JPH04261872A - Method for trimming resistor for thin film thermal head - Google Patents

Method for trimming resistor for thin film thermal head

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JPH04261872A
JPH04261872A JP3005295A JP529591A JPH04261872A JP H04261872 A JPH04261872 A JP H04261872A JP 3005295 A JP3005295 A JP 3005295A JP 529591 A JP529591 A JP 529591A JP H04261872 A JPH04261872 A JP H04261872A
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resistance value
trimming
pulse
heating resistor
thermal head
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士郎 田中
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Abstract

PURPOSE:To provide a method for trimming a resistor for a thin film thermal head highly accurate toward the target resistance, capable of adjusting the resistance and good in operational efficiency. CONSTITUTION:In adjusting the resistance of a thin film resistance layer contained in a thermal head by applying thereto a predetermined electric power and trimming pulses for a predetermined time, the target range relatively close to the target resistance and an allowable range relatively wider than the target range are set. The resistance is adjusted so as to be within the target range. In a case where an excessive adjusting operation is required, however, the trimming is considered as a success, if the resistance is at least within the allowable range. Therefore, this can prevent the possibility of rejecting and discarding the thermal head having the resistance variations outside the target range but within the allowable range and free from other defects.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッドにおい
て薄膜技術により形成される発熱抵抗体の抵抗値を調整
する抵抗体トリミング方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resistor trimming method for adjusting the resistance value of a heating resistor formed by thin film technology in a thermal head.

【0002】0002

【従来の技術】各種印画出力装置に用いられるサーマル
ヘッドは、ヘッド基板上に複数の発熱抵抗体が形成され
、この発熱抵抗体が選択的に電力付勢されて感熱印画が
行われる。サーマルヘッドにおいて印加時における濃度
むらなどを生じる抵抗値のバラツキには、下記の3種類
がある。
2. Description of the Related Art A thermal head used in various printing output devices has a plurality of heating resistors formed on a head substrate, and the heating resistors are selectively energized with electric power to perform thermal printing. There are the following three types of resistance value variations that cause density unevenness during application in a thermal head.

【0003】(1)ヘッド間のバラツキ、すなわち同一
規格のサーマルヘッドであっても、各ヘッド毎の平均抵
抗値にバラツキが生じる。
(1) Variations among heads: Even if thermal heads are of the same standard, variations occur in the average resistance value of each head.

【0004】(2)ヘッド内のバラツキ、すなわち単一
のサーマルヘッド内における発熱抵抗体の抵抗値のバラ
ツキである。
(2) Intra-head variation, ie, variation in the resistance value of the heating resistor within a single thermal head.

【0005】(3)隣接ドット間のバラツキ、すなわち
単一のサーマルヘッド内の隣接する発熱抵抗体間のバラ
ツキ。
(3) Variation between adjacent dots, ie, variation between adjacent heating resistors within a single thermal head.

【0006】ここで厚膜サーマルヘッドにおいて、発熱
抵抗体はペースト状の抵抗体材料を印刷にて電気絶縁性
基板上に形成するため、抵抗値のバラツキは、この印刷
精度に最も左右され、したがって前記ヘッド内および隣
接ドット間のバラツキが大きく、ヘッド間のバラツキは
ヘッド毎の平均抵抗値のバラツキであるため、比較的小
さくなることが知られている。一方、薄膜のサーマルヘ
ッドの場合、スパッタリングや蒸着などにより、抵抗体
材料層を形成した後、所定のパターン形状にエッチング
して発熱抵抗体として形成する。これにより抵抗値のバ
ラツキは、隣接ドット間のバラツキとしてはたとえば±
0.5%程度と小さく、ヘッド内のバラツキも比較的小
さいことが知られている。一方、同一膜厚の薄膜をヘッ
ド毎に毎回形成することが困難であるため、ヘッド間の
バラツキは比較的大きくなる。
[0006] In the thick film thermal head, the heating resistor is formed by printing a paste-like resistor material on an electrically insulating substrate, so the variation in resistance value is most influenced by the printing accuracy, and therefore It is known that the variation within the head and between adjacent dots is large, and the variation between heads is relatively small because it is a variation in the average resistance value for each head. On the other hand, in the case of a thin film thermal head, a resistor material layer is formed by sputtering or vapor deposition, and then etched into a predetermined pattern shape to form a heating resistor. As a result, the variation in resistance value can be reduced to, for example, ±
It is known that it is as small as about 0.5%, and that the variation within the head is also relatively small. On the other hand, since it is difficult to form a thin film of the same thickness every time for each head, the variation between heads becomes relatively large.

【0007】このとき設計された印画濃度を実現するた
めに、各発熱抵抗体の抵抗値は均一である必要がある。 しかし厚膜技術による発熱抵抗体の抵抗値は、±25%
以上のバラツキを有しているため、発熱抵抗体の形成後
に発熱抵抗体に電圧パルスを印加して抵抗値を低下させ
、バラツキを可及的に抑制するトリミング技術が採用さ
れている。
[0007] In order to achieve the designed printing density at this time, the resistance value of each heating resistor must be uniform. However, the resistance value of the heating resistor using thick film technology is ±25%.
Because of the above-mentioned variations, a trimming technique is employed in which a voltage pulse is applied to the heat-generating resistor after the heat-generating resistor is formed to lower the resistance value, thereby suppressing the variation as much as possible.

【0008】このようなトリミングを行う第1の従来例
として、発熱抵抗体の初期抵抗値が目標抵抗値より大き
い場合、初期電圧V0のトリミングパルスを印加して抵
抗値を低下させ、その後、抵抗値が目標抵抗値以下にな
るまで、増加分ΔVずつ電圧を増加させたトリミングパ
ルスを印加する方式が知られている。しかしこの方式で
は、各発熱抵抗体の抵抗値を高精度で均一化するには、
前記初期電圧V0および増加分ΔVを比較的小さな値に
設定する必要があり、各発熱抵抗体毎に印加すべきトリ
ミングパルス数が増大し、トリミング工程に時間を要し
てしまい生産効率が低下してしまうという問題点を有し
ている。
As a first conventional example of performing such trimming, when the initial resistance value of the heating resistor is larger than the target resistance value, a trimming pulse of an initial voltage V0 is applied to lower the resistance value, and then the resistance value is lowered. A method is known in which a trimming pulse is applied in which the voltage is increased by an increment of ΔV until the resistance value becomes equal to or less than the target resistance value. However, with this method, in order to uniformize the resistance value of each heating resistor with high precision,
It is necessary to set the initial voltage V0 and the increase ΔV to relatively small values, which increases the number of trimming pulses to be applied to each heating resistor, which increases the time required for the trimming process and reduces production efficiency. The problem is that the

【0009】第2の従来技術として、下記のトリミング
法が知られている。すなわち、サーマルヘッドを製造す
るにあたり、同一ロット内や同一基板内では、各発熱抵
抗体に同一のトリミングパルスを印加した際の抵抗値の
変化状態に規則性や再現性が見られる現象に着目し、印
加するトリミングパルスの電圧値と抵抗値Rの変化率Δ
R/Rとの間の相関関係すなわち校正曲線を予め求めて
おき、この校正曲線に従って初期電圧V0を決定し、こ
の初期電圧V0を印加することによって抵抗値を可及的
に目標抵抗値に近付ける。この後、増加分ΔVずつ電圧
を増加させたパルスを印加して抵抗値を漸減させている
As a second conventional technique, the following trimming method is known. In other words, when manufacturing thermal heads, we focused on the phenomenon that within the same lot or on the same board, there is regularity and reproducibility in the state of change in resistance value when the same trimming pulse is applied to each heating resistor. , the voltage value of the applied trimming pulse and the rate of change Δ of the resistance value R
A correlation between R/R, that is, a calibration curve, is determined in advance, an initial voltage V0 is determined according to this calibration curve, and the resistance value is brought as close to the target resistance value as possible by applying this initial voltage V0. . Thereafter, a pulse is applied in which the voltage is increased by an increment of ΔV to gradually decrease the resistance value.

【0010】0010

【発明が解決しようとする課題】上記第2の従来例によ
れば、従来から印刷などの厚膜技術によって製造された
厚膜サーマルヘッドに対する抵抗値の調整は、比較的充
分に行われる。第2の従来例を用いて抵抗値を調整した
際の目標抵抗値に対する接近の程度、すなわち制御性は
−3%〜+0%程度となる。しかもこの値はもとの発熱
抵抗体毎の抵抗値に依存しないので、トリミング処理後
の厚膜サーマルヘッドの抵抗値のバラツキはサーマルヘ
ッド間で±1.5%、サーマルヘッド内で±1.5%、
隣接発熱抵抗体間で±3%となる。これは厚膜サーマル
ヘッドの初期の抵抗値のバラツキが通常±25%以上で
あることからすると、バラツキの改善を行うには、充分
な技術といえる。
According to the second conventional example, the resistance value of a thick film thermal head conventionally manufactured by thick film technology such as printing can be adjusted relatively satisfactorily. When the resistance value is adjusted using the second conventional example, the degree of approach to the target resistance value, that is, the controllability is about -3% to +0%. Moreover, since this value does not depend on the original resistance value of each heating resistor, the variation in resistance value of thick film thermal heads after trimming is ±1.5% between thermal heads and ±1.5% within a thermal head. 5%,
The difference between adjacent heating resistors is ±3%. Considering that the initial resistance value variation of thick film thermal heads is usually ±25% or more, this can be said to be a sufficient technique for improving the variation.

【0011】一方、近年、蒸着やスパッタリングなどの
薄膜技術により製造される薄膜サーマルヘッドが用いら
れている。この薄膜サーマルヘッドの場合、隣接発熱抵
抗体間の初期抵抗値のバラツキは±1%前後であり、濃
度むらを起こさない中間調表示が可能な画像用の薄膜サ
ーマルヘッドには、隣接発熱薄膜抵抗体間の抵抗値のバ
ラツキは±0.5%程度が要求されている。このため、
前記第2の従来例は薄膜サーマルヘッドにおけるトリミ
ング技術としては、極めて不充分である。
On the other hand, in recent years, thin film thermal heads manufactured by thin film techniques such as vapor deposition and sputtering have been used. In the case of this thin-film thermal head, the initial resistance value variation between adjacent heating resistors is around ±1%, and in a thin-film thermal head for images that can display halftones without causing density unevenness, adjacent heating thin-film resistors The variation in resistance value between bodies is required to be approximately ±0.5%. For this reason,
The second conventional example is extremely inadequate as a trimming technique for a thin film thermal head.

【0012】また、前記第2の従来技術を薄膜サーマル
ヘッドのトリミングに応用した場合を想定しても、下記
の3つの問題点を生じるため、目標抵抗値への制御性は
極めて悪いものとなる。
[0012] Furthermore, even if it is assumed that the second conventional technique is applied to trimming a thin film thermal head, the following three problems will occur, and the controllability to the target resistance value will be extremely poor. .

【0013】(1)従来の技術は、電圧を漸増したトリ
ミングパルスを印加することにより、抵抗値が低下する
ことを前提にしているけれども、実施例において説明さ
れるように、本件発明者は印加されるパルスの条件によ
っては抵抗値が必ずしも下がるとは限らないことを確認
した。したがってパルス印加後の抵抗値が印加前の抵抗
値より低下していないとの理由で、印加される電圧を漸
増させた場合、実際の抵抗値は目標抵抗値から逆に遠ざ
かってしまい、発熱抵抗体を破壊してしまう場合も生じ
る。
(1) Although the conventional technology is based on the assumption that the resistance value decreases by applying a trimming pulse with a gradually increased voltage, as will be explained in the examples, the present inventor It was confirmed that the resistance value does not necessarily decrease depending on the pulse conditions used. Therefore, if the applied voltage is gradually increased because the resistance value after pulse application has not decreased from the resistance value before application, the actual resistance value will move away from the target resistance value, and the heating resistance There are also cases where the body is destroyed.

【0014】(2)一定電圧レベルV0のトリミングパ
ルスを印加しても、ヘッド毎あるいは発熱抵抗体毎の抵
抗値により抵抗値の変化率が大きく異なるため、校正曲
線の作成が不可能である。
(2) Even if a trimming pulse of a constant voltage level V0 is applied, it is impossible to create a calibration curve because the rate of change in resistance value varies greatly depending on the resistance value of each head or heating resistor.

【0015】(3)トリミングにおける前記増加分ΔV
=0として初期電圧V0を繰返し印加するようにしても
抵抗値の変化率が大きく、このトリミングパルスの印加
で目標抵抗値より下がりすぎた抵抗値になる場合が多い
(3) The increase ΔV in trimming
Even if the initial voltage V0 is repeatedly applied with V=0, the rate of change in the resistance value is large, and the application of this trimming pulse often results in a resistance value that is too low than the target resistance value.

【0016】本発明の目的は、上述の技術的課題を解消
し、作業性が良好で、しかも目標抵抗値に対して高精度
で抵抗値の調整が可能な薄膜サーマルヘッドの抵抗体ト
リミング方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a resistor trimming method for a thin film thermal head that solves the above-mentioned technical problems, has good workability, and can adjust the resistance value with high accuracy to the target resistance value. It is to provide.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜サーマル
ヘッドの電気絶縁性基板上に直線状に配列された複数の
発熱抵抗体をトリミングする方法において、発熱抵抗体
に対して電圧パルスを印加して該電圧パルスのパルス幅
と印加電力とに対応する発熱抵抗体の抵抗値の低下また
は上昇の変化を測定し、次いでこの測定結果に基づいて
各発熱抵抗体に電圧パルスを印加して抵抗値を低下また
は上昇させ、その変化後の抵抗値が所定の狭い範囲の目
標抵抗値範囲にある場合には該発熱抵抗体のトリミング
を終了し、目標抵抗値から外れる場合には再度発熱抵抗
体のトリミングを行って抵抗値が許容範囲内に入るよう
にしたことを特徴とする薄膜サーマルヘッドの抵抗体ト
リミング方法である。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a method for trimming a plurality of heating resistors arranged linearly on an electrically insulating substrate of a thin film thermal head, in which a voltage pulse is applied to the heating resistors. Then, based on the measurement results, a voltage pulse is applied to each heat generating resistor to increase the resistance. If the resistance value after the change is within a predetermined narrow target resistance value range, trimming of the heating resistor is finished, and if it deviates from the target resistance value, the heating resistor is trimmed again. A method for trimming a resistor of a thin film thermal head is characterized in that trimming is performed to bring the resistance value within an allowable range.

【0018】[0018]

【作用】本発明に従えば、各発熱抵抗体の予め定められ
る目標抵抗値に対して所定の狭い目標抵抗値範囲と、目
標抵抗値範囲より大きな範囲の許容抵抗値範囲とを定め
る。発熱抵抗体に対して電圧パルスを印加し、印加され
た電圧パルスのパルス幅と印加電力とに対応する発熱抵
抗体の抵抗値の低下または上昇の変化を測定する。
According to the present invention, a predetermined narrow target resistance value range and a permissible resistance value range larger than the target resistance value range are determined for the predetermined target resistance value of each heating resistor. A voltage pulse is applied to the heating resistor, and a change in the decrease or increase in the resistance value of the heating resistor corresponding to the pulse width of the applied voltage pulse and the applied power is measured.

【0019】この測定結果に基づいて各発熱抵抗体に電
圧パルスを印加して抵抗値を低下または上昇させ、変化
後の抵抗値が目標抵抗値範囲にある場合には該発熱抵抗
体のトリミングを終了し、残余の発熱抵抗体のトリミン
グを継続する。変化後の抵抗値が目標抵抗値範囲外であ
り、さらに抵抗値を低下させる電圧パルスを印加した際
に変化後の抵抗値が逆に上昇しているとき、または抵抗
値を上昇させるパルスを印加した際に目標抵抗値範囲よ
り上昇したとき、変化後の抵抗値を許容抵抗値範囲と比
較してトリミングを終了する。
Based on this measurement result, a voltage pulse is applied to each heating resistor to lower or increase the resistance value, and if the resistance value after the change is within the target resistance value range, the heating resistor is trimmed. Finish and continue trimming the remaining heating resistor. When the resistance value after the change is outside the target resistance value range and the resistance value after the change is increasing when a voltage pulse that further lowers the resistance value is applied, or when a pulse that increases the resistance value is applied. When the resistance value rises above the target resistance value range, the resistance value after the change is compared with the allowable resistance value range and trimming is completed.

【0020】これにより発熱抵抗体のトリミングを行う
際に、発熱抵抗体の破壊が生じる事態を防ぐことができ
、作業性の向上とトリミングの効率化とを併せて図るこ
とができる。
[0020] This makes it possible to prevent the heating resistor from being destroyed when trimming the heating resistor, thereby making it possible to improve workability and trimming efficiency.

【0021】[0021]

【実施例】図1は本発明のトリミング方法を用いて製造
される薄膜サーマルヘッド(以下、サーマルヘッドと略
す)21の構成を説明するための断面図である。サーマ
ルヘッド21は、たとえばアルミニウムなどの金属材料
から成る放熱板22を備え、この上にヘッド基板23が
接着剤層32で固着される。ヘッド基板23上には、図
1の紙面と垂直方向に多数の発熱抵抗体24が直線状に
形成され、またこの発熱抵抗体24の配列方向と並行に
配列され、発熱抵抗体24と図示しない電極にて接続さ
れた複数の駆動回路素子25が配置される。これらの駆
動回路素子25は合成樹脂材料から成る保護層26で被
覆される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sectional view for explaining the structure of a thin film thermal head (hereinafter abbreviated as "thermal head") 21 manufactured using the trimming method of the present invention. The thermal head 21 includes a heat sink 22 made of a metal material such as aluminum, and a head substrate 23 is fixed thereon with an adhesive layer 32. On the head substrate 23, a large number of heating resistors 24 are formed in a straight line in a direction perpendicular to the paper plane of FIG. A plurality of drive circuit elements 25 connected by electrodes are arranged. These drive circuit elements 25 are covered with a protective layer 26 made of synthetic resin material.

【0022】ヘッド基板23上にはたとえばスクリーン
印刷などの厚膜技術にて蓄熱層35が形成され、また厚
膜共通電極層27がヘッド基板23の外周に沿って形成
される。蓄熱層35上には発熱抵抗体層34、共通電極
層36および複数の個別電極37が形成され、直線上の
複数の発熱抵抗体24が構成される。発熱抵抗体24は
、たとえばスパッタリングなどの薄膜技術により形成さ
れる耐摩耗層39を介して、プラテンローラ31との間
で感熱紙32に感熱印字を行う。またこの発熱抵抗体2
4は集積回路素子として実現される駆動回路素子25に
より制御される。駆動回路素子25には絶縁層28で被
覆された前記個別電極37が接続されると共に、駆動回
路素子25に発熱抵抗体24を駆動する信号などを入力
し、絶縁層28で被覆された外部接続端子29が接続さ
れ、駆動回路素子25およびその周辺を被覆して合成樹
脂材料などからなる保護層26が形成される。
A heat storage layer 35 is formed on the head substrate 23 by a thick film technique such as screen printing, and a thick film common electrode layer 27 is formed along the outer periphery of the head substrate 23. A heating resistor layer 34, a common electrode layer 36, and a plurality of individual electrodes 37 are formed on the heat storage layer 35, and a plurality of linear heating resistors 24 are configured. The heat generating resistor 24 performs thermal printing on the thermal paper 32 between the heat generating resistor 24 and the platen roller 31 via a wear-resistant layer 39 formed by a thin film technique such as sputtering. Also, this heating resistor 2
4 is controlled by a drive circuit element 25 realized as an integrated circuit element. The individual electrodes 37 covered with an insulating layer 28 are connected to the drive circuit element 25, and signals for driving the heating resistor 24 are input to the drive circuit element 25, and external connections covered with the insulating layer 28 are connected to the drive circuit element 25. Terminals 29 are connected, and a protective layer 26 made of a synthetic resin material or the like is formed to cover the drive circuit element 25 and its surroundings.

【0023】本発明は、ヘッド基板23上に発熱抵抗体
層34、共通電極36および複数の個別電極37が形成
された段階で、これらによって規定される複数の発熱抵
抗体24毎の抵抗値をトリミングして均一化しようとす
るものである。上記のサーマルヘッド21に対して実験
を行った結果、以下の事実が判明した。
In the present invention, at the stage when the heating resistor layer 34, the common electrode 36, and the plurality of individual electrodes 37 are formed on the head substrate 23, the resistance value of each of the plurality of heating resistors 24 defined by these is determined. This is an attempt to make it uniform by trimming it. As a result of conducting experiments on the above thermal head 21, the following facts were found.

【0024】(1)耐摩耗層39を形成する前に、大気
雰囲気中でトリミングパルスを印加する。このときパル
ス幅を適宜選択することにより、発熱抵抗体24の抵抗
値を下げるだけでなく、上げることができる。この実験
結果の概要は図2のグラフに示される。すなわち横軸に
印加電力、縦軸に発熱抵抗体24の抵抗値変化率ΔR/
Rを取ると、印加されるトリミングパルスのパルス幅を
変化させることにより、得られる特性曲線が大きく変化
することが確認された。図2図示のラインL1,L2,
L3は、相互にパルス幅が異なる場合を示しており、対
応するパルス幅をWL1,WL2,WL3(必要な場合
はWLで総称する)で表すとこれらの関係は、
(1) Before forming the wear-resistant layer 39, a trimming pulse is applied in the atmosphere. At this time, by appropriately selecting the pulse width, the resistance value of the heating resistor 24 can be increased as well as lowered. A summary of the experimental results is shown in the graph of FIG. That is, the horizontal axis represents the applied power, and the vertical axis represents the rate of change in resistance value ΔR/of the heating resistor 24.
It was confirmed that when R is taken, the obtained characteristic curve changes greatly by changing the pulse width of the applied trimming pulse. Lines L1, L2 shown in FIG.
L3 indicates a case where the pulse widths are different from each other, and when the corresponding pulse widths are expressed as WL1, WL2, and WL3 (collectively referred to as WL when necessary), the relationship between these is as follows.

【002
5】
002
5]

【数1】WL1>WL2>WL3 である。[Math 1] WL1>WL2>WL3 It is.

【0026】すなわちパルス幅WLが比較的長い場合に
は、ラインL1に示されるように印加電力を増大すると
抵抗値は増大する。一方、パルス幅WLが比較的短い場
合には、ラインL3に示されるように閾値電力Pth未
満の範囲Aでは抵抗値は変化しないが、閾値電力Pth
以上の範囲B程度に印加電力を増大すると抵抗値は減少
する。またパルス幅WL1,WL3の中間のパルス幅W
L2では、ラインL2に示されるように、印加電力Pの
程度によって抵抗値の上昇現象と下降現象との双方が現
れる。すなわち印加電力に関する閾値電力Pth未満の
印加電力の範囲Aでは、抵抗値は印加電力の増大に従い
低下率が次第に増大するが、次第に低下率は減少して0
となる。閾値電力Pth以上の印加電力Pの範囲では、
印加電力Pの増大に従い抵抗値は次第に上昇する。
That is, when the pulse width WL is relatively long, the resistance value increases as the applied power increases, as shown by line L1. On the other hand, when the pulse width WL is relatively short, the resistance value does not change in range A below the threshold power Pth, as shown by line L3;
When the applied power is increased to about the above range B, the resistance value decreases. Also, the pulse width W is between the pulse widths WL1 and WL3.
At L2, as shown by line L2, both an increase phenomenon and a decrease phenomenon of the resistance value appear depending on the degree of applied power P. In other words, in the range A of applied power below the threshold power Pth, the resistance value gradually decreases as the applied power increases, but the rate of decrease gradually decreases to 0.
becomes. In the range of applied power P equal to or higher than threshold power Pth,
As the applied power P increases, the resistance value gradually increases.

【0027】このようにトリミングパルスのパルス幅W
Lによって、発熱抵抗体24の抵抗値の変化の方向が上
昇または下降のいずれをも取り得る現象は図3を参照し
て、下記のように説明される。すなわちトリミングパル
ス印加によって発熱抵抗体24の抵抗値が変化するのは
、発熱抵抗体層34自身の発熱によるアニール効果、す
なわち発熱抵抗体層34の結晶化と、同じく発熱抵抗体
層34自身の発熱による酸化とによるものである。この
うちアニール効果は、発熱抵抗体層34の結晶化の進行
である点で抵抗値の下降現象として現れ、また酸化は抵
抗値の上昇現象として現れる。
In this way, the pulse width W of the trimming pulse
The phenomenon in which the resistance value of the heating resistor 24 can change in either an upward or downward direction depending on L will be explained as follows with reference to FIG. That is, the resistance value of the heating resistor 24 changes due to the application of the trimming pulse due to the annealing effect due to the heat generated by the heating resistor layer 34 itself, that is, the crystallization of the heating resistor layer 34, and the heat generation of the heating resistor layer 34 itself. This is due to oxidation. Among these, the annealing effect appears as a decrease in resistance value due to the progress of crystallization of the heating resistor layer 34, and oxidation appears as an increase in resistance value.

【0028】図3(1)のように印加されるトリミング
パルスのパルス幅WL1を比較的長くかつ印加電圧を低
く設定したときの発熱抵抗体層34は、印加電圧V1が
比較的低いために温度は急速および大幅な上昇を見せず
、一方、パルス幅WL1が比較的長いため比較的低い温
度が長時間続くことになる。発熱抵抗体層34における
アニール効果の進行状態は温度により決定されるもので
あり、この場合の温度T1はアニール効果を発生させる
温度Taに到達しておらず、前記アニール効果による抵
抗値の下降現象は生じない。しかしながら酸化現象を発
生させる温度Tox以上の温度であり、しかもこの状態
が比較的長時間継続されるので、発熱抵抗体層34に酸
化が進行し抵抗値が上昇する。
When the pulse width WL1 of the applied trimming pulse is set to be relatively long and the applied voltage is set to be low as shown in FIG. does not show a rapid or significant rise, and on the other hand, since the pulse width WL1 is relatively long, the relatively low temperature continues for a long time. The progress state of the annealing effect in the heating resistor layer 34 is determined by the temperature, and in this case, the temperature T1 has not reached the temperature Ta at which the annealing effect occurs, and the resistance value decreases due to the annealing effect. does not occur. However, since the temperature is higher than the temperature Tox at which an oxidation phenomenon occurs, and this state continues for a relatively long time, oxidation progresses in the heating resistor layer 34 and the resistance value increases.

【0029】一方、印加されるトリミングパルスを図4
(1)に示すように、そのパルス幅WL3が比較的短く
かつ印加電圧V2が比較的高い場合、発熱抵抗体層34
の温度変化は図4(2)に示される状態となる。すなわ
ち発熱抵抗体層34は、急速に昇温し前記アニール効果
が生じる温度Taを越えた温度T2に到達する。一方、
パルス幅WL3が比較的短いため温度T2はほとんど持
続せず、急速に室温に復帰する。この場合、温度T2に
対応してアニール効果が進行し、発熱抵抗体層34の抵
抗値は下降する。一方、前記酸化が生じる温度Toxを
越えている期間が比較的短いため、酸化はほとんど発生
せず、抵抗値の上昇は生じない。
On the other hand, the applied trimming pulse is shown in FIG.
As shown in (1), when the pulse width WL3 is relatively short and the applied voltage V2 is relatively high, the heating resistor layer 34
The temperature change results in the state shown in FIG. 4(2). That is, the heating resistor layer 34 rapidly increases in temperature and reaches a temperature T2 exceeding the temperature Ta at which the annealing effect occurs. on the other hand,
Since the pulse width WL3 is relatively short, the temperature T2 hardly lasts and quickly returns to room temperature. In this case, the annealing effect progresses in accordance with the temperature T2, and the resistance value of the heating resistor layer 34 decreases. On the other hand, since the period during which the oxidation temperature Tox is exceeded is relatively short, oxidation hardly occurs and the resistance value does not increase.

【0030】すなわちトリミングパルスのパルス幅WL
と印加電力とを適宜選択することにより、前述したアニ
ール効果と酸化とのいずれが支配的な現象となるかを制
御することができる。すなわち発熱抵抗体層34の抵抗
値を上昇あるいは下降させる制御を行うことができる。
That is, the pulse width WL of the trimming pulse
By appropriately selecting the power and the applied power, it is possible to control which of the aforementioned annealing effect and oxidation is the dominant phenomenon. That is, control can be performed to increase or decrease the resistance value of the heating resistor layer 34.

【0031】(2)図4(1)に示されるように、発熱
抵抗体層34において抵抗値の下降のみを生じさせるパ
ルス幅WL3のトリミングパルスを印加する場合、トリ
ミングパルスのパルス幅WL3を固定しておけばトリミ
ングパルス印加前の抵抗値が発熱抵抗体24毎に異なっ
ていても、同一の印加電力を印加することにより各発熱
抵抗体24は、ほぼ一定の抵抗値変化率を示す。一方、
図3(1)に示すような抵抗値上昇のみを生じさせるパ
ルス幅WL1のトリミングパルスを印加する場合も同様
であり、印加電力が同一であればトリミングパルス印加
前の抵抗値が発熱抵抗体24毎に異なっていても、ほぼ
一定の抵抗値変化率を示す。
(2) As shown in FIG. 4(1), when applying a trimming pulse with a pulse width WL3 that causes only a decrease in the resistance value in the heating resistor layer 34, the pulse width WL3 of the trimming pulse is fixed. If this is done, even if the resistance values before application of the trimming pulse are different for each heat generating resistor 24, each heat generating resistor 24 exhibits a substantially constant rate of change in resistance value by applying the same applied power. on the other hand,
The same is true when applying a trimming pulse with a pulse width WL1 that causes only an increase in the resistance value as shown in FIG. Even if it differs from time to time, it shows a nearly constant rate of change in resistance value.

【0032】これらを総合すると、図2に示したライン
L1,L3の特性曲線は、各発熱抵抗体24毎の抵抗値
には依存しないと結論できる。
Taking all of this into account, it can be concluded that the characteristic curves of lines L1 and L3 shown in FIG. 2 do not depend on the resistance value of each heating resistor 24.

【0033】上述の現象は下記のように説明される。発
熱抵抗体層34の抵抗値を変化させる要因であるアニー
ル効果や酸化は、その進行状態は上述したように、印加
されるトリミングパルスの状態に対応した発熱抵抗体層
34自身の図3(2)および図4(2)に示したような
温度変化の特性により決定されるものである。したがっ
てパルス幅WLと印加電力Pとが同一であれば発熱抵抗
体24の抵抗値が相互に異なっている場合であっても、
発熱抵抗体24毎の温度の時間変化の特性は、各発熱抵
抗体24間で同一となり、前述したようにほぼ一定の抵
抗値変化率が得られる。
The above phenomenon is explained as follows. As mentioned above, the progress of the annealing effect and oxidation, which are factors that change the resistance value of the heat generating resistor layer 34, changes depending on the state of the heat generating resistor layer 34 itself corresponding to the state of the trimming pulse applied. ) and the temperature change characteristics as shown in FIG. 4(2). Therefore, if the pulse width WL and the applied power P are the same, even if the resistance values of the heating resistors 24 are different from each other,
The characteristics of the temperature change over time for each heating resistor 24 are the same for each heating resistor 24, and as described above, a substantially constant rate of change in resistance value can be obtained.

【0034】(3)発熱抵抗体層34における前述した
ような抵抗値の下降をもたらすアニール効果は、発熱抵
抗体層34内で構成分子の再配列や再結晶を進行させる
。このため発熱抵抗体24の印加パルス(トリミングパ
ルスや使用に伴う駆動パルスなど)に対する耐久性は向
上される。一方、抵抗値の上昇をもたらす酸化現象は、
発熱抵抗体24の所定の抵抗値の領域を狭隘化し、した
がって実質的な膜厚を薄くしてしまうことになる。 このため印加パルスに対する耐久性は劣化してしまう。 すなわち発熱抵抗体24の抵抗値を大幅に上昇させる処
理は、発熱抵抗体24を劣化させることになり、寿命が
短くなってしまう。
(3) The annealing effect that causes the aforementioned resistance value drop in the heat generating resistor layer 34 advances rearrangement and recrystallization of constituent molecules within the heat generating resistor layer 34. Therefore, the durability of the heating resistor 24 against applied pulses (trimming pulses, driving pulses accompanying use, etc.) is improved. On the other hand, the oxidation phenomenon that causes an increase in resistance value is
The range of the predetermined resistance value of the heating resistor 24 is narrowed, and therefore the actual film thickness is reduced. For this reason, durability against applied pulses deteriorates. That is, the process of significantly increasing the resistance value of the heat generating resistor 24 deteriorates the heat generating resistor 24, resulting in a shortened lifespan.

【0035】以上の各条件を踏まえた上で、前述したよ
うな抵抗値の上昇および下降現象を発熱抵抗体24の抵
抗値の調整に応用する手法について説明する。図4(1
)に示されるように、比較的短いパルス幅WL3のトリ
ミングパルスを印加した場合、パルス幅WL3を一定に
すると、印加電力と抵抗値変化率との関係が前述したよ
うに発熱抵抗体24の抵抗値には依存しない状態となる
が、蓄熱層35の凹凸や発熱抵抗体24の寸法のバラツ
キなどに起因して、実際には抵抗値変化率にはバラツキ
を生じてしまう。
Based on the above conditions, a method of applying the above-described resistance value increase and decrease phenomenon to adjustment of the resistance value of the heating resistor 24 will be explained. Figure 4 (1
), when a trimming pulse with a relatively short pulse width WL3 is applied, if the pulse width WL3 is kept constant, the relationship between the applied power and the rate of change in resistance value changes as described above. Although the resistance value does not depend on the resistance value, the rate of change in resistance value actually varies due to unevenness of the heat storage layer 35, variation in dimensions of the heating resistor 24, and the like.

【0036】したがって印加電力Pと抵抗値変化率ΔR
/Rとの関係を示すグラフは図5に示されるように、理
想的な対応関係を示すラインL4に対し、ラインL4a
,L4bで囲まれる範囲の幅を有している。したがって
第2の従来技術として説明したように、サーマルヘッド
を製造する際の同一ロット内のヘッド基板23や、同一
ヘッド基板23内の発熱抵抗体24にトリミングパルス
を印加し、図5ラインL4の校正曲線を得て、この校正
曲線に基づいてトリミングパルスのパルス幅と印加電力
とを決定し、このようなトリミングパルスを発熱抵抗体
24毎に印加したとしても、図5に示すラインL4a,
L4bの間のバラツキにより、抵抗値変化率の高精度の
制御は不可能である。
Therefore, the applied power P and the resistance change rate ΔR
As shown in FIG. 5, the graph showing the relationship between /R and line L4a shows the ideal correspondence relationship.
, L4b. Therefore, as explained as the second conventional technique, when manufacturing a thermal head, a trimming pulse is applied to the head substrate 23 in the same lot and the heating resistor 24 in the same head substrate 23, and Even if a calibration curve is obtained, the pulse width and applied power of the trimming pulse are determined based on this calibration curve, and such a trimming pulse is applied to each heat generating resistor 24, the line L4a, shown in FIG.
Due to the variation between L4b, highly accurate control of the resistance value change rate is impossible.

【0037】たとえば抵抗値を−n%だけ変化させるた
めに、図5ラインL4の校正曲線から対応する印加電力
P0(−n%)のデータを得て、この印加電力を有する
トリミングパルスを印加した場合、実際には図5に示す
幅δの範囲で抵抗値変化率はばらつく。したがって得ら
れる抵抗値変化率は下限で−n−d2%、上限で−n+
d1%(d1+d2=δ)の間でばらつくことになる。
For example, in order to change the resistance value by -n%, data on the corresponding applied power P0 (-n%) was obtained from the calibration curve of line L4 in FIG. 5, and a trimming pulse having this applied power was applied. In this case, the rate of change in resistance value actually varies within the range of width δ shown in FIG. Therefore, the resistance value change rate obtained is -n-d2% at the lower limit and -n+ at the upper limit.
It will vary between d1% (d1+d2=δ).

【0038】したがって発熱抵抗体24をトリミングす
るに当たって、1回トリミングパルスを印加した後、さ
らにトリミングパルスを印加することにより抵抗値を上
昇させたり、または下降させる必要がある。このような
処理は下記のような手法で実現できることが確認された
Therefore, when trimming the heating resistor 24, it is necessary to apply a trimming pulse once and then apply another trimming pulse to increase or decrease the resistance value. It was confirmed that such processing can be realized by the following method.

【0039】まず1回目のトリミングパルス印加後、さ
らに抵抗値を下降させる場合、前述したアニール効果の
みを進行させればよい。したがって1回目のトリミング
パルスと同一のパルス幅であって、印加電力を所定電力
ΔPだけ増加させたトリミングパルスを印加する。これ
により発熱抵抗体24は1回目のトリミングパルス印加
時よりさらに高い温度に到達するため、さらにアニール
効果が進行し抵抗値はさらに下降する。
When the resistance value is further lowered after the first trimming pulse is applied, only the above-described annealing effect needs to proceed. Therefore, a trimming pulse is applied that has the same pulse width as the first trimming pulse and has the applied power increased by a predetermined power ΔP. As a result, the heating resistor 24 reaches a higher temperature than when the first trimming pulse was applied, so that the annealing effect further progresses and the resistance value further decreases.

【0040】またさらに抵抗値を下降させるには、さら
に印加電力ΔPだけ電力を増加させてトリミングパルス
の印加を行えばよい。このときパルス幅は比較的短く設
定されるので、上述した酸化現象はほとんど発生しない
が、印加電力ΔPを過小にすると酸化現象が無視できな
くなり、逆に抵抗値の上昇が発生する場合がある。した
がって前記所定の印加電力ΔPは、このような条件を総
合的に勘案して決定される。
In order to further reduce the resistance value, the trimming pulse may be applied by further increasing the applied power ΔP. Since the pulse width is set relatively short at this time, the above-mentioned oxidation phenomenon hardly occurs, but if the applied power ΔP is too small, the oxidation phenomenon cannot be ignored, and on the contrary, the resistance value may increase. Therefore, the predetermined applied power ΔP is determined by comprehensively considering such conditions.

【0041】1回目のトリミングパルス印加後に抵抗値
を上昇させる場合、前述した酸化現象のみを進行させれ
ばよく、図2ラインL1のような特性を示す図3(1)
図示のような、比較的パルス幅WL1が長いトリミング
パルスを印加する。これにより発熱抵抗体24は、1回
目のトリミングパルス印加後の温度より基本的に降温し
、アニール効果はほとんど進行せず、酸化現象のみが進
行する。これにより発熱抵抗体24の抵抗値を確実に上
昇することができる。またこの時の印加電力P1を比較
的小さく選ぶことにより、トリミングパルス印加毎の抵
抗値の上昇率をたとえば+0.1〜0.2%程度など、
微少程度ずつ変化することができ、発熱抵抗体24の抵
抗値を高精度に制御することができる。
When the resistance value is increased after the first trimming pulse is applied, it is only necessary to allow the aforementioned oxidation phenomenon to proceed, and the characteristic shown in FIG. 3 (1) as shown in line L1 in FIG. 2 is obtained.
A trimming pulse with a relatively long pulse width WL1 as shown in the figure is applied. As a result, the temperature of the heating resistor 24 basically decreases from the temperature after the first trimming pulse is applied, and the annealing effect hardly progresses, and only the oxidation phenomenon progresses. Thereby, the resistance value of the heating resistor 24 can be reliably increased. In addition, by selecting the applied power P1 at this time to be relatively small, the rate of increase in resistance value for each application of the trimming pulse can be reduced, for example, by approximately +0.1 to 0.2%.
The resistance value of the heat generating resistor 24 can be controlled with high precision because it can be changed in minute increments.

【0042】図6は本発明に従うトリミング装置41の
ブロック図である。トリミング装置41には、サーマル
ヘッド21のヘッド基板23が装着され、抵抗体層51
上の共通電極36と個別電極37とに発熱抵抗体24毎
に個別に探針を接触させるプロービング装置42が設け
られ、プロービング装置42は、切換手段43を介して
、抵抗値計測計44およびトリミングパルス発生部45
に接続される。抵抗値計測計44で計測された抵抗値は
、制御装置46内で校正曲線を作成して記憶する校正曲
線作成部47に入力される。ヘッド基板23は、XYス
テージ52上に乗載され、XYステージ52は制御装置
46の制御による位置決め機構53によって基板23の
位置決めを行う。
FIG. 6 is a block diagram of a trimming device 41 according to the present invention. The head substrate 23 of the thermal head 21 is attached to the trimming device 41, and the resistor layer 51 is attached to the trimming device 41.
A probing device 42 is provided that brings probes into contact with the upper common electrode 36 and the individual electrodes 37 individually for each heating resistor 24. Pulse generator 45
connected to. The resistance value measured by the resistance value meter 44 is input to a calibration curve creation section 47 that creates and stores a calibration curve within the control device 46 . The head substrate 23 is mounted on an XY stage 52, and the XY stage 52 positions the substrate 23 by a positioning mechanism 53 under the control of the control device 46.

【0043】前記トリミングパルス発生部45は、基準
パルス発生部48を含み、発生された基準パルスはパル
ス幅調整部49および電圧調整部50を経ることにより
、後述するようなトリミングパルスとして出力され、前
記切換回路43およびプロービング装置42を介して、
選択された発熱抵抗体24に印加される。
The trimming pulse generating section 45 includes a reference pulse generating section 48, and the generated reference pulse passes through a pulse width adjusting section 49 and a voltage adjusting section 50, and is outputted as a trimming pulse as described later. Via the switching circuit 43 and probing device 42,
The voltage is applied to the selected heating resistor 24.

【0044】図7はサーマルヘッド21を製造する全体
の工程を説明する工程図である。図7工程a1では、前
記サーマルヘッド21上に厚膜共通電極層27や蓄熱層
35を形成する。工程a2では、サーマルヘッド21上
に発熱抵抗体層34を形成し、工程a3では発熱抵抗体
層34上に前記共通電極36および個別電極37を形成
する。工程a4では、詳細は後述するトリミング処理が
行われ、各発熱抵抗体24毎の抵抗値が均一となるよう
に調整された後、工程a5で耐摩耗層39が形成される
。この後、その他の処理を経て、サーマルヘッド21が
完成する。
FIG. 7 is a process diagram illustrating the entire process of manufacturing the thermal head 21. As shown in FIG. In step a1 of FIG. 7, a thick film common electrode layer 27 and a heat storage layer 35 are formed on the thermal head 21. In step a2, a heating resistor layer 34 is formed on the thermal head 21, and in step a3, the common electrode 36 and individual electrodes 37 are formed on the heating resistor layer 34. In step a4, a trimming process, which will be described in detail later, is performed to adjust the resistance value of each heating resistor 24 to be uniform, and then in step a5, a wear-resistant layer 39 is formed. Thereafter, the thermal head 21 is completed through other processing.

【0045】図8は、本発明の一実施例のトリミング処
理を行うに当たって必要なトリミングパルスの各種条件
を設定する処理を説明する工程図である。本実施例では
、トリミングされるヘッド基板23は、同一ロット内の
ヘッド基板23であれば、または同一ヘッド基板23内
の発熱抵抗体24であれば、抵抗値変化に規則性、再現
性が現れるという事実を応用する。すなわちトリミング
対象となるヘッド基板23と同一規格で同一ロット内で
サンプルヘッド基板を設定し、これに図6図示のトリミ
ング装置41を用いて、トリミングパルスの印加テスト
を行い下記のパルス条件1〜3を求めておく。
FIG. 8 is a process diagram illustrating the process of setting various conditions for trimming pulses necessary for trimming according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, if the head substrate 23 to be trimmed is from the same lot, or if the heating resistor 24 is from the same head substrate 23, regularity and reproducibility will appear in the resistance value change. Apply this fact. That is, a sample head substrate is set in the same lot with the same specifications as the head substrate 23 to be trimmed, and a trimming pulse application test is performed on this using the trimming device 41 shown in FIG. 6 under the following pulse conditions 1 to 3. Let's find out.

【0046】(条件1)1パルスを印加したとき、抵抗
値が下がるパルス幅WLdを工程d1で求め、当該パル
ス幅WLdにおいて、印加電力を種々変更してテストパ
ルスを印加する。このテストパルスの印加による抵抗値
変化率を計測し、図5図示のラインL4に示す校正曲線
を得る。この校正曲線より当該パルス幅WLdにおいて
、抵抗値変化率ΔR/Rが−1%、−2%、…、−n%
となる印加電力P0(−1%),P0(−2%),…,
P0(−n%)を工程d2にて求める。
(Condition 1) A pulse width WLd at which the resistance value decreases when one pulse is applied is determined in step d1, and in the pulse width WLd, a test pulse is applied while changing the applied power variously. The rate of change in resistance value due to the application of this test pulse is measured, and a calibration curve shown as line L4 in FIG. 5 is obtained. From this calibration curve, at the relevant pulse width WLd, the resistance value change rate ΔR/R is -1%, -2%, ..., -n%.
The applied power P0 (-1%), P0 (-2%), ...,
P0 (-n%) is determined in step d2.

【0047】(条件2)上記条件1で求めたパルス幅W
Ldにおいて、1パルス印加して抵抗値を下降させた後
、さらに抵抗値をd1%(例として2〜3%)下げるに
必要な増加電力ΔPを工程d3で求める。
(Condition 2) Pulse width W obtained under Condition 1 above
After lowering the resistance value by applying one pulse in Ld, the increased power ΔP required to further lower the resistance value by d1% (for example, 2 to 3%) is determined in step d3.

【0048】(条件3)1パルス印加したとき抵抗値が
上昇するパルス幅WLuを工程d4で求め、当該パルス
幅WLuにおいて印加電力を種々変更したテストパルス
を印加し、これによる抵抗値の変化率を計測する。この
ようにして図9に示すラインL5の校正曲線を得る。こ
の校正曲線L5から当該パルス幅WLuにおいて、抵抗
値をd2%(例として0.2〜0.3%)上げるに必要
な印加電力P1を工程d5で求める。
(Condition 3) The pulse width WLu at which the resistance value increases when one pulse is applied is determined in step d4, and test pulses with various applied powers are applied at the pulse width WLu, and the rate of change in resistance value due to this is determined. Measure. In this way, a calibration curve of line L5 shown in FIG. 9 is obtained. From this calibration curve L5, the applied power P1 required to increase the resistance value by d2% (for example, 0.2 to 0.3%) at the pulse width WLu is determined in step d5.

【0049】工程d6では、実際にトリミングを行うに
際して目標抵抗値に対し、ほぼ目標抵抗値に一致してい
ると見なされる第1の抵抗値範囲である目標範囲と、こ
の目標抵抗値範囲よりもさらに緩やかな第2抵抗値範囲
である許容範囲とを設定し、制御装置46に記憶する。 ここで目標範囲が±δ1%、許容範囲が±δ2%とする
と、トリミングして得られる発熱抵抗体24毎の抵抗値
Rは、
In step d6, when actually trimming, the target resistance value is divided into a first resistance value range that is considered to approximately match the target resistance value, and a target resistance value range that is smaller than this target resistance value range. A second tolerance range, which is a more moderate resistance value range, is set and stored in the control device 46. Here, if the target range is ±δ1% and the tolerance range is ±δ2%, the resistance value R of each heating resistor 24 obtained by trimming is as follows:

【0050】[0050]

【数2】[Math 2]

【0051】のとき、目標抵抗値範囲にあると判断され
When [0051], it is determined that the resistance value is within the target resistance value range,

【0052】[0052]

【数3】[Math 3]

【0053】のとき、許容抵抗値範囲にあると判断され
る。
When [0053], it is determined that the resistance value is within the allowable resistance value range.

【0054】図12は本発明の実施例のトリミング処理
の詳細を説明するフローチャートである。ステップe1
では、図10を参照して説明したようにパルス条件1〜
3を求めて校正曲線記憶部47に記憶しておく、ステッ
プe2では、プロービング装置42をトリミングすべき
ヘッド基板23に装着し、発熱抵抗体24の初期抵抗値
R0を測定する。ステップe3では、必要変化量−DR
を演算する。すなわちサーマルヘッド21の仕様におい
て目標抵抗値Rfは予め設定されており、
FIG. 12 is a flowchart illustrating details of the trimming process according to the embodiment of the present invention. Step e1
Now, as explained with reference to FIG.
In step e2, the probing device 42 is attached to the head substrate 23 to be trimmed, and the initial resistance value R0 of the heating resistor 24 is measured. In step e3, the required change amount -DR
Calculate. That is, the target resistance value Rf is preset in the specifications of the thermal head 21,

【0055】[0055]

【数4】−DR=(Rf−R0)/R0*100[%]
を演算する。
[Formula 4]-DR=(Rf-R0)/R0*100[%]
Calculate.

【0056】ステップe4では、前記必要変化量DRだ
け抵抗値を下げるために、ステップe1で求めた条件1
のパルス幅WLdと印加電圧P0(−DR%)とを求め
る。ステップe5では、パルス幅WLdと印加電力P0
とから印加電圧V0
In step e4, in order to lower the resistance value by the required amount of change DR, condition 1 determined in step e1 is applied.
The pulse width WLd and the applied voltage P0 (-DR%) are determined. In step e5, the pulse width WLd and the applied power P0
and the applied voltage V0

【0057】[0057]

【数5】[Math 5]

【0058】を演算し、これらのデータに基づいて基準
パルス発生部48で発生された基準パルスがパルス幅調
整部49および電圧調整部50で調整された後、切換部
43およびプロービング装置42を介して発熱抵抗体2
4に印加される。
After the reference pulse generated by the reference pulse generator 48 is adjusted by the pulse width adjuster 49 and the voltage adjuster 50 based on these data, the reference pulse is transmitted via the switching unit 43 and the probing device 42 heating resistor 2
4.

【0059】ステップe6では、切換手段43は、抵抗
値計測計44側に切換えられ、1回目のパルス印加後の
抵抗値Rが抵抗値計測計44で計測される。ステップe
7では、この抵抗値Rが目標抵抗値Rfに対して一致し
たと見なされる範囲内にあるかどうか、すなわち前記第
2式が成立するかどうかを判断する。図13の計測点P
1のように成立すれば当該発熱抵抗体24に対するトリ
ミング処理は終了し、他の発熱抵抗体24に対するトリ
ミング処理に移り、全部の発熱抵抗体24の処理が終了
すると次のサーマルヘッドのトリミング処理に移る。
At step e6, the switching means 43 is switched to the resistance value meter 44 side, and the resistance value R after the first pulse application is measured by the resistance value meter 44. step e
In step 7, it is determined whether this resistance value R is within a range that is considered to match the target resistance value Rf, that is, whether the second equation is satisfied. Measurement point P in Figure 13
If 1 is established, the trimming process for the heat generating resistor 24 is completed, and the process moves on to the trimming process for other heat generating resistors 24. When the process for all the heat generating resistors 24 is completed, the trimming process for the next thermal head is started. Move.

【0060】ステップe7の判断が否定であって、図1
3の計測点P2のように当該発熱抵抗体24の抵抗値を
さらに低下させる必要がある場合、処理はステップe8
に移り、新たにパルス条件を設定してこのパルスを印加
する。このパルスのパルス幅は前回印加したトリミング
パルスのパルス幅と同一のパルス幅WLdであって、か
つ前記条件2で求めた増加電力ΔPが加算された印加電
力P0+iΔP(i=1,2,…)から印加電圧V1
If the judgment at step e7 is negative, then FIG.
If it is necessary to further reduce the resistance value of the heating resistor 24 as at measurement point P2 of No. 3, the process proceeds to step e8.
Next, set new pulse conditions and apply this pulse. The pulse width of this pulse is the same pulse width WLd as the trimming pulse applied last time, and the applied power P0+iΔP (i=1, 2,...) to which the increased power ΔP obtained under condition 2 is added from applied voltage V1


0061】
[
0061

【数6】[Math 6]

【0062】を求め、プロービング装置42を介して発
熱抵抗体24に印加する。
is determined and applied to the heating resistor 24 via the probing device 42.

【0063】この後、処理はステップe9に移り、抵抗
値を計測し、パルス印加前後の抵抗値を比較する。すな
わちステップe8におけるトリミングパルス印加後の抵
抗値をRa、トリミングパルス印加前の抵抗値をRbと
したときに、ステップe10で抵抗値Raが抵抗値Rb
より大きいかどうかを判断する。この判断が肯定、すな
わち図11の計測点P3,P4が得られた場合であれば
、抵抗値を低下させようとして印加されたトリミングパ
ルスにより、逆に抵抗値が上昇したことになる。このと
き処理はステップe11に移り、このときの抵抗値Ra
が前記第3式を満足しているかどうかを判断する。図1
1の計測点P3のように満足していれば、このときの発
熱抵抗体24の抵抗値は許容範囲内にあると判断し、良
品としてトリミングを終了し、他の発熱抵抗体の処理に
移る。図11計測点P4のように満足していなければ発
熱抵抗体24の抵抗値は許容範囲内になく、しかも制御
不能な特性を示していることになり、このとき、トリミ
ング失敗としてヘッド基板23自身を不良品と判断して
トリミング処理を終了する。
After that, the process moves to step e9, where the resistance value is measured and the resistance values before and after the pulse application are compared. That is, when the resistance value after applying the trimming pulse in step e8 is Ra and the resistance value before applying the trimming pulse is Rb, the resistance value Ra becomes the resistance value Rb in step e10.
Determine whether it is greater than If this determination is affirmative, that is, if measurement points P3 and P4 in FIG. 11 are obtained, then the trimming pulse applied in an attempt to lower the resistance value has conversely increased the resistance value. At this time, the process moves to step e11, and the resistance value Ra at this time
It is determined whether or not satisfies the third equation. Figure 1
If the resistance value of the heating resistor 24 at this time is satisfied as in measurement point P3 of 1, it is determined that the resistance value is within the allowable range, the trimming is completed as a good product, and the processing moves on to other heating resistors. . If the resistance value of the heating resistor 24 is not within the allowable range and is not satisfied as shown at measurement point P4 in FIG. is determined to be defective and the trimming process is terminated.

【0064】前記ステップe7の判断が否定であって、
図13計測点P5のように、得られた抵抗値が目標抵抗
値に対して上昇させる必要がある場合、処理はステップ
e12に移り、前記条件3で求めたパルス幅WLu、印
加電力P1から印加電圧V2
[0064] If the judgment in step e7 is negative,
If the obtained resistance value needs to be increased relative to the target resistance value, as at measurement point P5 in FIG. Voltage V2

【0065】[0065]

【数7】[Math 7]

【0066】のトリミングパルスを発生し、発熱抵抗体
24に印加する。この後、処理はステップe13に移り
、再びパルス印加後の抵抗値を計測する。次に処理はス
テップe14に移る。ここでは、ステップe7と同様、
抵抗値が目標抵抗値Rfに対して一致したと見なされる
範囲内にあるかどうか、すなわち前記第2式が成立する
かどうかを判断する。図13の計測点P6のように、成
立すれば、当該発熱抵抗体24の処理は終了して他の発
熱抵抗体24のトリミング処理に移る。
A trimming pulse is generated and applied to the heating resistor 24. After this, the process moves to step e13, and the resistance value after the pulse application is measured again. Next, the process moves to step e14. Here, similar to step e7,
It is determined whether the resistance value is within a range that is considered to match the target resistance value Rf, that is, whether the second equation is satisfied. If the measurement point P6 in FIG. 13 is established, the process for the heat generating resistor 24 ends and the process moves on to trimming the other heat generating resistors 24.

【0067】ステップe14の判断が否定であって、第
13計測点P7のように抵抗値がまだ低く、さらに上昇
させる必要がある場合には、ステップe12に戻り、再
び前記パルス幅WLu、電圧レベルV2のトリミングパ
ルスの印加と抵抗値の測定を繰返し、ステップe14の
判断が肯定となった時点で、前述したように終了する。
If the judgment in step e14 is negative and the resistance value is still low and needs to be further increased as at the thirteenth measurement point P7, the process returns to step e12 and the pulse width WLu and voltage level are changed again. The application of the trimming pulse of V2 and the measurement of the resistance value are repeated, and when the judgment in step e14 becomes affirmative, the process ends as described above.

【0068】この繰返しの中で、ステップe14の判断
が否定であって、図12の計測点P8のように目標抵抗
値範囲よりも抵抗値が上昇してしまった場合、処理はス
テップe11に移り、前述したように、ここで抵抗値が
許容範囲内にあるか、すなわち前記数3を満足している
かどうかを判断する。この判断が肯定であれば、前述し
たように良品としてトリミング終了し、他の発熱抵抗体
の処理に移る。また否定であれば、不良品と判断してト
リミング処理を終了する。このようにして全発熱抵抗体
に対するトリミング処理を終了する。
During this repetition, if the judgment at step e14 is negative and the resistance value has risen above the target resistance value range as at measurement point P8 in FIG. 12, the process moves to step e11. As described above, it is determined here whether the resistance value is within the allowable range, that is, whether the above equation 3 is satisfied. If this judgment is affirmative, the trimming is completed as a non-defective item as described above, and the processing moves on to other heating resistors. If negative, it is determined that the product is defective and the trimming process is terminated. In this way, the trimming process for all heating resistors is completed.

【0069】上記実施例において、抵抗値をトリミング
パルスを印加しながら上昇させる過程においてパルス印
加前の抵抗値Rbのほうがパルス印加後の抵抗値Raよ
り大きい場合、すなわち抵抗値を上昇させるためのトリ
ミングパルスにより抵抗値が逆に低下してしまう場合が
存在する。このような場合、1回毎のパルス印加の抵抗
値上昇率が実際には+0.1〜+0.2%程度と最大±
0.5%程度はある抵抗値計測計44の測定誤差よりも
小さいためである場合が多く、さらに複数回のトリミン
グパルスを印加することにより、確実に抵抗値が上昇す
ることが確認された。したがってこのような場合では、
そのままトリミング処理を続行する。
In the above embodiment, in the process of increasing the resistance value while applying a trimming pulse, if the resistance value Rb before the pulse application is larger than the resistance value Ra after the pulse application, that is, trimming to increase the resistance value is performed. There are cases where the resistance value decreases due to the pulse. In such a case, the rate of increase in resistance value due to each pulse application is actually about +0.1 to +0.2%, which is a maximum of ±
This is because approximately 0.5% is often smaller than the measurement error of a certain resistance value meter 44, and it has been confirmed that the resistance value reliably increases by applying a plurality of trimming pulses. Therefore, in such a case,
Continue the trimming process.

【0070】以上の実施例では、抵抗値を低下させるた
めのトリミングパルスの印加により逆に抵抗値が上昇し
た場合や抵抗値を上昇させるためのトリミングパルスを
印加したとき、抵抗値変化が過大となり、目標抵抗値範
囲より高くなる場合が合わせて発生したとき、さらにト
リミングパルス印加を続行すると抵抗値が目標抵抗値か
ら逆に遠ざかったり、または発熱抵抗値24の破壊をも
たらす場合がある。本実施例では、このような事態を回
避しており、トリミングによる前記破壊などの不所望な
事態を防止するとともに、抵抗値が目標抵抗値範囲内に
入り難い場合であっても、許容抵抗値範囲内であれば良
品と判断しており、使用性に優れたトリミング方法が実
現されている。
In the above embodiments, when the resistance value increases due to the application of the trimming pulse to lower the resistance value, or when the trimming pulse to increase the resistance value is applied, the change in the resistance value becomes excessive. , when the resistance value becomes higher than the target resistance range, if the trimming pulse application is continued, the resistance value may move away from the target resistance value or the heating resistance value 24 may be destroyed. This embodiment avoids such a situation, prevents undesirable situations such as the destruction caused by trimming, and even when the resistance value is difficult to fall within the target resistance value range, the allowable resistance value If it is within this range, it is judged to be a good product, and a trimming method with excellent usability has been realized.

【0071】前記条件3で説明したように、抵抗値を上
昇させるための印加電圧V2による抵抗値の変化率は、
0.2〜0.3%程度に選ばれており、極めて微少であ
る。このため薄膜サーマルヘッド21における目標抵抗
値への制御性の要求がたとえば±0.3%程度であって
も、高精度に抵抗値のトリミングを実行することができ
る。このような処理をヘッド基板23のすべての発熱抵
抗体24に対して行えば、ヘッド基板23間における抵
抗値のバラツキ±0.3%、ヘッド基板23内の抵抗値
のバラツキ±0.3%、隣接する発熱抵抗体24間の抵
抗値のバラツキ±0.6%となる高精度に抵抗値が調整
されたサーマルヘッド21を実現できる。
As explained in Condition 3 above, the rate of change in the resistance value due to the applied voltage V2 for increasing the resistance value is:
It is selected to be about 0.2 to 0.3%, which is extremely small. Therefore, even if the controllability required for the target resistance value in the thin film thermal head 21 is, for example, about ±0.3%, the resistance value can be trimmed with high precision. If such processing is performed on all the heating resistors 24 of the head substrate 23, the resistance value variation between the head substrates 23 will be ±0.3%, and the resistance value variation within the head substrate 23 will be ±0.3%. , it is possible to realize a thermal head 21 in which the resistance value is adjusted with high precision so that the variation in resistance value between adjacent heating resistors 24 is ±0.6%.

【0072】また本実施例のトリミング処理は、ステッ
プe5における1回目のトリミングパルスにより抵抗値
Riを可及的に目標抵抗値Rfに近くなるようにパルス
条件を設定している。このためサーマルヘッド21の全
体のトリミング処理に必要なパルス数を削減することが
でき、トリミング処理全体の処理速度を向上でき、生産
性が向上される。
In the trimming process of this embodiment, the pulse conditions are set so that the first trimming pulse in step e5 brings the resistance value Ri as close to the target resistance value Rf as possible. Therefore, the number of pulses required for the entire trimming process of the thermal head 21 can be reduced, the processing speed of the entire trimming process can be improved, and productivity can be improved.

【0073】前述の実施例では、発熱抵抗体24毎にト
リミング処理を行うようにしたが、抵抗値計測計44や
トリミングパルス発生部45を複数組ずつ備えるように
して、複数の発熱抵抗体24に対するトリミング処理を
平行して処理するようにしてもよい。また発熱抵抗体2
4の抵抗値を変化させる手段は、前記トリミングパルス
の印加に限らず、たとえばレーザー光を照射して、レー
ザー光強度と照射時間とにより図5および図11に示し
た校正曲線を得るようにしてもよい。
In the above-mentioned embodiment, the trimming process was performed for each heating resistor 24, but by providing a plurality of resistance value meters 44 and trimming pulse generators 45 each, a plurality of heating resistors 24 can be trimmed. The trimming process may be performed in parallel. Also, heating resistor 2
The means for changing the resistance value of No. 4 is not limited to the application of the trimming pulse, but may also include, for example, irradiation with laser light to obtain the calibration curves shown in FIGS. 5 and 11 based on the laser light intensity and irradiation time. Good too.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上のように本発明に従えば、各発熱抵
抗体の予め定められる目標抵抗値に対して所定の狭い目
標抵抗値範囲と、目標抵抗値範囲より大きな範囲の許容
抵抗値範囲とを定める。発熱抵抗体に対して電圧パルス
を印加し、印加された電圧パルスのパルス幅と印加電力
とに対応する発熱抵抗体の抵抗値の低下または上昇の変
化を測定する。
As described above, according to the present invention, there is a predetermined narrow target resistance value range for the predetermined target resistance value of each heating resistor, and an allowable resistance value range that is larger than the target resistance value range. Establish. A voltage pulse is applied to the heating resistor, and a change in the decrease or increase in the resistance value of the heating resistor corresponding to the pulse width of the applied voltage pulse and the applied power is measured.

【0075】この測定結果に基づいて各発熱抵抗体に電
圧パルスを印加して抵抗値を低下または上昇させ、変化
後の抵抗値が目標抵抗値範囲にある場合には該発熱抵抗
体のトリミングを終了し、残余の発熱抵抗体のトリミン
グを継続する。変化後の抵抗値が目標抵抗値範囲外であ
り、さらに抵抗値を低下させる電圧パルスを印加した際
に変化後の抵抗値が逆に上昇しているとき、または抵抗
値を上昇させるパルスを印加した際に目標抵抗値範囲よ
り上昇したとき、変化後の抵抗値を許容抵抗値範囲と比
較してトリミングを終了する。
Based on this measurement result, a voltage pulse is applied to each heating resistor to lower or increase the resistance value, and if the resistance value after the change is within the target resistance value range, the heating resistor is trimmed. Finish and continue trimming the remaining heating resistor. When the resistance value after the change is outside the target resistance value range and the resistance value after the change is increasing when a voltage pulse that further lowers the resistance value is applied, or when a pulse that increases the resistance value is applied. When the resistance value rises above the target resistance value range, the resistance value after the change is compared with the allowable resistance value range and trimming is completed.

【0076】これにより発熱抵抗体のトリミングを行う
際に、発熱抵抗体の破壊が生じる事態を防ぐことができ
、作業性の向上とトリミングの効率化とを併せて図るこ
とができる。
[0076] This makes it possible to prevent the heating resistor from being destroyed when trimming the heating resistor, thereby improving workability and trimming efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の対象となるサーマルヘッド21の断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view of a thermal head 21 that is a subject of the present invention.

【図2】トリミングパルスのパルス幅を種々変化した際
の印加電力と抵抗値変化率との関係を示すグラフである
FIG. 2 is a graph showing the relationship between applied power and resistance change rate when the pulse width of the trimming pulse is varied.

【図3】比較的長いパルス幅のトリミングパルスの波形
と発熱抵抗体24の温度の時間変化とを示すグラフであ
る。
FIG. 3 is a graph showing the waveform of a trimming pulse with a relatively long pulse width and the change in temperature of the heating resistor 24 over time.

【図4】比較的短いパルス幅のトリミングパルスの波形
と発熱抵抗体24の温度の時間変化を示すグラフである
FIG. 4 is a graph showing the waveform of a trimming pulse with a relatively short pulse width and the temperature change of the heating resistor 24 over time.

【図5】パルス幅を一定にした際の印加電力と抵抗値変
化率との関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between applied power and resistance change rate when the pulse width is kept constant.

【図6】トリミング装置41のブロック図である。FIG. 6 is a block diagram of the trimming device 41.

【図7】サーマルヘッド21の全体の製造工程を説明す
る工程図である。
7 is a process diagram illustrating the entire manufacturing process of the thermal head 21. FIG.

【図8】パルス条件設定処理を説明する工程図である。FIG. 8 is a process diagram illustrating pulse condition setting processing.

【図9】パルス幅を一定にしたときの印加電力と抵抗値
変化率との関係を示すグラフである。
FIG. 9 is a graph showing the relationship between applied power and resistance change rate when the pulse width is kept constant.

【図10】トリミング処理を説明する工程図である。FIG. 10 is a process diagram illustrating trimming processing.

【図11】抵抗値を下降させる処理過程において、ある
ステップから抵抗値が下からなくなり、目標値まで低下
しない場合のグラフである。
FIG. 11 is a graph showing a case where the resistance value disappears from a certain step and does not decrease to the target value in the process of lowering the resistance value.

【図12】抵抗値を上昇させる処理過程において目標抵
抗値範囲より上昇しすぎる場合のグラフである。
FIG. 12 is a graph showing a case where the resistance value increases too much beyond the target resistance value range in the process of increasing the resistance value.

【図13】正常に目標抵抗値範囲に制御された場合のグ
ラフである。
FIG. 13 is a graph when the resistance value is normally controlled within the target resistance range.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21  サーマルヘッド 23  ヘッド基板 24  発熱抵抗体 41  トリミング装置 44  抵抗値計測計 45  トリミングパルス発生部 47  校正曲線記憶部 49  パルス幅調整部 50  電圧調整部 21 Thermal head 23 Head board 24 Heating resistor 41 Trimming device 44 Resistance value meter 45 Trimming pulse generator 47 Calibration curve storage section 49 Pulse width adjustment section 50 Voltage adjustment section

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  薄膜サーマルヘッドの電気絶縁性基板
上に直線状に配列された複数の発熱抵抗体をトリミング
する方法において、発熱抵抗体に対して電圧パルスを印
加して該電圧パルスのパルス幅と印加電力とに対応する
発熱抵抗体の抵抗値の低下または上昇の変化を測定し、
次いでこの測定結果に基づいて各発熱抵抗体に電圧パル
スを印加して抵抗値を低下または上昇させ、その変化後
の抵抗値が所定の狭い範囲の目標抵抗値範囲にある場合
には該発熱抵抗体のトリミングを終了し、目標抵抗値か
ら外れる場合には再度発熱抵抗体のトリミングを行って
抵抗値が許容範囲内に入るようにしたことを特徴とする
薄膜サーマルヘッドの抵抗体トリミング方法。
1. A method for trimming a plurality of heating resistors arranged linearly on an electrically insulating substrate of a thin film thermal head, in which a voltage pulse is applied to the heating resistors and the pulse width of the voltage pulse is Measure the change in the resistance value of the heating resistor corresponding to the applied power and the decrease or increase in the resistance value,
Next, based on this measurement result, a voltage pulse is applied to each heating resistor to lower or increase the resistance value, and if the resistance value after the change is within a predetermined narrow target resistance value range, the heating resistor A method for trimming a resistor of a thin film thermal head, characterized in that when trimming of the body ends and the resistance value deviates from a target resistance value, the heating resistor is trimmed again so that the resistance value falls within an allowable range.
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