JPH04276066A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH04276066A JPH04276066A JP3588091A JP3588091A JPH04276066A JP H04276066 A JPH04276066 A JP H04276066A JP 3588091 A JP3588091 A JP 3588091A JP 3588091 A JP3588091 A JP 3588091A JP H04276066 A JPH04276066 A JP H04276066A
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- target
- backing plate
- coating material
- sputtering
- sputtering device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成の手段として用
いるスパッタリング装置に関するものである。
いるスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のスパッタリング装置を示し
た図である。本図に示すように、従来のバッキングプレ
ート１１は、薄膜化する材料からなるターゲット１２を
接合している。また、バッキングプレート１１は一般に
、ターゲット１２の放熱効果をよくするために熱伝導率
の高い銅板が用いられている。本図に示すように、スパ
ッタリング装置におけるターゲット１２の設置は、ター
ゲット１２がほぼ水平の状態になるように支持台１３に
固定される。そして、スパッタされたターゲット１２は
基板１４に薄膜１５となって堆積される。スパッタ時に
は、冷却面１６を流水１７で冷却するようにされている
。なお、図２において１８はシールド、１９はスパッタ
領域である。
た図である。本図に示すように、従来のバッキングプレ
ート１１は、薄膜化する材料からなるターゲット１２を
接合している。また、バッキングプレート１１は一般に
、ターゲット１２の放熱効果をよくするために熱伝導率
の高い銅板が用いられている。本図に示すように、スパ
ッタリング装置におけるターゲット１２の設置は、ター
ゲット１２がほぼ水平の状態になるように支持台１３に
固定される。そして、スパッタされたターゲット１２は
基板１４に薄膜１５となって堆積される。スパッタ時に
は、冷却面１６を流水１７で冷却するようにされている
。なお、図２において１８はシールド、１９はスパッタ
領域である。
【０００３】
【発明が解決しょうとする課題】ところが、従来の銅板
からなるバッキングプレート１１を用いたターゲット１
２を使用し、スパッタした場合、バッキングプレート１
１の表面２０がスパッタの時間経過とともに変色してゆ
く現象が見られる。特に、ターゲット１２にＺｎＳ等の
硫化物を用いた場合には、表面２０が黒色に変色し、強
いては黒色の薄い堆積物が発生する場合があった。この
現象は、スパッタ時の温度上昇と、低圧によるターゲッ
ト１２および表面２０からの粒子の拡散により、表面２
０あるいは、表面２０とシールド１８の空間２１で反応
することによって発生すると考えられる。ここで、薄膜
１５はターゲット１２のみの成分が成膜されることが好
ましいが、上記のような現象が発生した場合には、空間
２１で発生した成分がスパッタ領域１９へ流出すること
が考えられる。そして、空間２１の成分はターゲット１
２と共に基板１４に堆積されるので、薄膜１５にはター
ゲット１２以外の不純物が混入される。よって、薄膜１
５の膜材質に影響を及ぼす場合が考えられる。
からなるバッキングプレート１１を用いたターゲット１
２を使用し、スパッタした場合、バッキングプレート１
１の表面２０がスパッタの時間経過とともに変色してゆ
く現象が見られる。特に、ターゲット１２にＺｎＳ等の
硫化物を用いた場合には、表面２０が黒色に変色し、強
いては黒色の薄い堆積物が発生する場合があった。この
現象は、スパッタ時の温度上昇と、低圧によるターゲッ
ト１２および表面２０からの粒子の拡散により、表面２
０あるいは、表面２０とシールド１８の空間２１で反応
することによって発生すると考えられる。ここで、薄膜
１５はターゲット１２のみの成分が成膜されることが好
ましいが、上記のような現象が発生した場合には、空間
２１で発生した成分がスパッタ領域１９へ流出すること
が考えられる。そして、空間２１の成分はターゲット１
２と共に基板１４に堆積されるので、薄膜１５にはター
ゲット１２以外の不純物が混入される。よって、薄膜１
５の膜材質に影響を及ぼす場合が考えられる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、バッキングプレート表面をコーティング材で
被覆したスパッタリング装置の構成としている。
するため、バッキングプレート表面をコーティング材で
被覆したスパッタリング装置の構成としている。
【０００５】
【作用】本発明は上記した構成により、バッキングプレ
ート表面をコーティングして、表面とターゲット材料と
の反応を防止しているので、ターゲット材料のみが成膜
されるようになる。
ート表面をコーティングして、表面とターゲット材料と
の反応を防止しているので、ターゲット材料のみが成膜
されるようになる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例のスパッタリング装
置を図面に基づいて説明する。図１は本発明の一実施例
を示す断面図である。熱伝導率の高い銅製のバッキング
プレート１上にターゲット２が接合されている。このバ
ッキングプレート１の表面上には、コーティング材３が
設けられている。コーティング材３の材料はターゲット
２と同様のものを用いている。バッキングプレート１は
支持台４に固定されている。また、スパッタ領域を限定
するためのシールド５がターゲット２の上部に隙間を設
けて取り付けられている。そして、スパッタするときに
は流水６によってバッキングプレート１を冷却する構成
となっている。ここで、バッキングプレート１の表面は
コーティング材３で覆われている。このため、スパッタ
中にバッキングプレートとシールド５の空間７でバッキ
ングプレート１の表面とターゲット２の材料を同一化す
ることにより、または不活性物化物を選ぶことにより反
応することを防止される。従って、空間７での不純物の
発生が防止されるので、スパッタ領域への不純物の流出
も抑制できる。その結果、ターゲット２の材料のみで成
膜できるので良質の薄膜が形成できる。
置を図面に基づいて説明する。図１は本発明の一実施例
を示す断面図である。熱伝導率の高い銅製のバッキング
プレート１上にターゲット２が接合されている。このバ
ッキングプレート１の表面上には、コーティング材３が
設けられている。コーティング材３の材料はターゲット
２と同様のものを用いている。バッキングプレート１は
支持台４に固定されている。また、スパッタ領域を限定
するためのシールド５がターゲット２の上部に隙間を設
けて取り付けられている。そして、スパッタするときに
は流水６によってバッキングプレート１を冷却する構成
となっている。ここで、バッキングプレート１の表面は
コーティング材３で覆われている。このため、スパッタ
中にバッキングプレートとシールド５の空間７でバッキ
ングプレート１の表面とターゲット２の材料を同一化す
ることにより、または不活性物化物を選ぶことにより反
応することを防止される。従って、空間７での不純物の
発生が防止されるので、スパッタ領域への不純物の流出
も抑制できる。その結果、ターゲット２の材料のみで成
膜できるので良質の薄膜が形成できる。
【０００７】なお、本実施例では、コーティング材３と
してターゲット１と同じ材料としたが、発明はこれに限
定されるものではなく、バッキングプレート１の表面が
反応しないものでありこのコーティング材３自身安定で
ターゲット１と反応しない酸化物、窒化物、炭化物であ
ればよい。また、コーティング材３はバッキングプレー
ト１の表面に塗布，成膜等してもよいし、コーティング
材３をバッキングプレート１の表面上に置いてもよい。
してターゲット１と同じ材料としたが、発明はこれに限
定されるものではなく、バッキングプレート１の表面が
反応しないものでありこのコーティング材３自身安定で
ターゲット１と反応しない酸化物、窒化物、炭化物であ
ればよい。また、コーティング材３はバッキングプレー
ト１の表面に塗布，成膜等してもよいし、コーティング
材３をバッキングプレート１の表面上に置いてもよい。
【０００８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、バッキン
グプレート表面をコーティング材で被覆したスパッタリ
ング装置の構成としているので、バッキングプレート表
面とターゲット材料との反応が防止される。従って、不
純物の発生が防止されるので、スパッタ領域への不純物
の流出も抑制できる。その結果、ターゲットの材料のみ
が成膜できるので良質の薄膜が形成できる。
グプレート表面をコーティング材で被覆したスパッタリ
ング装置の構成としているので、バッキングプレート表
面とターゲット材料との反応が防止される。従って、不
純物の発生が防止されるので、スパッタ領域への不純物
の流出も抑制できる。その結果、ターゲットの材料のみ
が成膜できるので良質の薄膜が形成できる。
【図１】本発明の実施例におけるスパッタリング装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】従来のスパッタリング装置の断面図である。
１ バッキングプレート
２ ターゲット
３ コーティング材
４ 支持台
５ シールド
６ 流水
７ 空間
Claims (6)
- 【請求項１】 バッキングプレート表面をコーティン
グ材で被覆したスパッタリング装置。 - 【請求項２】 コーティング材が、薄膜化しようとす
る材料から選ばれた少なくとも一種からなる請求項１記
載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 コーティング材が酸化物、窒化物、炭
化物から選択された少なくとも一種である請求項１記載
のスパッタリング装置。 - 【請求項４】 酸化物がＳｉＯ２，ＧｅＯ２，ＳｎＯ２
，Ｉｎ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＷＯ３，ＭｇＯ，ＴｉＯ２，
Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，から選択された少なくとも一
種である請求項３記載のスッパタリング装置。 - 【請求項５】 窒化物がＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＢＮ，Ｔ
ｉＮ，ＺｒＮから選択された少なくとも一種である請求
項３記載のスッパタリング装置。 - 【請求項６】 炭化物がＳｉＣ，ＴｉＣ，ＷＣ，ＺｒＣ
から選択された少なくとも一種である請求項３記載のス
ッパタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3588091A JPH04276066A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3588091A JPH04276066A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276066A true JPH04276066A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12454318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3588091A Pending JPH04276066A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04276066A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008359A1 (fr) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente |
| USRE43817E1 (en) | 2004-07-12 | 2012-11-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| WO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| US9738967B2 (en) | 2006-07-12 | 2017-08-22 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including target mounting and control |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3588091A patent/JPH04276066A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008359A1 (fr) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente |
| US6440278B1 (en) | 1995-08-23 | 2002-08-27 | Asahi Glass Company Ltd. | Target and process for its production, and method for forming a film having a high refractive index |
| US6743343B2 (en) | 1995-08-23 | 2004-06-01 | Asahi Glass Ceramics Co., Ltd. | Target and process for its production, and method of forming a film having a high refractive index |
| USRE43817E1 (en) | 2004-07-12 | 2012-11-20 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| USRE44155E1 (en) | 2004-07-12 | 2013-04-16 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| US9738967B2 (en) | 2006-07-12 | 2017-08-22 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including target mounting and control |
| WO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| KR20170041840A (ko) * | 2014-08-08 | 2017-04-17 | 가부시키가이샤 알박 | 타겟 어셈블리 |
| JPWO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2017-05-25 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| US9972479B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-05-15 | Ulvac, Inc. | Target assembly |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| US11325859B2 (en) | 2016-11-17 | 2022-05-10 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
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