JP2833748B2 - Recording correction method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオン流照射により階調画像を高品質に
記録するための記録補正方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第５図は従来のイオン流照射による記録方法を説明す
る図であって、１はシールドケース、２はコロナワイ
ヤ、３はイオン流制御基板、４はイオン流制御用の個別
電極、５はイオン流制御用の共通電極、６はイオン流通
過孔、７は記録媒体、８はイオン流通過用のルス電圧、
９は画信号が加わるイオン流通過用パルス発生回路、10
は高圧電源、11はバイアス電源である。
これを動作するには、コロナワイヤ２近傍で発生した
イオン流について、パルス電圧８のパルス幅Ｔ時間の間
だけ、イオン流通過孔６を通過せしめることによって記
録媒体７上にイオン流を照射し、記録媒体７上の表面電
荷を帯電トナーにより現像して可視像を得る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、イオン流制御基板３および個別電極4,共通電
極５に精度よくイオン流通過孔６を設けることが難かし
く、孔径むら等が生じ易いため、各孔を通過するイオン
流量にばらつきが生じ、結果的に記録媒体７上の画像に
濃度むらが生じるという欠点があった。
この発明の目的は、イオン流制御基板の製造むら等に
起因する記録画像むらを大幅に減少させる記録補正方法
を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる記録補正方法は、記録動作以前に各
イオン流通過孔別のイオン流通過特性を各イオン流通過
孔毎にイオン流を通過状態とする電圧パルスを加え通過
する電流を測定することにより求め、求められた電流値
に従って記録動作時にイオン流通過孔の通過電流ばらつ
きをおさえるように、前記各イオン流通過孔に加える電
圧パルス幅を補正するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、イオン流制御基板上の各イオン
流通過孔におけるイオン流通過特性を個々のイオン流通
過孔でのイオン電流値の測定によりあらかじめ測定して
おき、その測定結果をもとに実際に記録動作を行う際の
記録信号に補正を加えて各イオン流通過孔のイオン通過
特性の差違を相殺させる。
〔実施例〕
第１図はこの発明の第１の実施例を説明する装置の構
成略図であって、１〜11は第５図と同じものであり、12
は前記各イオン流通過孔６毎の補正係数記憶用ROMであ
る。
これを動作するには、コロナワイヤ２近傍で発生した
イオン流について、パルス電圧８のパルス幅Ｔ時間の間
だけイオン流通過孔６を通過せしめることによって、記
録媒体７にイオン流を照射し、記録媒体７上の表面電荷
像を帯電トナーにより現像して可視像を得るものである
が、イオン流制御基板３上の各イオン流通過孔６に対し
て与えるイオン流通過用のパルス電圧８のパルス幅Ｔは
各イオン流通過孔６の製造精度のばらつきによるイオン
流の通過量ばらつきを補正するように設定し、例えば各
イオン流通過孔６から各々等しいイオン量を照射させた
い均一濃度部分に対する記録動作中にも各々のイオン流
通過用のパルス電圧８のパルス幅は、第１図に示すよう
に、T1,T2,T3,T4,T5のように異なる値を与えるものとす
る。各イオン流通過孔６に対して与えるべきパルス幅の
比率は補正係数として補正係数記憶用ROM12等に記憶さ
せておき、各イオン流通過孔６へ向かう画信号を一定比
率に補正する。
第２図はこの発明の第１の実施例におけるパルス電圧
８の各イオン流通過孔６における設定値の選定法を説明
するための装置の断面略図であって、13はイオン流の測
定電極、14は前記イオン流通過孔６を通過するイオン
流、15,16は直流電源である。
第１図において説明した各イオン流通過孔６毎に個有
のイオン流通過用のパルス電圧８のパルス幅を設定する
方法としては、各イオン流通過孔６にイオン流通過状態
の電位条件を与えてイオン流14を通過させ、このイオン
流14を測定電極13で受けて、その電流値Ｉを測定する。
この測定動作をイオン流制御基板３上の全部のイオン流
通過孔６について行う。各々のイオン流通過孔６におけ
る電流値Ｉの大きさが各々のイオン流通過特性を表わす
から、これに基づいて、例えば具体的には各々イオン流
通過孔６における電流値Ｉに逆比例するように、各々の
イオン流通過孔６におけるパルス幅を設定することによ
り、各イオン流通過孔６におけるイオン流通過量をすべ
て同じ値にすることができる。この際、各イオン流通過
孔６における電流測定値の比を、例えば記録装置内の補
正係数記憶用ROM12に記憶させておき、記録の際の補正
係数として用いることができる。その結果としてイオン
流制御基板３上のイオン流通過孔６の製造精度が低く、
例えば孔径のばらつきが存在する場合でも、そのばらつ
きを補正して各孔から均等なイオン量を得ることがで
き、結果としてイオン流通過孔６の製造精度が低い場合
でも、濃度むらの極めて少ない画像を得ることができ
る。
この発明による補正方法は、階調記録を行おうとする
場合にももちろん有効であり、例えば、イオン流通過用
のパルス電圧８のパルス幅を連続的に変化させて、各孔
におけるイオン流照射量を連続的に変化させながら記録
動作を行うような場合には、各々のイオン流通過孔６に
おけるパルス幅の変化範囲として、各々のイオン流通過
孔６の最大パルス幅は電流測定時の測定電流に反比例さ
せた値とし、各々の孔において固有の最大パルス幅を階
調記録の階調レベル数に応じて、分割して各イオン流通
過孔６で用いることにより、各濃度レベルの孔毎のばら
つきを補正し、全濃度範囲にわたって濃度むらの極めて
少い階調画像を得ることができる。
これまでの説明では、補正はイオン流通過用のパルス
電圧８のパルス幅Ｔに対して行う実施例で説明したが、
他の実施例としては、イオン流通過用のパルス電圧８の
パルス高に各孔毎の補正を加える方法によっても実現で
きる。通過するイオン流はパルス電圧８の高さとともに
増大するため、通過量の少ない開孔には高いパルス電圧
８を印加することにより、むらが補正できる。
各イオン流通過孔６を通過するイオン電流値とパルス
電圧８のパルス高との関係は第３図のような傾向を持っ
ており、結果として、例えば「電子写真学会誌第25巻第
２号（1986）P102〜107“イオン流制御方式におけるド
ットの径の制御特性",面谷，田中，星野」において、パ
ルス高が大きくなるにつれ記録ドット径が大きくなる実
験結果が示されている。上記文献のFig9におけるE2/E1
がパルス高に対応している。この関係に基づいてパルス
高による濃度むら補正を実現することが可能である。
また、上記実施例において、電流値Ｉの測定はイオン
流通過状態の定常電位を各イオン流通過孔６に対して与
えて行うとしたが、各孔に対応するイオン流通過用パル
ス発生回路９から記録動作に用いる基準パルスを各孔に
与えたときの総通過イオン量を各々のイオン流通過孔６
について測定し、これを補正基準として用いてももちろ
んよく、この場合には各孔につながっているイオン流通
過用パルス発生回路９のばらつきも含めて補正すること
になるため、より正確な補正を行うことが可能となる。
さらに、パルス電圧８のパルス幅による補正とパルス
高による補正を併用することにより、さらに正確な補正
を行うことも可能である。実際例としては、例えば、パ
ルス高の補正によりまず大まかな補正を行い必要なら
ば、この時点で各イオン流通過孔６からのイオン電流の
再測定を行って、次にパルス幅補正よりさらに各イオン
流通過孔６毎の濃度変化を抑えるという方法を用いるこ
ともできる。
第４図はパルス高を補正する場合の補正機能付パルス
発生回路の構成例を示す。この回路において、Ｑはトラ
ンジスタ、R1,R2は抵抗体、4,6は第１図と同じ個別電極
およびイオン流制御孔である。
この回路で、画信号に応じてトランジスタＱをON−OF
Fさせることにより個別電極４にパルス状電圧を与える
ことができるが、このときトランジスタＱがON状態では
電圧Vxは、
VX＝V2
OFF状態では
となる。
トランジスタＱがOFF状態での電圧VXが抵抗体R1およ
びR2の影響を受けることから、抵抗体R1またはR2の値を
各イオン流通過孔用の回路毎に異なる値に設定してやる
ことにより、各イオン流通過孔６に与えるパルス電圧８
のパルス高を調整することができる。実際の使用法とし
ては、各イオン流通過孔６における通過イオン電流値を
測定した後、測定値に応じて各イオン流通過孔６の個別
電極４につながるイオン流通過用パルス発生回路９中の
抵抗体R1,R2相当部分についてレーザトリミング等の手
法により抵抗値の調整を行ってやることにより、各イオ
ン流通過孔６毎の濃度補正を行うことができる。
なお、上記の実施例では、パルス電圧８を個別電極４
に印加してイオン流の制御を行っているが、個別電極４
としてはイオン流通過孔６に個別に設けずに、例えば第
１図でイオン流制御基板３に縦横に複数個のイオン流通
過孔６を設け、イオン流制御基板３の一方の面に複数の
イオン流通過孔６に共通な複数の列電極を設け、各列電
極に直交する同じく行電極をイオン流制御基板３の他方
の面に設けてマトリクス状とし、その交点のイオン流通
過孔６を制御するようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、記録動作以前に各イ
オン流通過孔別のイオン流通過特性を、各イオン流通過
孔毎にイオン流を通過状態とする電圧パルスを加え通過
する電流を測定することにより求め、求められた電流値
に従って記録動作時にイオン流通過孔の通過電流ばらつ
きをおさえるように、各イオン流通過孔に加える電圧パ
ルス幅を補正するようにしたので、イオン流制御基板の
製造精度に限界があってイオン流通過孔の孔径むら等が
存在する場合でも、その孔径むら等を補正して各イオン
流通過孔からイオン流量を得ることができるから、結果
として濃度むらの極めて少ない画像を得ることができる
利点がある。この利点は階調記録を行なう場合に特に有
効であり、写真等の連続階調画像をむらなく高品質に再
現できる。
しかも補正すべきイオン流量を実測して補正量を求め
るため、補正量はきわめて正確であり、また、特にパル
ス幅と通過イオン量の関係は良好な比例関係を持つの
で、性格で迅速な補正が可能となる利点を有する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recording correction method for recording a gradation image with high quality by ion stream irradiation. [Prior Art] FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional recording method using ion flow irradiation, wherein 1 is a shield case, 2 is a corona wire, 3 is an ion flow control board, and 4 is an individual for controlling ion flow. Electrodes, 5 are common electrodes for controlling ion flow, 6 is an ion flow passage hole, 7 is a recording medium, 8 is a loose voltage for passing ion flow,
9 is a pulse generation circuit for passing an ion current to which an image signal is added;
Is a high voltage power supply and 11 is a bias power supply. In order to operate this, the ion stream generated near the corona wire 2 is irradiated with the ion stream onto the recording medium 7 by passing the ion stream through the ion stream passage hole 6 for the pulse width T time of the pulse voltage 8. Then, the surface charge on the recording medium 7 is developed with the charged toner to obtain a visible image. [Problems to be Solved by the Invention] However, it is difficult to accurately provide the ion flow passage holes 6 in the ion flow control substrate 3, the individual electrodes 4, and the common electrode 5. However, there is a disadvantage that the flow rate of ions passing through the recording medium varies, and as a result, density unevenness occurs in the image on the recording medium 7. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a recording correction method for greatly reducing recorded image unevenness due to unevenness in the production of an ion flow control substrate. [Means for Solving the Problems] The recording correction method according to the present invention is characterized in that, before the recording operation, the ion flow passage characteristic of each ion flow passage hole is set so that the ion flow passes through each ion flow passage hole. It is obtained by measuring a passing current by adding a pulse, and correcting a voltage pulse width applied to each of the ion flow passage holes so as to suppress a variation in a passage current of the ion flow passage hole during a recording operation according to the obtained current value. It was made. [Action] In the present invention, the ion flow passage characteristics in each ion flow passage hole on the ion flow control substrate are measured in advance by measuring the ion current value in each ion flow passage hole, and the measurement results are also obtained. At the same time, a correction is made to the recording signal at the time of actually performing the recording operation, thereby canceling the difference in the ion passing characteristics of the respective ion flow passage holes. [Embodiment] FIG. 1 is a schematic structural view of an apparatus for explaining a first embodiment of the present invention, wherein 1 to 11 are the same as those in FIG.
Is a ROM for storing a correction coefficient for each ion flow passage hole 6. To operate this, the recording medium 7 is irradiated with the ion current by passing the ion current generated in the vicinity of the corona wire 2 through the ion flow passage hole 6 for the pulse width T time of the pulse voltage 8, The surface charge image on the recording medium 7 is developed with a charged toner to obtain a visible image. The ion current passing pulse voltage 8 applied to each ion flow passage hole 6 on the ion flow control substrate 3 is used. The pulse width T is set so as to correct the variation in the amount of passage of the ion flow due to the variation in the manufacturing accuracy of each ion flow passage hole 6, for example, a uniform concentration portion where the same amount of ions is desired to be irradiated from each ion flow passage hole 6. the pulse width of the pulse voltage 8 for also each of the ion stream passing during recording operation, as shown in FIG. 1, give different values as T 1, T 2, T 3 , T 4, T 5 for Shall be. The ratio of the pulse width to be given to each ion flow passage hole 6 is stored as a correction coefficient in the correction coefficient storage ROM 12 or the like, and the image signal toward each ion flow passage hole 6 is corrected to a constant ratio. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an apparatus for explaining a method of selecting a set value of the pulse voltage 8 in each ion flow passage hole 6 in the first embodiment of the present invention. Reference numeral 14 denotes an ion flow passing through the ion flow passage hole 6, and reference numerals 15 and 16 denote DC power supplies. As a method of setting the pulse width of the pulse voltage 8 for individual ion flow passing for each ion flow passage hole 6 described in FIG. 1, a potential condition of the ion flow passage state in each ion flow passage hole 6 is set. The ion current 14 is passed through and the ion current 14 is received by the measurement electrode 13, and the current value I is measured.
This measurement operation is performed for all the ion flow passage holes 6 on the ion flow control substrate 3. Since the magnitude of the current value I in each ion flow passage hole 6 represents each ion flow passage characteristic, based on this, for example, specifically, the current value I is inversely proportional to the current value I in each ion flow passage hole 6. By setting the pulse width in each ion flow passage hole 6, the amount of ion flow passage in each ion flow passage hole 6 can be made the same. At this time, the ratio of the measured current values in each ion flow passage hole 6 can be stored in, for example, a correction coefficient storage ROM 12 in the recording device and used as a correction coefficient at the time of recording. As a result, the manufacturing accuracy of the ion flow passage holes 6 on the ion flow control substrate 3 is low,
For example, even if there is a variation in the hole diameter, an even amount of ions can be obtained from each of the holes by correcting the variation. As a result, even when the manufacturing accuracy of the ion flow passage hole 6 is low, an image with extremely low density unevenness is obtained. Can be obtained. The correction method according to the present invention is, of course, also effective in a case where gradation recording is to be performed. For example, the pulse width of the pulse voltage 8 for passing an ion current is continuously changed so that the irradiation amount of the ion current in each hole is changed. In the case where the recording operation is performed while continuously changing the current, the maximum pulse width of each ion flow passage hole 6 is defined as the range of change of the pulse width in each ion flow passage hole 6. The maximum pulse width unique to each hole is divided and used in each ion flow passage hole 6 according to the number of gradation levels of gradation recording, so that each hole of each concentration level is By correcting the variation, it is possible to obtain a gradation image with extremely small density unevenness over the entire density range. In the above description, the correction is performed on the pulse width T of the pulse voltage 8 for passing the ion current.
As another embodiment, it can also be realized by a method in which the pulse height of the pulse voltage 8 for passing the ion current is corrected for each hole. Since the passing ion current increases with the height of the pulse voltage 8, the unevenness can be corrected by applying a high pulse voltage 8 to the aperture having a small amount of passage. The relationship between the ion current value passing through each ion flow passage hole 6 and the pulse height of the pulse voltage 8 has a tendency as shown in FIG. 3, and as a result, for example, “Electronic Photograph Society, Vol. 25, No. 2, (1986) P102-107, "Dot Diameter Control Characteristics in Ion Flow Control Method", Mitani, Tanaka, Hoshino, show experimental results in which the recording dot diameter increases as the pulse height increases. E in Fig9 of the document 2 / E 1
Corresponds to the pulse height. Based on this relationship, it is possible to realize density unevenness correction by the pulse height. In the above embodiment, the measurement of the current value I is performed by applying a steady potential in the ion flow passage state to each ion flow passage hole 6, but the ion current passage pulse generation circuit 9 corresponding to each hole is measured. When the reference pulse used for the recording operation is given to each of the holes, the total amount of ions passing therethrough is calculated for each ion flow passage hole 6.
May be measured and used as a correction criterion. In this case, the correction is performed including the variation of the ion flow passage pulse generation circuit 9 connected to each hole. It is possible to do. Further, by using both the correction based on the pulse width of the pulse voltage 8 and the correction based on the pulse height, it is possible to perform more accurate correction. As a practical example, for example, if it is necessary to first make a rough correction by correcting the pulse height, then remeasure the ion current from each ion flow passage hole 6 at this time, and then further perform each of the pulse width corrections. It is also possible to use a method of suppressing a change in concentration of each ion flow passage hole 6. FIG. 4 shows a configuration example of a pulse generation circuit with a correction function when correcting the pulse height. In this circuit, Q is a transistor, R 1 and R 2 are resistors, and 4 and 6 are individual electrodes and ion flow control holes as in FIG. In this circuit, the transistor Q is turned ON-OF in accordance with the image signal.
Can provide a pulsed voltage to the individual electrode 4 by F, the voltage V x at this time the transistor Q is ON is, V X = V in 2 OFF state Becomes Since the transistor Q is affected voltage V X at OFF state of the resistor R 1 and R 2, the value of the resistor R 1 or R 2'll set to different values for each circuit for each ion flow passage hole Thus, the pulse voltage 8 applied to each ion flow passage hole 6
Can be adjusted. As an actual usage, after measuring the passing ion current value in each ion flow passage hole 6, the ion flow passage pulse generation circuit 9 connected to the individual electrode 4 of each ion flow passage hole 6 according to the measured value. By adjusting the resistance value of the portions corresponding to the resistors R 1 and R 2 by a method such as laser trimming, the concentration of each ion flow passage hole 6 can be corrected. In the above embodiment, the pulse voltage 8 is applied to the individual electrodes 4.
To control the ion flow.
In FIG. 1, for example, a plurality of ion flow passage holes 6 are provided vertically and horizontally on the ion flow control substrate 3, and a plurality of ion flow passage holes 6 are provided on one surface of the ion flow control substrate 3. A plurality of column electrodes common to the ion flow passage holes 6 are provided, and the same row electrodes orthogonal to each column electrode are provided on the other surface of the ion flow control substrate 3 to form a matrix. You may make it control. [Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, prior to the recording operation, the ion flow passage characteristics of each ion flow passage hole are applied by applying a voltage pulse for making the ion flow pass for each ion flow passage hole. The voltage pulse width applied to each ion flow passage hole was corrected so as to suppress the variation in the passage current of the ion flow passage hole during the recording operation in accordance with the obtained current value. Even when there is a limit in the manufacturing accuracy of the flow control substrate and there is unevenness in the diameter of the ion flow passage hole, etc., the ion flow rate can be obtained from each ion flow passage hole by correcting the hole diameter unevenness and the like. There is an advantage that an image with very little density unevenness can be obtained. This advantage is particularly effective when performing gradation recording, and a continuous gradation image such as a photograph can be reproduced with high quality evenly. In addition, since the correction amount is obtained by actually measuring the ion flow rate to be corrected, the correction amount is extremely accurate. In particular, since the relationship between the pulse width and the amount of passing ions has a good proportional relationship, the characteristic and quick correction can be performed. It has the possible advantages.
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１の実施例の説明するための装置
を示す構成略図、第２図はこの発明の第１の実施例にお
けるパルス電圧の各イオン流通過孔における設定値の選
定法を説明するための装置の断面略図、第３図はパルス
高と通過イオン電流の関係を示す説明図、第４図はパル
ス高の補正回路の一例を示す説明図、第５図はイオン流
照射による従来の記録方法を説明するための装置を示す
構成略図である。
図において、１はシールドケース、２はコロナワイヤ、
３はイオン流制御基板、４は個別電極、５は共通電極、
６はイオン流通過孔、７は記録媒体、８はパルス電圧、
９はイオン流通過用パルス発生回路、10は高圧電源、11
はバイアス電源である。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic diagram showing an apparatus for explaining a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a pulse voltage passing through each ion current in the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a device for explaining a method of selecting a set value in a hole, FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a pulse height and a passing ion current, FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of a pulse height correction circuit, FIG. 5 is a schematic diagram showing an apparatus for explaining a conventional recording method using ion stream irradiation. In the figure, 1 is a shield case, 2 is a corona wire,
3 is an ion flow control substrate, 4 is an individual electrode, 5 is a common electrode,
6 is an ion flow passage hole, 7 is a recording medium, 8 is a pulse voltage,
9 is a pulse generation circuit for passing an ion flow, 10 is a high voltage power supply, 11
Is a bias power supply. The same reference numerals in each drawing indicate the same or corresponding parts.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星野 坦之 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−61867（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−176853（ＪＰ，Ａ) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Taniyuki Hoshino 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References JP-A-61-61867 (JP, A) JP-A-62-176853 (JP, A)
Claims (1)
過孔を通過するイオン流を各イオン流通過孔に個別電極
に加える電圧パルスにより制御して記録媒体に照射し、
この記録媒体上に生じせしめた表面電荷像を現像して可
視像とする記録方法において、 記録動作以前に各イオン流通過孔別のイオン流通過特性
を各イオン流通過孔毎にイオン流を通過状態とする電圧
パルスを加え通過する電流を測定することにより求め、
求められた電流値の大きさと反比例する係数を、記録信
号に対応する電圧パルス幅にかけることで、各イオン流
通過孔に加える電圧パルス幅を補正する ことを特徴とする記録補正方法。(57) [Claims] Irradiate the recording medium by controlling the ion flow passing through a large number of ion flow passage holes arranged on the ion flow control substrate by controlling the voltage pulse applied to each electrode to each ion flow passage hole,
In a recording method in which a surface charge image generated on a recording medium is developed into a visible image, the ion flow passage characteristics of each ion flow passage hole are determined before the recording operation. It is obtained by applying a voltage pulse to make the passing state and measuring the passing current,
A recording correction method, wherein the voltage pulse width applied to each ion flow passage hole is corrected by multiplying a voltage pulse width corresponding to a recording signal by a coefficient inversely proportional to the magnitude of the obtained current value.
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