JPH04275268A - スチリル化合物，その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なスチリル化合物
，その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセ
ンス素子に関し、詳しくはエレクトロルミネッセンス素
子（ＥＬ素子）の発光材料に有用な新規なスチリル化合
物及びその効率のよい製造方法，ならびに該スチリル化
合物を用いたＥＬ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機化
合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のＥＬ性能を
利用した素子の研究は古くから行われている。例えば、
Ｗ．　Ｈｅｌｆｒｉｓｈ，　Ｄｒｅｓｍｅｒ，Ｗｉｌｌ
ｉａｍｓらはアントラセン結晶を用い、青色発光を得て
いる（Ｊ．Ｃｈｅｍ．　Ｐｈｙｓ．，４４，　２９０２
　（１９６６））。また、Ｖｉｎｃｅｔｔ　やＢａｒｌ
ｏｗらは、縮合多環芳香族化合物を真空蒸着法により発
光素子の製作を行っている（Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆ
ｉｌｍｓ，　９９，　１７１（１９８２））。しかしい
ずれも発光輝度，発光効率の低いものしか得られていな
い。 最近、テトラフェニルブタジエンを発光材料に用いて１
００ｃｄ／ｍ２　の青色発光を得たことが報告されてい
る（特開昭５９−１９４３９３号公報）。更に、正孔伝
導性のジアミン化合物と発光材料としての蛍光性アルミ
ニウムキレート錯体を積層することにより、輝度１００
０ｃｄ／ｍ２以上の緑色発光有機薄膜ＥＬ素子を開発し
たことが報告されている（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌ
ｅｔｔ．，　５１，　９１３（１９８７））　。また、
レーザー色素として有名なジスチリルベンゼン系化合物
は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有し、これを発光材
料として単層で８０ｃｄ／ｍ２程度のＥＬ発光を得られ
たことが報告されている（欧州特許第０３１９８８１号
明細書）。また、スチリル化合物を含有することを特徴
とする感光体については、特開昭６３−２６９１５８号
公報及び特開平３−１１３５５号公報に開示されている
。本発明者らは、特開平２−２４７２７８号公報におい
て、輝度１０００ｃｄ／ｍ２　以上の高輝度のエレクト
ロルミネッセンス発光を与えるスチリル化合物を提供す
るとともに、さらに初期輝度の劣化の少ないスチリル化
合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。

【０００３】

【課題を解決するための手段】その結果、特定の置換基
を有する新規なスチリル化合物が、上記目的に適うもの
であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づい
て完成したものである。すなわち本発明は、一般式（Ｉ
）

【０００４】

【化９】

【０００５】〔式中、ｋ，ｌ，ｍ，ｎはそれぞれ０〜５
の整数を示す。但し、ｋ，ｌ，ｍ，ｎがいずれも０の場
合は除く。Ａｒは、

【０００６】

【化１０】

【０００７】（式中、Ｒ１　は炭素数１〜６のアルキル
基又はハロゲンを示し、Ｒ２　，Ｒ３　はそれぞれ水素
，炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲンを示す。また
、ｐは１〜４の整数、ｑ，ｒはそれぞれ０〜４の整数を
示す。 但し、ｐ，ｑ，ｒが複数のときはＲ１　，Ｒ２　，Ｒ３
　はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。）を示す。 〕で表されるスチリル化合物を提供するものである。ま
た、本発明は、一般式（ＩＩ）

【０００８】

【化１１】

【０００９】〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基を示し、Ａｒは前記と同様である。〕で表
されるアリーレン基含有リン化合物を、一般式（ＩＩＩ
）

【００１０】

【化１２】

【００１１】〔式中、ｓ，ｔはそれぞれ０〜５の整数を
示す。但し、ｓ，ｔがいずれも０の場合は除く。〕で表
されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式（Ｉ
）に示すスチリル化合物の製造方法（以下方法Ａとする
。）を提供し、さらに一般式（ＩＶ）

【００１２】

【化１３】

【００１３】〔式中、Ｒ，ｓ，ｔは前記と同様である。 〕で表されるリン化合物を、一般式（Ｖ）

【００１４】

【化１４】

【００１５】〔式中、Ａｒは前記と同様である。〕で表
されるジアルデヒドと縮合させることを特徴とする一般
式（Ｉ）に示すスチリル化合物の製造方法（以下方法Ｂ
とする。）を提供するものである。更に、本発明は、一
般式（ＶＩ）

【００１６】

【化１５】

【００１７】〔式中、Ｒ，ｋ，ｍ，Ａｒは前記と同様で
ある。〕で表されるアリーレン基含有リン化合物を、一
般式（ＶＩＩ）

【００１８】

【化１６】

【００１９】〔式中、ｌ，ｎは前記と同様である。〕で
表されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式（
Ｉ）に示すスチリル化合物の製造方法（以下方法Ｃとす
る。）を提供し、さらに一般式（Ｉ）に示すスチリル化
合物を発光材料とするエレクトロルミネッセンス素子を
提供するものである。

【００２０】前記式（Ｉ）で表されるスチリル化合物は
、１分子中に２つのメチリディン（　　＝Ｃ＝ＣＨ−　
　）単位を有し、このメチリディン単位の幾何異性によ
って、４通りの組合わせすなわち、シス−シス，トラン
ス−シス，シス−トランス及びトランス−トランスの組
合わせがあるが、本発明のスチリル化合物は、それらの
いずれのものであってもよいし、幾何異性体の混合した
ものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体のもの
である。上述した本発明の新規なスチリル化合物は、各
種の方法で製造することができるが、本発明の上記方法
Ａ，ＢあるいはＣによれば、効率よく製造することがで
きる。

【００２１】まず、本発明の方法Ａでは、前述の一般式
（ＩＩ）で表されるアリーレン基含有リン化合物と一般
式（ＩＩＩ）で表されるケトンとを、縮合反応させるこ
とによって、目的とする一般式（Ｉ）のスチリル化合物
を製造する。ここで一般式（ＩＩ）中のＡｒは、製造す
べきスチリル化合物のＡｒに対応する。ここでＡｒは、
例えばトリレン基，キシリレン基，テトラメチルフェニ
レン基，エチルキシリレン基，ジクロロフェニレン基，
テトラブロモフェニレン基，ジターシャリブチルフェニ
レン基，ビフェニレン基，メチルビフェニレン基，ジメ
チルビフェニレン基，ジエチルメチルビフェニレン基，
ジクロロビフェニレン基，ジブロモビフェニレン基，テ
トラクロロビフェニレン基，ジターシャリブチルジブロ
モビフェニレン基，オクタメチルビフェニレン基などが
挙げられる。また、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基（例
えば、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基）及
びフェニル基である。このアリーレン基含有リン化合物
は、公知の方法、例えば　Ａｒｂｓｏｖ　反応：つまり
一般式　　　　ＸＨ２　Ｃ−Ａｒ　−ＣＨ２　Ｘ〔式中
、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒは前記と同様である。 〕で表される芳香族ビスハロメチル化合物と、一般式　
　　　　　　（ＲＯ）３Ｐ 〔式中、Ｒは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができる
。また、一般式（ＩＩＩ）のケトンにおいて、シアノ基
の置換数ｓ，ｔは、製造すべきスチリル化合物のシアノ
基の置換数ｋ，ｌ，ｍ，ｎに対応して選定される。この
一般式（ＩＩ）のアリーレン基含有リン化合物と一般式
（ＩＩＩ）のケトンとの縮合反応は、様々な条件で進行
させることができる。ここで用いる反応溶媒としては、
炭化水素，アルコール類，エーテル類が良好である。具
体的には、メタノール；エタノール；イソプロパノール
；ブタノール；２−メトキシエタノール；１，２−ジメ
トキシエタン；ビス（２−メトキシエチル）エーテル；
ジオキサン；テトラヒドロフラン；トルエン；キシレン
；ジメチルスルホキシド；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド；Ｎ−メチルピロリドン；１，３−ジメチル−２−イ
ミダゾリジノンなどが挙げられる。中でもテトラヒドロ
フラン，ジメチルスルホキシドが好適である。また、縮
合剤としては苛性ソーダ，苛性カリ，ナトリウムアミド
，水素化ナトリウム，ｎ−ブチルリチウム，ナトリウム
メチラート及びカリウム−ｔ−ブトキシド等のアルコラ
ートが、必要に応じて用いられる。中でもｎ−ブチルリ
チウム，カリウム−ｔ−ブトキシドが好適である。反応
温度は、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり
、一義的に定めることはできないが、通常は約０℃〜約
１００℃まで広範囲に選択することができる。特に好ま
しくは１０℃〜７０℃の範囲である。

【００２２】本発明のスチリル化合物は、上記方法Ａで
効率よく製造することができるが、またこのスチリル化
合物のうち、特定のものは、方法Ｂによっても効率よく
製造することができる。この方法Ｂでは、一般式（ＩＶ
）で表されるリン化合物と一般式（Ｖ）で表されるジア
ルデヒドとを、縮合反応させることによって、目的とす
る一般式（Ｉ）のスチリル化合物を製造する。ここで一
般式（ＩＶ）中のＲは炭素数１〜４のアルキル基（例え
ば、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基）及び
フェニル基であり、シアノ基の置換数ｓ，ｔは製造すべ
きスチリル化合物のシアノ基の置換数ｋ，ｌ，ｍ，ｎに
対応する。また、一般式（Ｖ）中のＡｒは、製造すべき
スチリル化合物のＡｒに対応する。この一般式（ＩＶ）
のリン化合物と一般式（Ｖ）のジアルデヒドとの縮合反
応は、様々な条件で進行させることができる。ここで好
適に用られる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Ａで用いる
ものと同様である。また、反応温度は、用いる反応原料
の種類や他の条件により異なり、一義的に定めることは
できないが、通常は約０℃〜約１００℃まで広範囲に選
択することができる。特に好ましくは０℃〜７０℃であ
る。

【００２３】本発明のスチリル化合物は、上述の方法Ａ
及びＢにより効率よく製造することができる。また、さ
らに方法Ｃによっても製造できる。この方法Ｃでは、一
般式（ＶＩ）で表されるリン化合物と一般式（ＶＩＩ）
で表されるケトンとを縮合反応させることによって、目
的とする一般式（Ｉ）のスチリル化合物を製造する。こ
こで一般式（ＶＩ）中のＲは炭素数１〜４のアルキル基
（例えば、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基
）及びフェニル基であり、シアノ基の置換数ｋ，ｍは製
造すべきスチリル化合物のシアノ基の置換数ｋ，ｍに対
応して選定される。ここで、一般式（ＶＩ）の製造法と
しては、一般式

【００２４】

【化１７】

【００２５】〔式中、ｋ，ｍ，Ｒは、前記と同様である
。〕で表されるリン化合物を一般式 ＯＨＣ−Ａｒ−ＣＨ３　 〔式中、Ａｒは前記と同様である。〕で表されるアルデ
ヒドを縮合させることにより一般式

【００２６】

【化１８】

【００２７】〔式中、ｋ，ｍ，Ａｒは前記と同様である
。〕で表されるスチリル化合物が得られる。これを公知
の方法、例えばＮ−ハロアミド、特にＮ−クロロ又はＮ
−ブロモ−コハク酸アミドによるハロゲン化反応により
一般式

【００２８】

【化１９】

【００２９】〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒ，
ｋ，ｍは前記と同様である。〕で表される芳香族ハロメ
チル化合物が得られる。このハロメチル化合物と、一般
式 （ＲＯ）３Ｐ 〔式中、Ｒは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができる
。以上が一般式（ＶＩ）の製造法であるが、また、一般
式（ＶＩＩ）のケトンにおいて、シアノ基の置換数ｌ，
ｎは、製造すべきスチリル化合物（Ｉ）のシアノ基の置
換数ｌ，ｎに対応し、選定される。この一般式（ＶＩ）
のリン化合物と一般式（ＶＩＩ）のケトンとの縮合反応
は、様々な条件で進行させることができる。ここで、好
適に用いられる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Ａで用い
るものと同様である。また、反応温度は、用いる反応原
料の種類や他の条件により異なり、一義的に定めること
はできないが、通常は約０℃〜約１００℃まで広範囲に
選定することができる。特に好ましくは、０℃〜７０℃
の範囲である。

【００３０】一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例と
しては、次に示すものを挙げることができる。

【００３１】

【化２０】

【００３２】

【化２１】

【００３３】

【化２２】

【００３４】

【化２３】

【００３５】

【化２４】

【００３６】

【化２５】

【００３７】但し、これらに限定されるものではない。 このようにして得られる本発明のスチリル化合物は、低
電圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子として有効に利用
できるものである。この本発明のスチリル化合物は、Ｅ
Ｌ素子の発光層として不可欠な電子注入機能，電子輸送
機能及び発光機能を兼備し、しかも耐熱性，薄膜性にす
ぐれている。さらに、このスチリル化合物は、蒸着温度
まで加熱しても、分解や変質することなく、均一な微結
晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、ピンホールが生
成しないという長所がある。すでに述べたように、本発
明の前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、ＥＬ素子に
おける発光層として有効である。この発光層は、例えば
蒸着法，スピンコート法，キャスト法などの公知の方法
によって、一般式（Ｉ）の化合物を薄膜化してことによ
り形成することができるが、特に分子堆積膜とすること
が好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状
態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態
又は液相状態から固体化され形成された膜のことであり
、例えば蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜はＬ
Ｂ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは区別する
ことができる。また、該発光層は、特開昭５９−１９４
３９３号公報などに開示されているように、樹脂などの
結着剤と該化合物とを、溶剤に溶かして溶液としたのち
、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成する
ことができる。

【００３８】このようにして形成された発光層の薄膜に
ついては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことが
できるが、通常５ｎｍないし５μｍの範囲で選定される
。このＥＬ素子における発光層は、（１）電界印加時に
、陽極又は正孔注入層により正孔を注入することができ
、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することがで
きる注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を電
界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再結
合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる発
光機能などを有している。なお、正孔の注入されやすさ
と、電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、正
孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよ
いが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。 この発光層に用いる前記一般式（Ｉ）で表される化合物
は、一般にイオン化エネルギーが６．０ｅＶ程度より小
さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、比
較的正孔を注入しやすい。また電子親和力は２．８ｅＶ
程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物を
選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子，正孔の輸
送能力も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強いた
め、該化合物やその会合体又は結晶などの電子と正孔の
再結晶時に形成された励起状態を光に変換する能力が大
きい。

【００３９】本発明の化合物を用いたＥＬ素子の構成は
、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極（陽極
と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これに
必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれば
よい。具体的には（１）陽極／発光層／陰極，（２）陽
極／正孔注入層／発光層／陰極，（３）陽極／正孔注入
層／発光層／電子注入層／陰極，（４）陽極／発光層／
電子注入層／陰極などの構成を挙げることができる。 該正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではないが
、これらの層があると発光性能が一段と向上する。また
、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持され
ていることが好ましく、該基板については特に制限はな
く、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガラス
，透明プラスチック，石英などから成るものを用いるこ
とができる。

【００４０】このＥＬ素子における陽極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ２　，ＺｎＯな
どの誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの
電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄
膜を形成させることにより作製することができる。この
電極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より
大きくすることが望ましく、また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料に
もよるが、通常１０ｎｍないし１μｍ，好ましくは１０
〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

【００４１】一方、陰極としては、仕事関数の小さい（
４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれら
の混合物を電極物質とするものが用いられる。このよう
な電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウム
−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシウ
ム／銅混合物，Ａｌ／ＡｌＯ２　，インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
ないし１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合である
。

【００４２】本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成は
、前記したように、各種の態様があり、前記（２）又は
（３）の構成のＥＬ素子における正孔注入層（正孔注入
輸送層）は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽極
より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、こ
の正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させることに
より、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、
その上、発光層に陰極又は電子注入層より注入された電
子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の障壁
により、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効率が
向上するなど、発光性能の優れた素子となる。

【００４３】前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合
物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極
から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば１０４　〜１０６　Ｖ
／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−６ｃｍ２　／
（Ｖ・秒）の正孔移動度をもつものが好適である。この
ような正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質
を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導電材
料において、正孔の電荷輸送材として慣用されているも
のやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中
から任意のものを選択して用いることができる。

【００４４】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明細書など
に記載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第
３，１８９，４４７号明細書などに記載のもの）、イミ
ダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報などに
記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許
第３，６１５，４０２　号明細書，同３，８２０，９８
９　号明細書，同３，５４２，５４４　号明細書，特公
昭４５−５５５号公報，同５１−１０９８３号公報，特
開昭５１−９３２２４号公報，同５５−１７１０５号公
報，同５６−４１４８号公報，同５５−１０８６６７号
公報，同５５−１５６９５３号公報，同５６−３６６５
６号公報などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピ
ラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９　号明
細書，同４，２７８，７４６　号明細書，特開昭５５−
８８０６４号公報，同５５−８８０６５号公報，同４９
−１０５５３７号公報，同５５−５１０８６号公報，同
５６−８００５１号公報，同５６−８８１４１号公報，
同５７−４５５４５号公報，同５４−１１２６３７号公
報，同５５−７４５４６号公報などに記載のもの）、フ
ェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０
４　号明細書，特公昭５１−１０１０５号公報，同４６
−３７１２号公報，同４７−２５３３６号公報，特開昭
５４−５３４３５号公報，同５４−１１０５３６号公報
，同５４−１１９９２５号公報などに記載のもの）、ア
リールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０　
号明細書，同３，１８０，７０３号明細書，同３，２４
０，５９７　号明細書，同３，６５８，５２０　号明細
書，同４，２３２，１０３　号明細書，同４，１７５，
９６１　号明細書，同４，０１２，３７６号明細書，特
公昭４９−３５７０２号公報，同３９−２７５７７号公
報，特開昭５５−１４４２５０号公報，同５６−１１９
１３２号公報，同５６−２２４３７号公報，西独特許第
１，１１０，５１８　号明細書などに記載のもの）、ア
ミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０
１　号明細書などに記載のもの）、オキサゾール誘導体
（米国特許第３，２５７，２０３　号明細書などに記載
のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−
４６２３４号公報などに記載のもの）、フルオレノン誘
導体（特開昭５４−１１０８３７号公報などに記載のも
の）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６
２　号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同５５
−５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，同５
５−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公報，同
５７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９号公報
などに記載されているもの）、スチルベル誘導体（特開
昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４５１号
公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２２５５
号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３６６７
４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−３０２
５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０−９４
４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同６０−
１７５０５２号公報などに記載のもの）などを挙げるこ
とができる。

【００４５】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物（
特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）及
び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物
（米国特許第４，１２７，４１２号明細書，特開昭５３
−２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５
４−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，
同５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公
報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５
８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５
６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。該ポルフィリン
化合物の代表例としては、ポルフィリン；１，１０，１
５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィ
リン銅（ＩＩ）；１，１０，１５，２０−テトラフェニ
ル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン亜鉛（ＩＩ）；５，
１０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン；シリコンフタロ
シアニンオキシド；アルミニウムフタロシアニンクロリ
ド；フタロシアニン（無金属）；ジリチウムフタロシア
ニン；銅テトラメチルフタロシアニン；銅フタロシアニ
ン；クロムフタロシアニン；亜鉛フタロシアニン；鉛フ
タロシアニン；チタニウムフタロシアニンオキシド；マ
グネシウムフタロシアニン；銅オクタメチルフタロシア
ニンなどが挙げられる。また該芳香族第三級化合物及び
スチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’
，Ｎ’−テトラフェニル−（１，１’−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェ
ニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−〔１，１’−ビフェニ
ル〕−４，４’−ジアミン；２，２−ビス（４−ジ−ｐ
−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４
−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ
，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−（１，１’−
ビフェニル）−４，４’−ジアミン；１，１−ビス（４
−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシク
ロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフ
ェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−（１，１’
−ビフェニル）−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニル
エーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオー
ドリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン
；４−（ジ−ｐ−トリルアミン）−４’−〔４（ジ−ｐ
−トリルアミン）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−
ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン
；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチ
ルベン；Ｎ−フェニルカルバゾールなどが挙げられる。

【００４６】上記ＥＬ素子における該正孔注入層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。 一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、

【００４７】

【化２６】

【００４８】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、

【
００４９】

【化２７】

【００５０】などのチオピランジオキシド誘導体，

【０
０５１】

【化２８】

【００５２】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント（　Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｒｅｐｒｉｎ
ｔｓ），ジャパン」第３７巻，第３号，第６８１ページ
（１９８８年）などに記載のもの〕、あるいは

【００５３】

【化２９】

【００５４】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌｙ．Ｐｈｙｓ．）
」第２７巻，第２６９頁（１９８８年）などに記載のも
の〕や、アントラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１
４９２５９号公報，同５８−５５４５０号公報，同６１
−２２５１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報，
同６３−１０４０６１号公報などに記載のもの）、フレ
オレニリデンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号
公報，同６１−１４３７６４号公報，同６１−１４８１
５９号公報などに記載のもの）、アントロン誘導体（特
開昭６１−２２５１５１号公報，同６１−２３３７５０
号公報などに記載のもの）

【００５５】

【化３０】

【００５６】（式中、ｔ−Ｂｕはターシャリブチル基を
示す。）「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．　」第５５
巻、第１４８９ページ（１９８９年）に開示されている
オキサジアゾール誘導体などを挙げることができる。な
お、正孔注入層及び電子注入層は電化の注入性，輸送性
，障壁性のいずれかを有する層であり、上記した有機材
料の他にＳｉ系，ＳｉＣ系，ＣｄＳ系などの結晶性ない
し非結晶性材料などの無機材料を用いることもできる。 有機材料を用いた正孔注入層及び電子注入層は発光層と
同様にして形成することができ、無機材料を用いた正孔
注入層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリングな
どにより形成できるが、有機及び無機のいずれの材料を
用いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸着
法により形成することが好ましい。

【００５７】次に、本発明の化合物を用いたＥＬ素子を
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に
、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、
１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚
になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により
形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料であ
る一般式（Ｉ）で表される化合物の薄膜を形成させ、発
光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例
えばスピンコート法，キャスト法，蒸着法などがあるが
、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しに
くいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材料の薄
膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、
使用する発光層に用いる有機化合物の種類，分子堆積膜
の目的とする結晶構造，会合構造などにより異なるが、
一般にボート加熱温度５０〜４００℃，真空度１０−５
〜１０−３Ｐａ，蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ
，基板温度−５０〜＋３００℃，膜厚５ｎｍないし５μ
ｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層の
形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるよ
うに、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形
成させ、陰極を設けることにより、所望のＥＬ素子が得
られる。なお、このＥＬ素子の作製においては、作製順
序を逆にして、陰極，発光層，陽極の順に作製すること
も可能である。

【００５８】次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極か
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などに
より形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件は
、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じればよい。 次に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極を、
前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極，発光層，
正孔注入層，陽極の順に作製することも可能である。

【００５９】さらに、陽極／正孔注入層／発光層／電子
注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法について説明す
ると、まず、前記のＥＬ素子の作製の場合と同様にして
、陽極，正孔注入層，発光層を順次設けたのち、この発
光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法など
により形成し、電子注入層を設け、次いでこの上に、陰
極を前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素
子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極，電子
注入層，発光層，正孔注入層，陽極の順に作製してもよ
い。さらに、陽極／発光層／電子注入層／陰極からなる
ＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、前記のＥ
Ｌ素子の作製の場合と同様にして、陽極，発光層を順次
設けたのち、この発光層の上に、電子伝達化合物からな
る薄膜を蒸着法などにより形成し、電子注入層を設け、
次いでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合と同
様にして設けることにより、所望のＥＬ素子が得られる
。なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆
にして、陰極，電子注入層，発光層，陽極の順に作製し
てもよい。

【００６０】このようにして得られたＥＬ素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極を−の極性と
して電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明又は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋，陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。次に、該ＥＬ素子の発光メカニズ
ムについて、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構
成の場合を例に挙げて説明する。前記陽極を＋、陰極を
−の極性として電圧を印加すると、正孔が該陽極より正
孔注入層内に電界により注入される。この注入された正
孔は、該正孔注入輸送層内を発光層との界面に向けて輸
送され、この界面から発光機能が発現される領域（例え
ば発光層）に注入又は輸送される。一方、電子は、陰極
から発光層内に電界により注入され、さらに輸送され、
正孔のいる領域、すなわち、発光機能が発現される領域
で正孔と再結合する（この意味で、前記領域は再結合領
域といってもよい）。この再結合が行われると、分子、
その会合体又は結晶などの励起状態が形成され、これが
光に変換される。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層
と発光層との界面でもよいし、発光層と陰極との界面で
もよく、あるいは両界面より離れた発光層中央部であっ
てもよい。これは使用する化合物の種類、その会合や結
晶構造により変わる。

【００６１】

【実施例】次に本発明を実施例に基いてさらに詳しく説
明する。実施例１ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造２，５−ビス
（クロロメチル）キシレン２５ｇと亜リン酸トリエチル
４９ｇを、アルゴン気流下オイルバスで、温度１５０℃
で７時間加熱攪拌を行った。その後、過剰の亜リン酸ト
リエチル及び副生した塩化エチルを減圧留去した。一晩
放置後、生成した白色粉末をｎ−ヘキサンで再結晶した
結果、白色結晶４６．５ｇ（収率９３％）を得た。得ら
れた生成物の融点は６１．５〜６３．５℃であった。ま
た、　１Ｈ−ＮＭＲ分析は以下の通りである。 　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ＝６．９ｐｐｍ　（ｓ；２Ｈ，中心キシレン環−Ｈ）
δ＝３．９ｐｐｍ　（ｑ；８Ｈ，エトキシ基メチレン−
ＣＨ２）δ＝３．１ｐｐｍ　（ｄ；４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ
（　３１Ｐ−　１Ｈカップリング）Ｐ−ＣＨ２） δ＝２．２ｐｐｍ　（ｓ；６Ｈ，キシレン環−ＣＨ３　
）δ＝１．１ｐｐｍ　（ｔ；１２Ｈ，エトキシ基メチル
−ＣＨ３）以上の結果から、上述の生成物は、下記式で
表されるアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）
であることが確認された。

【００６２】

【化３１】

【００６３】（２）スチリル化合物の製造上記（１）で
得られたホスホネート２．４ｇとｐ−シアノベンゾフェ
ノン２．７ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリリッ
トルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド１．４
ｇを加え、アルゴン気流下室温で６時間攪拌した後、一
晩放置した。　　得られた混合物にメタノール３００ミ
リリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次いで、
濾過生成物をカラム精製（展開溶媒にクロロホルムを用
いたシリカゲルカラム）を行った結果、淡黄色粉末０．
５ｇを得た（収率１７％）。このものの融点は２５３〜
２５６℃であった。またこの粉末の　１Ｈ−ＮＭＲ分析
は以下の通りである。 　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ＝７．５〜６．９ｐｐｍ　（ｍ；２０Ｈ，芳香環）δ
＝６．５ｐｐｍ　（ｓ；２Ｈ，メチリディン−ＣＨ＝Ｃ
＝）δ＝２．０ｐｐｍ　（ｓ；６Ｈ，キシレン環−ＣＨ
３　）さらに元素分析結果は、組成式Ｃ３８Ｈ２８Ｎ２
　として以下の通りである。なお括弧内は理論値である
。 Ｃ：８９．２１％（８９．０３％） Ｈ：　　５．４０％（５．５１％） Ｎ：　　５．２７％（５．４６％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。

【００６４】

【化３２】

【００６５】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝５１２であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【００
６６】

【化３３】

【００６７】で表される２，５−ビス〔２−（４−シア
ノフェニル）−２−フェニルビニル〕キシレンであるこ
とが確認された。

【００６８】実施例２ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造４，４’−ビ
ス（ブロモメチル）ビフェニル９．０ｇと亜リン酸トリ
エチル１１ｇを、アルゴン気流下オイルバスで、温度１
４０℃で６時間加熱攪拌を行った。その後、過剰の亜リ
ン酸トリエチル及び副生した臭化エチルを減圧留去した
。一晩放置後、白色結晶９．５ｇ（　収率８０％　）を
得た。得られた生成物の融点は９７．０〜１００．０℃
であった。また、　１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通り
である。　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ＝７．０〜７．６ｐｐｍ　（ｍ　；８Ｈ，ビフェニレ
ン環−Ｈ）δ＝４．０ｐｐｍ　（ｑ；　８Ｈ，エトキシ
基メチレン−ＣＨ２）δ＝３．１ｐｐｍ　（ｄ；　４Ｈ
，Ｊ＝２０Ｈｚ（３１Ｐ−　１Ｈカップリング）Ｐ−Ｃ
Ｈ２） δ＝１．３ｐｐｍ　（ｔ；　１２Ｈ，エトキシ基メチル
−ＣＨ３）以上の結果から、上述の生成物は、下記式で
表されるアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）
であることが確認された。

【００６９】

【化３４】

【００７０】（２）スチリル化合物の製造上記（１）で
得られたホスホネート１．４ｇとｐ−シアノベンゾフェ
ノン１．４ｇを、ジメチルスルホキシド６０ミリリット
ルに溶解し、カリウム−ｔ−ブトキシド０．７ｇを加え
、アルゴン気流下、室温にて攪拌した後、一晩放置した
。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール２０
０ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次い
で、濾過生成物をカラム精製（展開溶媒にクロロホルム
を用いたシリカゲルカラム）を行った結果、淡黄色粉末
０．３ｇが得られた（収率１８％）。得られた生成物の
融点は２５７〜２６１℃であった。またこの粉末の　１
Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通りである。 　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ＝６．８〜７．５ｐｐｍ　（ｍ　；２８Ｈ，芳香環及
びメチリディン−ＣＨ＝Ｃ＝） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ４２Ｈ２８Ｎ２　とし
て以下の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８９．７４％　　（８９．９７％）Ｈ：　　４．８
３％　　（　　５．０３％）Ｎ：　　４．７７％　　（
　　５．００％）また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル
（ＫＢｒ　錠剤法）は、以下の通りである。

【００７１】

【化３５】

【００７２】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝５６０であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【００
７３】

【化３６】

【００７４】で表される４，４’−ビフェニレンジメチ
リディン誘導体であることが確認された。

【００７５】実施例３ 実施例２の（２）において（１）で得られたホスホネー
トの代わりに、２，２’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用いた以外は、実施例２と同様に操作し
た。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール２
００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次
いで、濾過生成物をカラム精製（展開溶媒にクロロホル
ムを用いたシリカゲルカラム）を行った結果、白色粉末
０．６ｇが得られた（収率２０％）。得られた生成物の
融点は１９３〜１９５℃であった。またこの粉末の　１
Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通りである。 　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ＝７．０〜７．６ｐｐｍ　（　ｍ　；２４Ｈ，中心ビ
フェニレン及び末端フェニル） δ＝６．６ｐｐｍ　（ｓ　；２Ｈ，ビニル）δ＝１．８
ｐｐｍ　（ｓ　；６Ｈ，メチル基）さらに元素分析結果
は、組成式Ｃ４４Ｈ３２Ｎ２　として以下の通りである
。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８９．５１％　　（８９．７６％）Ｈ：　　５．５
３％　　（　　５．４８％）Ｎ：　　４．４６％　　（
　　４．７６％）また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル
（ＫＢｒ　錠剤法）は、以下の通りである。

【００７６】

【化３７】

【００７７】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝５８８が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【
００７８】

【化３８】

【００７９】で表される２，２’−ジメチル−４，４’
−ビフェニレンジメチリディン誘導体であることが確認
された。

【００８０】実施例４

【００８１】実施例２の（２）において（１）で得られ
たホスホネートの代わりに、２，２’，５，５’−テト
ラクロロビフェニルのホスホン酸エステルを用いた以外
は、実施例２と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール２００ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製（展開溶媒にクロロホルムを用いたシリカゲルカラ
ム）を行った結果、白色粉末１．７ｇが得られた（収率
６２％）。得られた生成物の融点は２１０〜２１２℃で
あった。またこの粉末の　１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下
の通りである。 　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ＝７．０〜７．６ｐｐｍ　（　ｍ　；２２Ｈ，中心ビ
フェニレン及び末端フェニル） δ＝６．８ｐｐｍ　（ｓ　；２Ｈ，ビニル）さらに元素
分析結果は、組成式Ｃ４２Ｈ２４Ｃｌ４　Ｎ２　として
以下の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：７２．４１％　　（７２．２２％）Ｈ：　　３．５
９％　　（　　３．４６％）Ｎ：　　３．７９％　　（
　　４．０１％）また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル
（ＫＢｒ　錠剤法）は、以下の通りである。

【００８２】

【化３９】

【００８３】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝６９８が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【
００８４】

【化４０】

【００８５】で表される２，２’，５，５’−テトラク
ロロ−４，４’−ビフェニレンジメチリディン誘導体で
あることが確認された。

【００８６】実施例５（スチリル化合物からなるＥＬ素
子） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯ
ＹＡ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持
基板をプロピルアルコール中，純水中，イソプロピルア
ルコール中の順に超音波洗浄を行い、その後、乾燥窒素
を吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、上記
洗浄後の基板をＵＶ／Ｏ３　ドライストリッパー（サム
コインターナショナル製）で３分間処理し、基板表面の
有機物を除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置
（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定し、モ
リブテン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メ
チルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビフェニル−〔１，１’−
ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００
ｍｇ入れ、また別のモリブテン製ボートに実施例２で得
られた４，４’−ビス〔２−（４−シアノフェニル）−
２−フェニルビニル〕ビフェニル（ＣＰＰＶＢｉ）を２
００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した
。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを、２１５〜２２０℃
まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒
で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入
層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。次
いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層
の上に、もう一つのボートよりＣＰＰＶＢｉを発光層と
して８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が
３３０℃で蒸着速度は０．２〜０．４ｎｍ／秒、基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出し、上記発
光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再
び基板ホルダーに固定した。次にモリブテン製の抵抗加
熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また別のモ
リブテン製の抵抗加熱ボートにインジウムを５００ｍｇ
装着した。その後真空槽を２×１０−４Ｐａまで減圧し
てから、インジウムを０．０３〜０．０８ｎｍ／秒の蒸
着速度で、同時にもう一方のボートよりマグネシウムを
１．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボ
ートの温度はインジウム入り，マグネシウム入りのボー
トそれぞれ８００℃，５００℃程度であった。上記条件
でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の
上に１５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成
した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの
混合金属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧
１０Ｖを印加すると電流が３３０ｍＡ／ｃｍ２　程度流
れ、色度座標でＹｅｌｌｏｗＧｒｅｅｎ発光を得た。ピ
ーク波長は分光測定より５６３ｎｍであり、発光輝度は
２０００ｃｄ／ｃｍ２　以上であった。 また、得られたＥＬ素子について定電流駆動（１．０ｍ
Ａ／ｃｍ２　）を窒素中で行い、初期輝度劣化の測定を
おこなった。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジ
ウムの混合金属電極を陰極として、得られた素子に電流
を流し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定した結果、
１時間で２０％の減少があったものの、それ以降は安定
した発光が得られた（図１参照）。

【００８７】実施例６（スチリル化合物からなるＥＬ素
子） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯ
ＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持基板をＵ
Ｖオゾン処理装置（日本電池社製）にて２分間ＵＶオゾ
ン洗浄を行った。次いで、市販の蒸着装置（日本真空技
術（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の
抵抗加熱ボートにＴＰＤを２００ｍｇ入れ、また別のモ
リブテン製ボートに実施例１で得られた２，５−ビス〔
２−（４−シアノフェニル）−２−フェニルビニル〕キ
シレン（ＣＰＰＶＸ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×
１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤの入った前記
ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速
度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して
、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基
板温度は室温であった。次いで、これを真空槽より取り
出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよ
りＣＰＰＶＸを発光層として８０ｎｍ積層蒸着した。蒸
着条件は、ボート温度が２６０℃で、蒸着速度は０．２
〜０．４ｎｍ／秒、基板温度は室温であった。これを真
空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチー
ル製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。 次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム５００ｍｇを装着した。その後真空槽を２
×１０−４Ｐａまで減圧してから、インジウムを０．０
３〜０．０８ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方の
ボートよりマグネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸
着速度で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入り
，マグネシウム入りのボートそれぞれ８００℃，５００
℃程度であった。上記条件でマグネシウムとインジウム
の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着して
対向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マ
グネシウムとインジウムの混合金属電極を陰極として、
得られた素子に、直流電圧７．５Ｖを印加すると電流が
１２ｍＡ／ｃｍ２　程度流れ、発光輝度１３５ｃｄ／ｃ
ｍ２　、色度座標でＹｅｌｌｏｗｉｓｈ　Ｇｒｅｅｎ　
発光を得た。ピーク波長は分光測定より５３０ｎｍであ
った。また、得られたＥＬ素子について定電流駆動（１
．０ｍＡ／ｃｍ２　）を窒素中で行い、初期輝度劣化の
測定を行った。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとイン
ジウムの混合金属電極を陰極として、得られた素子に電
流を流し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定した結果
、１時間で２５％の減少があったものの、それ以降は安
定した発光が得られた。

【００８８】実施例７ 実施例２の（２）において（１）で得られたホスホネー
トの代わりに、２，２’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用い、ｐ−シアノベンゾフェノンの代わ
りに、４，４’−ジシアノベンゾフェノンを用いた以外
は、実施例２と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール２００ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製（展開溶媒に塩化メチレンを用いたシリカゲルカラ
ム）を行った結果、白色粉末０．５ｇが得られた（収率
１９％）。得られた生成物の融点は２０６．０〜２０７
．０℃であった。またこの粉末の　１Ｈ−ＮＭＲ分析結
果は以下の通りである。 　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ＝６．８〜７．６ｐｐｍ　（　ｍ　；２２Ｈ，中心ビ
フェニレン及び末端フェニル） δ＝６．５ｐｐｍ　（ｓ　；２Ｈ，ビニル）δ＝１．８
ｐｐｍ　（ｓ　；６Ｈ，メチル基）さらに元素分析結果
は、組成式Ｃ４６Ｈ３０Ｎ４　として以下の通りである
。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８６．２７％　　（８６．５０％）Ｈ：　　５．０
１％　　（　　４．７３％）Ｎ：　　８．５４％　　（
　　８．７７％）また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル
（ＫＢｒ　錠剤法）は、以下の通りである。

【００８９】

【化４１】

【００９０】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝６３８が検出された。以上
のことより、上記生成物である白色粉末は、下記式

【０
０９１】

【化４２】 で表される２，２’−ジメチル−４，４’−ビフェニレ
ンジメチリディン誘導体であることが確認された。

【００９２】比較例１ ＣＰＰＶＢｉの代わに、下記スチリル化合物（Ａ）

【０
０９３】

【化４３】

【００９４】を用いた以外は実施例５と同様の操作を行
いＥＬ素子を作製した。また、得られたＥＬ素子につい
て実施例５と同様な方法で初期輝度劣化の測定を行った
。その結果、１時間で８０％の減少があり初期輝度の劣
化が著しかった（図１参照）。

【００９５】

【発明の効果】本発明のスチリル化合物は、新規な化合
物であり、シアノ基を有することから熱安定性に優れて
いる。そのため、該スチリル化合物からなるＥＬ素子は
、初期輝度劣化を２０％程度に抑えられ、その後は安定
した発光を維持することができる。したがって、本発明
のスチリル化合物は、有機ＥＬの発光材料を始め、各種
発光材料として、有効な利用が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光の相対輝度の経時変化を表したグラフであ
る。

【符号の説明】

１　　実施例５で作製したＥＬ素子の発光の経時変化を
示す。 ２　　比較例１で作製したＥＬ素子の発光の経時変化を
示す。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、ｋ，ｌ，ｍ，ｎはそれぞれ０〜５の整数を示す
   。但し、ｋ，ｌ，ｍ，ｎがいずれも０の場合は除く。 Ａｒは、 【化２】 （式中、Ｒ１　は炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲ
   ンを示し、Ｒ２　，Ｒ３　はそれぞれ水素，炭素数１〜
   ６のアルキル基又はハロゲンを示す。また、ｐは１〜４
   の整数、ｑ，ｒはそれぞれ０〜４の整数を示す。但し、
   ｐ，ｑ，ｒが複数のときはＲ１　，Ｒ２　，Ｒ３　はそ
   れぞれ同じでも異なっていてもよい。）を示す。〕で表
   されるスチリル化合物。
2. 【請求項２】　　一般式（ＩＩ） 【化３】 〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基
   を示し、Ａｒは前記と同様である。〕で表されるアリー
   レン基含有リン化合物を、一般式（ＩＩＩ）【化４】 〔式中、ｓ，ｔはそれぞれ０〜５の整数を示す。但し、
   ｓ，ｔがいずれも０の場合は除く。〕で表されるケトン
   と縮合させることを特徴とする請求項１記載のスチリル
   化合物の製造方法。
3. 【請求項３】　　一般式（ＩＶ） 【化５】 〔式中、Ｒ，ｓ，ｔは前記と同様である。〕で表される
   リン化合物を、一般式（Ｖ） 【化６】 〔式中、Ａｒは前記と同様である。〕で表されるジアル
   デヒドと縮合させることを特徴とする請求項１記載のス
   チリル化合物の製造方法。
4. 【請求項４】　　一般式（ＶＩ） 【化７】 〔式中、Ｒ，ｋ，ｍ，Ａｒは前記と同様である。〕で表
   されるアリーレン基含有リン化合物を、一般式（ＶＩＩ
   ）【化８】 〔式中、ｌ，ｎは前記と同様である。〕で表されるケト
   ンと縮合させることを特徴とする請求項１記載のスチリ
   ル化合物の製造方法。
5. 【請求項５】　　請求項１記載のスチリル化合物を発光
   材料とするエレクトロルミネッセンス素子。