JPH04274385A - Manufacture of circuit board - Google Patents
Manufacture of circuit boardInfo
- Publication number
- JPH04274385A JPH04274385A JP6129191A JP6129191A JPH04274385A JP H04274385 A JPH04274385 A JP H04274385A JP 6129191 A JP6129191 A JP 6129191A JP 6129191 A JP6129191 A JP 6129191A JP H04274385 A JPH04274385 A JP H04274385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- synthetic resin
- conductor forming
- resin film
- resist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 40
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- WHEATZOONURNGF-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutadiene Chemical compound C1=CC=C2C=CC2=C1 WHEATZOONURNGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Lasers (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は配線基板の製造方法に関
し、更に詳細には、電気絶縁層として用いられている合
成樹脂フィルムに、孔及び／又はスリットから成る導体
形成部が形成されている配線基板の製造方法に関する。[Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board, and more particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a wiring board, and more particularly, a conductor forming portion consisting of holes and/or slits is formed in a synthetic resin film used as an electrical insulating layer. The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.
【０００２】0002
【従来の技術】半導体装置等の分野において、ポリイミ
ド等の耐熱性合成樹脂によって形成された合成樹脂フィ
ルムを電気絶縁層として用いた薄膜基板が用いられてい
る。かかる薄膜基板は、基板上の合成樹脂フィルムに孔
やスリットを穿設して導体形成部を形成し、前記導体形
成部中に銅等の導電性金属を充填することによって製造
される。ところで、最近、この様な薄膜基板においても
、半導体装置等の小型化及び高集積化に伴い、合成樹脂
フィルムの導体形成部も微細化してきている。かかる微
細な導体形成部を合成樹脂フィルムに形成する方法とし
て、レーザー光を用いる方法がある。この方法で採用す
るレーザー光としては、紫外線領域のレーザー光である
エキシマレーザー（ＡｒＦ；１９３ｎｍ，ＫｒＦ；２４
８ｎｍ，ＸｅＣｌ；３０８ｎｍ，ＸｅＦ；３５１ｎｍ）
を用いることが好ましい。つまり、現在、工業的に使用
されている赤外線領域の炭酸ガスレーザー（波長１０．
６μｍ）やＹＡＧレーザー（波長１．０６μｍ）を用い
た加工は、レーザー光のエネルギーを利用する熱加工で
ある。このため、 炭酸ガスレーザーやＹＡＧレーザ
ーを合成樹脂フィルムに照射した場合、レーザー光を照
射した周縁部分を炭化して合成樹脂フィルムの電気絶縁
性を低下することがある。これに対して、エキシマレー
ザーの有するエネルギーは、合成樹脂フィルムを形成す
る高分子鎖の化学結合の解離エネルギーに相当し、エキ
シマレーザーの照射によって高分子鎖の化学結合を切断
することができる。このため、エキシマレーザーを合成
樹脂フィルムに照射することによって、レーザー光を照
射した合成樹脂フィルム部分のみを除去でき、その際に
、周縁部分の電気絶縁性を低下させることがない。この
様なエキシマレーザーを用いた加工は、通常、図１０に
示す方法で行われている。この方法は、パターンマスク
板１１０に形成された孔及びスリットから成る導体形成
部を通過したエキシマレーザー（以下、レーザー光と称
することがある）１０は、レンズ１２０で縮小されて台
１４０上に載置された合成樹脂フルム１３０に照射され
る。2. Description of the Related Art In the field of semiconductor devices and the like, thin film substrates are used in which a synthetic resin film made of heat-resistant synthetic resin such as polyimide is used as an electrical insulating layer. Such a thin film substrate is manufactured by forming a conductor forming portion by making holes or slits in a synthetic resin film on the substrate, and filling the conductor forming portion with a conductive metal such as copper. Incidentally, in recent years, even in such thin film substrates, the conductor forming portion of the synthetic resin film has also become finer as semiconductor devices and the like have become smaller and more highly integrated. As a method for forming such fine conductor forming portions on a synthetic resin film, there is a method using laser light. The laser beam used in this method is an excimer laser (ArF; 193 nm, KrF; 24 nm), which is a laser beam in the ultraviolet region.
8nm, XeCl; 308nm, XeF; 351nm)
It is preferable to use In other words, the carbon dioxide laser in the infrared region (wavelength 10.
Processing using a YAG laser (wavelength: 1.06 μm) or a YAG laser (wavelength: 1.06 μm) is thermal processing that utilizes the energy of laser light. For this reason, when a synthetic resin film is irradiated with a carbon dioxide laser or a YAG laser, the peripheral portion irradiated with the laser light may be carbonized, reducing the electrical insulation properties of the synthetic resin film. On the other hand, the energy possessed by the excimer laser corresponds to the dissociation energy of the chemical bonds in the polymer chains forming the synthetic resin film, and the chemical bonds in the polymer chains can be severed by irradiation with the excimer laser. Therefore, by irradiating the synthetic resin film with the excimer laser, only the portion of the synthetic resin film that has been irradiated with the laser beam can be removed, without reducing the electrical insulation properties of the peripheral portion. Such processing using an excimer laser is normally performed by the method shown in FIG. In this method, an excimer laser (hereinafter sometimes referred to as laser light) 10 that has passed through a conductor forming part consisting of holes and slits formed in a pattern mask plate 110 is reduced by a lens 120 and placed on a table 140. The synthetic resin film 130 placed therein is irradiated with light.
【０００３】0003
【発明が解決しようとする課題】前記方法によれば、線
幅が１００μｍ程度の導体形成部を合成樹脂フィルムに
形成することできる。しかし、従来から用いられている
金属製のパターンマスク板１１０は、金属薄板に孔やス
リットを穿設して導体形成部のパターンを形成するため
、微細パターンの導体形成部を高精度で形成することが
困難である。このため、金属製のパターンマスク板では
、合成樹脂フィルム１３０に線幅が１００μｍ以下の導
体形成部を形成することは困難である。また、本発明者
等は、金属製のパターンマスク板に代えて、石英製のパ
ターンマスク板を用いたところ、蒸着等によってパター
ンマスク板に直接微細パターンの導体形成部を高精度で
形成でき、合成樹脂フィルム１３０に線幅が１００μｍ
以下の微細パターンの導体形成部を形成できた。しかし
ながら、石英製のパターンマスク板には、合成樹脂フィ
ルム１３０のレーザー光照射部分から飛散した飛散物が
付着するため、マスク寿命が短く工業的に使用すること
が困難であることが判明した。According to the method described above, a conductor forming portion having a line width of about 100 μm can be formed on a synthetic resin film. However, in the conventionally used metal pattern mask plate 110, the pattern of the conductor formation part is formed by punching holes or slits in a thin metal plate, so it is difficult to form the conductor formation part with a fine pattern with high precision. It is difficult to do so. For this reason, with a metal pattern mask plate, it is difficult to form a conductor forming portion with a line width of 100 μm or less on the synthetic resin film 130. In addition, the present inventors used a quartz pattern mask plate instead of a metal pattern mask plate, and were able to form a fine pattern of conductor forming portions directly on the pattern mask plate with high precision by vapor deposition or the like. The synthetic resin film 130 has a line width of 100 μm.
A conductor forming part with the following fine pattern could be formed. However, it has been found that the quartz pattern mask plate has a short mask life and is difficult to be used industrially because particles scattered from the laser beam irradiated portion of the synthetic resin film 130 adhere to the quartz pattern mask plate.
【０００４】そこで、本発明の目的は、エキシマレーザ
ーを用いて合成樹脂フィルムに微細パターンの導体形成
部を工業的に形成できる配線基板の製造方法を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board that can industrially form a finely patterned conductor forming portion on a synthetic resin film using an excimer laser.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく鋭意検討した結果、合成樹脂フィルム上に
厚塗りしたレジスト層に直接導体形成部を形成した後、
エキシマレーザーを照射して導体形成部に対応する合成
樹脂フィルム部分と残留したレジストとを同時にエッチ
ングすることによって、パターンマスク板を用いること
なく合成樹脂フィルムに微細パターンの導体形成部を容
易に形成できることを見い出し、本発明に到達した。[Means for Solving the Problem] As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors formed a conductor forming portion directly on a resist layer thickly coated on a synthetic resin film, and then
By simultaneously etching the portion of the synthetic resin film corresponding to the conductor forming portion and the remaining resist by irradiating an excimer laser, it is possible to easily form a fine pattern of the conductor forming portion on the synthetic resin film without using a pattern mask plate. They discovered this and arrived at the present invention.
【０００６】即ち、本発明は、電気絶縁層として用いら
れている合成樹脂フィルムに、孔及び／又はスリットか
ら成る導体形成部が形成されている配線基板を製造する
に際し、該合成樹脂フィルム面に塗布され且つ前記フィ
ルムの厚さ以上のレジスト層を部分的に除去して所望パ
ターンの導体形成部を形成した後、エキシマレーザーの
照射によって、レジスト層に形成した導体形成部に対応
する合成樹脂フィルム部分及び合成樹脂フィルム面上の
レジスト層を同時にエッチングし、合成樹脂フィルムに
導体形成部を形成することを特徴とする配線基板の製造
方法にある。かかる構成を有する本発明において、合成
樹脂フィルムに導体形成部を形成した後、前記フィルム
面上にレジスト層が残留している状態でエキシマレーザ
ーの照射を停止することが、得られる配線基板の合成樹
脂フィルムの厚さを当初厚さを保持することができる。
また、合成樹脂フィルムに導体形成部を形成した後、合
成樹脂フィルム面上のレジスト層を完全に除去するまで
エキシマレーザーの照射を続行することが、加工後に合
成樹脂フィルムに残留するレジスト層の剥離工程を不要
にできる。That is, the present invention provides a method for manufacturing a wiring board in which a conductor forming portion consisting of holes and/or slits is formed on a synthetic resin film used as an electrical insulating layer. After partially removing the applied resist layer and having a thickness greater than the thickness of the film to form a conductor forming portion of a desired pattern, a synthetic resin film corresponding to the conductor forming portion formed on the resist layer is irradiated with an excimer laser. A method of manufacturing a wiring board is characterized in that a portion and a resist layer on a surface of a synthetic resin film are simultaneously etched to form a conductor forming portion on the synthetic resin film. In the present invention having such a configuration, after forming the conductor forming portion on the synthetic resin film, stopping irradiation with the excimer laser while the resist layer remains on the film surface improves the synthesis of the resulting wiring board. The original thickness of the resin film can be maintained. In addition, after forming the conductor forming part on the synthetic resin film, continue irradiating the excimer laser until the resist layer on the synthetic resin film surface is completely removed. The process can be made unnecessary.
【０００７】[0007]
【作用】本発明によれば、合成樹脂フィルム上に形成し
たレジスト層に直接導体形成部を形成し、残留レジスト
層と前記導体形成部に対応する合成樹脂フィルム部分と
を同時にエキシマレーザーによってエッチングするため
、パターンマスク板を不要とすることができ、しかも合
成樹脂フィルムに微細パターンの導体形成部を精度よく
形成することができる。[Operation] According to the present invention, a conductor forming portion is directly formed on a resist layer formed on a synthetic resin film, and the remaining resist layer and the synthetic resin film portion corresponding to the conductor forming portion are simultaneously etched using an excimer laser. Therefore, it is possible to eliminate the need for a pattern mask plate, and moreover, it is possible to form conductor forming portions with fine patterns on the synthetic resin film with high precision.
【０００８】[0008]
【実施例】本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
図１〜図６は、本発明の一実施例を説明するための説明
図である。本実施例においては、図１に示す如く、基板
１６に固着されたポリイミドフィルム１４（フィルム１
４と称することがある）上にレジスト層１２を塗布する
。このレジスト層１２の厚さは、フィルム１４の厚さ以
上とする。レジスト層１２の厚さの上限は、特に限定す
る必要はなく、後述するエキシマレーザーの照射によっ
て、フィルム１４に導体形成部を構成する孔やスリット
が穿設されるよりも先にレジスト層１２が消滅してフィ
ルム１４の表面がエッチングされることのない厚さであ
ればよい。尚、かかるレジスト層１２を形成するレジス
トとしては、ポジティブタイプ又はネガティブタイプの
いずれであってもよいが、本実施例においては、ポジテ
ィブタイプのレジストを用いた。更に、フィルム１４上
に厚塗りして形成したレジスト層１２に、フィルム１４
に形成する予定の導体形成部のパターンを露光し（図２
）、露光した露光部分１８を化学エッチング等で除去す
る。この様にしてレジスト層１２にフィルム１４に形成
する導体形成部のパターンと同一パターンの導体形成部
２０を形成する（図３）。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be explained in more detail with reference to the drawings. 1 to 6 are explanatory diagrams for explaining one embodiment of the present invention. In this embodiment, as shown in FIG. 1, a polyimide film 14 (film 1
4), a resist layer 12 is applied thereon. The thickness of this resist layer 12 is greater than or equal to the thickness of the film 14. The upper limit of the thickness of the resist layer 12 does not need to be particularly limited, and the resist layer 12 is formed before the holes and slits constituting the conductor forming portion are formed in the film 14 by irradiation with an excimer laser, which will be described later. Any thickness is sufficient as long as it does not disappear and the surface of the film 14 is not etched. Note that the resist forming the resist layer 12 may be either a positive type or a negative type, but in this example, a positive type resist was used. Furthermore, the film 14 is coated on the resist layer 12 formed by thick coating on the film 14.
The pattern of the conductor forming part to be formed is exposed (Fig. 2
), the exposed portion 18 is removed by chemical etching or the like. In this manner, conductor forming portions 20 having the same pattern as the conductor forming portions formed on the film 14 are formed on the resist layer 12 (FIG. 3).
【０００９】次いで、図４に示す様に、導体形成部２０
が形成されたレジスト層１２を上面に有するフィルム１
４にエキシマレーザー１０を照射する。この際に、エキ
シマレーザー１０の照射によって、フィルム１４上のレ
ジスト層１２及びレジスト層１２に形成した導体形成部
２０に対応するフィルム１４の部分が同時にエッチング
される。但し、厚塗りして形成されたレジスト層１２が
フィルム１４上に存在するため、レジスト層１２がレー
ザー光によってエッチングされている間に、レジスト層
１２に形成された導体形成部２０に対応するフィルム１
４の部分がエッチングされ導体形成部２２を形成するこ
とができる（図５）。本実施例においては、図５に示す
如く、フィルム１４の導体形成部２２が形成されたとき
、フィルム１４上にレジスト層１２が残留している状態
でエキシマレーザーの照射を停止し、その後に残留レジ
スト層１２を化学的又は物理的にフィルム１４から剥離
する（図６）。この様な本実施例によれば、線幅が１０
０μｍ以下の微細な導体形成部２２をフィルム１４に精
度良く容易に形成することができ、形成された導体形成
部２２の周縁部も炭化等されることもなく電気絶縁性も
良好であった。本実施例の如く、レジスト層１２が残留
した状態でエキシマレーザーの照射を停止することによ
って、フィルム１４面にレーザー光が照射されずフィル
ム１４の当初厚さを保持することができる。Next, as shown in FIG. 4, a conductor forming section 20 is formed.
A film 1 having on its upper surface a resist layer 12 formed with
4 is irradiated with the excimer laser 10. At this time, by irradiation with the excimer laser 10, the resist layer 12 on the film 14 and the portion of the film 14 corresponding to the conductor forming portion 20 formed on the resist layer 12 are simultaneously etched. However, since the resist layer 12 formed by thick coating is present on the film 14, while the resist layer 12 is being etched by laser light, the film corresponding to the conductor forming part 20 formed on the resist layer 12 1
4 can be etched to form a conductor forming portion 22 (FIG. 5). In this example, as shown in FIG. 5, when the conductor forming portion 22 of the film 14 is formed, excimer laser irradiation is stopped with the resist layer 12 remaining on the film 14, and then the resist layer 12 remains on the film 14. The resist layer 12 is chemically or physically peeled off from the film 14 (FIG. 6). According to this embodiment, the line width is 10
Fine conductor forming portions 22 of 0 μm or less could be easily formed on the film 14 with good precision, and the peripheral edges of the formed conductor forming portions 22 were not carbonized and had good electrical insulation. As in this embodiment, by stopping the excimer laser irradiation while the resist layer 12 remains, the film 14 is not irradiated with laser light and the original thickness of the film 14 can be maintained.
【００１０】また、図７に示す様に、フィルム１４に導
体形成部２２が形成された後、更にエキシマレーザー１
０の照射を続行することによって、フィルム１４上のレ
ジスト層１２を完全に除去するようにしてもよい（図８
）。この場合には、フィルム１４の表面がエキシマレー
ザーによってエッチングされてフィルム１４の厚さが当
初厚さよりも若干薄くなることがあるものの、レジスト
層１２の剥離工程を不要にすることができる。これまで
述べてきた実施例においては、エキシマレーザーの加工
中の出力を一定としてきたが、エキシマレーザーの出力
を調整することによって、図９に示す様に、フイルム１
４にテーパー状の導体形成部２４を形成することができ
る。更に、従来、厚いフィルムには微細な導体形成部を
精度よく形成できないとされてきたが、本実施例によれ
は、この様な厚いフィルムにも容易に微細な導体形成部
を形成することができる。このため、充分な強度を有し
且つ微細な導体形成部が形成された厚いフィルムのみを
用いた配線基板の提供も可能である。尚、実施例におい
ては、フィルム１４を形成する合成樹脂として、ポリイ
ミドを用いたが、ポリベンズイミダゾール、ベンズシク
ロブテン等を用いることができる。Further, as shown in FIG. 7, after the conductor forming portion 22 is formed on the film 14, the excimer laser 1
The resist layer 12 on the film 14 may be completely removed by continuing the irradiation of 0.
). In this case, although the surface of the film 14 may be etched by the excimer laser and the thickness of the film 14 may become slightly thinner than the initial thickness, the step of peeling off the resist layer 12 can be made unnecessary. In the embodiments described so far, the output of the excimer laser during processing was kept constant, but by adjusting the output of the excimer laser, as shown in FIG.
A tapered conductor forming portion 24 can be formed at 4. Furthermore, although it has conventionally been believed that fine conductor forming portions cannot be formed with high accuracy on thick films, this example makes it possible to easily form fine conductor forming portions even on such thick films. can. Therefore, it is also possible to provide a wiring board using only a thick film that has sufficient strength and has fine conductor formation portions formed thereon. In the examples, polyimide was used as the synthetic resin for forming the film 14, but polybenzimidazole, benzcyclobutene, etc. can also be used.
【００１１】[0011]
【発明の効果】本発明によれば、線幅１００μｍ以下の
微細は導体形成部をフィルムに容易に形成することがで
き、半導体装置等の小型化及び高集積化に伴う薄膜基板
の導体形成部の微細化の要求に対応することができる。According to the present invention, it is possible to easily form a fine conductor forming part on a film with a line width of 100 μm or less, and it is possible to easily form a conductor forming part on a thin film substrate as semiconductor devices become smaller and more highly integrated. It can respond to the demand for miniaturization.
【図１】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining one step of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining one step of an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining one step of an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining one step of an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining one step of an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining one step of an embodiment of the present invention.
【図７】本発明の他の実施例の一工程を説明するための
説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining one step in another embodiment of the present invention.
【図８】本発明の他の実施例の一工程を説明するための
説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining one step of another embodiment of the present invention.
【図９】本発明の他の実施例の一工程を説明するための
説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining one step in another embodiment of the present invention.
【図１０】従来の加工方法を説明するための説明図であ
る。FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a conventional processing method.
１０ エキシマレーザー １２ レジスト層 １４ 合成樹脂フィルム 10 Excimer laser 12 Resist layer 14 Synthetic resin film
Claims (3)
樹脂フィルムに、孔及び／又はスリットから成る導体形
成部が形成されている配線基板を製造するに際し、該合
成樹脂フィルム面に塗布され且つ前記フィルムの厚さ以
上のレジスト層を部分的に除去して所望パターンの導体
形成部を形成した後、エキシマレーザーの照射によって
、レジスト層に形成した導体形成部に対応する合成樹脂
フィルム部分及び合成樹脂フィルム面上のレジスト層を
同時にエッチングし、合成樹脂フィルムに導体形成部を
形成することを特徴とする配線基板の製造方法。1. When manufacturing a wiring board in which a conductor forming portion consisting of holes and/or slits is formed on a synthetic resin film used as an electrical insulating layer, the synthetic resin film is coated on the surface of the synthetic resin film and the After partially removing the resist layer with a thickness greater than the thickness of the film to form a conductor forming portion of a desired pattern, excimer laser irradiation is performed to remove the synthetic resin film portion and the synthetic resin corresponding to the conductor forming portion formed on the resist layer. A method for manufacturing a wiring board, comprising etching a resist layer on a film surface at the same time to form a conductor forming portion on a synthetic resin film.
した後、前記フィルム面上にレジスト層が残留している
状態でエキシマレーザーの照射を停止する請求項１記載
の配線基板の製造方法。2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein after forming the conductor forming portion on the synthetic resin film, irradiation with the excimer laser is stopped while a resist layer remains on the surface of the film.
した後、前記フィルム面上のレジスト層を完全に除去す
るまでエキシマレーザーの照射を続行する請求項１記載
の配線基板の製造方法。3. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein after forming the conductor forming portion on the synthetic resin film, irradiation with excimer laser is continued until the resist layer on the surface of the film is completely removed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6129191A JP2918347B2 (en) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | Manufacturing method of wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6129191A JP2918347B2 (en) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | Manufacturing method of wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274385A true JPH04274385A (en) | 1992-09-30 |
| JP2918347B2 JP2918347B2 (en) | 1999-07-12 |
Family
ID=13166947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6129191A Expired - Lifetime JP2918347B2 (en) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | Manufacturing method of wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2918347B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196740A (en) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | Method for manufacturing multilayer printed wiring board |
| JP2008147242A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser-beam machining method of printed circuit board |
| JP2014027317A (en) * | 2010-12-06 | 2014-02-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Method of manufacturing printed circuit board |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP6129191A patent/JP2918347B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196740A (en) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | Method for manufacturing multilayer printed wiring board |
| JP4497613B2 (en) * | 2000-01-07 | 2010-07-07 | イビデン株式会社 | Manufacturing method of multilayer printed wiring board |
| JP2008147242A (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser-beam machining method of printed circuit board |
| JP2014027317A (en) * | 2010-12-06 | 2014-02-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Method of manufacturing printed circuit board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2918347B2 (en) | 1999-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100621550B1 (en) | Method for fabricating tape wiring substrate | |
| JPS6347788B2 (en) | ||
| JPH0744330B2 (en) | Interconnect structure and manufacturing method thereof | |
| US6811959B2 (en) | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks | |
| US4321317A (en) | High resolution lithography system for microelectronic fabrication | |
| JPH04274385A (en) | Manufacture of circuit board | |
| US6465360B2 (en) | Method for fabricating an ultra small opening | |
| JP2012005939A (en) | Pattern forming method | |
| US20220221799A1 (en) | Photoresist-free deposition and patterning with vacuum ultraviolet lamps | |
| KR100280857B1 (en) | Manufacturing Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device | |
| JPH0529211A (en) | Multi-layer resist method | |
| JPS6230624B2 (en) | ||
| JP2004266230A (en) | Circuit board and method for manufacturing the same | |
| JP2001350269A (en) | Method for producing mask for solder printing | |
| JP2002237440A (en) | Resist pattern forming method and fine pattern forming method | |
| JP2006019316A (en) | Pattern formation method and method for manufacturing thin film | |
| CN113993288A (en) | Etching method for realizing fine circuit by semi-developing dry film method | |
| JPH10270826A (en) | Manufacture of printed wiring board | |
| KR20060000487A (en) | Method for forming photo resist pattern of semiconductor device | |
| JPH05198919A (en) | Manufacture of printed wiring board | |
| JPH0744164B2 (en) | Patterning method | |
| KR20020087328A (en) | The fabrication of mandrel for electroforming | |
| JPS5843526A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH11274698A (en) | Manufacturing printed wiring board | |
| JPS58207046A (en) | Production of photomask substrate |