型のコントロールゲート４が積
層され、このコントロールゲート４の内側にはＮ＋ 型
のソース５が形成される。基板の表面には、ゲート配線
６及びソース配線７がポリシリコンによる２層構造によ
ってＸＹマトリクス配線されており、このゲート配線６
及びソース配線７に対してコントロールゲート４及びソ
ース５がそれぞれコンタクト８，９を介して接続されて
いる。
に説明する。図１は、本発明による増幅型固体撮像装置
の第１の実施例を示す１フォトセルユニットの断面構造
図であり、図２にその平面図を示す。図において、Ｎ＋
型のドレイン１の中に、周囲から電気的に絶縁された
Ｐ型のフローティングゲート２が形成されている。フロ
ーティングゲート２は、光電変換によって発生するフォ
トキャリアを蓄積する信号電荷蓄積部を構成する。この
フローティングゲート２に対し、Ｎ型のチャネル層３を
介して矩形環状のＰ＋ 型のコントロールゲート４が積
層され、このコントロールゲート４の内側にはＮ＋ 型
のソース５が形成される。基板の表面には、ゲート配線
６及びソース配線７がポリシリコンによる２層構造によ
ってＸＹマトリクス配線されており、このゲート配線６
及びソース配線７に対してコントロールゲート４及びソ
ース５がそれぞれコンタクト８，９を介して接続されて
いる。
【０００８】かかる構成のＪ‐ＦＥＴ構造のフォトセル
を有する増幅型固体撮像装置では、ゲート配線６及びソ
ース配線７が存在しない基板の裏面側から光を取り込む
いわゆる裏面照射型構造を採り、フローティングゲート
２をセンサとして用い、入射光の強度に応じて発生した
ホールをこのフローティングゲート２に蓄積し、この蓄
積電荷によってチャネル層３の相互コンダクタンスｇｍ
を変化させ、この間に流れる電流によって抵抗の変化
を読み取る動作原理となっている。
を有する増幅型固体撮像装置では、ゲート配線６及びソ
ース配線７が存在しない基板の裏面側から光を取り込む
いわゆる裏面照射型構造を採り、フローティングゲート
２をセンサとして用い、入射光の強度に応じて発生した
ホールをこのフローティングゲート２に蓄積し、この蓄
積電荷によってチャネル層３の相互コンダクタンスｇｍ
を変化させ、この間に流れる電流によって抵抗の変化
を読み取る動作原理となっている。
【０００９】次に、上述したＪ‐ＦＥＴ構造のフォトセ
ルの具体的な動作について図３のポテンシャル分布図を
参照しつつ説明する。先ず、コントロールゲート４に所
定のバイアス電圧−Ｖｒを印加し、フローティングゲー
ト２に蓄積されたホールをコントロールゲート４に完全
に転送し、空乏化することによってリセットする（リセ
ットモード）。続いて、コントロールゲート４にバイア
ス電圧−Ｖｒよりも絶対値が小なる所定のバイアス電圧
−Ｖｓ（｜Ｖｒ｜＞｜Ｖｓ｜）を印加することにより、
１フィールド期間に亘ってフローティングゲート２にフ
ォトキャリアを蓄積する（蓄積モード）。ここで、バイ
アス電圧−Ｖｓとしては、チャネル層３がピンチオフす
る電圧値を選定する。その後、コントロールゲート４に
バイアス電圧−Ｖｓよりも絶対値が小なる所定のバイア
ス電圧−Ｖｏ（｜Ｖｓ｜＞｜Ｖｏ｜）を印加することに
より、チャネル層３をオン状態として信号を読み出す（
読出しモード）。
ルの具体的な動作について図３のポテンシャル分布図を
参照しつつ説明する。先ず、コントロールゲート４に所
定のバイアス電圧−Ｖｒを印加し、フローティングゲー
ト２に蓄積されたホールをコントロールゲート４に完全
に転送し、空乏化することによってリセットする（リセ
ットモード）。続いて、コントロールゲート４にバイア
ス電圧−Ｖｒよりも絶対値が小なる所定のバイアス電圧
−Ｖｓ（｜Ｖｒ｜＞｜Ｖｓ｜）を印加することにより、
１フィールド期間に亘ってフローティングゲート２にフ
ォトキャリアを蓄積する（蓄積モード）。ここで、バイ
アス電圧−Ｖｓとしては、チャネル層３がピンチオフす
る電圧値を選定する。その後、コントロールゲート４に
バイアス電圧−Ｖｓよりも絶対値が小なる所定のバイア
ス電圧−Ｖｏ（｜Ｖｓ｜＞｜Ｖｏ｜）を印加することに
より、チャネル層３をオン状態として信号を読み出す（
読出しモード）。
【００１０】図４に、駆動系の構成の一例を示す。図に
おいて、Ｊ‐ＦＥＴ構造のフォトセル１０が水平及び垂
直方向にて２次元的に多数配列されており、ゲート配線
６を介して各フォトセル１０のコントロールゲート４に
印加するバイアス電圧は、デバイス内部に設けられた垂
直走査回路１１にて３値の電圧出力−Ｖｒ，−Ｖｓ，−
Ｖｏとして生成される。この垂直走査回路１１によって
垂直方向の１行が選択されることにより、垂直走査が行
われる。次に、水平走査回路１２によって水平方向に左
から右へ順に各画素がスイッチングされることにより、
水平走査が行われる。
おいて、Ｊ‐ＦＥＴ構造のフォトセル１０が水平及び垂
直方向にて２次元的に多数配列されており、ゲート配線
６を介して各フォトセル１０のコントロールゲート４に
印加するバイアス電圧は、デバイス内部に設けられた垂
直走査回路１１にて３値の電圧出力−Ｖｒ，−Ｖｓ，−
Ｖｏとして生成される。この垂直走査回路１１によって
垂直方向の１行が選択されることにより、垂直走査が行
われる。次に、水平走査回路１２によって水平方向に左
から右へ順に各画素がスイッチングされることにより、
水平走査が行われる。
【００１１】上述したように、本発明による固体撮像装
置では、増幅型であることに伴い高感度であり、しかも
裏面照射型構造を採ったことにより、開口率を１００％
近くとれるため、高開口率・高感度にて１／２インチ光
学系で２００万画素のイメージャーレベルの小画素化が
可能となる。また、フローティングゲート２からフォト
キャリアをコントロールゲート４に完全転送してリセッ
トが行われるため、リセットノイズがなく、しかもフロ
ーティングゲート２を埋め込み型にしているので、暗電
流も殆どない。さらには、バイアス電圧−Ｖｓを適当な
値に選定することにより、ブルーミングマージンが調整
可能となる。
置では、増幅型であることに伴い高感度であり、しかも
裏面照射型構造を採ったことにより、開口率を１００％
近くとれるため、高開口率・高感度にて１／２インチ光
学系で２００万画素のイメージャーレベルの小画素化が
可能となる。また、フローティングゲート２からフォト
キャリアをコントロールゲート４に完全転送してリセッ
トが行われるため、リセットノイズがなく、しかもフロ
ーティングゲート２を埋め込み型にしているので、暗電
流も殆どない。さらには、バイアス電圧−Ｖｓを適当な
値に選定することにより、ブルーミングマージンが調整
可能となる。
【００１２】図５は、本発明による増幅型固体撮像装置
の第２の実施例を示す１フォトセルユニットの断面構造
図であり、図中図１と同等部分には同一符号を付して示
してある。本実施例においては、フローティングゲート
２の平面領域内の一部に、フローティングゲート２の蓄
積電荷をリセットするリセットゲート１３が設けられた
構成となっている。このリセットゲート１３は、フロー
ティングゲート２との間の離間距離が、フローティング
ゲート２とコントロールゲート４の離間距離よりも小と
なるように設定されている。なお、リセットゲート１３
は、図６に示すように、矩形環状のコントロールゲート
４の１隅（ａ）或いは４隅（ｂ）等、フローティングゲ
ート２の平面領域内の一部に位置するように設けられれ
ば良く、又図７に示すように、基板の裏面側に配するよ
うにしても良い。
の第２の実施例を示す１フォトセルユニットの断面構造
図であり、図中図１と同等部分には同一符号を付して示
してある。本実施例においては、フローティングゲート
２の平面領域内の一部に、フローティングゲート２の蓄
積電荷をリセットするリセットゲート１３が設けられた
構成となっている。このリセットゲート１３は、フロー
ティングゲート２との間の離間距離が、フローティング
ゲート２とコントロールゲート４の離間距離よりも小と
なるように設定されている。なお、リセットゲート１３
は、図６に示すように、矩形環状のコントロールゲート
４の１隅（ａ）或いは４隅（ｂ）等、フローティングゲ
ート２の平面領域内の一部に位置するように設けられれ
ば良く、又図７に示すように、基板の裏面側に配するよ
うにしても良い。
【００１３】ここで、センサ（フローティングゲート２
）に蓄積された電荷ｑをリセットする際にコントロール
ゲート４に印加するゲート電位（バイアス電圧−Ｖｒ）
について考えるに、フローティングゲート２の不純物濃
度をＮａ、チャネル層３の不純物濃度をＮｄとし、フロ
ーティングゲート２の厚みをＷ１ 、フローティングゲ
ート２とリセットゲート１３の離間距離をＷ３ とする
と、 Ｖｒ＝（ｑ／２ε）・（ＮａＷ１２＋ＮｄＷ３２）とな
る。ここに、εは誘電率である。一方、第１の実施例の
場合には、フローティングゲート２とコントロールゲー
ト４の離間距離（チャネル層３の厚み）をＷ２ とする
と、 Ｖｒ＝（ｑ／２ε）・（ＮａＷ１２＋ＮｄＷ２２）とな
り、Ｗ３ ＜Ｗ２ であるから、第２の実施例の場合の
方が第１の実施例の場合よりもリセット電位を低く設定
できる。
）に蓄積された電荷ｑをリセットする際にコントロール
ゲート４に印加するゲート電位（バイアス電圧−Ｖｒ）
について考えるに、フローティングゲート２の不純物濃
度をＮａ、チャネル層３の不純物濃度をＮｄとし、フロ
ーティングゲート２の厚みをＷ１ 、フローティングゲ
ート２とリセットゲート１３の離間距離をＷ３ とする
と、 Ｖｒ＝（ｑ／２ε）・（ＮａＷ１２＋ＮｄＷ３２）とな
る。ここに、εは誘電率である。一方、第１の実施例の
場合には、フローティングゲート２とコントロールゲー
ト４の離間距離（チャネル層３の厚み）をＷ２ とする
と、 Ｖｒ＝（ｑ／２ε）・（ＮａＷ１２＋ＮｄＷ２２）とな
り、Ｗ３ ＜Ｗ２ であるから、第２の実施例の場合の
方が第１の実施例の場合よりもリセット電位を低く設定
できる。
【００１４】具体的な数値例をもって説明するに、分光
感度特性からＷ１ ≒２μｍ、蓄積最大電荷（ダイナミ
ックレンジ）からＮａ≒５×１０１５ｃｍ−３、相互コ
ンダクタンスｇｍ やドレイン‐ソース間電流ＩＤＳＳ
等からＮｄ≒５×１０１５ｃｍ−３，Ｗ２ ≒１μｍ
程度が現実的な値であることから、リセットゲート１３
を設けない場合は、２０Ｖのリセット電位Ｖｒが必要と
なる。しかしながら、ゲート‐ソース間耐圧を２０Ｖ以
上とるのが難しく、またリセット電位Ｖｒを供給する周
辺トランジスタも、例えば１／２インチ２００万画素で
は、３．６μｍ以下の大きさにする必要があることから
、このトランジスタの耐圧を２０Ｖ以上にするのが難し
い。ところが、第２の実施例の場合のように、フローテ
ィングゲート２との間の離間距離が、フローティングゲ
ート２とコントロールゲート４の離間距離よりも小なる
リセットゲート１３を設けることにより、リセット電位
Ｖｒを低く設定できるため、周辺回路の微細化、画素の
より微細化が図れることになる。
感度特性からＷ１ ≒２μｍ、蓄積最大電荷（ダイナミ
ックレンジ）からＮａ≒５×１０１５ｃｍ−３、相互コ
ンダクタンスｇｍ やドレイン‐ソース間電流ＩＤＳＳ
等からＮｄ≒５×１０１５ｃｍ−３，Ｗ２ ≒１μｍ
程度が現実的な値であることから、リセットゲート１３
を設けない場合は、２０Ｖのリセット電位Ｖｒが必要と
なる。しかしながら、ゲート‐ソース間耐圧を２０Ｖ以
上とるのが難しく、またリセット電位Ｖｒを供給する周
辺トランジスタも、例えば１／２インチ２００万画素で
は、３．６μｍ以下の大きさにする必要があることから
、このトランジスタの耐圧を２０Ｖ以上にするのが難し
い。ところが、第２の実施例の場合のように、フローテ
ィングゲート２との間の離間距離が、フローティングゲ
ート２とコントロールゲート４の離間距離よりも小なる
リセットゲート１３を設けることにより、リセット電位
Ｖｒを低く設定できるため、周辺回路の微細化、画素の
より微細化が図れることになる。
【００１５】なお、上記各実施例において、Ｐ型，Ｎ型
の各領域を全て逆導電型にしても良いことは勿論である
。
の各領域を全て逆導電型にしても良いことは勿論である
。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画素単位のフォトセンサ部の各々を、入射光に応じた信
号電荷を蓄積するフローティングゲートと、このフロー
ティングゲートに対しチャネル層を介して積層されて所
定のバイアス電圧が印加されるコントロールゲートとを
有するジャンクションＦＥＴ構造としたことにより、フ
ローティングゲートから蓄積電荷をコントロールゲート
に完全転送してリセットが行われるためリセットノイズ
がなく、しかもフローティングゲートが埋め込み型であ
ることから暗電流も殆どなく、さらにはコントロールゲ
ートのバイアス電圧を適当な値に選定することで、ブル
ーミングマージンを調整可能となる効果がある。また、
裏面照射型構造を採ることにより、開口率を１００％近
くとれるため、高開口率・高感度にて１／２インチ光学
系で２００万画素のイメージャーレベルの小画素化が可
能となる。また、フローティングゲートの平面領域内の
一部に、フローティングゲートの蓄積電荷を引き抜くリ
セットゲートを設け、このリセットゲートとフローティ
ングゲートの離間距離を、フローティングゲートとコン
トロールゲートの離間距離よりも小に設定したことによ
り、リセット電位を下げることができるため、周辺回路
の微細化、より小画素化が可能となる効果がある。
画素単位のフォトセンサ部の各々を、入射光に応じた信
号電荷を蓄積するフローティングゲートと、このフロー
ティングゲートに対しチャネル層を介して積層されて所
定のバイアス電圧が印加されるコントロールゲートとを
有するジャンクションＦＥＴ構造としたことにより、フ
ローティングゲートから蓄積電荷をコントロールゲート
に完全転送してリセットが行われるためリセットノイズ
がなく、しかもフローティングゲートが埋め込み型であ
ることから暗電流も殆どなく、さらにはコントロールゲ
ートのバイアス電圧を適当な値に選定することで、ブル
ーミングマージンを調整可能となる効果がある。また、
裏面照射型構造を採ることにより、開口率を１００％近
くとれるため、高開口率・高感度にて１／２インチ光学
系で２００万画素のイメージャーレベルの小画素化が可
能となる。また、フローティングゲートの平面領域内の
一部に、フローティングゲートの蓄積電荷を引き抜くリ
セットゲートを設け、このリセットゲートとフローティ
ングゲートの離間距離を、フローティングゲートとコン
トロールゲートの離間距離よりも小に設定したことによ
り、リセット電位を下げることができるため、周辺回路
の微細化、より小画素化が可能となる効果がある。
【図１】本発明による増幅型固体撮像装置の第１の実施
例を示す１フォトセルユニットの断面構造図である。
例を示す１フォトセルユニットの断面構造図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ′線に沿うポテンシャル分布図で
ある。
ある。
【図４】駆動系の一例の回路図である。
【図５】本発明による増幅型固体撮像装置の第２の実施
例を示す１フォトセルユニットの断面構造図である。
例を示す１フォトセルユニットの断面構造図である。
【図６】第２の実施例におけるリセットゲートの平面配
置を示す平面図である。
置を示す平面図である。
【図７】第２の実施例の変形例を示す１フォトセルユニ
ットの断面構造図である。
ットの断面構造図である。
２ フローティングゲート
３ チャネル層
４ コントロールゲート
６ ゲート配線
７ ソース配線
１０ フォトセル
１３ リセットゲート
Claims (2)
- 【請求項１】 水平及び垂直方向にて画素単位で２次
元的に配列された複数個のフォトセンサ部を具備し、前
記複数個のフォトセンサ部の各々が、周囲から電気的に
絶縁されて入射光に応じた信号電荷を蓄積するフローテ
ィングゲートと、前記フローティングゲートに対しチャ
ネル層を介して積層されて所定のバイアス電圧が印加さ
れるコントロールゲートとを有するジャンクションＦＥ
Ｔ構造からなることを特徴とする増幅型固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記フローティングゲートの平面領域
内の一部に、前記フローティングゲートの蓄積電荷を引
き抜くリセットゲートを有し、前記フローティングゲー
トと前記リセットゲートの離間距離が、前記フローティ
ングゲートと前記コントロールゲートの離間距離よりも
小に設定されたことを特徴とする増幅型固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069334A JPH04280676A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 増幅型固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069334A JPH04280676A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 増幅型固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280676A true JPH04280676A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=13399551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3069334A Pending JPH04280676A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 増幅型固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280676A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294175A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Sony Corp | 固体撮像装置およびカメラ |
| US8415725B2 (en) | 2007-05-24 | 2013-04-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera |
| JP5283235B2 (ja) * | 2008-05-02 | 2013-09-04 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像素子 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3069334A patent/JPH04280676A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294175A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Sony Corp | 固体撮像装置およびカメラ |
| US8415725B2 (en) | 2007-05-24 | 2013-04-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera |
| JP5283235B2 (ja) * | 2008-05-02 | 2013-09-04 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像素子 |
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