JPH04264714A - レジスト塗布方法及びその装置 - Google Patents

レジスト塗布方法及びその装置

Info

Publication number
JPH04264714A
JPH04264714A JP2598491A JP2598491A JPH04264714A JP H04264714 A JPH04264714 A JP H04264714A JP 2598491 A JP2598491 A JP 2598491A JP 2598491 A JP2598491 A JP 2598491A JP H04264714 A JPH04264714 A JP H04264714A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
wafer
film thickness
substrate
applying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2598491A
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Shiba
正孝 芝
Yasuhiro Yoshitake
康裕 吉武
Minoru Yoshida
実 吉田
Akira Inagaki
晃 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2598491A priority Critical patent/JPH04264714A/ja
Publication of JPH04264714A publication Critical patent/JPH04264714A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の製
造工程において、ウエハ表面に露光用のレジストを塗布
するに適したレジスト塗布方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、半導体集積回路の製造では、回路
形成法として、レジストを用いた写真蝕刻技術(フォト
リソグラフィ)が広く用いられている。この技術は、ウ
エハ表面上にレジストを塗布して塗膜を作り、紫外線を
用いてこれにマスクパターンの像を投影露光することに
よりレジストを部分的に感光させ、さらに現像処理を経
ることによりエッチング等の加工対象部分を露出させ、
加工を限定した領域で行わせることにより微細パターン
を形成するものである。
【0003】レジストの塗布は従来、図2のようにスピ
ン方法により行われていた。即ち、ウエハ保持板5、回
転軸6、真空孔7より成り立つスピンナ4上にウエハ1
を搭載し、上方のノズル3よりレジスト2を滴下しなが
ら、スピンナ4を高速回転させることにより、遠心力を
利用しレジスト2をウエハ1の外周方向に向けて拡げる
ものである。そして、回転速度や回転時間等を制御して
、均一な塗布を実現しようとしている。
【0004】しかしながら、この従来の方法では、(1
)レジスト塗布膜厚の放射状(半径r)方向変化(図3
)、(2)レジストの粘度に起因する脈理(ストリエー
ション)の発生(図4)、等のマクロやミクロの膜厚変
動が発生し、露光現像後に形成されるパターン寸法精度
を悪化させる原因となっていた。そこで、特開昭60−
74624号公報のようにスピンナに逆回転を加えたり
、特開昭60−130830号公報のように遊星歯車を
用いて、ウエハを水平面内で公転、自転の両方をさせる
といった方策が考案され、ウエハ全面にわたるレジスト
膜厚の均一化や脈理の低減に役立てられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これら上記
従来手法は、十分なパターン寸法精度を得ることを目的
としていたため、放射状の膜厚変化といったマクロ的な
、あるいは、脈理のようにミクロ的な塗布膜厚変動の改
善は、均一性何パーセント以内といった仕様の範囲内で
行なわれていた。ところで、最近の半導体集積回路のパ
ターン微細化に伴ない、レジストの膜厚変動は、単にパ
ターン寸法精度に影響を与えるだけでなく、露光時のア
ライメントに対しても、その精度に大きな影響を及ぼす
ようになってきた。
【0006】しかしながら、従来のレジスト塗布方法で
は、レジストの非対称な膜厚変動を押えて高精度なアラ
イメントを行う点について十分考慮されていなかった。
【0007】本発明の目的は、このアライメント精度に
影響を与えるアライメントマークの周辺における局所的
かつマーク中心に対して非対称なレジストの膜厚変動の
低減を図ることにあり、そのために最適なレジスト塗布
方法及びその装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明ではスピンナ上へレジストを滴下し、スピン
ナの遠心力にてウエハ表面にほぼ均一に塗布する工程か
ら、レジスト内に含まれる溶剤が気化する乾燥工程に至
る間に、レジストの局所的塗布膜厚変動を解消する作用
を付加した。
【0009】このレジストの局所的膜厚変動を解消は、
ウエハ表面に対して、垂直もしくは、求心的な力又は加
速度を加えることにより実現され、空気流のくさび効果
、ウエハ面に垂直方向に加わる遠心力等の手段をとるこ
とで可能になる。
【0010】
【作用】図7のようなレジストの局所的な膜厚変動は、
アライメントマーク等のウエハ上の凹凸部に粘性を有す
るレジストを塗布する際に、スピンナの遠心力でレジス
トがウエハに対して放射状に流れるため、凹凸部の片側
で、レジストの溜りが生じることにより発生する。これ
までのレジスト塗布方式では、レジストの空気側の表面
21が何らの拘束もない自由開放状態にあったために、
上記局所的な膜厚変動の解消を図ることができなかつた
。本発明は、図8に示すようにこの無拘束のレジスト2
の空気側表面21に、垂直もしくは求心方向に力pもし
くは、加速度gを加えることにより、粘性流体であるレ
ジスト2の表面張力を減少させ、レジストの表面21の
凹凸を低減させ22のように平坦化することを特徴とす
る。そして、その結果として、レジストの局所的な膜厚
変動を無くし、アライメント検出系における検出信号の
アライメントマーク中心に対する非対称性を解消し、高
精度にアライメントを実現することができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図を用いて
説明する。
【0012】図1は、本発明の第1の実施例である。こ
の実施例では、ウエハ表面に対して垂直あるいは求心方
向の力を加えることにより、レジストの局所的膜厚変動
の解消を図ろうとするものであり、力の発生を空気流中
のくさび効果を利用して行っている。
【0013】ウエハ1は、ウエハ保持板5、回転軸6、
真空孔7から成るスピンナ4上に置かれている。ウエハ
1の上方には、レジストを滴下するノズル3に加えて、
上下方向に動くガイド26とアクチュエータ25を有す
る上下動機構24に取り付けられた、くさびスクリュー
板28がある。図12に示すシーケンスに従い動作を説
明する。まず、スピンナ4にウエハ1をロード(50)
し、ノズル3よりレジスト2を滴下する際(51)には
、くさびスクリュー板28は上方に退避した状態に置か
れる。スピンナ4によりウエハ上にほぼ一様にレジスト
が塗布されると、局所的膜厚変動の解消を行うため、く
さびスクリュー板28が下降する(52)。ウエハは、
局所的膜厚変動解消後、乾燥モード(53)に入るが、
この際にも、くさびスクリュー板28は上方に退避する
。乾燥後、アンロード(54)されたウエハ1は、さら
にベークから露光の工程へと送られる。
【0014】図9,図10は、くさびスクリュー板28
のくさび部分29のパターンを示したものであり、又、
図11は、くさび部分29の円周に沿った方向の断面状
態を拡大したものである。図11のように傾斜するくさ
び表面30を有するくさびスクリュー板28を、レジス
ト2を塗布したウエハ1に接近された時、ウエハ1が3
1の方向に高速回転していると、流体(空気)のくさび
効果により、表面にほぼ垂直に力p1が発生し、レジス
ト表面の平坦化が行われる。
【0015】図9のように、くさび部分29のパターン
が放射状の場合、内外周で力p1,p2の方向は共に円
周方向を向き、ウエハの内外周で、くさび表面30とウ
エハ1の間隔hが等しい場合、ウエハ1の風速が内外周
で異なるため、外周に位置するほど、発生する力が大き
くなり、平坦化の効果が大きくなる。ただし、レジスト
の粘度が小さい場合には、くさび表面30とウエハ1の
間隔hを半径方向にそって変化させて、内外周で発生す
る力の大きさを変化させる必要がある。
【0016】図10のように、くさび部分29のパター
ンがらせん状のように描かれる場合には、内外周で発生
する力p1,p2の方向は図9の場合に比べて求心的に
なり、スピンナの遠心力によるレジストの流れに逆らう
ことにより局所的膜厚変動の解消を行うことができる。 また、半径方向に沿った力の大きさは、図9で述べたと
同様、くさび表面30とウエハ1の間隔hを半径方向に
そって変化させることによって制御することができる。 尚、このように求心的な力を加えると、脈理による局所
的膜厚変動の解消にも効果的である。
【0017】図13は、本発明の第2の実施例を示した
ものである。この方法では、ウエハのレジスト表面に垂
直方向の加速度を加えることにより、レジストの局所的
膜厚変動の解消を図っている。即ち、第1のモータ61
、第1の回転軸62、真空チャック機能を有するウエハ
保持板5からなるスピンナユニット63と、カバー64
、レジスト滴化用ノズル3を第1のアーム65で支持し
た自転機構60と、第2のモータ71、第2の回転軸7
2、カウンタバランス73、第2のアーム74から成る
公転機構70を、自在継手75でつないだ構造をとる。
【0018】図12のシーケンスにおけるレジスト滴下
、塗布工程(51)では、第2のモータ71の回転を止
めておく。この時、自転機構60は、自重で下がり、ウ
エハ1の表面は水平になる。この状態で、第1のモータ
61を回転させ、ノズル3よりレジスト2を滴下すると
、ウエハ1上に従来同様、レジスト2の塗膜が形成され
る。塗布工程51から乾燥工程53に至る途中で、第2
のモータ71を高速回転させると、自転機構60には遠
心力が働き60′の破線で示すように、自在継手75を
軸にして傾斜する。従って、ウエハ表面には、遠心力に
よる表面に垂直な加速度gが加わることになり、乾燥前
の以前として粘性を有するレジスト2の表面の平坦化を
することができる。
【0019】この例では、ウエハを枚葉処理するために
、カウンタバランス73を設けたが、実施にあたっては
、第2の回転軸72に複数の第2のアーム74を介して
複数の自転機構を接続するウエハのバッチ処理方法を採
用しても差し支えない。
【0020】尚、第1,第2の実施例ではノズル3のみ
を表示したが、実際には、レジストタンク、ポンプ、配
管系を有するのは自明である。
【0021】以上に説明したようにウエハ1上にレジス
トを塗布して図8に点線22で示すようにレジスト表面
を平坦化した(局所的膜厚変動解消した)後、図12に
示すように乾燥モード53に入り、乾燥後、アンロード
54されたウエハ1は、更にベーク工程をへて次に説明
する投影式露光装置に搬入され、アライメントされて投
影露光される。
【0022】図5に、投影式露光装置であるステッパの
概略構成を示す。マスク11のパターン16を、照明系
10の紫外線を用い、投影レンズ12を介して、ウエハ
1上にチップ14毎に投影露光する際に、例えばウエハ
1上に、1チップ毎アライメントマーク15を設けてお
き、これを、アライメント検出系13a,13bで検出
し、マスクとウエハの位置を修正するのがアライメント
である。図6はアライメントマーク15の付近を拡大し
たもので、この例では、長手の矩形パターンが用いられ
ている。尚、17はアライメント用の光束である。この
アライメントマーク15の断面構造を図7に示すが、エ
ッチング等により通常は多層構造の下地19を有するウ
エハ1の一部を加工して、凹凸構造のマーク15を設け
ており、これをアライメント検出系13a,13bで検
出する。一般に、アライメント検出系の精度は、最小パ
ターン寸法の数分の1といわれており、例えば、0.5
μmの最小パターン寸法に対しては、0.1μmのアラ
イメント精度が必要とされる。このようなアライメント
マーク15の上に、前記に説明したとおり、図8に示す
ように表面を平坦化されたレジストが塗布されているた
め、アライメント検出系13a,13bから検出される
検出信号は、光透過性を有するレジスト内での多重干渉
後の反射光量に基づくものであるので対称性は確保でき
る。そしてこのようにアライメント検出系13a,13
bから対称性が確保された検出信号が得られるため、対
称軸がアライメントマーク15の中心位置と一致するこ
とになり、高精度のアライメントを実現することができ
る。例えば、アライメントマーク15の長手方向が投影
レンズ12の光軸に向いていれば、更に、効果が顕著と
なる。
【0023】
【発明の効果】以上、本発明によれば、ウエハ上にレジ
ストを塗布する際に、アライメントマーク等、ウエハの
凹凸部分の近傍での局所的レジスト膜厚変動を押さえる
ことができるため、アライメント系の精度を向上させる
ことができるとともに、ウエハ上に形成される回路等の
パターン寸法をこれまで以上に精度よく制御できる。し
たがって、特にパターン寸法が微細化される傾向に半導
体集積回路の製造歩留まり向上に効果があり、その結果
としてのコスト低減にも役立つ。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るレジスト塗布装置の第1の実施例
を示した側断面図である。
【図2】従来のレジスト塗布装置を示した側断面図であ
る。
【図3】レジストのマクロな膜厚変動を示した側断面図
である。
【図4】レジスト表面の脈理を示した図である。
【図5】本発明に係る露光装置とアライメント検出系の
関係を示す斜視図である。
【図6】アライメントマークの形状を示す斜視図である
【図7】アライメントマークとレジスト局所的膜厚変動
の関係を示す断面図である。
【図8】本発明の原理であるアライメントマーク上での
レジスト表面の平坦化現象を説明するための断面図であ
る。
【図9】図1に示すくさびスクリュー板に形成された放
射状くさびパターンを示す正面図である。
【図10】図1に示すくさびスクリュー板に形成された
らせん状くさびパターンを示す正面図である。
【図11】図1に示すくさび部の円周方向に沿った拡大
断面図である。
【図12】本発明に係るレジスト塗布シーケンスを示す
図である。
【図13】本発明に係るレジスト塗布装置の第2の実施
例を示した側断面図である。
【符号の説明】
1…ウエハ、2…レジスト、3…ノズル、4…スピンナ
、15…アライメントマーク、28…くさびスクリュー
板、60…自転機構、70…公転機構。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板にレジストを塗布する方法において、
    スピンナを用いてレジストを滴下、塗布した後、乾燥に
    到るまでの間に、基板上のレジスト表面にほぼ垂直もし
    くは求心的な力又は加速度を加えることにより、レジス
    トの局所的膜厚変動を解消することを特徴とするレジス
    ト塗布方法。
  2. 【請求項2】上記レジスト表面に垂直もしくは求心的な
    力を加えることを、くさび表面を有するスクリュー板を
    基板に接近させ、2回転させることにより、スクリュー
    板表面とレジスト表面の間に存在する空気流のくさび効
    果により行うことを特徴とする請求項1記載のレジスト
    塗布方法。
  3. 【請求項3】上記レジスト表面に垂直方向加速度を加え
    ることを、上記基板を回転させて遠心力を発生させて行
    うことを特徴とする請求項1記載のレジスト塗布方法。
  4. 【請求項4】基板にレジストを塗布する装置において、
    基板上にレジストを滴下して塗布するスピンナ手段と、
    基板上に塗布されたレジスト表面にほぼ垂直もしくは求
    心的な力又は加速度を加えてレジストの膜厚を均一化さ
    せるレジスト膜厚均一化手段とを備えたことを特徴とす
    るレジスト塗布装置。
  5. 【請求項5】上記レジスト膜厚均一化手段として、レジ
    スト表面の間に存在する空気流のくさび効果を生ぜしめ
    るように基板に接近して回転するくさび表面を有するス
    クリュー板を備えたことを特徴とする請求項4記載のレ
    ジスト塗布装置。
  6. 【請求項6】上記レジスト膜厚均一化手段として、上記
    基板を回転させて遠心力を発生させてレジスト表面に加
    速度を加えるように構成した手段を備えたことを特徴と
    する請求項4記載のレジスト塗布装置。
JP2598491A 1991-02-20 1991-02-20 レジスト塗布方法及びその装置 Pending JPH04264714A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2598491A JPH04264714A (ja) 1991-02-20 1991-02-20 レジスト塗布方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2598491A JPH04264714A (ja) 1991-02-20 1991-02-20 レジスト塗布方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04264714A true JPH04264714A (ja) 1992-09-21

Family

ID=12180982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2598491A Pending JPH04264714A (ja) 1991-02-20 1991-02-20 レジスト塗布方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04264714A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4040697B2 (ja) 高効率フォトレジストコーティング
WO2007013540A1 (ja) マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法
JP2016134444A (ja) 露光装置、露光システム、および物品の製造方法
TWI387846B (zh) 光罩坯片及其製法
US7238454B2 (en) Method and apparatus for producing a photomask blank, and apparatus for removing an unnecessary portion of a film
WO2014108039A1 (zh) 一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法及光刻工艺
KR100317217B1 (ko) 레지스트현상방법
JPH11233423A (ja) 露光用シャッタおよび露光装置ならびにディバイス製造方法
JPH04264714A (ja) レジスト塗布方法及びその装置
JPH11233406A (ja) 基板処理方法及びその装置
KR100366615B1 (ko) 케미컬 공급노즐을 구비한 스피너장비, 이를 이용한 패턴형성방법 및 식각 방법
KR100724188B1 (ko) 반도체 스피너 설비
JP2010212270A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04291914A (ja) ウエハ上の不要レジスト露光方法
JPH02219213A (ja) レジスト塗布装置
JP3582038B2 (ja) 現像方法及び露光装置
JPH07161628A (ja) 周辺露光装置
JPH09260276A (ja) 塗布方法および塗布装置
JPH0574681A (ja) 縮小投影露光装置
KR20000014431U (ko) 감광막 도포 장비
CN116430690A (zh) 光刻显影方法及半导体结构
KR101034695B1 (ko) 스핀 코터 노즐 시스템
KR20050035448A (ko) 포토레지스트의 코팅 상태를 모니터링할 수 있는 에지노광 장치 및 이를 이용한 사진 공정의 운용 방법
JP2011100065A (ja) ペリクル膜の製造方法および装置
JP2011158814A (ja) ペリクル膜の製造方法および装置