JPH04262352A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH04262352A JPH04262352A JP3022052A JP2205291A JPH04262352A JP H04262352 A JPH04262352 A JP H04262352A JP 3022052 A JP3022052 A JP 3022052A JP 2205291 A JP2205291 A JP 2205291A JP H04262352 A JPH04262352 A JP H04262352A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム装置、詳し
くは、試料(例えばLSIチップ)からの2次電子のエ
ネルギーを分析して当該試料の内部電圧を測定する装置
に係り、特に、キャビティダウン(以下、CD)型パッ
ケージのLSI測定に有効な装置に関する。
くは、試料(例えばLSIチップ)からの2次電子のエ
ネルギーを分析して当該試料の内部電圧を測定する装置
に係り、特に、キャビティダウン(以下、CD)型パッ
ケージのLSI測定に有効な装置に関する。
【0002】近年、半導体集積回路の内部電圧を観測す
る装置として、電子ビームを利用したものが実用化され
ている。この装置は、微小断面に絞り込んだ電子ビーム
を試料表面に照射し、その試料表面からの2次電子の運
動(特に速度)エネルギーを分析して、当該試料の内部
電圧を測定する。きわめて微細な部分の電圧を正確に測
定でき、特に、集積密度が高い大規模集積回路の動作解
析に威力を発揮する。
る装置として、電子ビームを利用したものが実用化され
ている。この装置は、微小断面に絞り込んだ電子ビーム
を試料表面に照射し、その試料表面からの2次電子の運
動(特に速度)エネルギーを分析して、当該試料の内部
電圧を測定する。きわめて微細な部分の電圧を正確に測
定でき、特に、集積密度が高い大規模集積回路の動作解
析に威力を発揮する。
【0003】2次電子の捕捉は、電子ビーム装置の鏡筒
(構成は後述)に取り付けたエネルギー分析器で行う。 エネルギー分析器と試料との距離は、測定精度やS/N
(信号/雑音)比の面からできるだけ近いことが求めら
れる。一般に、ミリメートルもしくはそれ以下のオーダ
である。
(構成は後述)に取り付けたエネルギー分析器で行う。 エネルギー分析器と試料との距離は、測定精度やS/N
(信号/雑音)比の面からできるだけ近いことが求めら
れる。一般に、ミリメートルもしくはそれ以下のオーダ
である。
【0004】ところで、LSIのパッケージの種類とし
て、ピンの取り出し側にチップを取り付ける「CD型」
がある。すなわち、多くのパッケージがチップ取り付け
面の裏側にピンを突出しているのに対して、このCD型
では、チップ取り付け側にピンを突出している。
て、ピンの取り出し側にチップを取り付ける「CD型」
がある。すなわち、多くのパッケージがチップ取り付け
面の裏側にピンを突出しているのに対して、このCD型
では、チップ取り付け側にピンを突出している。
【0005】かかるCD型を上記の電子ビーム装置に装
着した場合、エネルギー分析器とチップの距離が遠くな
り、測定精度やS/N比の面で不都合を生ずる。これは
、エネルギー分析器とチップとの間にLSIソケットが
介在するからで、このソケットの分だけ両者を離さなけ
ればならないからである。
着した場合、エネルギー分析器とチップの距離が遠くな
り、測定精度やS/N比の面で不都合を生ずる。これは
、エネルギー分析器とチップとの間にLSIソケットが
介在するからで、このソケットの分だけ両者を離さなけ
ればならないからである。
【0006】
【従来の技術】CD型の測定に有効な従来技術として、
例えば図2(図3:その要部の詳細図)に示すものがあ
る。図2、図3において、10は鏡筒であり、鏡筒10
の内部には電子銃11や対物レンズ12などが備えられ
ると共に、鏡筒10の電子ビーム出口付近に、エネルギ
ー分析器13および筒状電極14が備えられている。
例えば図2(図3:その要部の詳細図)に示すものがあ
る。図2、図3において、10は鏡筒であり、鏡筒10
の内部には電子銃11や対物レンズ12などが備えられ
ると共に、鏡筒10の電子ビーム出口付近に、エネルギ
ー分析器13および筒状電極14が備えられている。
【0007】なお、15はLSIパッケージ、16はチ
ップ、17はソケット、18はプリント基板であり、チ
ップ16には、プリント基板18およびソケット17を
介して各種の信号(電源や入出力信号など)が与えられ
ている。これにより、チップ16を実際に動作させるこ
とができる。
ップ、17はソケット、18はプリント基板であり、チ
ップ16には、プリント基板18およびソケット17を
介して各種の信号(電源や入出力信号など)が与えられ
ている。これにより、チップ16を実際に動作させるこ
とができる。
【0008】今、動作中のチップ16に対して、電子銃
11から電子ビームEBを照射すると、チップ16の表
面に不均一ではあるが大きな電界が印加される。これは
、エネルギー分析器13と同電位の筒状電極14の先端
が、チップ16の間近に位置しているからである。
11から電子ビームEBを照射すると、チップ16の表
面に不均一ではあるが大きな電界が印加される。これは
、エネルギー分析器13と同電位の筒状電極14の先端
が、チップ16の間近に位置しているからである。
【0009】従って、ソケット17の存在にも拘らず(
言い替えればチップ16とエネルギー分析器13の距離
が離れていても)、2次電子の捕捉効率を向上でき、測
定精度やS/N比の面で好ましいものとすることができ
る。
言い替えればチップ16とエネルギー分析器13の距離
が離れていても)、2次電子の捕捉効率を向上でき、測
定精度やS/N比の面で好ましいものとすることができ
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の電子ビーム装置にあっては、筒状電極14が鏡筒
側に取り付けられていたため、以下に述べる理由から、
筒状電極の断面開口面積をあまり大きくすることができ
ず、2次電子の捕捉効率を一層向上するといった面で問
題点があった。
従来の電子ビーム装置にあっては、筒状電極14が鏡筒
側に取り付けられていたため、以下に述べる理由から、
筒状電極の断面開口面積をあまり大きくすることができ
ず、2次電子の捕捉効率を一層向上するといった面で問
題点があった。
【0011】チップ16の内部電圧測定は、チップの中
央部だけでなくその周辺領域に対しても行われる。周辺
領域を測定対象とする場合は、鏡筒部10とチップ16
とを相対的に動かし、筒状電極14をチップ16の周辺
部に位置させる必要がある。
央部だけでなくその周辺領域に対しても行われる。周辺
領域を測定対象とする場合は、鏡筒部10とチップ16
とを相対的に動かし、筒状電極14をチップ16の周辺
部に位置させる必要がある。
【0012】このとき、筒状電極14が大きすぎると、
プリント基板17またはソケット17などと接触する恐
れがあり、両者の電位の違いから電圧ショートを引き起
こす。これを回避するには、チップ16の周辺部の測定
が可能で、且つ、接触が起こらない程度の開口断面にす
る必要がある。
プリント基板17またはソケット17などと接触する恐
れがあり、両者の電位の違いから電圧ショートを引き起
こす。これを回避するには、チップ16の周辺部の測定
が可能で、且つ、接触が起こらない程度の開口断面にす
る必要がある。
【0013】すなわち、チップの周辺領域の大きさに配
慮して充分に小さな開口断面積に設定しなければならな
いから、筒状電極14を通過する2次電子が少なくなっ
てしまい、エネルギー分析器13の捕捉効率を向上でき
ないのである。
慮して充分に小さな開口断面積に設定しなければならな
いから、筒状電極14を通過する2次電子が少なくなっ
てしまい、エネルギー分析器13の捕捉効率を向上でき
ないのである。
【0014】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、筒状電極の取り付け位置を工夫することに
より、ショート等を引き起こすことなく、開口断面積を
大きくでき、2次電子の捕捉効率をより一層向上するこ
とを目的としている。
れたもので、筒状電極の取り付け位置を工夫することに
より、ショート等を引き起こすことなく、開口断面積を
大きくでき、2次電子の捕捉効率をより一層向上するこ
とを目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、電子銃で発生した電子ビームを所定電位
のメッシュ電極を介して試料上に導き、該試料からの2
次電子のエネルギーを分析して当該試料の内部電圧を測
定する電子ビーム装置であって、前記メッシュ電極と同
電位、且つ、前記2次電子の通路上に配置された筒状電
極を具備する電子ビーム装置において、前記試料を保持
すると共に前記メッシュ電極に対して相対的な移動が可
能な保持部材に、前記筒状電極を取り付けたことを特徴
とし、好ましくは、前記筒状電極に接近して偏向磁界発
生手段を配置し、該磁界発生手段の発生磁界を、電子ビ
ームの光軸と筒状電極との位置関係に対応して補正する
ことを特徴とする。
成するために、電子銃で発生した電子ビームを所定電位
のメッシュ電極を介して試料上に導き、該試料からの2
次電子のエネルギーを分析して当該試料の内部電圧を測
定する電子ビーム装置であって、前記メッシュ電極と同
電位、且つ、前記2次電子の通路上に配置された筒状電
極を具備する電子ビーム装置において、前記試料を保持
すると共に前記メッシュ電極に対して相対的な移動が可
能な保持部材に、前記筒状電極を取り付けたことを特徴
とし、好ましくは、前記筒状電極に接近して偏向磁界発
生手段を配置し、該磁界発生手段の発生磁界を、電子ビ
ームの光軸と筒状電極との位置関係に対応して補正する
ことを特徴とする。
【0016】
【作用】本発明では、試料を保持する保持部材(例えば
従来例のプリント基板が相当)に、筒状部材が取り付け
られる。
従来例のプリント基板が相当)に、筒状部材が取り付け
られる。
【0017】従って、試料と筒状部材との間では相対的
な位置変化がないから、移動に伴うショート問題を回避
でき、筒状部材の開口面積を充分に拡大して、2次電子
の捕捉効率を一層向上することができ、
な位置変化がないから、移動に伴うショート問題を回避
でき、筒状部材の開口面積を充分に拡大して、2次電子
の捕捉効率を一層向上することができ、
【0018】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1は本発明に係る電子ビーム装置の一実施例を示す図で
あり、従来例の図3に対応する部分の図である。
1は本発明に係る電子ビーム装置の一実施例を示す図で
あり、従来例の図3に対応する部分の図である。
【0019】図1において、20は鏡筒(図示略)に取
り付けられた対物レンズ、21は鏡筒の電子ビーム出口
付近に取り付けられたメッシュ電極であり、このメッシ
ュ電極21はエネルギー分析器の一部を構成している。
り付けられた対物レンズ、21は鏡筒の電子ビーム出口
付近に取り付けられたメッシュ電極であり、このメッシ
ュ電極21はエネルギー分析器の一部を構成している。
【0020】メッシュ電極21の近くには、保持手段と
してのプリント基板22が配置されており、プリント基
板22は図示しないXYステージに固定されている。な
お、XYステージは当該プリント基板22を載置したま
までX−Y方向に微細移動が可能である。
してのプリント基板22が配置されており、プリント基
板22は図示しないXYステージに固定されている。な
お、XYステージは当該プリント基板22を載置したま
までX−Y方向に微細移動が可能である。
【0021】プリント基板22の2面のうち、鏡筒を臨
む側の面には絶縁体23が固定されており、また、他方
側の面にはソケット24が固定されている。ソケット2
4には、キャビティダウン(CD)型のLSIパッケー
ジ25が脱着自在に取り付けられており、パッケージ2
5のピン側凹部内にはチップ(試料)26が装着されて
いる。
む側の面には絶縁体23が固定されており、また、他方
側の面にはソケット24が固定されている。ソケット2
4には、キャビティダウン(CD)型のLSIパッケー
ジ25が脱着自在に取り付けられており、パッケージ2
5のピン側凹部内にはチップ(試料)26が装着されて
いる。
【0022】チップ26は、リード27、ピン28、ソ
ケット24およびプリント基板22を介して外部の制御
装置(図示略)に接続され、この制御装置からの各種信
号(電源や入出力信号など)が印加されるようになって
いる。
ケット24およびプリント基板22を介して外部の制御
装置(図示略)に接続され、この制御装置からの各種信
号(電源や入出力信号など)が印加されるようになって
いる。
【0023】一方、絶縁体23には、筒状電極30の鍔
部30aが固定されており、筒状電極30の本体部分3
0bは、プリント基板22およびソケット24の各開口
部22a、24aに内装されている。
部30aが固定されており、筒状電極30の本体部分3
0bは、プリント基板22およびソケット24の各開口
部22a、24aに内装されている。
【0024】ここで、内装の留意点は、本体部分30b
とプリント基板22、またはソケット24とが接触しな
いことである。従って、筒状電極30の外径サイズを、
開口部22a、24aの内径サイズに極めて近づけるこ
とができ、筒状電極30の開口断面積を拡大できる。
とプリント基板22、またはソケット24とが接触しな
いことである。従って、筒状電極30の外径サイズを、
開口部22a、24aの内径サイズに極めて近づけるこ
とができ、筒状電極30の開口断面積を拡大できる。
【0025】なお、筒状電極30とメッシュ電極21は
、ケーブル31、32を介して図外の電圧発生源に接続
されており、例えば+500V〜+1000Vもの高圧
直流電圧(eV)が印加されている。
、ケーブル31、32を介して図外の電圧発生源に接続
されており、例えば+500V〜+1000Vもの高圧
直流電圧(eV)が印加されている。
【0026】また、筒状電極30を包囲して上下一対の
補正コイル33、34が設けられており、この補正コイ
ル33、34には、駆動回路35からの駆動電圧が供給
されるようになっている。補正コイル33、34の役目
は、筒状電極30の電界によって曲げられた2次電子の
光軸を、電子ビームの光軸に戻すためのものである。
補正コイル33、34が設けられており、この補正コイ
ル33、34には、駆動回路35からの駆動電圧が供給
されるようになっている。補正コイル33、34の役目
は、筒状電極30の電界によって曲げられた2次電子の
光軸を、電子ビームの光軸に戻すためのものである。
【0027】駆動回路35は、所定の制御信号dx、d
yを電流/電圧増幅して補正コイル33、34を駆動す
る。この制御信号dx、dyは図示しない制御装置にお
いて次式■■に示す演算式に従って生成される。
yを電流/電圧増幅して補正コイル33、34を駆動す
る。この制御信号dx、dyは図示しない制御装置にお
いて次式■■に示す演算式に従って生成される。
【0028】
dx ∝ k・Δx/A ……■
dy ∝ k・Δy/A ……■
但し、A=√B
B=(Δx)2+(Δy)2
すなわち、式からも明らかなように、dx、dyは、電
子ビームの光軸に対し、筒状電極30がどの程度偏心し
ているかを示す量(X方向:Δx、Y方向:Δy)に応
じて変化する。したがって、2次電子の光軸の曲がりに
応じた補正磁界を発生させることができ、電子ビームの
光軸と略一致させることができる。
子ビームの光軸に対し、筒状電極30がどの程度偏心し
ているかを示す量(X方向:Δx、Y方向:Δy)に応
じて変化する。したがって、2次電子の光軸の曲がりに
応じた補正磁界を発生させることができ、電子ビームの
光軸と略一致させることができる。
【0029】なお、補正コイル33、34の磁界は電子
ビームに対しても作用するが、電子ビームのエネルギー
は2次電子に比べて充分に高いので、光軸が曲がる心配
はない。
ビームに対しても作用するが、電子ビームのエネルギー
は2次電子に比べて充分に高いので、光軸が曲がる心配
はない。
【0030】以上述べたように、本実施例によれば、筒
状電極30をプリント基板22側に取り付けたので、筒
状電極30とプリント基板22、または、筒状電極30
とソケット24の位置関係を固定とすることができる。
状電極30をプリント基板22側に取り付けたので、筒
状電極30とプリント基板22、または、筒状電極30
とソケット24の位置関係を固定とすることができる。
【0031】従って、従来例のように、筒状電極30と
チップ26とが相対移動しないから、組み付け時に、筒
状電極30とプリント基板22(またはソケット24)
とが接触しない程度に、可能な限り筒状電極30の開口
断面積を拡大できる。
チップ26とが相対移動しないから、組み付け時に、筒
状電極30とプリント基板22(またはソケット24)
とが接触しない程度に、可能な限り筒状電極30の開口
断面積を拡大できる。
【0032】この結果、チップ26の表面からの2次電
子を余すことなく導くことができ、スリット電極(エネ
ルギー分析器)21での捕捉効率を格段に向上すること
ができる。
子を余すことなく導くことができ、スリット電極(エネ
ルギー分析器)21での捕捉効率を格段に向上すること
ができる。
【0033】しかも、上記実施例では、補正コイル33
、34の磁界によって2次電子の光軸を元(電子ビーム
の光軸上)に戻すので、上記捕捉効率をさらに高めるこ
とができ、両者が相まって、より一層の測定精度向上、
および、S/N比向上を図ることができる。
、34の磁界によって2次電子の光軸を元(電子ビーム
の光軸上)に戻すので、上記捕捉効率をさらに高めるこ
とができ、両者が相まって、より一層の測定精度向上、
および、S/N比向上を図ることができる。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば、筒状電極の取り付け位
置を工夫したので、ショート等を引き起こすことなく、
開口断面積を大きくでき、2次電子の捕捉効率をより一
層向上することができる。
置を工夫したので、ショート等を引き起こすことなく、
開口断面積を大きくでき、2次電子の捕捉効率をより一
層向上することができる。
【図1】一実施例の要部断面図である。
【図2】従来例の概念構成図である。
【図3】従来例の要部断面図である。
11:電子銃
21:メッシュ電極
22:プリント基板(保持部材)
26:チップ(試料)
30:筒状電極
Claims (2)
- 【請求項1】電子銃で発生した電子ビームを所定電位の
メッシュ電極を介して試料上に導き、 該試料からの
2次電子のエネルギーを分析して当該試料の内部電圧を
測定する電子ビーム装置であって、前記メッシュ電極と
同電位、且つ、前記2次電子の通路上に配置された筒状
電極を具備する電子ビーム装置において、前記試料を保
持すると共に前記メッシュ電極に対して相対的な移動が
可能な保持部材に、前記筒状電極を取り付けたことを特
徴とする電子ビーム装置。 - 【請求項2】前記筒状電極に接近して偏向磁界発生手段
を配置し、該磁界発生手段の発生磁界を、電子ビームの
光軸と筒状電極との位置関係に対応して補正することを
特徴とする請求項1記載の電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3022052A JPH04262352A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3022052A JPH04262352A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04262352A true JPH04262352A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=12072150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3022052A Pending JPH04262352A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04262352A (ja) |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP3022052A patent/JPH04262352A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991214 |