JPH04278591A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH04278591A JPH04278591A JP6374791A JP6374791A JPH04278591A JP H04278591 A JPH04278591 A JP H04278591A JP 6374791 A JP6374791 A JP 6374791A JP 6374791 A JP6374791 A JP 6374791A JP H04278591 A JPH04278591 A JP H04278591A
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置の半導
体レーザ駆動回路に関する。
体レーザ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ（以下ＬＤという）
には、一般的に周囲温度が上昇すると発光パワーが低下
するという特性がある。
には、一般的に周囲温度が上昇すると発光パワーが低下
するという特性がある。
【０００３】そこで、図２に示すように周囲温度ＴがＴ
１からＴ２に上昇した場合、従来のＬＤ駆動回路は、一
定の発光パワーＰを発するためにＬＤを発光させる駆動
電流Ｉを、Ｉ１からＩ２に増加させる制御を行なう。
１からＴ２に上昇した場合、従来のＬＤ駆動回路は、一
定の発光パワーＰを発するためにＬＤを発光させる駆動
電流Ｉを、Ｉ１からＩ２に増加させる制御を行なう。
【０００４】次に、このような従来のＬＤ駆動回路の駆
動電流制御動作について説明する。
動電流制御動作について説明する。
【０００５】図３は従来のＬＤ駆動回路の回路構成図で
あり、ＬＤ１から発光したレーザ光は図示しないカップ
リングレンズに向け照射されると共に、ＬＤ１の発光パ
ワーＰの大きさを検出するための受光素子２で受光され
光電流に変換される。この光電流は更に電流を電圧に変
換する機能を有したアンプ３を経て、比較器４の一方の
入力側に入力される。
あり、ＬＤ１から発光したレーザ光は図示しないカップ
リングレンズに向け照射されると共に、ＬＤ１の発光パ
ワーＰの大きさを検出するための受光素子２で受光され
光電流に変換される。この光電流は更に電流を電圧に変
換する機能を有したアンプ３を経て、比較器４の一方の
入力側に入力される。
【０００６】また、この比較器４の他の一方の入力側に
は基準電圧設定部５において設定された基準電圧Ｖ１が
入力される。この基準電圧Ｖ１は、ＬＤ１が発光パワー
を発するのに必要な駆動電流Ｉの大きさを制御するため
の基準となるもので、この基準電圧Ｖ１に基づきＬＤ１
の発光パワーＰの大きさが決定される。
は基準電圧設定部５において設定された基準電圧Ｖ１が
入力される。この基準電圧Ｖ１は、ＬＤ１が発光パワー
を発するのに必要な駆動電流Ｉの大きさを制御するため
の基準となるもので、この基準電圧Ｖ１に基づきＬＤ１
の発光パワーＰの大きさが決定される。
【０００７】この基準電圧Ｖ１はＬＤ駆動回路が光ディ
スク装置（以下装置という）に組み込まれる前に設定さ
れるが、この際光ディスクに対するデータの記録再生を
適切に行なうため、ＬＤ１の発光パワーＰをできるだけ
大きくするよう基準電圧Ｖ１は高い値に設定される。な
お、装置に組み込まれた後は、この基準電圧Ｖ１の値を
再設定することはできない。
スク装置（以下装置という）に組み込まれる前に設定さ
れるが、この際光ディスクに対するデータの記録再生を
適切に行なうため、ＬＤ１の発光パワーＰをできるだけ
大きくするよう基準電圧Ｖ１は高い値に設定される。な
お、装置に組み込まれた後は、この基準電圧Ｖ１の値を
再設定することはできない。
【０００８】比較器４はこの２つの入力を比較し、比較
結果を電流制御部６に入力する。電流制御部６は、この
比較結果に基づき駆動電流Ｉが一定になるよう制御する
。これにより、ＬＤ１の発光パワーＰは常に一定の値に
制御される。
結果を電流制御部６に入力する。電流制御部６は、この
比較結果に基づき駆動電流Ｉが一定になるよう制御する
。これにより、ＬＤ１の発光パワーＰは常に一定の値に
制御される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一方、ＬＤには、長期
間使用すると発光する際に生じる熱により性能が劣化す
るため、温度が一定の場合でも発光パワーが低下すると
いう他の特性がある。従来のＬＤ駆動回路は、このよう
な場合でも、この発光パワーの低下に対応してＬＤが一
定の発光パワーを発するよう、図４に示すように駆動電
流Ｉを増加させる。
間使用すると発光する際に生じる熱により性能が劣化す
るため、温度が一定の場合でも発光パワーが低下すると
いう他の特性がある。従来のＬＤ駆動回路は、このよう
な場合でも、この発光パワーの低下に対応してＬＤが一
定の発光パワーを発するよう、図４に示すように駆動電
流Ｉを増加させる。
【００１０】そして、ＬＤの性能劣化が進むに連れ、こ
れに伴い徐々に増加した駆動電流Ｉが図４のＬＤの寿命
を示す限界値を超えると、ＬＤの発光パワーは急激に低
下し、やがて発光を停止する。光ディスク装置は、これ
を検知するとＬＤが故障したと判断する。
れに伴い徐々に増加した駆動電流Ｉが図４のＬＤの寿命
を示す限界値を超えると、ＬＤの発光パワーは急激に低
下し、やがて発光を停止する。光ディスク装置は、これ
を検知するとＬＤが故障したと判断する。
【００１１】ところが、このように劣化が始まったＬＤ
に対し駆動電流Ｉを増加すると、発光パワーは上昇する
が、それに伴いＬＤに生じる熱も増えるため、ＬＤの劣
化を早めるという問題が生じる。
に対し駆動電流Ｉを増加すると、発光パワーは上昇する
が、それに伴いＬＤに生じる熱も増えるため、ＬＤの劣
化を早めるという問題が生じる。
【００１２】そこで、本発明は半導体レーザの寿命を延
ばすことができる半導体レーザ駆動回路を提供すること
を目的とする。
ばすことができる半導体レーザ駆動回路を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体レーザを
発光させる駆動電流を設定された基準値に基づいて一定
の値に保ち、一定の発光出力を発する半導体レーザ駆動
回路において、上記駆動電流が抵抗を流れる際に生じる
電圧を検出する電圧検出手段と、上記半導体レーザが設
置された環境の温度を検出する温度検出手段と、予め上
記電圧検出手段と、温度検出手段との出力から半導体レ
ーザの劣化がない場合の上記環境の温度に対応する上記
駆動電流の範囲を記憶する記憶手段と、上記電圧検出手
段の出力と、上記記憶手段に予め記憶した駆動電流の範
囲との比較により半導体レーザの劣化を判断したならば
、上記基準値を減少させる手段とを備えるようにしたも
のである。
発光させる駆動電流を設定された基準値に基づいて一定
の値に保ち、一定の発光出力を発する半導体レーザ駆動
回路において、上記駆動電流が抵抗を流れる際に生じる
電圧を検出する電圧検出手段と、上記半導体レーザが設
置された環境の温度を検出する温度検出手段と、予め上
記電圧検出手段と、温度検出手段との出力から半導体レ
ーザの劣化がない場合の上記環境の温度に対応する上記
駆動電流の範囲を記憶する記憶手段と、上記電圧検出手
段の出力と、上記記憶手段に予め記憶した駆動電流の範
囲との比較により半導体レーザの劣化を判断したならば
、上記基準値を減少させる手段とを備えるようにしたも
のである。
【００１４】
【作用】この構成により、発光パワーの低下がＬＤの劣
化によるものか否かを判断できる。そして、発光パワー
の低下の原因がＬＤの劣化によるものと判断された場合
には、基準電圧を下げて駆動電流を減少させることによ
り、発光パワーを抑えＬＤにおける熱の発生を少なくし
、ＬＤの寿命を延ばすことができる。
化によるものか否かを判断できる。そして、発光パワー
の低下の原因がＬＤの劣化によるものと判断された場合
には、基準電圧を下げて駆動電流を減少させることによ
り、発光パワーを抑えＬＤにおける熱の発生を少なくし
、ＬＤの寿命を延ばすことができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１６】図１は、本発明の一実施例による半導体レ
ーザ駆動回路の回路構成図を示したものである。同図に
おいて、図３と同一符号は同一または相当部分を示して
いる。７はＡ／Ｄ変換器であり、抵抗Ｒに駆動電流Ｉが
流れることにより生じる電圧を検出し、この検出電圧Ｖ
２をディジタルデータに変換し、後述するＣＰＵに入力
する。
ーザ駆動回路の回路構成図を示したものである。同図に
おいて、図３と同一符号は同一または相当部分を示して
いる。７はＡ／Ｄ変換器であり、抵抗Ｒに駆動電流Ｉが
流れることにより生じる電圧を検出し、この検出電圧Ｖ
２をディジタルデータに変換し、後述するＣＰＵに入力
する。
【００１７】８は温度センサであり、ＬＤ１が置かれて
いる装置内の温度を検出し、この検出温度を電圧値に変
換する。９はＡ／Ｄ変換器であり、温度センサ８により
検出され電圧値に変換された検出温度を、ディジタルデ
ータに変換し、ＣＰＵに入力する。
いる装置内の温度を検出し、この検出温度を電圧値に変
換する。９はＡ／Ｄ変換器であり、温度センサ８により
検出され電圧値に変換された検出温度を、ディジタルデ
ータに変換し、ＣＰＵに入力する。
【００１８】１０はＣＰＵである。このＣＰＵ１０は装
置が実際に使用される場合には、Ａ／Ｄ変換器７から入
力される検出電圧Ｖ２と、Ａ／Ｄ変換器９から入力され
る装置内温度とを一定のタイミングで監視し、記憶して
いる表の内容との比較を行なう。そして、この比較結果
からＬＤ１に性能劣化が発生しているか否かを判断し、
この判断結果に従って基準電圧Ｖ１を変化させる。
置が実際に使用される場合には、Ａ／Ｄ変換器７から入
力される検出電圧Ｖ２と、Ａ／Ｄ変換器９から入力され
る装置内温度とを一定のタイミングで監視し、記憶して
いる表の内容との比較を行なう。そして、この比較結果
からＬＤ１に性能劣化が発生しているか否かを判断し、
この判断結果に従って基準電圧Ｖ１を変化させる。
【００１９】１１はＤ／Ａ変換器であり、ＣＰＵ１０か
ら出力される基準電圧Ｖ１をアナログ信号に変換し、比
較器４の一方の入力側に入力する。
ら出力される基準電圧Ｖ１をアナログ信号に変換し、比
較器４の一方の入力側に入力する。
【００２０】次に、このように構成された半導体レーザ
駆動回路の駆動電流制御動作について説明する。
駆動回路の駆動電流制御動作について説明する。
【００２１】ＣＰＵ１０は装置の組立て時に比較器４の
一方の入力側に所定の基準電圧Ｖ１を加え、この基準電
圧Ｖ１に基づきＬＤ１を発光させる。この後、データ採
取のため装置内温度を、例えば１度ずつ上昇させたとき
のＡ／Ｄ変換器７から出力される検出電圧Ｖ２の値を装
置内温度と共に表として記憶する。
一方の入力側に所定の基準電圧Ｖ１を加え、この基準電
圧Ｖ１に基づきＬＤ１を発光させる。この後、データ採
取のため装置内温度を、例えば１度ずつ上昇させたとき
のＡ／Ｄ変換器７から出力される検出電圧Ｖ２の値を装
置内温度と共に表として記憶する。
【００２２】装置が使用され、ＬＤ１がレーザ光を発光
すると、駆動電流Ｉが抵抗Ｒに流れ、これに伴い検出さ
れる検出電圧Ｖ２はＡ／Ｄ変換器７によりディジタルデ
ータに変換され、一定のタイミングでＣＰＵ１０に入力
される。
すると、駆動電流Ｉが抵抗Ｒに流れ、これに伴い検出さ
れる検出電圧Ｖ２はＡ／Ｄ変換器７によりディジタルデ
ータに変換され、一定のタイミングでＣＰＵ１０に入力
される。
【００２３】一方、ＣＰＵ１０にはＡ／Ｄ変換器９から
、温度センサ８により検出され、電圧値に変換された検
出温度が、検出電圧Ｖ２と同じタイミングで入力される
。
、温度センサ８により検出され、電圧値に変換された検
出温度が、検出電圧Ｖ２と同じタイミングで入力される
。
【００２４】ＣＰＵ１０は温度センサ８により検出され
た装置内温度における検出電圧Ｖ２と、装置組立て時に
記憶した表と比較する。その比較の結果、検出電圧Ｖ２
が表に記憶している電圧に対し所定の範囲内にある場合
は、駆動電流Ｉは装置内の温度の変化のみに対応して変
化していると判断する。
た装置内温度における検出電圧Ｖ２と、装置組立て時に
記憶した表と比較する。その比較の結果、検出電圧Ｖ２
が表に記憶している電圧に対し所定の範囲内にある場合
は、駆動電流Ｉは装置内の温度の変化のみに対応して変
化していると判断する。
【００２５】この結果、ＣＰＵ１０は基準電圧Ｖ１とし
て、装置に組み込んだときの基準電圧Ｖ１をそのままＤ
／Ａ変換器１１に出力する。Ｄ／Ａ変換器１１は、この
基準電圧Ｖ１をアナログ信号に変換し、比較器４の一方
の入力側に入力する。
て、装置に組み込んだときの基準電圧Ｖ１をそのままＤ
／Ａ変換器１１に出力する。Ｄ／Ａ変換器１１は、この
基準電圧Ｖ１をアナログ信号に変換し、比較器４の一方
の入力側に入力する。
【００２６】しかし、比較の結果、検出電圧Ｖ２が表に
記憶している電圧に対し所定の範囲を超えている場合は
、抵抗Ｒに流れる駆動電流Ｉが装置内温度の増加だけで
はなく、ＬＤ１の劣化によっても増加したと判断する。
記憶している電圧に対し所定の範囲を超えている場合は
、抵抗Ｒに流れる駆動電流Ｉが装置内温度の増加だけで
はなく、ＬＤ１の劣化によっても増加したと判断する。
【００２７】ＣＰＵ１０は、この判断によりＤ／Ａ変換
器１１に出力する基準電圧Ｖ１を減少させる。基準電圧
Ｖ１が減少すると、比較器４の出力は減少し、これによ
り駆動電流Ｉは減少するため、検出電圧Ｖ２は表に記憶
している電圧に対し所定の範囲内の値になる。
器１１に出力する基準電圧Ｖ１を減少させる。基準電圧
Ｖ１が減少すると、比較器４の出力は減少し、これによ
り駆動電流Ｉは減少するため、検出電圧Ｖ２は表に記憶
している電圧に対し所定の範囲内の値になる。
【００２８】このように、ＣＰＵ１０は表に記憶してい
る電圧と検出電圧Ｖ２とを比較し、駆動電流Ｉの増加が
ＬＤ１の劣化による増加分を含んでいるか否かを判断す
ることにより、ＬＤ１の劣化の有無を判断する。そして
、ＬＤ１に劣化があると判断した場合には、基準電圧Ｖ
１を減少させ、駆動電流Ｉを減少させる。
る電圧と検出電圧Ｖ２とを比較し、駆動電流Ｉの増加が
ＬＤ１の劣化による増加分を含んでいるか否かを判断す
ることにより、ＬＤ１の劣化の有無を判断する。そして
、ＬＤ１に劣化があると判断した場合には、基準電圧Ｖ
１を減少させ、駆動電流Ｉを減少させる。
【００２９】したがって、ＬＤ１の劣化により発光パワ
ーが低下した場合には、減少された駆動電流ＩがＬＤ１
に加えられるようになる。これにより、ＬＤ１の発光パ
ワーが抑えられ、熱の発生が小さくなるため、ＬＤ１の
寿命を延ばすことができる。
ーが低下した場合には、減少された駆動電流ＩがＬＤ１
に加えられるようになる。これにより、ＬＤ１の発光パ
ワーが抑えられ、熱の発生が小さくなるため、ＬＤ１の
寿命を延ばすことができる。
【００３０】なお、このような制御を行なうと、ＬＤ１
の発光パワーは低下するが、前述したように通常はデー
タを確実に記録再生するためにＬＤ１の発光パワーは高
出力となるように調整されている。したがって、このよ
うな低下があっても、発光パワーの設定範囲内であれば
データの記録再生には支障をきたすことはない。
の発光パワーは低下するが、前述したように通常はデー
タを確実に記録再生するためにＬＤ１の発光パワーは高
出力となるように調整されている。したがって、このよ
うな低下があっても、発光パワーの設定範囲内であれば
データの記録再生には支障をきたすことはない。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発光パワ
ーの低下がＬＤの劣化によるものかどうかを判断し、発
光パワーの低下の原因がＬＤの劣化によるものと判断さ
れた場合には、基準電圧を下げて駆動電流を減少させる
ことができる。これにより、発光パワーを抑え、ＬＤに
おける熱の発生を少なくできるためＬＤの寿命を延ばす
ことができる。
ーの低下がＬＤの劣化によるものかどうかを判断し、発
光パワーの低下の原因がＬＤの劣化によるものと判断さ
れた場合には、基準電圧を下げて駆動電流を減少させる
ことができる。これにより、発光パワーを抑え、ＬＤに
おける熱の発生を少なくできるためＬＤの寿命を延ばす
ことができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザ駆動回路
の回路構成図。
の回路構成図。
【図２】半導体レーザの温度特性を示す図。
【図３】従来の半導体レーザ駆動回路の回路構成図。
【図４】半導体レーザの駆動電流と寿命との関係を示す
図。
図。
１ 半導体レーザ
２ 受光素子
４ 比較器
６ 電流制御部
７，９ Ａ／Ｄ変換器
８ 温度センサ
１０ ＣＰＵ
１１ Ｄ／Ａ変換器
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザを発光させる駆動電流を
設定された基準値に基づいて一定の値に保ち、一定の発
光出力を発する半導体レーザ駆動回路において、 上
記駆動電流が抵抗を流れる際に生じる電圧を検出する電
圧検出手段と、上記半導体レーザが設置された環境の温
度を検出する温度検出手段と、予め上記電圧検出手段と
、温度検出手段との出力から半導体レーザの劣化がない
場合の上記環境の温度に対応する上記駆動電流の範囲を
記憶する記憶手段と、上記電圧検出手段の出力と、上記
記憶手段に予め記憶した駆動電流の範囲との比較により
半導体レーザの劣化を判断したならば、上記基準値を減
少させる手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザ
駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6374791A JPH04278591A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6374791A JPH04278591A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278591A true JPH04278591A (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=13238308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6374791A Pending JPH04278591A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04278591A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008181933A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置の駆動方法、レーザ光源装置、画像表示装置、モニタ装置、照明装置 |
| JP2009200242A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | 光送信機および制御方法 |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP6374791A patent/JPH04278591A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008181933A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置の駆動方法、レーザ光源装置、画像表示装置、モニタ装置、照明装置 |
| JP2009200242A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | 光送信機および制御方法 |
| EP2093849A3 (en) * | 2008-02-21 | 2010-03-17 | Fujitsu Limited | Optical transmitter |
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