JP2918347B2 - Manufacturing method of wiring board - Google Patents

Manufacturing method of wiring board

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JP2918347B2
JP2918347B2 JP6129191A JP6129191A JP2918347B2 JP 2918347 B2 JP2918347 B2 JP 2918347B2 JP 6129191 A JP6129191 A JP 6129191A JP 6129191 A JP6129191 A JP 6129191A JP 2918347 B2 JP2918347 B2 JP 2918347B2
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synthetic resin
resin film
resist layer
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conductor forming
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隆廣 飯島
信一 若林
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は配線基板の製造方法に関
し、更に詳細には電気的絶縁性を有する合成樹脂フィル
ムに形成された所望パターンの導体形成部に、銅等の金
属が充填されて導体配線が形成されて成る配線基板の製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board, and more particularly, to a synthetic resin film having electrical insulation.
Gold, such as copper, on the conductor formation part of the desired pattern
The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board in which conductors are formed by filling metal .

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置等の分野において、ポリイミ
ド等の耐熱性合成樹脂によって形成された合成樹脂フィ
ルムを電気絶縁層として用いた薄膜基板が用いられてい
る。かかる薄膜基板は、基板上の合成樹脂フィルムに
状の導体形成部を形成し、前記導体形成部中に銅等の導
電性金属を充填することによって製造される。ところ
で、最近、この様な薄膜基板においても、半導体装置等
の小型化及び高集積化に伴い、合成樹脂フィルムの導体
形成部も微細化してきている。かかる微細な導体形成部
を合成樹脂フィルムに形成する方法として、レーザー光
を用いる方法がある。この方法で採用するレーザー光と
しては、紫外線領域のレーザー光であるエキシマレーザ
ー(ArF;193nm,KrF;248nm,XeCl;308nm,XeF;351nm)を用
いることが好ましい。つまり、現在、工業的に使用され
ている赤外線領域の炭酸ガスレーザー(波長10.6μm)
やYAGレーザー(波長1.06μm)を用いた加工は、レ
ーザー光のエネルギーを利用する熱加工である。このた
め、 炭酸ガスレーザーやYAGレーザーを合成樹脂フ
ィルムに照射した場合、レーザー光を照射した周縁部分
を炭化して合成樹脂フィルムの電気絶縁性を低下するこ
とがある。これに対して、エキシマレーザーの有するエ
ネルギーは、合成樹脂フィルムを形成する高分子鎖の化
学結合の解離エネルギーに相当し、エキシマレーザーの
照射によって高分子鎖の化学結合を切断することができ
る。このため、エキシマレーザーを合成樹脂フィルムに
照射することによって、レーザー光を照射した合成樹脂
フィルム部分のみを除去でき、その際に、周縁部分の電
気絶縁性を低下させることがない。この様なエキシマレ
ーザーを用いた加工は、通常、図10に示す方法で行わ
れている。この方法は、パターンマスク板110に形成
された孔及びスリットを通過したエキシマレーザー(以
下、レーザー光と称することがある)10は、レンズ1
20で縮小されて台140上に載置された合成樹脂フル
ム130に照射される。
2. Description of the Related Art In the field of semiconductor devices and the like, a thin film substrate using a synthetic resin film formed of a heat-resistant synthetic resin such as polyimide as an electric insulating layer is used. Such thin film substrate is linear synthetic resin film on the substrate
It is manufactured by forming a conductor-shaped portion having a shape and filling the conductor-formed portion with a conductive metal such as copper. By the way, recently, even in such a thin film substrate, a conductor forming portion of a synthetic resin film has been miniaturized with miniaturization and high integration of a semiconductor device and the like. As a method for forming such a fine conductor forming portion on a synthetic resin film, there is a method using laser light. As the laser light used in this method, it is preferable to use an excimer laser (ArF; 193 nm, KrF; 248 nm, XeCl; 308 nm, XeF; 351 nm) which is a laser light in the ultraviolet region. In other words, the carbon dioxide laser in the infrared region currently used industrially (wavelength 10.6 μm)
Processing using a laser or a YAG laser (wavelength: 1.06 μm) is thermal processing using energy of laser light. For this reason, when a synthetic resin film is irradiated with a carbon dioxide gas laser or a YAG laser, the peripheral portion irradiated with the laser light may be carbonized to lower the electrical insulation of the synthetic resin film. On the other hand, the energy of the excimer laser corresponds to the dissociation energy of the chemical bond of the polymer chain forming the synthetic resin film, and the chemical bond of the polymer chain can be cut by irradiation with the excimer laser. For this reason, by irradiating the synthetic resin film with the excimer laser, only the synthetic resin film portion irradiated with the laser beam can be removed, and at this time, the electrical insulation of the peripheral portion does not decrease. Such processing using an excimer laser is usually performed by a method shown in FIG. In this method, an excimer laser (hereinafter, sometimes referred to as a laser beam) 10 that has passed through holes and slits formed in a pattern mask plate 110
At 20, the synthetic resin film 130 that has been reduced and placed on the table 140 is irradiated.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記方法によれば、線
幅が100μm程度の導体形成部を合成樹脂フィルムに
形成することできる。しかし、従来から用いられている
金属製のパターンマスク板110は、金属薄板に孔やス
リットを穿設して導体形成部のパターンを形成するた
め、微細パターンの導体形成部を高精度で形成すること
が困難である。このため、金属製のパターンマスク板で
は、合成樹脂フィルム130に線幅が100μm以下の
導体形成部を形成することは困難である。また、本発明
者等は、金属製のパターンマスク板に代えて、石英製の
パターンマスク板を用いたところ、蒸着等によってパタ
ーンマスク板に直接微細パターンの導体形成部を高精度
で形成でき、合成樹脂フィルム130に線幅が100μ
m以下の微細パターンの導体形成部を形成できた。しか
しながら、石英製のパターンマスク板には、合成樹脂フ
ィルム130のレーザー光照射部分から飛散した飛散物
が付着するため、マスク寿命が短く工業的に使用するこ
とが困難であることが判明した。
According to the above method, a conductor forming portion having a line width of about 100 μm can be formed on a synthetic resin film. However, the conventionally used metal pattern mask plate 110 forms a conductor forming portion with a fine pattern with high precision because holes and slits are formed in a thin metal plate to form a pattern of the conductor forming portion. It is difficult. For this reason, it is difficult to form a conductor forming portion having a line width of 100 μm or less on the synthetic resin film 130 with a metal pattern mask plate. Further, the present inventors have used a quartz pattern mask plate instead of a metal pattern mask plate, and can form a fine pattern conductor forming portion directly on the pattern mask plate with high precision by vapor deposition or the like, 100 μm line width on synthetic resin film 130
A conductor forming portion having a fine pattern of not more than m could be formed. However, since the scattered matter scattered from the laser light irradiated portion of the synthetic resin film 130 adheres to the quartz pattern mask plate, it has been found that the mask life is short and it is difficult to use the mask industrially.

【0004】そこで、本発明の目的は、エキシマレーザ
ーを用いて合成樹脂フィルムに微細パターンの導体形成
部を工業的に形成できる配線基板の製造方法を提供する
ことにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board that can industrially form a conductor forming portion of a fine pattern on a synthetic resin film using an excimer laser.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成すべく鋭意検討した結果、合成樹脂フィルム上に
厚塗りしたレジスト層を、導体形成部のパターンに対応
して部分的に除去した後、エキシマレーザーを照射して
レジスト層が除去された合成樹脂フィルムの部分とレジ
スト層とを同時にエッチングすることによって、パター
ンマスク板を用いることなく合成樹脂フィルムに微細パ
ターンの導体形成部を容易に形成できることを見い出
し、本発明に到達した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that a thick resist layer formed on a synthetic resin film corresponds to the pattern of the conductor forming portion.
And remove it partially, then irradiate with excimer laser
The part of the synthetic resin film from which the resist layer was removed
It has been found that by simultaneously etching the strike layer and the conductive layer, a conductor forming portion of a fine pattern can be easily formed on a synthetic resin film without using a pattern mask plate, and the present invention has been achieved.

【0006】すなわち、本発明は、電気的絶縁性を有す
る合成樹脂フィルムに形成された所望パターンの導体形
成部に、銅等の金属が充填されて導体配線が形成されて
成る配線基板を製造する際に、該合成樹脂フィルムの厚
さ以上のレジスト層を前記合成樹脂フィルム面に形成し
た後、前記導体形成部のパターンに対応してレジスト層
を部分的に除去し、次いで、前記レジスト層が除去され
た合成樹脂フィルムの部分及び前記合成樹脂フィルム面
上のレジスト層を、エキシマレーザーの照射によって同
時にエッチングし、前記合成樹脂フィルムに線幅が10
0μm以下の導体形成部を形成することを特徴とする配
線基板の製造方法にある。かかる構成を有する本発明に
おいて、エキシマレーザを照射して合成樹脂フィルムに
所望パターンの導体形成部を形成した際に、前記合成樹
脂フィルムの面上にレジスト層が残留しているように、
エキシマレーザーを照射することによって、得られる配
線基板の合成樹脂フィルムの厚さを当初厚さに保持で
る。また、本発明は、電気的絶縁性を有する合成樹脂フ
ィルムに形成された所望パターンの導体形成部に、銅等
の金属が充填されて導体配線が形成されて成る配線基板
を製造する際に、該合成樹脂フィルムの厚さ以上のレジ
スト層を前記合成樹脂フィルム面に形成した後、前記導
体形成部のパターンに対応してレジスト層を部分的に除
去し、次いで、前記レジスト層が除去された合成樹脂フ
ィルムの部分及び前記合成樹脂フィルム面上のレジスト
層を、エキシマレーザーの照射によって同時にエッチン
グし、前記合成樹脂フィルムに所望パターンの導体形成
部を形成した後、前記レジスト層が完全に除去され
でエキシマレーザーを照射することを特徴とする配線基
板の製造方法にある
That is, according to the present invention, there is provided a wiring board in which a conductor forming portion of a desired pattern formed on a synthetic resin film having electrical insulation is filled with a metal such as copper to form a conductor wiring. When forming a resist layer having a thickness equal to or greater than the thickness of the synthetic resin film on the surface of the synthetic resin film, the resist layer is partially removed in accordance with the pattern of the conductor forming portion. The portion of the synthetic resin film from which is removed and the resist layer on the surface of the synthetic resin film are simultaneously etched by excimer laser irradiation, so that the synthetic resin film has a line width of 10 mm.
A method of manufacturing a wiring board, comprising forming a conductor forming portion of 0 μm or less . In the present invention having such a configuration, when a conductor forming portion of a desired pattern is formed on the synthetic resin film by irradiating an excimer laser, as a resist layer remains on the surface of the synthetic resin film,
By irradiating the excimer laser, Ru <br/> you to retain the thickness of the synthetic resin film of the wiring substrate obtained in the initial thickness. Further, the present invention provides a synthetic resin foil having electrical insulation properties.
Copper, etc., on the conductor forming part of the desired pattern formed on the film
Wiring board formed with conductive wiring formed by filling metal
When manufacturing a synthetic resin film,
After forming a strike layer on the synthetic resin film surface,
The resist layer is partially removed in accordance with the pattern of
And then remove the synthetic resin film from which the resist layer has been removed.
Film part and resist on the synthetic resin film surface
The layers are simultaneously etched by excimer laser irradiation.
Grayed, after forming the conductor forming part of the desired pattern on the synthetic resin film, a method of manufacturing a wiring board, wherein the resist layer is irradiated with excimer laser until that is completely removed <br/> There is .

【0007】[0007]

【作用】本発明によれば、合成樹脂フィルム上に形成し
たレジスト層を部分的に除去して直接導体形成部に対応
するパターンを形成し、残留レジスト層とレジスト層が
除去された合成樹脂フィルムの部分とを同時にエキシマ
レーザーによってエッチングするため、パターンマスク
板を不要とすることができ、しかも合成樹脂フィルムに
微細パターンの導体形成部を精度よく形成することがで
きる。
According to the present invention, the resist layer formed on the synthetic resin film is partially removed to directly correspond to the conductor forming portion .
The remaining resist layer and the resist layer
Since the removed portion of the synthetic resin film and the portion of the synthetic resin film are simultaneously etched by the excimer laser, a pattern mask plate can be omitted, and furthermore, a conductor forming portion of a fine pattern can be accurately formed on the synthetic resin film.

【0008】[0008]

【実施例】本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
図1〜図6は、本発明の一実施例を説明するための説明
図である。本実施例においては、図1に示す様に、基板
16に固着されたポリイミドフィルム14(フィルム1
4と称することがある)上にレジスト層12を塗布す
る。このレジスト層12の厚さは、フィルム14の厚さ
以上とする。レジスト層12の厚さの上限は、特に限定
する必要はなく、後述するエキシマレーザーの照射によ
って、フィルム14に導体形成部を構成する凹部形成
されるよりも先にレジスト層12が消滅してフィルム1
4の表面がエッチングされることのない厚さであればよ
い。尚、かかるレジスト層12を形成するレジストとし
ては、ポジティブタイプ又はネガティブタイプのいずれ
であってもよいが、本実施例においては、ポジティブタ
イプのレジストを用いた。更に、フィルム14上に厚塗
りして形成したレジスト層12に、フィルム14に形成
する予定の導体形成部のパターンを露光し(図2)、露
光した露光部分18を化学エッチング等で除去する。こ
の様にしてレジスト層12にフィルム14に形成する導
体形成部のパターンと同一パターンを形成する(図
3)。以下、レジスト層12の導体形成部20又は単に
導体形成部20と称することがある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
1 to 6 are explanatory diagrams for explaining an embodiment of the present invention. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, a polyimide film 14 (film 1 secured to the substrate 16
4) is coated with a resist layer 12. The thickness of the resist layer 12 is equal to or greater than the thickness of the film 14. The upper limit of the thickness of the resist layer 12 does not need to be particularly limited, and the resist layer 12 may be formed before the concave portion forming the conductor forming portion is formed in the film 14 by excimer laser irradiation described later. Disappears and film 1
It is sufficient that the thickness of the surface 4 is not etched. The resist for forming the resist layer 12 may be either a positive type or a negative type. In this embodiment, a positive type resist is used. Further, a pattern of a conductor forming portion to be formed on the film 14 is exposed on the resist layer 12 formed by thick coating on the film 14 (FIG. 2), and the exposed portions 18 that have been exposed are removed by chemical etching or the like. In this manner, the same pattern as the pattern of the conductor forming portion formed on the film 14 is formed on the resist layer 12 (FIG.
3). Hereinafter, the conductor forming portion 20 of the resist layer 12 or simply
It may be referred to as a conductor forming part 20.

【0009】次いで、図4に示す様に、導体形成部20
が形成されたレジスト層12を上面に有するフィルム1
4にエキシマレーザー10を照射する。この際に、エキ
シマレーザー10の照射によって、フィルム14上のレ
ジスト層12及びレジスト層12に形成した導体形成部
20に対応するフィルム14の部分が同時にエッチング
される。但し、厚塗りして形成されたレジスト層12が
フィルム14上に存在するため、レジスト層12がレー
ザー光によってエッチングされている間に、レジスト層
12に形成された導体形成部20に対応するフィルム1
4の部分がエッチングされ導体形成部22を形成するこ
とができる(図5)。本実施例においては、図5に示す
様に、エキシマレーザの照射によってフィルム14に導
体形成部22を形成した際に、フィルム14上にレジス
ト層12が残留するように、エキシマレーザーを照射す
る。その後残留レジスト層12を化学的又は物理的に
フィルム14から剥離する(図6)。この様な本実施例
によれば、線幅が100μm以下の微細な導体形成部2
2をフィルム14に精度良く容易に形成することがで
き、形成された導体形成部22の周縁部も炭化等される
こともなく電気絶縁性も良好であった。本実施例の
、レジスト層12が残留するようにエキシマレーザー
を照射することによって、フィルム14面にレーザー光
が照射されずフィルム14の当初厚さを保持することが
できる。
Next, as shown in FIG.
1 having resist layer 12 on which is formed on the upper surface
4 is irradiated with an excimer laser 10. At this time, the portion of the film 14 corresponding to the resist layer 12 on the film 14 and the conductor forming portion 20 formed on the resist layer 12 is simultaneously etched by the irradiation of the excimer laser 10. However, since the resist layer 12 formed by thick coating is present on the film 14, while the resist layer 12 is being etched by the laser beam, the film corresponding to the conductor forming portion 20 formed on the resist layer 12 is formed. 1
The portion 4 is etched to form the conductor forming portion 22 (FIG. 5). In this embodiment, FIG.
As described above, the film 14 is guided by the excimer laser irradiation.
When the body forming part 22 is formed, the resist is placed on the film 14.
Excimer laser is applied so that the layer 12 remains.
You. Thereafter , the remaining resist layer 12 is chemically or physically peeled off from the film 14 (FIG. 6). According to the present embodiment, the fine conductor forming portion 2 having a line width of 100 μm or less is used.
2 could be easily formed on the film 14 with good accuracy, and the peripheral portion of the formed conductor forming portion 22 was not carbonized and the electrical insulation was good. As in the present embodiment
Excimer laser so that the resist layer 12 remains.
Irradiates the surface of the film 14 with no laser light, thereby maintaining the initial thickness of the film 14.

【0010】また、図7に示す様に、フィルム14に導
体形成部22が形成された後、更にエキシマレーザー1
0の照射を続行することによって、フィルム14上のレ
ジスト層12を完全に除去するようにしてもよい(図
8)。この場合には、フィルム14の表面がエキシマレ
ーザーによってエッチングされてフィルム14の厚さが
当初厚さよりも若干薄くなることがあるものの、レジス
ト層12の剥離工程を不要にすることができる。これま
で述べてきた実施例においては、エキシマレーザーの加
工中の出力を一定としてきたが、エキシマレーザーの出
力を調整することによって、図9に示す様に、フイルム
14にテーパー状の導体形成部24を形成することがで
きる。更に、従来、厚いフィルムには微細な導体形成部
を精度よく形成できないとされてきたが、本実施例によ
れは、この様な厚いフィルムにも容易に微細な導体形成
部を形成することができる。このため、充分な強度を有
し且つ微細な導体形成部が形成された厚いフィルムのみ
を用いた配線基板の提供も可能である。尚、実施例にお
いては、フィルム14を形成する合成樹脂として、ポリ
イミドを用いたが、ポリベンズイミダゾール、ベンズシ
クロブテン等を用いることができる。
As shown in FIG. 7, after the conductor forming portion 22 is formed on the film 14, the excimer laser 1
By continuing the irradiation of 0, the resist layer 12 on the film 14 may be completely removed (FIG. 8). In this case, although the surface of the film 14 is etched by the excimer laser and the thickness of the film 14 is slightly smaller than the initial thickness, the step of removing the resist layer 12 can be omitted. In the embodiments described so far, the output during the processing of the excimer laser is fixed, but by adjusting the output of the excimer laser, the taper-shaped conductor forming portion 24 is formed on the film 14 as shown in FIG. Can be formed. Further, conventionally, it has been considered that a fine conductor forming portion cannot be formed accurately on a thick film. However, according to this embodiment, it is possible to easily form a fine conductor forming portion on such a thick film. it can. For this reason, it is also possible to provide a wiring board using only a thick film which has sufficient strength and on which a fine conductor forming portion is formed. In the examples, polyimide is used as the synthetic resin for forming the film 14, but polybenzimidazole, benzcyclobutene, or the like can be used.

【0011】本発明によれば、線幅100μm以下の微
導体形成部をフィルムに容易に形成することがで
き、半導体装置等の小型化及び高集積化に伴う薄膜基板
の導体形成部の微細化の要求に対応することができる。
According to the present invention, a fine conductor forming portion having a line width of 100 μm or less can be easily formed on a film, and the fine conductor forming portion of a thin film substrate accompanying miniaturization and high integration of a semiconductor device or the like can be formed. It can respond to the demand for conversion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining one process of one embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining one process of one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining one process of one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining one process of one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining one process of one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例の一工程を説明するための説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining one process of one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の他の実施例の一工程を説明するための
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining one step of another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の他の実施例の一工程を説明するための
説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining one step of another embodiment of the present invention.

【図9】本発明の他の実施例の一工程を説明するための
説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining one process of another embodiment of the present invention.

【図10】従来の加工方法を説明するための説明図であ
る。
FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a conventional processing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 エキシマレーザー 12 レジスト層 14 合成樹脂フィルム 20 レジスト層12に形成された導体形成部 22 合成樹脂フィルム14に形成された導体形成部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Excimer laser 12 Resist layer 14 Synthetic resin film 20 Conductor formation part formed in resist layer 12 22 Conductor formation part formed in synthetic resin film 14

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H05K 3/10 H01L 21/88 B ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H05K 3/10 H01L 21/88 B

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電気的絶縁性を有する合成樹脂フィルム
に形成された所望パターンの導体形成部に、銅等の金属
が充填されて導体配線が形成されて成る配線基板を製造
る際に、 該合成樹脂フィルムの厚さ以上のレジスト層を前記合成
樹脂フィルム面に形成した後、前記導体形成部のパター
ンに対応してレジスト層を部分的に除去し、 次いで、前記レジスト層が除去された合成樹脂フィルム
の部分及び前記合成樹脂フィルム面上のレジスト層を、
エキシマレーザーの照射によって同時にエッチングし、
前記合成樹脂フィルムに線幅が100μm以下の導体形
成部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
1. A wiring board in which a conductor forming portion of a desired pattern formed on a synthetic resin film having electrical insulation is filled with a metal such as copper to form a conductor wiring is manufactured. When forming a resist layer having a thickness of the synthetic resin film or more on the synthetic resin film surface, the resist layer is partially removed in accordance with the pattern of the conductor forming portion. Removed part of the synthetic resin film and the resist layer on the synthetic resin film surface,
Etch simultaneously by excimer laser irradiation,
A method for manufacturing a wiring board, comprising: forming a conductor forming portion having a line width of 100 μm or less on the synthetic resin film.
【請求項2】 エキシマレーザを照射して合成樹脂フィ
ルムに所望パターンの導体形成部を形成した際に、前記
合成樹脂フィルムの面上にレジスト層が残留しているよ
うに、エキシマレーザーを照射する請求項1記載の配線
基板の製造方法。
2. Excimer laser irradiation is performed such that a resist layer remains on a surface of the synthetic resin film when a conductor forming portion having a desired pattern is formed on the synthetic resin film by irradiation with the excimer laser. A method for manufacturing a wiring board according to claim 1.
【請求項3】 電気的絶縁性を有する合成樹脂フィルム
に形成された所望パターンの導体形成部に、銅等の金属
が充填されて導体配線が形成されて成る配線基板を製造
する際に、 該合成樹脂フィルムの厚さ以上のレジスト層を前記合成
樹脂フィルム面に形成した後、前記導体形成部のパター
ンに対応してレジスト層を部分的に除去し、 次いで、前記レジスト層が除去された合成樹脂フィルム
の部分及び前記合成樹脂フィルム面上のレジスト層を、
エキシマレーザーの照射によって同時にエッチングし、
前記合成樹脂フィルムに所望パターンの導体形成部を形
成した後、前記 レジスト層が完全に除去されまでエキシマレーザ
ーを照射することを特徴とする配線基板の製造方法。
3. A synthetic resin film having electrical insulation properties.
Metal such as copper is applied to the conductor forming portion of the desired pattern formed on
Manufactures a wiring board in which conductors are formed by filling
When synthesizing, a resist layer having a thickness not less than the thickness of the synthetic resin film is synthesized.
After being formed on the resin film surface, the
The resist layer is partially removed corresponding to the pattern, and then the synthetic resin film from which the resist layer has been removed.
Part and the resist layer on the synthetic resin film surface,
Etch simultaneously by excimer laser irradiation ,
After forming the conductor forming part of the desired pattern on the synthetic resin film, a manufacturing method of a wiring board, wherein the resist layer is irradiated with excimer laser until it is completely removed.
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