JPH04276679A - レーザダイオード - Google Patents
レーザダイオードInfo
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- JPH04276679A JPH04276679A JP3037653A JP3765391A JPH04276679A JP H04276679 A JPH04276679 A JP H04276679A JP 3037653 A JP3037653 A JP 3037653A JP 3765391 A JP3765391 A JP 3765391A JP H04276679 A JPH04276679 A JP H04276679A
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- silicone resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンパクトディスク、
ビデオディスク、光磁気ディスク、追記型光ディスク等
に用いられる光ピックアップの光源、或いはレーザビー
ムプリンタ、センサ、光通信素子等の光源として幅広く
使用されるレーザダイオードに関する。
ビデオディスク、光磁気ディスク、追記型光ディスク等
に用いられる光ピックアップの光源、或いはレーザビー
ムプリンタ、センサ、光通信素子等の光源として幅広く
使用されるレーザダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】一般にレーザダイオード(以下、LDと
略す)は、サブマウントであるシリコン基台上にレーザ
ダイオードチップ(以下、LDチップと略す)をダイボ
ンディングしたものを、乾燥させた不活性ガスを入れた
キャンパッケージ内に封入してなるものである。キャン
パッケージにはLDチップからのレーザ発光をパッケー
ジ外部に取り出すためのガラス窓が設けられている。
略す)は、サブマウントであるシリコン基台上にレーザ
ダイオードチップ(以下、LDチップと略す)をダイボ
ンディングしたものを、乾燥させた不活性ガスを入れた
キャンパッケージ内に封入してなるものである。キャン
パッケージにはLDチップからのレーザ発光をパッケー
ジ外部に取り出すためのガラス窓が設けられている。
【0003】ところで、上記の如きLDでは、LDチッ
プの大きさは約250μm角で、基台は約1mm角であ
るのに比べ、パッケージの大きさは直径5.6〜9mm
程もあるため、1つの電子部品としての占有スペースが
大きく、しかもコスト高である。加えて、各種機器にお
いて光源であるLDの位置を調整する場合、パッケージ
の外側にパッケージよりも更に大きな調整機構のスペー
スを必要とする。これら大きなスペースの必要性は昨今
の各種機器に求められる小型化・軽量化の動向に向いて
いない。
プの大きさは約250μm角で、基台は約1mm角であ
るのに比べ、パッケージの大きさは直径5.6〜9mm
程もあるため、1つの電子部品としての占有スペースが
大きく、しかもコスト高である。加えて、各種機器にお
いて光源であるLDの位置を調整する場合、パッケージ
の外側にパッケージよりも更に大きな調整機構のスペー
スを必要とする。これら大きなスペースの必要性は昨今
の各種機器に求められる小型化・軽量化の動向に向いて
いない。
【0004】このため、LDチップをベアチップ実装で
使用する要求がある。このベアチップ実装したLDとし
ては、ユニットタイプのものがある。従来のユニットタ
イプのLDの縦断面図を図5に、参考として外観斜視図
を図2に示す。このユニットタイプのLD21では、ア
ルミニウム板からなる基板(基台)2上にサブマウント
3を介してLDチップ9をダイボンディングしてなるも
のである。LDチップ9の構成材料としてはGaAsが
多用されている。又、サブマウント3にはモニタ素子7
としてのホトダイオードが作製されている。
使用する要求がある。このベアチップ実装したLDとし
ては、ユニットタイプのものがある。従来のユニットタ
イプのLDの縦断面図を図5に、参考として外観斜視図
を図2に示す。このユニットタイプのLD21では、ア
ルミニウム板からなる基板(基台)2上にサブマウント
3を介してLDチップ9をダイボンディングしてなるも
のである。LDチップ9の構成材料としてはGaAsが
多用されている。又、サブマウント3にはモニタ素子7
としてのホトダイオードが作製されている。
【0005】モニタ素子7は、LDチップ9の後方劈開
面9bから出射するレーザ光を受光する。モニタ素子7
の受光電流(モニタ電流)に基づいてAPC回路により
、LDチップ9のレーザ光出力が所定の値になるように
駆動電流が制御される。サブマウント3上には、LDチ
ップ9やモニタ素子7に導通するアルミ配線5、6が形
成されており、これらアルミ配線6、5はフレキシブル
回路14上のリード14a、14bとワイヤW1 、W
2 によって各々ワイヤボンディングされている。なお
、後方劈開面9bとモニタ素子7には、アルミナ粒含有
シリコン樹脂12が施されている。
面9bから出射するレーザ光を受光する。モニタ素子7
の受光電流(モニタ電流)に基づいてAPC回路により
、LDチップ9のレーザ光出力が所定の値になるように
駆動電流が制御される。サブマウント3上には、LDチ
ップ9やモニタ素子7に導通するアルミ配線5、6が形
成されており、これらアルミ配線6、5はフレキシブル
回路14上のリード14a、14bとワイヤW1 、W
2 によって各々ワイヤボンディングされている。なお
、後方劈開面9bとモニタ素子7には、アルミナ粒含有
シリコン樹脂12が施されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】かかるベアチップ実装
したLDでは、LDチップ9の耐湿性の対策を十分に施
しておかなければ実環境の使用条件に耐えられない。そ
こで、耐湿性付与のためと、GaAsを用いたLDチッ
プ9は応力に弱く、これの表面安定化(パッシベーショ
ン)を図るために、LDチップ9を含む全体が透明のシ
リコン樹脂13で被覆・封止されている。しかしながら
、シリコン樹脂は若干の吸水性・透水性を有しており、
長時間の耐湿加速試験に耐えられず、実用には難点があ
る。
したLDでは、LDチップ9の耐湿性の対策を十分に施
しておかなければ実環境の使用条件に耐えられない。そ
こで、耐湿性付与のためと、GaAsを用いたLDチッ
プ9は応力に弱く、これの表面安定化(パッシベーショ
ン)を図るために、LDチップ9を含む全体が透明のシ
リコン樹脂13で被覆・封止されている。しかしながら
、シリコン樹脂は若干の吸水性・透水性を有しており、
長時間の耐湿加速試験に耐えられず、実用には難点があ
る。
【0007】従って、本発明の目的は、長時間にわたっ
て優秀な耐湿性を保有するレーザダイオードを提供する
ことにある。
て優秀な耐湿性を保有するレーザダイオードを提供する
ことにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザダイオー
ドは、基台上にサブマウントを介してレーザダイオード
チップをボンディングし、シリコン樹脂で封止してなる
レーザダイオードにおいて、シリコン樹脂上にフッ素樹
脂層を設けてなるものである。この構成により、レーザ
ダイオードの耐湿性が長時間保持され、前記目的が達成
される。
ドは、基台上にサブマウントを介してレーザダイオード
チップをボンディングし、シリコン樹脂で封止してなる
レーザダイオードにおいて、シリコン樹脂上にフッ素樹
脂層を設けてなるものである。この構成により、レーザ
ダイオードの耐湿性が長時間保持され、前記目的が達成
される。
【0009】本発明のLDに用いるフッ素樹脂は、光透
過性であると共に、一般に透明のシリコン樹脂に比べて
吸水率・透水率が格段に低いだけでなく、接触角が小さ
くて揆水性に富んでいる。このため、まずLDチップ等
を光透過性のシリコン樹脂で封止してLDチップからの
レーザ光の出射方向を確保した上で、更にシリコン樹脂
上にフッ素樹脂からなる層を設ければ十分な耐湿性をL
Dに付与することが可能となると共に、パッシベーショ
ンの性能向上を図れる訳である。
過性であると共に、一般に透明のシリコン樹脂に比べて
吸水率・透水率が格段に低いだけでなく、接触角が小さ
くて揆水性に富んでいる。このため、まずLDチップ等
を光透過性のシリコン樹脂で封止してLDチップからの
レーザ光の出射方向を確保した上で、更にシリコン樹脂
上にフッ素樹脂からなる層を設ければ十分な耐湿性をL
Dに付与することが可能となると共に、パッシベーショ
ンの性能向上を図れる訳である。
【0010】
【実施例】以下、本発明のレーザダイオードを実施例に
基づいて説明する。図1にその一実施例の縦断面図を、
図2に外観斜視図を示す。図1及び図2から分かるよう
に本実施例のLDの構造はフッ素樹脂層以外に関しては
図5に示す従来例のものと同一である。但し、図2には
シリコン樹脂やフッ素樹脂層は示していない。
基づいて説明する。図1にその一実施例の縦断面図を、
図2に外観斜視図を示す。図1及び図2から分かるよう
に本実施例のLDの構造はフッ素樹脂層以外に関しては
図5に示す従来例のものと同一である。但し、図2には
シリコン樹脂やフッ素樹脂層は示していない。
【0011】基板2は、アルミニウム板の表面にニッケ
ルメッキ及び金メッキを施したものである。基板2の前
方中央部よりやや前進した位置には、サブマウント3が
インジウム等の接続材料により載置固定される。サブマ
ウント3は、シリコン製の矩形板材により基本的に構成
され、その表面には二酸化シリコン皮膜4を介して、L
Dチップ9に電力を供給するためのアルミニウム配線5
、後述するモニタ素子7の作動によりサブマウント3に
生じた電流を取り出すためのアルミニウム配線6が形成
される。
ルメッキ及び金メッキを施したものである。基板2の前
方中央部よりやや前進した位置には、サブマウント3が
インジウム等の接続材料により載置固定される。サブマ
ウント3は、シリコン製の矩形板材により基本的に構成
され、その表面には二酸化シリコン皮膜4を介して、L
Dチップ9に電力を供給するためのアルミニウム配線5
、後述するモニタ素子7の作動によりサブマウント3に
生じた電流を取り出すためのアルミニウム配線6が形成
される。
【0012】サブマウント3上における前方中央部には
、アルミニウム配線5が延在してボンディング面を形成
しており、このボンディング面上にLDチップ9が導電
性ロウ材によってダイボンディングされる。この時、L
Dチップ9の2つの劈開面9a、9bは、それぞれサブ
マウント3の前後方向を向くように位置決めされる。 一方、サブマウント3の表面中央部、即ちLDチップ9
の後方劈開面9bと隣接する領域には、サブマウント3
表面からp型不純物を拡散させてpn接合を形成したホ
トダイオード素子が一体に作製され、この素子がモニタ
素子7として機能する。このモニタ素子7には、アルミ
ニウム配線6が連結されている。
、アルミニウム配線5が延在してボンディング面を形成
しており、このボンディング面上にLDチップ9が導電
性ロウ材によってダイボンディングされる。この時、L
Dチップ9の2つの劈開面9a、9bは、それぞれサブ
マウント3の前後方向を向くように位置決めされる。 一方、サブマウント3の表面中央部、即ちLDチップ9
の後方劈開面9bと隣接する領域には、サブマウント3
表面からp型不純物を拡散させてpn接合を形成したホ
トダイオード素子が一体に作製され、この素子がモニタ
素子7として機能する。このモニタ素子7には、アルミ
ニウム配線6が連結されている。
【0013】アルミニウム配線6、5は、基板2上に接
続するフレキシブル回路14上の対応するリード14a
、14bにワイヤW1 、W2 によって各々ワイヤボ
ンディングされている。又、LDチップ9の負極は、サ
ブマウント3上の二酸化シリコン皮膜4を一部除去して
内部導通させたパッド8に、ワイヤW4 でワイヤボン
ディングすることにより基板2に電気的に接続される。 更に基板2は、フレキシブル回路14のリード14cと
ワイヤW3 によりワイヤボンディングされる。LDチ
ップ9の前方の基板2上には、ガラス又はプラスチック
よりなる透明板11が配置される。
続するフレキシブル回路14上の対応するリード14a
、14bにワイヤW1 、W2 によって各々ワイヤボ
ンディングされている。又、LDチップ9の負極は、サ
ブマウント3上の二酸化シリコン皮膜4を一部除去して
内部導通させたパッド8に、ワイヤW4 でワイヤボン
ディングすることにより基板2に電気的に接続される。 更に基板2は、フレキシブル回路14のリード14cと
ワイヤW3 によりワイヤボンディングされる。LDチ
ップ9の前方の基板2上には、ガラス又はプラスチック
よりなる透明板11が配置される。
【0014】ここで、LDチップ9の後方劈開面9bと
モニタ素子7にアルミナ粒含有シリコン樹脂12を塗布
し、恒温槽でキュアを行う。これにより、シリコン樹脂
12は後方劈開面9bとモニタ素子7を結ぶ固体導波路
12aを構成する。即ち、後方劈開面9bからのレーザ
光は固体導波路12a内に散乱して閉じ込められ、モニ
タ素子7に取り入れられる。
モニタ素子7にアルミナ粒含有シリコン樹脂12を塗布
し、恒温槽でキュアを行う。これにより、シリコン樹脂
12は後方劈開面9bとモニタ素子7を結ぶ固体導波路
12aを構成する。即ち、後方劈開面9bからのレーザ
光は固体導波路12a内に散乱して閉じ込められ、モニ
タ素子7に取り入れられる。
【0015】次に、LDチップ9を含む全体に透明のシ
リコン樹脂13を塗布し、同様にキュアを行う。シリコ
ン樹脂13で全体が封止された後に、有機溶剤に溶解さ
せたフッ素樹脂をシリコン樹脂13上に塗布し、乾燥・
固化させてフッ素樹脂層15とする。このフッ素樹脂層
15により、高度の耐湿性とパッシベーションの性能向
上がもたらされる。
リコン樹脂13を塗布し、同様にキュアを行う。シリコ
ン樹脂13で全体が封止された後に、有機溶剤に溶解さ
せたフッ素樹脂をシリコン樹脂13上に塗布し、乾燥・
固化させてフッ素樹脂層15とする。このフッ素樹脂層
15により、高度の耐湿性とパッシベーションの性能向
上がもたらされる。
【0016】本実施例のLD1では、前方劈開面9aか
ら発したレーザ光は、シリコン樹脂13、透明板11を
透過して、透明板11の平坦な前面11aより前方に出
射する。透明板11を設けることは、出射光の方向・波
面を一定に保つ必要がある場合に有効である。なお、透
明板11に光反射防止のためのARコートを施しておく
と一層好ましい。
ら発したレーザ光は、シリコン樹脂13、透明板11を
透過して、透明板11の平坦な前面11aより前方に出
射する。透明板11を設けることは、出射光の方向・波
面を一定に保つ必要がある場合に有効である。なお、透
明板11に光反射防止のためのARコートを施しておく
と一層好ましい。
【0017】又、後方劈開面9bより出射したレーザ光
は、固体導波路12a中を進行し、シリコン樹脂12中
のアルミナ粒により散乱されてモニタ素子7に受光され
る。図3に別実施例を示す。この実施例は、LDチップ
9の前方劈開面9aの前方に透明体を設けていない構造
のもので、劈開面9aの前方にシリコン樹脂13が拡張
され、更にフッ素樹脂層15がシリコン樹脂13を覆う
。これ以外の構造は図1に示すものと同一である。当実
施例では、劈開面9aからのレーザ光はシリコン樹脂1
3、フッ素樹脂層15を透過して出射する。
は、固体導波路12a中を進行し、シリコン樹脂12中
のアルミナ粒により散乱されてモニタ素子7に受光され
る。図3に別実施例を示す。この実施例は、LDチップ
9の前方劈開面9aの前方に透明体を設けていない構造
のもので、劈開面9aの前方にシリコン樹脂13が拡張
され、更にフッ素樹脂層15がシリコン樹脂13を覆う
。これ以外の構造は図1に示すものと同一である。当実
施例では、劈開面9aからのレーザ光はシリコン樹脂1
3、フッ素樹脂層15を透過して出射する。
【0018】本発明のLDが従来のLDに比較して如何
に耐湿性に秀でているかということを明確にするために
、耐湿性の試験結果をグラフで示す図4を参照して説明
する。図4は、実施例及び従来例の各LDにおける封止
樹脂(実施例ではフッ素樹脂層、従来例ではシリコン樹
脂)の吸湿率(%)と時間(hours)との関係を示
すものである。但し、耐湿性試験は温度85℃、相対湿
度85%の条件下で行い、時間経過に伴って、厚さ1m
mのシリコン樹脂上に設けた厚さ数10μmのフッ素樹
脂層(実施例)からと、厚さ1mmのシリコン樹脂(従
来例)から、それぞれ内部のLDチップまで水が到達す
る程度を吸湿率(%)で示した。
に耐湿性に秀でているかということを明確にするために
、耐湿性の試験結果をグラフで示す図4を参照して説明
する。図4は、実施例及び従来例の各LDにおける封止
樹脂(実施例ではフッ素樹脂層、従来例ではシリコン樹
脂)の吸湿率(%)と時間(hours)との関係を示
すものである。但し、耐湿性試験は温度85℃、相対湿
度85%の条件下で行い、時間経過に伴って、厚さ1m
mのシリコン樹脂上に設けた厚さ数10μmのフッ素樹
脂層(実施例)からと、厚さ1mmのシリコン樹脂(従
来例)から、それぞれ内部のLDチップまで水が到達す
る程度を吸湿率(%)で示した。
【0019】この図4から明らかなように、水がLDチ
ップに到達した時の吸湿率Xにおける時間が、従来例で
は約2000時間であるのに対し、実施例では約100
00時間であり、耐湿性が5倍以上に向上したことが理
解される。
ップに到達した時の吸湿率Xにおける時間が、従来例で
は約2000時間であるのに対し、実施例では約100
00時間であり、耐湿性が5倍以上に向上したことが理
解される。
【0020】
【発明の効果】本発明のレーザダイオードは、以上説明
したようにシリコン樹脂上に更にフッ素樹脂層を設けて
なるから、シリコン樹脂でLDチップからの出射レーザ
光の進路を確保すると共に、パッシベーションを図り、
更にフッ素樹脂層により一層長時間にわたって耐湿性が
維持され、パッシベーション性能も向上する。
したようにシリコン樹脂上に更にフッ素樹脂層を設けて
なるから、シリコン樹脂でLDチップからの出射レーザ
光の進路を確保すると共に、パッシベーションを図り、
更にフッ素樹脂層により一層長時間にわたって耐湿性が
維持され、パッシベーション性能も向上する。
【図1】本発明のLDの一実施例を示す中央縦断面図で
ある。
ある。
【図2】図1に示すLDの外観斜視図である。
【図3】本発明のLDの別実施例を示す中央縦断面図で
ある。
ある。
【図4】本発明と従来との各LDにおける時間と封止樹
脂の吸湿率との関係を示すグラフである。
脂の吸湿率との関係を示すグラフである。
【図5】従来のLD例を示す中央縦断面図である。
1 LD
2 基板
3 サブマウント
9 LDチップ
13 シリコン樹脂
15 フッ素樹脂層
Claims (1)
- 【請求項1】基台上にサブマウントを介してレーザダイ
オードチップをボンディングし、シリコン樹脂で封止し
てなるレーザダイオードにおいて、シリコン樹脂上にフ
ッ素樹脂層を設けてなることを特徴とするレーザダイオ
ード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3037653A JP2542747B2 (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | レ―ザダイオ―ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3037653A JP2542747B2 (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | レ―ザダイオ―ド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04276679A true JPH04276679A (ja) | 1992-10-01 |
JP2542747B2 JP2542747B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=12503608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3037653A Expired - Lifetime JP2542747B2 (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | レ―ザダイオ―ド |
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JP (1) | JP2542747B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2022241B1 (en) * | 2018-12-18 | 2020-07-03 | Sencio B V | Laser chip package |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6084845A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止半導体装置 |
JPS60125755U (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-24 | 三井・デユポンポリケミカル株式会社 | 太陽電池モジユ−ル |
JPH02209785A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Sony Corp | 光半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-05 JP JP3037653A patent/JP2542747B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6084845A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止半導体装置 |
JPS60125755U (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-24 | 三井・デユポンポリケミカル株式会社 | 太陽電池モジユ−ル |
JPH02209785A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Sony Corp | 光半導体装置 |
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---|---|---|---|---|
NL2022241B1 (en) * | 2018-12-18 | 2020-07-03 | Sencio B V | Laser chip package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2542747B2 (ja) | 1996-10-09 |
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