JPH04270181A - 超伝導体繊維を銅チャンネルにはんだ付けする方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は一般的に超伝導体線に関する。更
に詳しくは、本発明は多繊条超伝導体線を製造するため
の方法に関する。本発明は特に、しかし排他的にではな
く、多繊条超伝導体線を製作するために超伝導体繊維を
銅チャンネルに接合するために有用である。

【０００２】

【発明の背景】電気エネルギーに対する要求の増加に合
せるため、効果的な送電線が必要であることは明らかで
ある。実際、電気は多様な用途に使うことができるとい
う事実はよく認識されており、我々の日常生活で電気で
なければできないことを電気が可能にしている活動の例
は無数に挙げることができる。更に、電気技術の進歩が
電気に対する要求に累積効果をもたらしている。従って
、電気エネルギーを伝送するためのより効果的な手段が
絶えず求められている。今、電気技術に於ける特に有望
な進歩を活発に求める活動が超伝導体の分野で起きてい
る。

【０００３】電線又はケーブルの製造に及び長い送電線
に超伝導体を使用することで、超伝導体材料が本来製造
困難であり且つ取扱い困難であるという事実に由来する
多くの技術的問題が出てきた。例えば、普通よく言われ
る１−２−３超伝導体はセラミックの形で機能をよく発
揮する。しかし、セラミックは極端にもろく、引張り応
力があれば、あまりそれに耐えることができない。更に
、セラミックは圧縮応力にはいくらか耐えられるが、こ
の能力も最低である。セラミック超伝導体は、不幸にも
、例外ではない。従って、もし不適切に扱うと、セラミ
ック超伝導体は容易にこわれることがある。典型的には
、セラミック超伝導体への機械的損傷はこのセラミック
の亀裂及び破損となって現れ、これがこの超伝導体の超
伝導体たる能力に重大な悪影響をもたらす。この問題に
対する答は、勿論、このセラミック超伝導体をそれが作
動中適正に支持する基体で効果的に保護することである
。同等に重要なことは、この超伝導体を支持基体に接合
する工程中にこのセラミック超伝導体を損傷してはなら
ないことである。

【０００４】セラミック超伝導体を支持基体に接合する
方法の問題に取組むために、いくつかのよく知られた現
象が役に立つ。例えば、固体構造物に物理的損傷を与え
ないでそれを液体又は半液体要素で囲むことができるこ
とはよく知られている。次に、そのような液体又は半液
体要素がこの固体構造物の周りで適当に固化するので、
この固体構造物が前に液体であったこの固化した要素に
包まれ又は埋込まれる。更に、この要素がこの構造物上
で固化されるとき、この要素を支持体に同時に付着又は
接着することによって、この構造物それ自身をこの支持
体によって効果的に支持することができる。しかし、こ
の支持体がセラミック超伝導体材料である場合、この見
たところ直接的である方法が極端に複雑になる。このこ
われやすい超伝導体材料に与える物理的損傷を如何にし
て避けるかの問題に本気で取組む必要があるだけでなく
、この処理中にこの構造物（即ち、超伝導体セラミック
）に与える化学的損傷を如何に避けるかの問題がまだあ
る。

【０００５】

【発明の目的】上記に照らして、本発明の目的は、セラ
ミック超伝導体繊条を、このセラミック超伝導体に使用
できない損傷をあたえることなく、保護支持基体と接合
するための方法を提供することである。本発明の他の目
的は、セラミック超伝導体繊条を、このセラミック超伝
導体に実質的に悪い化学的損傷を与えることなく、保護
支持基体と接合するための方法を提供することである。 本発明の更に他の目的は、作業上効果のある長さの超伝
導体線を製作するため多繊条セラミック超伝導体を保護
支持基体と接合するための方法を提供することである。 本発明の他の目的は、電流バイパスとして機能する、超
伝導体要素のための支持体を提供することである。本発
明の更にもう一つの目的は、再現が比較的容易であり且
つ実施が比較的コスト効果の高い、セラミック超伝導体
繊条を保護支持基体と接合するための連続的方法を提供
することである。

【０００６】

【発明の概要】超伝導体線を製作するために、複数の超
伝導体繊維又は繊条を保護支持基体と接合するための方
法がこれらの超伝導体繊維をこの支持体にはんだ付けす
る工程を含む。本発明によれば、この支持体はＵ字形チ
ャンネルとして作られ、繊維をこのチャンネルの中に配
置する。次に、このチャンネルの中に流動性はんだペー
ストを分配し、そしてこの組合せを所定の方法で加熱し
、このはんだを繊維とチャンネルの両方と接合してこれ
らの繊維をこのチャンネルの中で支持し保持する。

【０００７】このチャンネルに接合する前に、これらの
超伝導体繊維の各々に対する付加的保護を、これらの繊
維を銀のような保護層で予備被覆することによって与え
るのが好ましい。次にこれらの被覆した繊維を並置して
、このチャンネルの中へ連続的に供給される超伝導体材
料の層を形成する。本発明のためには、このチャンネル
にこれらの繊維を配置する溝が作ってあるのが好ましく
、このチャンネルを銅のような導電材料で作る。一旦こ
のチャンネルの溝の中に超伝導体材料を配置し、フラッ
クスと結合剤成分をもつはんだペーストをこのチャンネ
ルの中に連続的に分配してこれらの繊維を囲む。この超
伝導体材料、はんだ及びチャンネルを互いに適正に結合
するため、要素のこの組合せを三つの別々に区別できる
段階で連続して処理する。

【０００８】この第１段階で、要素の組合せを予熱して
このはんだペーストから揮発成分を除去する。第２段階
では、この組合せを非常に短期間急速な温度上昇に暴す
。この第２段階中に、はんだの中のフラックスが活性化
して全ての金属面を清浄にする。特に、繊維、支持体、
及びはんだ金属を清浄にする。第３段階で、このはんだ
金属が初めに溶け、フラックスがこの溶融したはんだの
表面に浮く。これは、超伝導体繊維が活性フラックスと
接触することによって腐食する可能性を最小にする。こ
の第３段階の終りで、この要素の組合せをこのはんだの
融点以下の温度に急速に冷却して溶融したはんだ金属が
超伝導体繊維に与える腐食効果を最小にし、次に室温の
近くに冷却する。次にフラックス残留分をこの超伝導線
から除去する。

【０００９】上に一般的に説明した手順の特定の例とし
て、フュージョン社のＷＣ−３６１−８０１と称するＳ
ｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２のはんだ金属成分を含むはん
だペーストを使い、超伝導体繊維、はんだ及びＵ字形チ
ャンネルをこの第１段階で約１３０℃に加熱し、このは
んだペーストの中の揮発成分がなくなるまでこの温度に
維持する。次に第２段階を始め、この組合せを１３０℃
から２２０℃くらいまで約５０℃／秒の速度で急速に加
熱する。この段階中に、はんだが超伝導体繊維とチャン
ネルの両方に付く。特に、この温度が１５０℃と１６０
℃の間に達すると、はんだの中のフラックスが活性化し
、接合すべき金属表面（即ち、チャンネル、超伝導体繊
維、及びはんだ金属）を清浄にする。続いて、この組合
せが約１８０℃に達すると、このペーストの中のはんだ
金属が溶け、又は再流動を始め、従ってより薄いフラッ
クスが溶融はんだの頂上に上る。最後に、２０５℃乃至
２２０℃のはんだ再流動温度に達する。

【００１０】第３段階では、この組合せを短期間はんだ
再流動温度に維持し、その後はんだの溶点以下の温度に
急冷する。これは、溶融したはんだが超伝導体材料に与
える腐食効果を最小にするために行う。次に、この今で
きた超伝導体線を室温まで更に冷却し、この線から表面
のフラックス残留物を除去する。

【００１１】本発明それ自身並びにその新規な特徴は、
共にその構成及びその作用に関し、添付の説明に関連す
る添付の図面から最もよく理解されるだろう。それらの
図面で、類似の参照文字は類似の部品を指す。

【００１２】

【実施例】最初に図１を参照すると、超伝導体線を製造
するための装置が示され、全体を１０で指されている。 図示のように、この装置１０は、複数の超伝導体繊維１
２を、チャンネル１４のような保護支持基体と効果のあ
るように接合することを意図している。これをするため
に、はんだペースト分配装置１６と炉１８が、はんだを
使って超伝導体繊維１２をチャンネル１４と接合して超
伝導体線２０を作るために、続けて配置されている。

【００１３】更に詳しくは、結合装置２２を使って複数
の前もって作った超伝導体繊維１２を並置して超伝導体
材料の層を作る。本発明によれば、いくつかのよく知ら
れた線並置手段のどれを使ってもよい。しかし、重要な
ことは、超伝導体繊維１２を層状に並置するために選ん
だ手段がこれらの繊維１２を物理的に損傷することなく
それをできなければならないことである。図１は又、供
給スプール２４が最初、超伝導体線１２と接合すべき超
伝導体線２０のチャンネル部品１４を保持していること
も示す。ローラ２６も、図１に示すように、超伝導体繊
維１２を結合装置２２から引くときにそれらをこのチャ
ンネル１４の中に適正に配置され得るようにチャンネル
１４を位置づけるために設けられている。

【００１４】しばらくの間図２を参照すると、チャンネ
ル１４は溝２８を備えるＵ字形構造であるのが好ましい
ことがわかる。特に、このチャンネル１４の溝２８は、
チャンネル１４の床３０とこの床３０から垂直に延びる
１対のほぼ平行な側壁３２，３４によって境界づけられ
ている。更に、このチャンネル１４は、銅のような導電
性金属で作られているのが好ましい。チャンネル１４の
この構造で、これらの並置された超伝導体繊維１２は、
ほぼ図２、３及び４に示すように、これらの繊維１２が
このチャンネル１４の床３０の上に載っているように、
チャンネル１４のこの溝２８の中に配置されているのが
好ましい。

【００１５】さて、図１に戻って、超伝導体繊維１２を
チャンネル１４の溝２８の中に配置し、この組合せがこ
のはんだペースト分配装置１６の下を通り、そこで溝２
８がはんだペースト３６で満たされるのがわかるだろう
。はんだペースト３６は、市販の種類で、Ｓｎ６２−Ｐ
ｂ３６−Ａｇ２の配合式で表わされる金属はんだ含有率
のものが好ましい。この組成は、銀被覆部品をはんだ付
けするとき銀の浸出を最少にするためにこの技術分野が
知られている。又、このはんだ組成は、融点が比較的低
い。それで、超伝導体部品の品質低下の可能性は最小に
なる。

【００１６】更に、このはんだペースト３６が、フラッ
クスを含み、それが関連技術分野でよく知られているよ
うに、このはんだペースト３６にはんだ付けの前に表面
を清浄にする能力を与えることが必要である。更に、こ
のはんだペースト３６は、このフラックスと金属はんだ
を安定な懸濁状態に保持し且つ加熱前の金属はんだとフ
ラックスの相互作用を防止するために関連技術分野でよ
く知られた結合剤を必ず含んでいるだろう。本発明のた
めには、このフラックスは、有機酸、無機酸又はロジン
ベースのフラックスのどれかでよい。それは、残留分が
水溶性である有機酸フラックスであることが好ましい。

【００１７】図３に示すように、十分なはんだペースト
３６を溝２８の中に分配してこのはんだペースト３６が
ペースト３６の山３８を作るのが好ましい。これは、こ
の組合せが次の段階の処理を受けてから超伝導体繊維１
２をチャンネル１４に結合するための材料が十分にある
ようにするためにそうである。当業者ならわかるように
、はんだペースト３６を分配装置１６から分配する速度
はいくつかの変数に依る。第１に、チャンネル１４と超
伝導体繊維１２がこの分配装置１６の下を通る速度があ
る。第２に、このチャンネル１４の物理的寸法が考慮事
項である。そして第３に、山３８を作るべき範囲を考慮
しなければならない。重要なことは、チャンネル１４の
溝２８の中にはんだペースト３６を分配することは、こ
こで開示するように、繊維１２へ与える物理的損傷の可
能性を最小にしながら超伝導体繊維１２をペースト３６
で囲むかその中に埋込むためのおだやかな方法を提供す
ることを意図していることである。事実、よく知られた
ウェーブはんだ付け法のような従来の方法のいくつかは
、この極端にもろい超伝導体繊維１２に許容できない物
理的損傷を生ずることがあることが確認されている。

【００１８】本発明に従ってチャンネル１４の溝２８の
中にはんだペースト３６を分配するための装置を図２に
示す。特に、この装置は断面で示し、三つの充填室４０
ａ，４０ｂ，４０ｃを含むように図示している。図示の
ように、はんだペースト３６は各室４０ａ，４０ｂ，４
０ｃの中に入れておくことができ且つそれぞれの弁４２
ａ，４２ｂ，４２ｃを適当に開いてペースト３６を室４
０ａ，４０ｂ，４０ｃからシュート４４の中へ選択的に
流すことができる。流れ制御弁４５がシュート４４の中
に置かれ、シュート４４及び出口ノズル４６を通るはん
だペースト３６の流量を制御する。本発明で意図したよ
うに、これらの弁４２ａ，４２ｂ，４２ｃ及び制御弁４
５は、この分配装置１６を通してはんだペースト３６を
分配するために協力して効果的に使うことができるもの
であれば、関連技術分野でよく知られたどの種類のもの
でもよい。

【００１９】図１は、分配装置１６によってはんだペー
スト３６をチャンネル３０の溝２８の中の超伝導体繊維
１２の上に分配してから、この組合せが炉１８を通るこ
とを示す。本発明の目的に対して炉１８は関連技術分野
でよく知られたどの種類のものでもよい。しかし、重要
なことに、炉１８ははんだペースト３６がチャンネル１
４の中の超伝導体繊維１２を囲んだままそれを所定の方
法で加熱と冷却の両方できなければならない。特に、こ
のはんだペースト３６は少くとも三つの区別できる時間
／温度段階を経なければならない。図１に示すように、
炉１８には第１段階４８用の加熱室４７があり、その中
ではんだペースト３６を予熱してその中にある揮発成分
を追い出す。又、炉１８にあるのはこの方法の第２段階
５０用の加熱室４９で、その中でこのはんだペースト３
６を急速に加熱して先づペースト３６の中のフラックス
を活性化し次にこのペースト３６の中の金属はんだを溶
融し、それで液体フラックスと液体はんだ５６が分離す
る。この点で、このはんだが流れ、そして活性化したフ
ラックスが先に清浄にした全ての金属部品をぬらし始め
る。本発明によれば、加熱室４７と加熱室４９の両方と
も、熱板又は赤外線ランプのような、関連技術分野で知
られた発熱体のどの種類のものでもよい。

【００２０】線２０を製作するためのこの方法の第３段
階５２で、このはんだ金属は最初加熱室５３の中で液体
状態に維持されている。冷却室５１は、第１段階４８と
第２段階５０、と第３段階の最初の部分が終った後にチ
ャンネル１４の溝２８の中に残っている液体はんだ５６
を凝固するために設けられている。図１は又、炉１８に
はガイド５４があり、それはわずかに湾曲していて炉１
８に取付けられていて湾曲した通路を作り、チャンネル
１４がこの炉１８を通過するときこの通路に従わなけれ
ばならないことを示す。この湾曲した通路の目的は、超
伝導体繊維１２に法線力を発生して溶融はんだからの浮
力に対抗させ、これらの繊維をこの製作工程中この溝２
８の中に且つチャンネル１４の床３０に接触させ又はそ
の近くに拘束するためである。

【００２１】この装置１０が行い、その結果超伝導体線
２０ができる、この特別な加熱段階は、多分、図５を参
照すれば最もよくわかる。第１段階４８は、超伝導体繊
維１２が結合装置２２によって並置され且つチャンネル
１４の床３０の上に載るように置かれてから始まること
がわかるだろう。効果としては、第１段階４８は繊維１
２、チャンネル１４及びはんだペースト３６の組合せが
炉１８に入ったときに始まる。簡単のために、これらの
要素の組合せに対する炉１８の効果は、このはんだペー
スト３６とその再流動化し凝固したはんだ５６を特定的
に参照して議論する。しかし、この繊維１２とチャンネ
ル１４も各段階の各々で同じ時間及び温度変動を受ける
ということは理解されるべきである。これを考慮して、
はんだペースト３６は、初期時刻ｔ０　、初期温度Ｔ１
　（即ち室温）で炉１８に入る。第１段階４８の間、は
んだペースト３６は室温Ｔ１　から温度Ｔ２　に加熱さ
れ、このＴ２　はこの特定のはんだペースト３６のフラ
ックス活性化温度以下であり典型的には約１３０℃であ
る。曲線５８で示すように、第１段階４８中のＴ１　か
らＴ２　への遷移はいくつかの速度のどれでやってもよ
い。どの場合も、この温度Ｔ２　を、はんだペースト３
６から揮発成分を除去するために必要な時間保持する。

【００２２】時刻ｔ１　で始まる第２段階５０の持続時
間は重要である。特に、温度Ｔ２　のはんだペースト３
６で、比較的急速な温度上昇が時刻ｔ１　で始まる。こ
の急速な温度の上昇は１秒間に５０℃（５０℃／秒）に
ほぼ等しい速度でなされるのが好ましい。この温度上昇
中、はんだペースト３６の中のフラックスは、このはん
だペースト３６が典型的には１５０℃であるフラックス
活性化温度の上を通るので、活性化される。このフラッ
クスの活性化は、このはんだペースト３６の中のフラッ
クスに金属部品（即ち、超伝導体繊維１２の銀被膜、は
んだペースト３６の中のはんだ金属、及びチャンネル１
４）を清浄にさせる。このはんだの温度はこの第２段階
５０中上り続けるので、はんだ５６が溶け且つはんだペ
ースト３６の中の薄いフラックスが上昇しこの溶融した
はんだ５６の上に浮かぶ。特に、このはんだペースト３
６からのフラックスの分離又は解離は、このはんだの融
点である約１８０℃で有効になる。

【００２３】図５を参照すると、曲線６０で示すように
、Ｔ２　から２０５℃乃至２２０℃の範囲の温度Ｔ３　
への温度上昇がｔ１　とｔ２　の間の時間で行われるの
がわかるだろう。この時間は１乃至１０秒のオーダであ
るのが好ましく、２秒ぐらいであるのが更に好ましい。 重要なことに、この時間を短く保つことによって、この
活性化したフラックスを銀被覆超伝導体繊維１２との接
触から速かに離し、それによってこの活性化したフラッ
クスが超伝導体繊維１２を腐食し又は他の方法で損傷す
る可能性を最小にする。

【００２４】第３段階５２中、今は超伝導体繊維１２、
チャンネル１４及び溶融はんだ５６を含むこの組合せの
温度を約１乃至１０秒間Ｔ３　に維持して、はんだ５６
がチャンネル１４の中の繊維１２の周りに流れるのを容
易にする。次にこの温度を１乃至５秒間でＴ３　からこ
のはんだ５６の融点以下の温度に急速に下げる。これは
、溶融したはんだ５６がこの超伝導体繊維１２と接触し
ている時間を最少にするために重要である。ここでの意
図は、その結果溶融したはんだ５６が繊維１２に与える
有害な腐食性の影響を最小にすることである。曲線６２
で示すように、この冷却はかなり速く行うことができ、
ついにこの線２０を室温Ｔ１　に戻す。第３段階５２の
完了後、はんだペースト３６は、はんだ５６と、はんだ
ペースト３６から分離し、はんだ５６の上に載っている
フラックス残留分（図示せず）とに変換されているのが
効果的である。

【００２５】炉１８から出たこの超伝導体線２０は、す
ぐ上に示したように、フラックス残留分で覆われている
。このフラックス残留分を今度は取除かなければならな
い。これをするために、図１に示すようにスクラバー６
４が置かれている。このフラックス残留分が水溶性であ
る場合は、スクラバー６４は熱湯ゆすぎをしてこのフラ
ックスを超伝導体線２０から除去する。この熱湯ゆすぎ
の温度は４９℃−８２℃の範囲にあるのが好ましい。 このフラックスがロジンベースである場合、スクラバー
６４は、このフラックス残留分を超伝導体線２０から除
く溶剤ゆすぎに変えることができる。その結果は、図４
に断面で示す超伝導体線２０である。その図で、線２０
がほぼ平坦であり且つ断面がほぼ矩形であるのがわかる
だろう。更に、はんだペースト３６からはんだ５６への
転移で山３８が効果的に除去されたことがわかるだろう
。重要なことは、この超伝導体繊維１２がはんだ５６に
よって完全にぬらされ且つ囲まれてこの超伝導体繊維１
２を保護し、このはんだ５６がチャンネル１４に付いて
この超伝導体繊維１２をチャンネル１４に保持し支持す
ることである。

【００２６】超伝導体繊維１２を保護し、支持すること
に加えて、このはんだ５６と銅チャンネル１４の組合せ
は電流のバイパス要素としても作用する。換言すれば、
この超伝導体が作動中超伝導状態から普通状態に変化し
たとき（即ち、この線２０がかなりの量の電流を輸送す
るとき）、この電流はこのはんだ５６と銅チャンネル１
４に流れ込むだろう。このバイパス能力を与えたことは
、もしそれがなければ起こるかもしれない、この超伝導
体の突発的破壊を防ぐためである。スクラバー６４で洗
った後、この超伝導体線２０は、輸送及びその後の使用
のために巻取りスプール６６に巻く。

【００２７】ここに図示し且つ詳細に開示した、超伝導
体繊維を銅チャンネルにはんだ付けするための特別な方
法は、目的を完全に達成し先に述べた利点を得ることが
できるが、それは単に本発明の現在好ましい実施例の例
示にすぎないこと及び前記の特許請求の範囲に記載する
以外、ここに示した構成や設計の詳細に如何なる制限も
意図しないことを理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法によってセラミック超伝導体繊維
を支持基体にはんだ付けして超伝導体線を製作するため
に必要な装置および部品の模式図。

【図２】図１の線２−２による、この装置の一部の断面
図。

【図３】この製作法の途中の図１の線３−３による、こ
の超伝導体線の一部の断面図。

【図４】この製作法の途中の図１の線４−４による、こ
の超伝導体線の一部の断面図。

【図５】本発明の方法による超伝導体線の製作のための
加熱段階の温度対時間のグラフ。

【符号の説明】

１２　　超伝導体繊維 １４　　チャンネル ２０　　超伝導体線 ２８　　溝 ３６　　はんだペースト

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　超伝導体繊維（１２）を溝（２８）が
   作られたチャンネル（１４）と接合するための方法であ
   って、（ａ）　超伝導体繊維（１２）を該チャンネル（
   １４）の該溝（２８）の中に位置づける工程、（ｂ）　
   フラックス成分と該超伝導体繊維（１２）を囲むための
   はんだ金属成分とを有するはんだペースト（３６）を該
   溝（２８）に充填する工程、（ｃ）　該フラックスを活
   性化するために該はんだペースト（３６）を加熱する工
   程、及び（ｄ）　該はんだ金属を溶融して該繊維（１２
   ）を該溶融はんだで囲むために該はんだペースト（３６
   ）を加熱する工程、を含む方法。
2. 【請求項２】　　請求項１記載の方法であって、更に該
   繊維（１２）を該はんだで包むために該溶融はんだを凝
   固する工程を含む方法。
3. 【請求項３】　　請求項１記載の方法に於いて、該はん
   だペースト（３６）がＳｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２のは
   んだを含む方法。
4. 【請求項４】　　請求項１記載の方法に於いて、該フラ
   ックスが有機酸ベースであり且つ水溶性残留分を有する
   方法。
5. 【請求項５】　　請求項４記載の方法であって、更に該
   水溶性フラックス残留分を４９℃乃至８２℃の温度範囲
   の熱湯ゆすぎで除去する工程を含む方法。
6. 【請求項６】　　請求項１記載の方法に於いて、該はん
   だペースト（３６）を約１３０℃乃至約２２０℃で約２
   秒間加熱する方法。
7. 【請求項７】　　請求項１記載の方法に於いて、該はん
   だペースト（３６）を約１３０℃の温度に予熱する方法
   。
8. 【請求項８】　　請求項１記載の方法に於いて、約２２
   ０℃の温度を約１乃至１０秒間維持する方法。
9. 【請求項９】　　請求項２記載の方法に於いて、該凝固
   工程を１乃至５秒間で達成する方法。
10. 【請求項１０】　　請求項１記載の方法に於いて、該繊
    維（１２）が銀で被覆されている方法。
11. 【請求項１１】　　請求項１記載の方法に於いて、該チ
    ャンネル（１４）がＵ字形であり且つ銅でできている方
    法。
12. 【請求項１２】　　請求項１記載の方法に於いて、該繊
    維（１２）がはんだペースト（３６）の層の中に複数の
    繊維と並置される方法。
13. 【請求項１３】　　請求項１記載の方法に於いて、この
    充填工程が流動性はんだペースト（３６）を連続的に充
    填することによって達成される方法。
14. 【請求項１４】　　請求項１記載の方法に於いて、この
    位置づけ工程が該超伝導体繊維（１２）を該チャンネル
    （１４）の該溝（２８）の中へ連続的に送ることによっ
    て達成される方法。
15. 【請求項１５】　　超伝導体材料（１２）を支持体（１
    ４）と接合するための方法であって、（ａ）　該超伝導
    体材料（１２）をフラックス成分と金属はんだ成分とを
    有するはんだペースト（３６）の中に埋込む工程、（ｂ
    ）　該埋込んだ超伝導体材料（１２）を該支持体（１４
    ）で支持する工程、（ｃ）　該フラックスを活性化する
    ため該はんだペーストを加熱する工程、及び（ｄ）　該
    はんだ金属成分を溶融して該材料（１２）を該溶融はん
    だで囲むために該はんだペースト（３６）を加熱する工
    程、を含む方法。
16. 【請求項１６】　　請求項１５記載の方法であって、更
    に該材料（１２）を該はんだで包むために該溶融はんだ
    を凝固する工程を含む方法。
17. 【請求項１７】　　請求項１５記載の方法において、該
    支持体が溝（２８）の作られているＵ字形の銅チャンネ
    ルであり、該超伝導体材料（１２）が該溝（２８）の中
    に配置されている方法。
18. 【請求項１８】　　請求項１５記載の方法に於いて、該
    フラックスを活性化するための該加熱工程及び該はんだ
    金属を溶融するための該加熱工程が約１３０℃から約２
    ２０℃への比較的急速な温度上昇の中で達成される方法
    。
19. 【請求項１９】　　請求項１８記載の方法に於いて、該
    比較的急速な温度上昇が約２秒の時間で達成される方法
    。
20. 【請求項２０】　　請求項１５記載の方法に於いて、該
    はんだペースト（３６）がＳｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２
    のはんだを含む方法。
21. 【請求項２１】　　請求項２０記載の方法に於いて、該
    フラックスが有機酸ベースであり且つ水溶性残留分を有
    する方法。
22. 【請求項２２】　　請求項２１記載の方法であって、更
    に該水溶性フラックス残留分を熱湯ゆすぎで除去する工
    程を含む方法。
23. 【請求項２３】　　溝（２８）のあるチャンネル（１４
    ）にはんだによって接合された超伝導体繊維（１２）を
    超伝導体線（２０）に於いて、該線（２０）が、（ａ）
    　超伝導体繊維（１２）を該チャンネル（１４）の該溝
    （２８）の中に位置づける工程、（ｂ）　フラックス成
    分と該超伝導体繊維（１２）を囲むためのはんだ金属成
    分とを有するはんだペースト（３６）を該溝（２８）に
    充填する工程、（ｃ）　該フラックスを活性化するため
    に該はんだペースト（３６）を加熱する工程、（ｄ）　
    該はんだ金属を溶融して該繊維（１２）を該溶融はんだ
    で囲むために該はんだペースト（３６）を加熱する工程
    、及び（ｅ）　該繊維（１２）を該はんだで包むために
    該溶融はんだを凝固する工程を含む方法で製作された超
    伝導体線。