JPH0427186A - 円偏光co↓2レーザービームの発生方法 - Google Patents
円偏光co↓2レーザービームの発生方法Info
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- JPH0427186A JPH0427186A JP13218790A JP13218790A JPH0427186A JP H0427186 A JPH0427186 A JP H0427186A JP 13218790 A JP13218790 A JP 13218790A JP 13218790 A JP13218790 A JP 13218790A JP H0427186 A JPH0427186 A JP H0427186A
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- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 2
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、分子法レーザーウラン濃縮法等において利用
される円偏光CO2レーザービームの発生方法に係り、
特に、別の微弱強度の円偏光レーザーを用いて高出力の
円偏光CO2レーザービームを発生させる方法に関する
。
される円偏光CO2レーザービームの発生方法に係り、
特に、別の微弱強度の円偏光レーザーを用いて高出力の
円偏光CO2レーザービームを発生させる方法に関する
。
(従来技術とその問題点)
一般に、円偏光化された高出力のco2レーザービーム
を得るために、横励起方式大気圧(以下、rTEAJと
言う) CO2レーザー発振器からのレーザービームを
円部化素子を用いて円偏光化する方法が用いられている
。
を得るために、横励起方式大気圧(以下、rTEAJと
言う) CO2レーザー発振器からのレーザービームを
円部化素子を用いて円偏光化する方法が用いられている
。
このとき用いられる円偏光化素子としては、CdSなど
の結晶の複屈折を利用するλ14波長板、反射型の円偏
光板、KBrなどのフレネル・ロム(Presnel
rhomb)などが利用されている。
の結晶の複屈折を利用するλ14波長板、反射型の円偏
光板、KBrなどのフレネル・ロム(Presnel
rhomb)などが利用されている。
しかしながら、これらの円偏光化素子は極めて高価なう
えに、強度の大きいものを製作しにくく、通常、ビーム
径30am程度のTEA 002レ一ザー発振器からの
レーザービームを通過させると破壊してしまうという問
題がある。
えに、強度の大きいものを製作しにくく、通常、ビーム
径30am程度のTEA 002レ一ザー発振器からの
レーザービームを通過させると破壊してしまうという問
題がある。
このため、分子法レーザーウラン濃縮法等において利用
されるビーム径50111% 5〜6Jule程度の
高出力の円偏光CO2レーザービームを得る方法として
、第4図に示したような方法が検討されている。
されるビーム径50111% 5〜6Jule程度の
高出力の円偏光CO2レーザービームを得る方法として
、第4図に示したような方法が検討されている。
すなわち、第4図に示すように、CW−CO2レーザー
発振器41からのビーム径5■の弱いビームを、KCl
板のブリュースター窓を内臓する別の発振器42で偏光
面を直線偏光に調整した後、円偏光化素子43により円
偏光のレーザービームに変換し、これをまずTEA増幅
器44で1〜2Jule程度にまで出力増幅し、次いで
TEA増幅器45により 5〜8Juleにまで出力増
幅して、所望の高出力の円偏光レーザービームを得る方
法である。
発振器41からのビーム径5■の弱いビームを、KCl
板のブリュースター窓を内臓する別の発振器42で偏光
面を直線偏光に調整した後、円偏光化素子43により円
偏光のレーザービームに変換し、これをまずTEA増幅
器44で1〜2Jule程度にまで出力増幅し、次いで
TEA増幅器45により 5〜8Juleにまで出力増
幅して、所望の高出力の円偏光レーザービームを得る方
法である。
なお、Mはレーザービーム光路を形成するための全反射
鏡または部分反射鏡を示す。
鏡または部分反射鏡を示す。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような方法では、余分の発振器や増
幅器を必要とするため装置が高価になってしまうという
問題があった。
幅器を必要とするため装置が高価になってしまうという
問題があった。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記の問題点を解決するために、本発明は、円偏光化素
子を用いずに、円偏光化された微弱強度の別のレーザー
を利用するものであって、TEA−002レ一ザー発振
器に、微弱強度の円偏光レーザーを注入してモードマツ
チングさせることにより、高出力の円偏光CO2レーザ
ーを発振させることを特徴とする。
子を用いずに、円偏光化された微弱強度の別のレーザー
を利用するものであって、TEA−002レ一ザー発振
器に、微弱強度の円偏光レーザーを注入してモードマツ
チングさせることにより、高出力の円偏光CO2レーザ
ーを発振させることを特徴とする。
(作 用)
本発明においては、微弱強度の円偏光レーザー注入光が
高出力CO2レーザーの発振開始時に支配的な役割を担
うことになり、注入レーザー光の周波数で偏光面も円偏
光成分のものが急速に成長するため、TEA−CO2レ
ーザー発振器からは波長純度の高い円偏光の高出力CO
2レーザービームが発生する。
高出力CO2レーザーの発振開始時に支配的な役割を担
うことになり、注入レーザー光の周波数で偏光面も円偏
光成分のものが急速に成長するため、TEA−CO2レ
ーザー発振器からは波長純度の高い円偏光の高出力CO
2レーザービームが発生する。
(実施例)
次ぎに、第1図を参照して、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明を実施するために用いた装置の一例を
示すもので、注入光源11として、単一縦モードのcw
−co2レーザー装置12とパルス−CO2レーザー装
置13が用いられている。これらの装置から出力される
c02レーザーは、いずれもPZT (圧電素子)14
.15ニよッテ1oP(2o)ニ調整しλへ波長板から
成る円偏光化素子16によって円偏光化し、この円偏光
レーザーを減衰器23を介してTEA−Co 2レ一ザ
ー発振器17のKCIブリュスター窓に入射するように
されている。
示すもので、注入光源11として、単一縦モードのcw
−co2レーザー装置12とパルス−CO2レーザー装
置13が用いられている。これらの装置から出力される
c02レーザーは、いずれもPZT (圧電素子)14
.15ニよッテ1oP(2o)ニ調整しλへ波長板から
成る円偏光化素子16によって円偏光化し、この円偏光
レーザーを減衰器23を介してTEA−Co 2レ一ザ
ー発振器17のKCIブリュスター窓に入射するように
されている。
符号18は、放電のリターン電流をモニターするための
コイルであり、これによって発振開始の遅れ時間を検出
する。また、発生したCO2レーザービームの偏光度の
測定のため偏光分析器19が、波形の測定のために帯域
500MHzのオシロスコープ20がそれぞれ用いられ
ている。なお、21はエネルギーメーター 22は20
0MHzのオシロスコープ、24は高圧電源、25は出
力安定化装置、26はフォトンドラッグを示している。
コイルであり、これによって発振開始の遅れ時間を検出
する。また、発生したCO2レーザービームの偏光度の
測定のため偏光分析器19が、波形の測定のために帯域
500MHzのオシロスコープ20がそれぞれ用いられ
ている。なお、21はエネルギーメーター 22は20
0MHzのオシロスコープ、24は高圧電源、25は出
力安定化装置、26はフォトンドラッグを示している。
この実施例では、注入光源11から出力され、PZT(
圧電素子)14.15によって調整された出力200s
Juleのl0P(20)のco2レーザーをこの円偏
光化素子16によって円偏光化した後、円偏光レーザー
を減衰器23を介してTEA−CO2レ一ザー発振器1
7のKCl板に入射し、TEA−CO2レーザー17を
l0P(20)にモードマツチングさせて発振させるこ
とにより、5Juleの高出力CO2レーザービームが
得られた。
圧電素子)14.15によって調整された出力200s
Juleのl0P(20)のco2レーザーをこの円偏
光化素子16によって円偏光化した後、円偏光レーザー
を減衰器23を介してTEA−CO2レ一ザー発振器1
7のKCl板に入射し、TEA−CO2レーザー17を
l0P(20)にモードマツチングさせて発振させるこ
とにより、5Juleの高出力CO2レーザービームが
得られた。
第2図に得られた高出力CO2レーザービームの波形を
示す。(a)図に注入前のフリーランニングしている時
の波形を、(b)図に注入によって円偏光化されたシン
グルモードの波形を示す。また、第3図に直線偏光と円
偏光の注入光をそれぞれ入射した場合の偏光度を偏光分
析器の回転角に対する強度変化で示す。図中、Qは円偏
光、・は直線偏光を示す。
示す。(a)図に注入前のフリーランニングしている時
の波形を、(b)図に注入によって円偏光化されたシン
グルモードの波形を示す。また、第3図に直線偏光と円
偏光の注入光をそれぞれ入射した場合の偏光度を偏光分
析器の回転角に対する強度変化で示す。図中、Qは円偏
光、・は直線偏光を示す。
これらの図から、それぞれ注入した円偏光レーザーに対
応した偏光度をもったCO2レーザービームが得られて
いることがわかる。
応した偏光度をもったCO2レーザービームが得られて
いることがわかる。
本実施例では注入光をCwとパルスで比較したが、いず
れの場合も同様な高出力の円偏光レーザービームを発生
させることができた。
れの場合も同様な高出力の円偏光レーザービームを発生
させることができた。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、微弱強度の円偏
光レーザーの注入によって、高出力強度の円偏光CO2
レーザービームを得ることができるので、余分な発振器
や増幅器を設備する必要がない。また、円偏光化素子を
直接用いないので、円偏光化素子自体の強度限界からの
制約によるCO2レーザービームの出力強度が限定され
るという問題もなくなる。
光レーザーの注入によって、高出力強度の円偏光CO2
レーザービームを得ることができるので、余分な発振器
や増幅器を設備する必要がない。また、円偏光化素子を
直接用いないので、円偏光化素子自体の強度限界からの
制約によるCO2レーザービームの出力強度が限定され
るという問題もなくなる。
したがって、上述したような高出力の円偏光CO2レー
ザービームを必要とする分野において極めて有用である
。
ザービームを必要とする分野において極めて有用である
。
第1図は本発明を実施するために用いた装置の系統図、
第2図、第3図はそれぞれ本発明の実施例で得られた高
出力CO2レーザービームの波形と偏光性を示す図、第
4図は従来の円偏光CO2レーザービームを得るための
装置の系統図である。 11・・・・・・・・・注入光源、12・・・・・・・
・・CM−CO2レーザー装置、13・・・・・・・・
・パルス−CO2レーザー装置、14.15・・・・・
・・・・PZT 、 16・・・・・・・・・円偏光化
素子、17・・・・・・・・・TEA−Co 2レ一ザ
ー発振器。 代理人弁理士 須 山 佐 − 同 井 上 誠 −第2図 ly 0円社 ・直線偏光 第 第4図
第2図、第3図はそれぞれ本発明の実施例で得られた高
出力CO2レーザービームの波形と偏光性を示す図、第
4図は従来の円偏光CO2レーザービームを得るための
装置の系統図である。 11・・・・・・・・・注入光源、12・・・・・・・
・・CM−CO2レーザー装置、13・・・・・・・・
・パルス−CO2レーザー装置、14.15・・・・・
・・・・PZT 、 16・・・・・・・・・円偏光化
素子、17・・・・・・・・・TEA−Co 2レ一ザ
ー発振器。 代理人弁理士 須 山 佐 − 同 井 上 誠 −第2図 ly 0円社 ・直線偏光 第 第4図
Claims (1)
- 横励起方式大気圧CO_2レーザー発振器に、円偏光レ
ーザーを注入してモードマッチングさせることにより、
円偏光のCO_2レーザービームを発振させることを特
徴とする円偏光CO_2レーザービームの発生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13218790A JP2526304B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 円偏光co▲下2▼レ―ザ―ビ―ムの発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13218790A JP2526304B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 円偏光co▲下2▼レ―ザ―ビ―ムの発生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0427186A true JPH0427186A (ja) | 1992-01-30 |
JP2526304B2 JP2526304B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=15075432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13218790A Expired - Lifetime JP2526304B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 円偏光co▲下2▼レ―ザ―ビ―ムの発生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2526304B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP13218790A patent/JP2526304B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2526304B2 (ja) | 1996-08-21 |
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