JP2831854B2 - Resistor trimming method for thin film thermal head - Google Patents

Resistor trimming method for thin film thermal head

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JP2831854B2
JP2831854B2 JP2418993A JP41899390A JP2831854B2 JP 2831854 B2 JP2831854 B2 JP 2831854B2 JP 2418993 A JP2418993 A JP 2418993A JP 41899390 A JP41899390 A JP 41899390A JP 2831854 B2 JP2831854 B2 JP 2831854B2
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trimming
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resistance
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッドに薄膜
技術により形成される発熱抵抗素子の抵抗値を調整する
抵抗体トリミング方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resistor trimming method for adjusting a resistance value of a heating resistor formed on a thermal head by a thin film technique.

【0002】[0002]

【従来の技術】各種印画出力装置に用いられるサーマル
ヘッドは、ヘッド基板上に複数の発熱抵抗素子が形成さ
れ、この発熱抵抗素子が選択的に電力付勢されて感熱印
画が行われる。サーマルヘッドにおいて印画時における
濃度むらなどを生じる抵抗値のバラツキには、下記の3
種類がある。
2. Description of the Related Art In a thermal head used in various printing output devices, a plurality of heating resistance elements are formed on a head substrate, and the heating resistance elements are selectively energized to perform thermal printing. Variations in the resistance value that causes density unevenness during printing with the thermal head are as follows.
There are types.

【0003】(1)ヘッド間のバラツキ、すなわち同一
規格のサーマルヘッドであっても、各ヘッド毎の平均抵
抗値にバラツキが生じる。
(1) Variations between heads, that is, even for thermal heads of the same standard, variations occur in the average resistance value of each head.

【0004】(2)ヘッド内のバラツキ、すなわち単一
のサーマルヘッド内における発熱抵抗素子の抵抗値のバ
ラツキである。
(2) Variation in the head, that is, variation in the resistance value of the heating resistor element in a single thermal head.

【0005】(3)隣接ドット間のバラツキ、すなわち
単一のサーマルヘッド内の隣接する発熱抵抗素子間のバ
ラツキ。
(3) Variation between adjacent dots, that is, variation between adjacent heating resistance elements in a single thermal head.

【0006】ここで厚膜サーマルヘッドにおいて、発熱
抵抗素子はペースト状の抵抗体材料を印刷にて電気絶縁
性基板上に形成するため、抵抗値のバラツキは、この印
刷精度に最も左右され、したがって前記ヘッド内および
隣接ドット間のバラツキが大きく、ヘッド間のバラツキ
はヘッド毎の平均抵抗値のバラツキであるため、比較的
小さくなることが知られている。一方、薄膜のサーマル
ヘッドの場合、スパッタリングや蒸着などにより、抵抗
体材料層を形成した後、所定のパターン形状にエッチン
グして発熱抵抗素子として形成する。これにより抵抗値
のバラツキは、隣接ドット間のバラツキとしてはたとえ
ば±0.5%程度と小さく、ヘッド内のバラツキも比較
的小さいことが知られている。一方、同一膜厚の薄膜を
ヘッド毎に毎回形成することが困難であるため、ヘッド
間のバラツキは比較的大きくなる。
Here, in the thick-film thermal head, since the heating resistance element is formed by printing a paste-like resistor material on an electrically insulating substrate by printing, the variation in the resistance value is most affected by the printing accuracy, and therefore, It is known that the dispersion within the head and between adjacent dots is relatively large, and the dispersion between the heads is relatively small because the dispersion is the average resistance value of each head. On the other hand, in the case of a thin-film thermal head, after forming a resistor material layer by sputtering or vapor deposition, it is etched into a predetermined pattern to form a heating resistor element. As a result, it is known that the variation in the resistance value is small, for example, about ± 0.5% as the variation between adjacent dots, and the variation in the head is relatively small. On the other hand, since it is difficult to form a thin film of the same thickness every time for each head, the variation between heads is relatively large.

【0007】このとき設計された印画濃度を実現するた
めに、各発熱抵抗素子の抵抗値は均一である必要があ
る。このため、発熱抵抗素子の形成後に発熱抵抗素子に
電圧パルスを印加して抵抗値を低下させ、バラツキを可
及的に抑制するトリミング技術が採用されている。
At this time, in order to realize the designed printing density, it is necessary that the resistance values of the respective heating resistance elements are uniform. For this reason, a trimming technique has been employed in which a voltage pulse is applied to the heating resistor element after the heating resistor element is formed to reduce the resistance value and minimize variations.

【0008】このようなトリミングを行う従来例とし
て、サーマルヘッドを製造するにあたり、同一ロット内
や同一基板内では、各発熱抵抗素子に同一のトリミング
パルスを印加した際の抵抗値の変化状態に規則性や再現
性が見られる現象に着目し、印加するトリミングパルス
の電圧値と抵抗値Rの変化率ΔR/Rとの間の相関関係
すなわち校正曲線を予め求めておき、この校正曲線に従
って初期電圧V0を決定し、この初期電圧V0を印加す
ることによって抵抗値を可及的に目標抵抗値に近付け
る。この後、増加分ΔVずつ電圧を増加させたパルスを
印加して抵抗値を漸減させている。
As a conventional example of performing such trimming, in manufacturing a thermal head, in the same lot or on the same substrate, a change in the resistance value when the same trimming pulse is applied to each heating resistor element is regulated. The correlation between the voltage value of the trimming pulse to be applied and the rate of change ΔR / R of the resistance value R, that is, the calibration curve is determined in advance, and the initial voltage is calculated according to the calibration curve. V0 is determined, and the resistance value is made as close as possible to the target resistance value by applying the initial voltage V0. Thereafter, a pulse whose voltage is increased by the increment ΔV is applied to gradually reduce the resistance value.

【0009】上記従来例において校正曲線を定めるに当
たり、サーマルヘッドの発熱抵抗素子に予めテストパル
スを印加するが、どのようなサーマルヘッドに対してテ
ストパルスを印加するかによって、下記の3種類の方法
が挙げられる。
In determining the calibration curve in the above conventional example, a test pulse is applied in advance to the heating resistor element of the thermal head. The following three methods are used depending on the type of the thermal head to which the test pulse is applied. Is mentioned.

【0010】(1)実際にトリミング処理して実用に供
されるサーマルヘッド内から数十ドットを選出し、これ
にテストトリミングを行う。
(1) Dozens of dots are selected from a thermal head which is actually used by performing a trimming process, and test trimming is performed on the selected dot.

【0011】(2)実際にトリミング処理して実用に供
されるサーマルヘッド内に、予め実際使用時には印字を
行わずトリミングテストを行うためのダミードッドを用
意し、このダミードッドに対してテストトリミングを行
う。
(2) A dummy dot for performing a trimming test without performing printing in actual use is prepared in a thermal head which is actually used after actually performing a trimming process, and test trimming is performed on the dummy dot. .

【0012】(3)前記ロット毎にサンプルヘッドをト
リミングテストを行うためだけの目的で設定し、このサ
ンプルヘッド内から数十ドットを選出して、これにテス
トトリミングを行う。
(3) The sample head is set for each lot only for the purpose of performing the trimming test, and several tens of dots are selected from the sample head and the test trimming is performed.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】前述した3種類の抵抗
値のバラツキの内、ヘッド間のバラツキはサーマルヘッ
ドを駆動する電源の仕様に大きく影響する。すなわち、
サーマルヘッド毎に平均抵抗値がバラツクため、同一構
成の電源でこのようなサーマルヘッドを駆動しようとす
ると、電源の容量が大きくなり、またサーマルヘッド毎
に駆動電圧を調整する回路が必要となり、構成が複雑化
してしまう。
Of the three types of resistance value variations described above, variations between heads greatly affect the specifications of a power supply for driving a thermal head. That is,
Since the average resistance value varies from one thermal head to another, driving such a thermal head with a power supply of the same configuration increases the capacity of the power supply and requires a circuit to adjust the drive voltage for each thermal head. Is complicated.

【0014】一方、ヘッド内のバラツキおよび隣接ドッ
ト間のバラツキは、たとえば中間調の感熱印画などの高
精度の感熱印画を行う際には、濃度むらを生じるけれど
も中間調表示を行わない文字や各種キャラクタの印字動
作時には、このようなヘッド内および隣接ドット間のバ
ラツキが品質に及ぼす影響は小さくなる。このような低
精度の感熱印画を行う場合のサーマルヘッドの抵抗体を
トリミングするに際して、高速かつ容易な方法が希望さ
れている。
On the other hand, the variation in the head and the variation between adjacent dots can be caused by the fact that when performing high-precision thermal printing such as half-tone thermal printing, characters or non-halftone display that may cause density unevenness but do not perform halftone display. At the time of character printing operation, the influence of such variations in the head and between adjacent dots on the quality is reduced. When trimming the resistor of the thermal head when performing such low-accuracy thermal printing, a high-speed and easy method is desired.

【0015】また、前述した3種類のテストパルスを印
加する方法について、下記のような問題点が生じてい
る。
Further, the following problems arise in the method of applying the above three types of test pulses.

【0016】前記第1の方法では、実際にトリミングし
て実用に供されるサーマルヘッド内の発熱抵抗素子でト
リミングテストを行うため、得られる校正曲線の精度は
高くなる。しかしながら、テストパルスを印加した発熱
抵抗素子も実際使用時に印画を行うため、テストパルス
印加後、高電圧などにより破壊されてしまうと当該サー
マルヘッドは不良品となる。しかしながら、テストトリ
ミングでは、トリミング可能な電圧などの限界を確認す
るために、発熱抵抗素子が破壊されるまで、電圧値やパ
ルス持続時間などの各種パルス条件を設定してテストが
行われる。このため前述したように、破壊される可能性
が高くなるという問題を生じる。
In the first method, since the trimming test is performed using the heating resistor element in the thermal head which is actually trimmed and put to practical use, the accuracy of the obtained calibration curve is increased. However, since the heating resistor element to which the test pulse is applied also prints during actual use, if the test pulse is destroyed by a high voltage or the like after the application of the test pulse, the thermal head becomes a defective product. However, in the test trimming, in order to confirm a limit such as a voltage that can be trimmed, a test is performed by setting various pulse conditions such as a voltage value and a pulse duration until the heating resistor element is destroyed. Therefore, as described above, there is a problem that the possibility of destruction increases.

【0017】また破壊に至らない状態で良好な校正曲線
が作成された場合であっても、テストトリミングの対象
となった発熱抵抗素子も、予め設定される目標抵抗値に
近付ける必要があるため、さらにトリミングパルスを印
加する場合があり、その結果、破壊されたりまたは信頼
性が低下したりする場合がある。
Even if a good calibration curve is created in a state that does not lead to destruction, the heating resistance element subjected to test trimming needs to approach a target resistance value set in advance. Further, a trimming pulse may be applied, which may result in destruction or reduced reliability.

【0018】しかも前記校正曲線は、サーマルヘッド毎
に作成する必要があるため、前記テストパルスのパルス
条件の決定や校正曲線の作成を、多数のサーマルヘッド
に亘り効率的に行うのは困難である。
Moreover, since the calibration curve needs to be created for each thermal head, it is difficult to efficiently determine the pulse conditions of the test pulse and create the calibration curve over a large number of thermal heads. .

【0019】前記第2の方法では、テストパルスを印加
される発熱抵抗素子は、実際使用時には使用されないの
で、第1の従来例における問題点は解消されるけれど
も、トリミング処理が行われるサーマルヘッドには必ず
ダミードットが必要であり、サーマルヘッドの設計を新
規に行う必要があり、多大な労力を要することになる。
またサーマルヘッド内に設定されるダミードットは、多
数を用意することは困難であり、高精度の校正曲線を得
るのは困難になる。
In the second method, since the heating resistance element to which the test pulse is applied is not used during actual use, the problem in the first conventional example is solved. Requires a dummy dot, which requires a new design of the thermal head, which requires a great deal of labor.
Also, it is difficult to prepare a large number of dummy dots set in the thermal head, and it is difficult to obtain a highly accurate calibration curve.

【0020】前記第3の方法は、比較的実用的である
が、ロット毎にテストトリミングをサンプルヘッドにて
行い校正曲線を作成するには多大の時間を要しサーマル
ヘッドの生産性を低下させてしまう。したがって一度校
正曲線を作成した場合、ロットなどに関係なく任意のサ
ーマルヘッドで、この校正曲線が使用できる汎用性を有
するトリミング方法が望まれている。
Although the third method is relatively practical, it takes a lot of time to prepare a calibration curve by performing test trimming with a sample head for each lot, which reduces the productivity of the thermal head. Would. Therefore, once a calibration curve is created, there is a demand for a versatile trimming method that can use this calibration curve with any thermal head regardless of the lot or the like.

【0021】本発明の目的は、上述の技術的課題を解消
し、中間調表示を行わない比較的低精度の感熱記録を行
う場合に用いられるサーマルヘッドの高速かつ容易であ
って、汎用性を有する薄膜サーマルヘッドの抵抗体トリ
ミング方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and to provide a high-speed and easy-to-use thermal head for performing relatively low-precision thermal recording without performing halftone display. It is an object of the present invention to provide a method of trimming a resistor of a thin film thermal head having the same.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜サーマル
ヘッドの複数の発熱抵抗素子にトリミング用の電圧パル
スを印加して発熱抵抗素子の電気抵抗値を調整するトリ
ミングの方法において、全ての発熱抵抗素子の電気抵抗
値を測定して平均抵抗値を算出し、トリミング用の電圧
パルスの大きさと該パルスを発熱抵抗素子に印加した際
の抵抗値変化量との関係を表す校正曲線に基づいて、前
記平均抵抗値と目標抵抗値との差に相当する抵抗値変化
を起こさせるべく所定のトリミング用の電圧パルスを決
定し、該決定したトリミング用の電圧パルスを全ての発
熱抵抗素子に印加することによって各発熱抵抗素子の電
気抵抗値をほぼ一定の割合だけ変化させることを特徴と
する薄膜サーマルヘッドの抵抗体トリミング方法であ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a trimming method for adjusting the electric resistance of a heating resistor element by applying a trimming voltage pulse to a plurality of heating resistor elements of a thin film thermal head. The average resistance value is calculated by measuring the electric resistance value of the resistance element, and based on a calibration curve representing the relationship between the magnitude of the voltage pulse for trimming and the amount of change in resistance value when the pulse is applied to the heating resistance element. A predetermined trimming voltage pulse is determined to cause a resistance change corresponding to the difference between the average resistance value and the target resistance value, and the determined trimming voltage pulse is applied to all the heating resistor elements. In this method, the electrical resistance value of each heating resistance element is changed by a substantially constant ratio.

【0023】また本発明は、前記平均抵抗値が目標抵抗
値よりも大きな場合には全ての発熱抵抗素子に大きな電
力量をもち、パスル幅の小さなトリミング用の電圧パル
スを印加して発熱抵抗素子をアニールすることによって
電気抵抗値を低下させ、前記平均抵抗値が目標抵抗値よ
りも小さな場合には全ての発熱抵抗素子に小さな電力量
をもち、パスル幅の大きなトリミング用の電圧パルスを
大気雰囲気中で印加して発熱抵抗素子の少なくとも一部
を酸化させることによって電気抵抗値を上昇させること
を特徴とする。
Further, according to the present invention, when the average resistance value is larger than the target resistance value, a large amount of electric power is applied to all the heating resistance elements, and a voltage pulse for trimming having a small pulse width is applied to the heating resistance elements. To reduce the electric resistance.If the average resistance is smaller than the target resistance, all the heating resistance elements have a small amount of electric power, and a voltage pulse for trimming having a large pulse width is applied to the atmosphere. It is characterized in that the electric resistance value is increased by oxidizing at least a part of the heat-generating resistance element by applying it inside.

【0024】[0024]

【作用】本発明に従えば、薄膜サーマルヘッドの電気絶
縁性基板上に形成された発熱抵抗素子に対して、電圧パ
ルスを印加し、印加された電圧パルスのパルス幅と印加
電力とに対応する発熱抵抗素子の抵抗値の変化を測定し
て、必要とする抵抗値変化を発生するパルス条件を与え
るいわゆる校正曲線を作成する。この校正曲線から、発
熱抵抗素子の平均抵抗値と目標抵抗値との差に相当する
抵抗変化を起こさせる所定のトリミング用の電圧パルス
を決定し、これを全発熱抵抗素子に共通して印加するこ
とによって、全発熱抵抗素子の抵抗値をほぼ一定の割合
だけ変化させることができ、平均抵抗値を所望の割合で
変化させることができる。このトリミング方法では、各
発熱抵抗素子に対するパルス印加回数が一回で複雑な制
御が不要であり、高速かつ容易な薄膜サーマルヘッドの
抵抗体トリミング方法が達成される。
According to the present invention, a voltage pulse is applied to a heating resistor element formed on an electrically insulating substrate of a thin-film thermal head, and the voltage pulse corresponds to the pulse width of the applied voltage pulse and the applied power. A change in the resistance value of the heating resistance element is measured, and a so-called calibration curve that gives a pulse condition for generating a required resistance value change is created. From this calibration curve, a predetermined trimming voltage pulse that causes a resistance change corresponding to the difference between the average resistance value of the heating resistance element and the target resistance value is determined and applied to all the heating resistance elements in common. Thus, the resistance values of all the heating resistance elements can be changed by a substantially constant ratio, and the average resistance value can be changed at a desired ratio. In this trimming method, the number of times of pulse application to each heating resistor element is one and complicated control is not required, and a high-speed and easy thin-film thermal head resistor trimming method is achieved.

【0025】また本発明に従えば、発熱抵抗素子の平均
抵抗値が目標抵抗値より大きい場合も小さい場合も、こ
れを目標抵抗値に調節できる。
Further, according to the present invention, whether the average resistance value of the heating resistance element is larger or smaller than the target resistance value can be adjusted to the target resistance value.

【0026】[0026]

【実施例】図1は本発明のトリミング方法を用いて製造
される薄膜サーマルヘッド(以下、サーマルヘッドと略
す)21の構成を説明するための断面図である。サーマ
ルヘッド21は、たとえばアルミニウムなどの金属材料
から成る放熱板22を備え、この上にヘッド基板23が
接着剤層32で固着される。ヘッド基板23上には、図
1の紙面と垂直方向に多数の発熱抵抗素子24が直線状
に形成され、またこの発熱抵抗素子24の配列方向と並
行に配列され、発熱抵抗素子24と図示しない電極にて
接続された複数の駆動回路素子25が配置される。これ
らの駆動回路素子25は合成樹脂材料から成る保護層2
6で被覆される。
FIG. 1 is a sectional view for explaining the structure of a thin film thermal head (hereinafter abbreviated as thermal head) 21 manufactured by using the trimming method of the present invention. The thermal head 21 includes a heat radiating plate 22 made of a metal material such as aluminum, for example, and a head substrate 23 is fixed thereon with an adhesive layer 32. On the head substrate 23, a large number of heating resistance elements 24 are formed linearly in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1, and are arranged in parallel with the arrangement direction of the heating resistance elements 24. A plurality of drive circuit elements 25 connected by electrodes are arranged. These drive circuit elements 25 are formed of a protective layer 2 made of a synthetic resin material.
6 coated.

【0027】ヘッド基板23上にはたとえばスクリーン
印刷などの厚膜技術にて蓄熱層35が形成され、また厚
膜共通電極層27がヘッド基板23の外周に沿って形成
される。蓄熱層35上には発熱抵抗体層34、共通電極
層36および複数の個別電極37が形成され、直線状の
複数の発熱抵抗素子24が構成される。発熱抵抗素子2
4は、たとえばスパッタリングなどの薄膜技術により形
成される耐摩耗層39を介して、プラテンローラ31と
の間で感熱紙32に感熱印字を行う。またこの発熱抵抗
素子24は集積回路素子として実現される駆動回路素子
25により制御される。駆動回路素子25には絶縁層2
8で被覆された前記個別電極37が接続されると共に、
駆動回路素子25に発熱抵抗素子24を駆動する信号な
どを入力し、絶縁層28で被覆された外部接続端子29
が接続され、駆動回路素子25およびその周辺を被覆し
て合成樹脂材料などからなる保護層26が形成される。
On the head substrate 23, a heat storage layer 35 is formed by a thick film technique such as screen printing, and a thick film common electrode layer 27 is formed along the outer periphery of the head substrate 23. On the heat storage layer 35, a heating resistor layer 34, a common electrode layer 36, and a plurality of individual electrodes 37 are formed, and a plurality of linear heating resistors 24 are formed. Heating resistance element 2
4 performs thermal printing on the thermal paper 32 with the platen roller 31 via a wear-resistant layer 39 formed by a thin film technique such as sputtering. The heating resistance element 24 is controlled by a driving circuit element 25 realized as an integrated circuit element. The drive circuit element 25 has an insulating layer 2
8 are connected to the individual electrodes 37,
A signal or the like for driving the heating resistor element 24 is input to the drive circuit element 25, and an external connection terminal 29 covered with an insulating layer 28 is input.
Are connected, and a protective layer 26 made of a synthetic resin material or the like is formed to cover the drive circuit element 25 and its periphery.

【0028】本発明は、ヘッド基板23上に発熱抵抗体
層34、共通電極36および複数の個別電極37が形成
された段階で、これらによって規定される複数の発熱抵
抗素子24の抵抗値を一様に変化させ、サーマルヘッド
21の平均抵抗値のバラツキを抑制しようとするもので
ある。上記のサーマルヘッド21に対して実験を行った
結果、以下の事実が判明した。
According to the present invention, when the heating resistor layer 34, the common electrode 36, and the plurality of individual electrodes 37 are formed on the head substrate 23, the resistance values of the plurality of heating resistor elements 24 defined by these are reduced to one. In order to suppress variations in the average resistance value of the thermal head 21. As a result of conducting an experiment on the thermal head 21, the following facts were found.

【0029】(1)耐摩耗層39を形成する前に、大気
雰囲気中でトリミングパルスを印加する。このときパル
ス幅を適宜選択することにより、発熱抵抗素子24の抵
抗値を下げるだけでなく、上げることができる。この実
験結果の概要は図2のグラフに示される。すなわち横軸
に印加電力、縦軸に発熱抵抗素子24の抵抗値変化率Δ
R/Rを取ると、印加されるトリミングパルスのパルス
幅を変化させることにより、得られる特性曲線が大きく
変化することが確認された。図2図示のラインL1,L
2,L3は、相互にパルス幅が異なる場合を示してお
り、対応するパルス幅をWL1,WL2,WL3(必要
な場合はWLで総称する)で表すとこれらの関係は、
(1) Before forming the wear-resistant layer 39, a trimming pulse is applied in the air atmosphere. At this time, by appropriately selecting the pulse width, the resistance value of the heating resistance element 24 can be increased as well as reduced. A summary of the experimental results is shown in the graph of FIG. That is, the horizontal axis represents the applied power, and the vertical axis represents the resistance value change rate Δ of the heating resistance element 24.
It has been confirmed that when R / R is taken, the obtained characteristic curve greatly changes by changing the pulse width of the applied trimming pulse. Lines L1 and L shown in FIG.
2, L3 indicate cases where the pulse widths are different from each other, and when the corresponding pulse widths are represented by WL1, WL2, WL3 (collectively referred to as WL if necessary), these relationships are

【0030】[0030]

【数1】WL1>WL2>WL3 である。## EQU1 ## WL1> WL2> WL3.

【0031】すなわちパルス幅WLが比較的長い場合に
は、ラインL1に示されるように印加電力を増大すると
抵抗値は増大する。一方、パルス幅WLが比較的短い場
合には、ラインL3に示されるように閾値電力Pth未
満の範囲Aでは抵抗値は変化しないが、閾値電力Pth
以上の範囲B程度に印加電力を増大すると抵抗値は減少
する。またパルス幅WL1,WL3の中間のパルス幅W
L2では、ラインL2に示されるように、印加電力Pの
程度によって抵抗値の上昇現象と下降現象との双方が現
れる。すなわち印加電力に関する閾値電力Pth未満の
印加電力の範囲Aでは、抵抗値は印加電力の増大に伴い
低下し、その低下率は印加電力の小さい範囲では次第に
増大するが、その後低下率が減少し0から負(すなわち
増大)に転じ、閾値電力Pthが印加されたときは初期
の抵抗値となり、それ以上の範囲Bでは、印加電力の増
大に従い抵抗値は次第に上昇する。
That is, when the pulse width WL is relatively long, the resistance value increases when the applied power is increased as shown by the line L1. On the other hand, when the pulse width WL is relatively short, the resistance value does not change in the range A less than the threshold power Pth as indicated by the line L3, but the threshold power Pth
When the applied power is increased to the above range B, the resistance value decreases. In addition, an intermediate pulse width W of the pulse widths WL1 and WL3
In L2, both the rising phenomenon and the falling phenomenon of the resistance value appear depending on the degree of the applied power P as shown in the line L2. That is, in the range A of the applied power that is less than the threshold power Pth with respect to the applied power, the resistance value decreases with an increase in the applied power, and the rate of decrease gradually increases in a small range of the applied power. To a negative value (that is, increase), the threshold value Pth is applied, and the resistance value becomes an initial resistance value. In a range B higher than the threshold value Pth, the resistance value gradually increases as the applied power increases.

【0032】このようにトリミングパルスのパルス幅W
Lによって、発熱抵抗素子24の抵抗値の変化の方向が
上昇または下降のいずれをも取り得る現象は図3を参照
して、下記のように説明される。すなわちトリミングパ
ルス印加によって発熱抵抗素子24の抵抗値が変化する
のは、発熱抵抗体層34自身の発熱によるアニール効
果、すなわち発熱抵抗体層34の結晶化と、同じく発熱
抵抗体層34自身の発熱による酸化とによるものであ
る。このうちアニール効果は、発熱抵抗体層34の結晶
化の進行であって抵抗値の下降現象として現れ、また酸
化は抵抗値の上昇現象として現れる。
As described above, the pulse width W of the trimming pulse
The phenomenon that the resistance value of the heating resistance element 24 can change either upward or downward due to L is described as follows with reference to FIG. That is, the change in the resistance value of the heating resistor element 24 due to the application of the trimming pulse is due to the annealing effect due to the heating of the heating resistor layer 34 itself, that is, the crystallization of the heating resistor layer 34 and the heating of the heating resistor layer 34 itself. Oxidation. Among them, the annealing effect is a progress of crystallization of the heating resistor layer 34 and appears as a phenomenon of a decrease in resistance value, and the oxidation appears as a phenomenon of an increase in resistance value.

【0033】図3(1)のように印加されるトリミング
パルスのパルス幅WL1を比較的長くかつ印加電圧を低
く設定したときの発熱抵抗体層34は、印加電圧V1が
比較的低いために温度は急速および大幅な上昇を見せ
ず、一方、パルス幅WL1が比較的長いため比較的低い
温度が長時間続くことになる。発熱抵抗体層34におけ
るアニール効果の進行状態は温度により決定されるもの
であり、この場合の温度T1はアニール効果を発生させ
る温度Taに到達しておらず、前記アニール効果による
抵抗値の下降現象は生じない。しかしながら酸化現象を
発生させる温度Tox以上の温度であり、しかもこの状
態が比較的長時間継続されるので、発熱抵抗体層34に
酸化が進行し抵抗値が上昇する。
As shown in FIG. 3A, when the pulse width WL1 of the applied trimming pulse is set relatively long and the applied voltage is set low, the heating resistor layer 34 has a relatively low applied voltage V1. Does not show a rapid and significant rise, while a relatively long pulse width WL1 results in a relatively low temperature for a long time. The progress of the annealing effect in the heating resistor layer 34 is determined by the temperature. In this case, the temperature T1 does not reach the temperature Ta at which the annealing effect is generated, and the resistance value decreases due to the annealing effect. Does not occur. However, since the temperature is equal to or higher than the temperature Tox at which the oxidation phenomenon occurs, and this state is continued for a relatively long time, the oxidation of the heating resistor layer 34 progresses and the resistance value increases.

【0034】一方、印加されるトリミングパルスを図4
(1)に示すように、そのパルス幅WL3が比較的短く
かつ印加電圧V2が比較的高い場合、発熱抵抗体層34
の温度変化は図4(2)に示される状態となる。すなわ
ち発熱抵抗体層34は、急速に昇温し前記アニール効果
が生じる温度Taを越えた温度T2に到達する。一方、
パルス幅WL3が比較的短いため温度T2はほとんど持
続せず、急速に室温に復帰する。この場合、温度T2に
対応してアニール効果が進行し、発熱抵抗体層34の抵
抗値は下降する。一方、前記酸化が生じる温度Toxを
越えている期間が比較的短いため、酸化はほとんど発生
せず、抵抗値の上昇は生じない。
On the other hand, the applied trimming pulse is shown in FIG.
As shown in (1), when the pulse width WL3 is relatively short and the applied voltage V2 is relatively high, the heating resistor layer 34
The temperature change shown in FIG. 4B is in the state shown in FIG. That is, the temperature of the heating resistor layer 34 rapidly rises and reaches a temperature T2 exceeding the temperature Ta at which the annealing effect occurs. on the other hand,
Since the pulse width WL3 is relatively short, the temperature T2 hardly lasts, and quickly returns to room temperature. In this case, the annealing effect proceeds in accordance with the temperature T2, and the resistance value of the heating resistor layer 34 decreases. On the other hand, since the period during which the temperature exceeds the temperature Tox at which the oxidation occurs is relatively short, the oxidation hardly occurs and the resistance value does not increase.

【0035】すなわちトリミングパルスのパルス幅WL
と印加電力とを適宜選択することにより、前述したアニ
ール効果と酸化とのいずれが支配的な現象となるかを制
御することができる。すなわち発熱抵抗体層34の抵抗
値を上昇あるいは下降させる制御を行うことができる。
That is, the pulse width WL of the trimming pulse
By appropriately selecting the power and the applied power, it is possible to control which of the above-described annealing effect and oxidation becomes the dominant phenomenon. That is, control for increasing or decreasing the resistance value of the heating resistor layer 34 can be performed.

【0036】(2)図4(1)に示されるように、発熱
抵抗体層34において抵抗値の下降のみを生じさせるパ
ルス幅WL1のトリミングパルスを印加する場合、トリ
ミングパルスのパルス幅WL3を固定しておけばトリミ
ングパルス印加前の抵抗値が発熱抵抗素子24毎に異な
っていても、同一の印加電力を印加することにより各発
熱抵抗体24は、ほぼ一定の抵抗値変化率を示す。
(2) As shown in FIG. 4A, when a trimming pulse having a pulse width WL1 that causes only a decrease in the resistance value is applied to the heating resistor layer 34, the pulse width WL3 of the trimming pulse is fixed. Even if the resistance value before the application of the trimming pulse is different for each heating resistor element 24, each heating resistor 24 shows a substantially constant resistance value change rate by applying the same applied power.

【0037】本件発明者は、図1図示の発熱抵抗素子2
4に関して図1左右方向の長さ151μm、図1紙面と
垂直方向の幅105μmとし、膜厚が異なりしたがって
抵抗値が異なる2種類の発熱抵抗素子24に関して、発
熱抵抗素子24の抵抗値の変化を計測した。印加電圧と
抵抗値変化との関係を図5(1)のラインL6,L7に
示す。このように印加電圧との関係では抵抗値変化の状
態は大幅に異なることが理解される。
The present inventor has proposed a heating resistor element 2 shown in FIG.
4, the width in the left-right direction in FIG. 1 is 151 μm, the width in the direction perpendicular to the plane of FIG. 1 is 105 μm, and the change in the resistance value of the heating resistance element 24 is two types. Measured. The relationship between the applied voltage and the change in the resistance value is shown in lines L6 and L7 in FIG. As described above, it is understood that the state of the resistance value change is significantly different from the relationship with the applied voltage.

【0038】一方、印加電力と抵抗値変化との関係を図
5(2)のラインL8,L9に示す。同図に示されるよ
うに、印加電力が同一であればトリミング前の初期抵抗
値の相違に拘わらず、同一の抵抗値変化を示すことが理
解される。
On the other hand, the relationship between the applied power and the change in resistance is shown in lines L8 and L9 in FIG. As shown in the figure, if the applied power is the same, it is understood that the same resistance value change is exhibited regardless of the difference in the initial resistance value before trimming.

【0039】これらを総合すると、図2に示したライン
L1,L3の特性曲線は、各発熱抵抗素子24毎の抵抗
値には依存しないと結論できる。
When these are combined, it can be concluded that the characteristic curves of the lines L1 and L3 shown in FIG.

【0040】上述の現象は下記のように説明される。発
熱抵抗体層34の抵抗値を変化させる要因であるアニー
ル効果や酸化は、その進行状態は上述したように、印加
されるトリミングパルスの状態に対応した発熱抵抗体層
34自身の図3(2)および図4(2)に示したような
温度変化の特性により決定されるものである。したがっ
てパルス幅WLと印加電力Pとが同一であれば発熱抵抗
素子24の抵抗値が相互に異なっている場合であって
も、発熱抵抗素子24毎の温度の時間変化の特性は、各
発熱抵抗素子24間で同一となり、前述したようにほぼ
一定の抵抗値変化率が得られる。
The above phenomenon is explained as follows. As described above, the progress of the annealing effect and oxidation, which are factors that change the resistance value of the heating resistor layer 34, are as shown in FIG. 3 (2) of the heating resistor layer 34 itself corresponding to the state of the applied trimming pulse. ) And the characteristics of the temperature change as shown in FIG. 4 (2). Therefore, if the pulse width WL and the applied power P are the same, even if the resistance values of the heating resistance elements 24 are different from each other, the characteristics of the time change of the temperature of each heating resistance element 24 are different from each heating resistance element. It becomes the same between the elements 24, and a substantially constant resistance value change rate is obtained as described above.

【0041】(3)発熱抵抗体層34における前述した
ような抵抗値の下降をもたらすアニール効果は、発熱抵
抗体層34内で構成分子の再配列や結晶化を進行させ
る。このため発熱抵抗素子24の印加パルス(トリミン
グパルスや実際の使用に伴う駆動パルスなど)に対する
耐久性は向上される。一方、抵抗値の上昇をもたらす酸
化現象は、発熱抵抗素子24の所定の抵抗値の領域を狭
隘化し、したがって実質的な膜厚を薄くしてしまうこと
になる。このため印加パルスに対する耐久性は劣化して
しまう。すなわち発熱抵抗素子24の抵抗値を大幅に上
昇させる処理は、発熱抵抗素子24を劣化させることに
なり、寿命が短くなってしまう。
(3) The annealing effect that causes the resistance value of the heating resistor layer 34 to decrease as described above promotes rearrangement and crystallization of constituent molecules in the heating resistor layer 34. Therefore, the durability of the heating resistance element 24 to applied pulses (such as a trimming pulse and a driving pulse accompanying actual use) is improved. On the other hand, an oxidation phenomenon that causes an increase in the resistance value narrows the region of the heating resistance element 24 having a predetermined resistance value, and thus substantially reduces the film thickness. Therefore, the durability against the applied pulse is deteriorated. That is, the process of greatly increasing the resistance value of the heating resistance element 24 deteriorates the heating resistance element 24 and shortens the life.

【0042】(4)発熱抵抗素子24がタンタルTa系
の場合では、本件発明者は1ms以下のパルス幅では抵
抗値を−70%程度まで低下することができることを確
認した。しかしながら抵抗値を過大に低下させると発熱
抵抗素子24が凝集を起こし、また発熱抵抗素子24の
直下の蓄熱層35が熱のために破壊される事態が生じ
る。これらの点を考慮し、本件発明者はサーマルヘッド
21の信頼性を保持できる限界の最大トリミング量−D
R1が図6に示されるようにたとえば−40%程度であ
ることを確認した。しかし一回のみのトリミングパルス
を印加して、各発熱抵抗素子24を一様にトリミングし
て、平均抵抗値のバラツキを抑制するトリミング方法に
おいては、一回のパルスの抵抗値制御性が全てであるた
め、このパルス印加による抵抗値変化率がバラツクと、
平均抵抗値のバラツキは抑制できても、サーマルヘッド
21内のバラツキおよび隣接ドット間のバラツキがトリ
ミングする前に比べて大きく悪化してしまう。
(4) When the heating resistor element 24 is of a tantalum Ta type, the present inventor has confirmed that the resistance value can be reduced to about -70% with a pulse width of 1 ms or less. However, when the resistance value is excessively reduced, the heat-generating resistor elements 24 aggregate, and the heat storage layer 35 immediately below the heat-generating resistive elements 24 is destroyed by heat. In view of these points, the present inventor has determined that the maximum trimming amount −D which can maintain the reliability of the thermal head 21 is the limit.
It was confirmed that R1 was, for example, about -40% as shown in FIG. However, in the trimming method in which only one trimming pulse is applied to uniformly trim each heating resistance element 24 and suppress the variation of the average resistance value, the resistance value controllability of one pulse is all. Therefore, the rate of change of the resistance value due to this pulse application varies,
Even if the variation of the average resistance value can be suppressed, the variation in the thermal head 21 and the variation between adjacent dots are greatly deteriorated as compared to before the trimming.

【0043】図6に示されるようにこの抵抗値変化率の
バラツキは印加電力と抵抗値変化率との関係を示す曲線
の傾きに左右される。すなわちこの曲線の傾きが急峻で
あると、わずかな印加電力やその他のバラツキが大きな
抵抗値変化率となってあらわれるからである。印加電力
が小さく抵抗値変化率の小さな範囲では、この曲線の傾
きが緩やかであり、印加電力が大きく抵抗値変化率の大
きな所では、この曲線の傾きが急峻になることが把握さ
れる。このためたとえば−15%程度の限界値−DR2
以上変化させることが困難になることを確認した。
As shown in FIG. 6, the variation in the rate of change in resistance depends on the slope of a curve showing the relationship between the applied power and the rate of change in resistance. That is, if the slope of this curve is steep, slight applied power and other variations appear as a large resistance value change rate. It can be understood that the slope of the curve is gentle in a range where the applied power is small and the resistance value change rate is small, and that the curve slope is steep in a place where the applied power is large and the resistance value change rate is large. Therefore, for example, the limit value -DR2 of about -15%
It has been confirmed that it is difficult to change the above.

【0044】(5)図7に拡大図を示す発熱抵抗素子2
4の配列方向D1に沿う幅Wと、配列方向D1と直交す
る方向の長さLLとの積による面積(W×LL)が異な
るたとえば2種類のサーマルヘッドを想定する。この場
合、各サーマルヘッドの面積S1,S2の比を、
(5) Heating resistance element 2 whose enlarged view is shown in FIG.
For example, two types of thermal heads having different areas (W × LL) due to the product of the width W along the array direction D1 and the length LL in the direction orthogonal to the array direction D1 are assumed. In this case, the ratio of the areas S1 and S2 of each thermal head is

【0045】[0045]

【数2】S1:S2=1:α とすると、この2種類のサーマルヘッドのパルス幅一定
時の印加電力と抵抗値変化率との相関を表す特性、すな
わち図2に示されるような校正曲線の関数形は数値αに
関して相関があり、一方のサーマルヘッドの特性が、
## EQU2 ## If S1: S2 = 1: α, the characteristics showing the correlation between the applied power and the rate of change of the resistance value of the two types of thermal heads when the pulse width is constant, that is, a calibration curve as shown in FIG. Has a correlation with respect to the numerical value α, and the characteristic of one of the thermal heads is

【0046】[0046]

【数3】P=f(ΔR/R) と表されるとき、他方のサーマルヘッドの特性は、When P = f (ΔR / R), the characteristics of the other thermal head are as follows:

【0047】[0047]

【数4】P=α×f(ΔR/R) と表される。この状態は図8のラインLA,LBとして
表される。
## EQU4 ## P = α × f (ΔR / R) This state is represented as lines LA and LB in FIG.

【0048】このような現象は、下記のように説明され
る。前述したように面積が異なる発熱抵抗素子を考察す
るに当たり、図9図示のように幅W0、長さLL0の基
準面積S0、
Such a phenomenon is explained as follows. When considering the heating resistance elements having different areas as described above, as shown in FIG. 9, a reference area S0 having a width W0 and a length LL0,

【0049】[0049]

【数5】S0=W0×LL0 の発熱抵抗素子24を想定する。この発熱抵抗素素子2
4は、抵抗値Rを有し電圧V、電流Iの印加電力P(=
V×I)によって電力付勢される。
## EQU5 ## Assume a heating resistance element 24 of S0 = W0 × LL0. This heating resistor element 2
4 has a resistance value R, a voltage V, and an applied power P (=
V × I).

【0050】ここで、図10(1)に示されるように幅
W1が、前記幅W0の2倍、長さが前記長さLL0と同
一の発熱抵抗素子24aを想定すると、この発熱抵抗素
子24aは図10(2)に示されるように図9図示の発
熱抵抗素子24が2個並列に接続された構成と等価であ
る。このような発熱抵抗素子24aに電圧Vのパルスを
印加した際、印加電力Pは、
Here, as shown in FIG. 10A, assuming a heating resistor element 24a having a width W1 twice the width W0 and a length equal to the length LL0, this heating resistor element 24a Is equivalent to a configuration in which two heating resistance elements 24 shown in FIG. 9 are connected in parallel as shown in FIG. 10 (2). When a pulse of voltage V is applied to such a heating resistor element 24a, the applied power P is

【0051】[0051]

【数6】 (Equation 6)

【0052】となり、図9図示の発熱抵抗素子24に要
する印加電力の2倍の印加電力が必要であることが理解
される。
Thus, it is understood that the applied power is required to be twice as large as the applied power required for the heating resistor element 24 shown in FIG.

【0053】また図11(1)図示のように、長さLL
1が図9図示の発熱抵抗素子24の長さLL0の2倍
で、幅は発熱抵抗素子24の幅W0と同一の発熱抵抗素
子24bを想定した場合、これは図11(2)に示され
るように図9図示の発熱抵抗素子24を直列に2個接続
した構成と等価である。これに電流Iのパルスを印加し
たとき、印加電力Pは、
As shown in FIG. 11A, the length LL
Assuming that 1 is twice the length LL0 of the heating resistor element 24 shown in FIG. 9 and the width is the same as the width W0 of the heating resistor element 24b, this is shown in FIG. Thus, the configuration is equivalent to the configuration in which two heating resistance elements 24 shown in FIG. 9 are connected in series. When a pulse of the current I is applied thereto, the applied power P becomes

【0054】[0054]

【数7】P=I2×(R+R)=2×(I2R) となり、やはり2倍の電力が必要となることが理解され
る。
## EQU7 ## It can be understood that P = I 2 × (R + R) = 2 × (I 2 R), which also requires twice as much power.

【0055】以上のようにしてある基準面積の発熱抵抗
素子を想定し、実際にトリミングされる発熱抵抗素子の
前記面積比αを算出することにより、前記数4を得るこ
とができる。
By assuming a heating resistor element having a certain reference area as described above and calculating the area ratio α of the heating resistor element to be actually trimmed, Equation 4 can be obtained.

【0056】以上の各事実を踏まえた上で、1回のみの
パルスで平均抵抗値の調整を行う手法について説明す
る。図4(1)に示されるように、比較的短いパルス幅
WL3のトリミングパルスを印加した場合、パルス幅W
L3を一定にすると、印加電力と抵抗値変化率との関係
が前述したように発熱抵抗素子24の抵抗値には依存し
ない状態となるが、蓄熱層35の凹凸や発熱抵抗素子2
4の寸法のバラツキや、印加パルスのパルス幅あるいは
印加電圧のバラツキなどに起因して、実際には抵抗値変
化率にはバラツキを生じてしまう。
Based on the above facts, a method for adjusting the average resistance value with only one pulse will be described. As shown in FIG. 4A, when a trimming pulse having a relatively short pulse width WL3 is applied, the pulse width W
When L3 is kept constant, the relationship between the applied power and the rate of change of the resistance value does not depend on the resistance value of the heating resistor element 24 as described above.
Actually, the rate of change of the resistance value varies due to the variation of the dimension 4 and the variation of the pulse width or applied voltage of the applied pulse.

【0057】したがって印加電力Pと抵抗値変化率ΔR
/Rとの関係を示すグラフは図6に示されるように、理
想的な対応関係を示すラインL4に対し、ラインL4
a,L4bで囲まれる範囲の幅を有している。しかしこ
の幅による抵抗値変化率ΔR/Rのバラツキは印加電力
Pの値により大きく左右される。すなわち前述したとお
り印加電力が小さく抵抗値変化が小さいときにはバラツ
キは小さく、印加電力が大きく抵抗値変化が大きいとき
にはバラツキは大きい。
Therefore, the applied power P and the resistance change rate ΔR
As shown in FIG. 6, the graph showing the relationship with / R is different from the line L4 showing the ideal correspondence with the line L4.
a, L4b. However, the variation of the resistance value change rate ΔR / R due to this width largely depends on the value of the applied power P. That is, as described above, the variation is small when the applied power is small and the resistance change is small, and the variation is large when the applied power is large and the resistance change is large.

【0058】たとえば図6で抵抗値を−n%だけ変化さ
せるために、図6ラインL4の校正曲線から対応する印
加電力P0(−n%)のデータを得て、この印加電力を
有するトリミングパルスを印加した場合、実際には図6
に示す幅δの範囲で抵抗値変化率はバラつく。したがっ
て、得られる抵抗値変化率は下限で−n−d2%、上限
で−n+d1%(d1+d2=δ)の間でバラツクこと
になる。しかしこのバラツキは小さく実用上がほとんど
問題にならないことが確認されている。
For example, in order to change the resistance value by -n% in FIG. 6, data of the corresponding applied power P0 (-n%) is obtained from the calibration curve of line L4 in FIG. 6, and a trimming pulse having this applied power is obtained. Is actually applied, FIG.
In the range of the width δ shown in FIG. Therefore, the obtained rate of change in resistance varies between −n−d2% at the lower limit and −n + d1% (d1 + d2 = δ) at the upper limit. However, it has been confirmed that this variation is small and practically causes little problem.

【0059】しかし、たとえば図6で抵抗値を−m%だ
け変化させるために、図6ラインL4の校正曲線から対
応する印加電力P0(−m%)のデータを得て、この印
加電力を有するトリミングパルスを印加した場合、実際
には図6に示すように得られる抵抗値変化率は下限で−
m−d4%、上限で−m+d3%の間でばらつくことに
なり、このバラツキは大きく実用的でない。
However, for example, in order to change the resistance value by -m% in FIG. 6, data of the corresponding applied power P0 (-m%) is obtained from the calibration curve of line L4 in FIG. When the trimming pulse is applied, the rate of change in resistance actually obtained as shown in FIG.
m-d4%, and the upper limit is -m + d3%, and this variation is large and impractical.

【0060】したがって発熱抵抗素子24を一回のパル
ス印加のみでトリミングし、平均抵抗値を調整するに当
たってはこのバラツキが生じないよう注意する必要があ
り、このバラツキが問題にならない範囲、すなわち前述
したたとえば−15%程度の限界値−DR2より小さな
範囲で行う。
Therefore, in trimming the heating resistance element 24 by only one pulse application and adjusting the average resistance value, it is necessary to pay attention so that this variation does not occur. For example, it is performed in a range smaller than the limit value -DR2 of about -15%.

【0061】まずサーマルヘッド21の全発熱抵抗素子
24の抵抗値を計測し、平均抵抗値を求める。次に平均
抵抗値より必要な抵抗値変化率を求め、この必要な抵抗
値変化率が、前述した限界値−DR2より小さい範囲で
あることを前提としてこの抵抗値変化率より校正曲線を
参照して得られる印加電力P0(−n%)のパルスを全
発熱抵抗素子24に印加することで、一様に抵抗値を低
下させ、平均抵抗値を調整できる。
First, the resistance values of all the heating resistance elements 24 of the thermal head 21 are measured, and the average resistance value is determined. Next, the required resistance change rate is obtained from the average resistance value, and the calibration curve is referred to from the resistance change rate on the assumption that the required resistance change rate is in a range smaller than the aforementioned limit value -DR2. By applying a pulse of the applied power P0 (−n%) obtained by the above to all the heating resistance elements 24, the resistance value can be reduced uniformly and the average resistance value can be adjusted.

【0062】またパルス幅を比較的長い該WL1とする
ことで同様に抵抗値を上昇させて、平均抵抗値を調整す
ることも可能である。しかしながら、大幅に上昇させる
ことは前述したように発熱抵抗素子24の品質を劣化さ
せることになり、寿命が短くなってしまうため、殆ど実
用的でないことは明らかである。
Also, by making the pulse width WL1 relatively long, the resistance value can be similarly increased to adjust the average resistance value. However, it is obvious that increasing the temperature significantly impairs the quality of the heating resistor element 24 as described above, and shortens the service life.

【0063】図12は本発明に従うトリミング装置41
のブロック図である。トリミング装置41には、サーマ
ルヘッド21のヘッド基板23が装着され、抵抗体層5
1上の共通電極36と個別電極37とに発熱抵抗素子2
4毎に個別に探針を接触させるプロービング装置42が
設けられ、プロービング装置42は、切換手段43を介
して、抵抗値計測計44およびトリミングパルス発生部
45に接続される。抵抗値計測計44で計測された抵抗
値は、制御装置51内の変化量演算部46と、校正曲線
を作成して記憶する校正曲線作成部47に入力される。
ヘッド基板23はXYステージ52上に乗載され、XY
ステージ52は制御装置46の制御による位置決め機構
53によってヘッド基板23の位置決めを行う。
FIG. 12 shows a trimming device 41 according to the present invention.
It is a block diagram of. The head substrate 23 of the thermal head 21 is mounted on the trimming device 41 and the resistor layer 5
The heating resistor element 2 is connected to the common electrode 36 and the individual electrode 37 on
A probing device 42 is provided for bringing the probe into contact with each of the probes 4 individually. The probing device 42 is connected to a resistance value meter 44 and a trimming pulse generator 45 via a switching unit 43. The resistance value measured by the resistance value meter 44 is input to a change amount calculation unit 46 in the control device 51 and a calibration curve creation unit 47 that creates and stores a calibration curve.
The head substrate 23 is mounted on an XY stage 52,
The stage 52 positions the head substrate 23 by a positioning mechanism 53 controlled by the control device 46.

【0064】前記トリミングパルス発生部45は、基準
パルス発生部48を含み、発生された基準パルスはパル
ス幅調整部49および電圧調整部50を経ることによ
り、後述するようなトリミングパルスとして出力され、
前記切換回路43およびプロービング装置42を介し
て、選択された発熱抵抗素子24に印加される。
The trimming pulse generating section 45 includes a reference pulse generating section 48. The generated reference pulse is output as a trimming pulse as described later by passing through a pulse width adjusting section 49 and a voltage adjusting section 50.
The voltage is applied to the selected heating resistance element 24 via the switching circuit 43 and the probing device 42.

【0065】図13はサーマルヘッド21を製造する全
体の工程を説明する工程図である。図13工程a1で
は、前記サーマルヘッド21上に厚膜共通電極層27や
蓄熱層35を形成する。工程a2では、サーマルヘッド
21上に発熱抵抗体層34を形成し、工程a3では発熱
抵抗体層34上に前記共通電極36および個別電極37
を形成する。工程a4では、詳細は後述するトリミング
処理が行われ、各発熱抵抗素子24毎の抵抗値が均一と
なるように調整された後、工程a5で耐摩耗層39が形
成される。この後、その他の処理を経て、サーマルヘッ
ド21が完成する。
FIG. 13 is a process chart for explaining the entire process of manufacturing the thermal head 21. In step a1 in FIG. 13, a thick film common electrode layer 27 and a heat storage layer 35 are formed on the thermal head 21. In step a2, the heating resistor layer 34 is formed on the thermal head 21. In step a3, the common electrode 36 and the individual electrode 37 are formed on the heating resistor layer 34.
To form In step a4, a trimming process, which will be described in detail later, is performed to adjust the resistance value of each heating resistance element 24 to be uniform. Then, in step a5, the wear-resistant layer 39 is formed. Thereafter, through other processing, the thermal head 21 is completed.

【0066】図14は本発明の第1の実施例のトリミン
グ処理を行うに当たって必要な校正曲線を作成する方法
を説明する工程図である。本実施例では同一規格のヘッ
ド基板23であれば抵抗値変化に規則性、再現性が現れ
るという事実を応用する。すなわちトリミング対象とな
るヘッド基板23と同一規格のサンプルヘッド基板を設
定し、これに図12図示トリミング装置41を用いて、
トリミングパルスの印加テストを行う。
FIG. 14 is a process chart for explaining a method of creating a calibration curve required for performing the trimming processing according to the first embodiment of the present invention. In this embodiment, the fact that regularity and reproducibility appear in a change in resistance value when the head substrate 23 has the same standard is applied. That is, a sample head substrate of the same standard as the head substrate 23 to be trimmed is set, and the trimming device 41 shown in FIG.
A test for applying a trimming pulse is performed.

【0067】まず工程b1にて、抵抗値が下がるパルス
幅WLdを求め、当該パルス幅WLdにおいて、印加電
力を種々変更してテストパルスを印加する。このテスト
パルスの印加による抵抗値変化率を計測し、図6図示の
ラインL4に示す校正曲線を得る。この校正曲線より当
該パルス幅WLdにおいて、抵抗値変化率ΔR/Rが−
1%、−2%、…、−n%となる印加電力P0(−1
%),P0(−2%),…,P0(−n%)を工程b2
にて求める。
First, in step b1, a pulse width WLd at which the resistance value decreases is determined, and a test pulse is applied in the pulse width WLd by changing the applied power in various ways. The resistance value change rate due to the application of the test pulse is measured to obtain a calibration curve shown by a line L4 in FIG. From this calibration curve, the resistance value change rate ΔR / R is −
1%, -2%,..., -N%
%), P0 (-2%),..., P0 (-n%) in step b2.
Ask at.

【0068】図15は本発明の第1の実施例のトリミン
グ処理の詳細を説明するフローチャートである。ステッ
プc1では図14を参照して説明したように、校正曲線
を作成して校正曲線記憶部47に記憶しておく。ステッ
プc2ではプロービング装置42をトリミングすべきヘ
ッド基板23に装着し、発熱抵抗素子24の初期抵抗値
R0を測定する。
FIG. 15 is a flowchart for explaining details of the trimming processing according to the first embodiment of the present invention. In step c1, a calibration curve is created and stored in the calibration curve storage unit 47 as described with reference to FIG. In step c2, the probing device 42 is mounted on the head substrate 23 to be trimmed, and the initial resistance value R0 of the heating resistance element 24 is measured.

【0069】ステップc3ではステップc2の初期抵抗
値R0の計測が全発熱抵抗素子24について行われたか
どうかを判断する。この判断が否定ならまだ初期抵抗値
を計測していない発熱抵抗素子24が残っていることに
なり、ステップc2に戻って初期抵抗値R0の計測を繰
り返す。
In step c3, it is determined whether or not the measurement of the initial resistance value R0 in step c2 has been performed for all the heating resistance elements 24. If this determination is negative, the heating resistance element 24 for which the initial resistance value has not yet been measured remains, and the process returns to step c2 to repeat the measurement of the initial resistance value R0.

【0070】前記ステップc3の判断が肯定となるとス
テップc4に移り、全発熱抵抗素子24の平均抵抗値R
avを計算する。次にステップc5にて必要抵抗値変化
量−DRを演算する。すなわちサーマルヘッド21の仕
様において目標抵抗値Rfは予め設定されており、
If the determination in step c3 is affirmative, the process proceeds to step c4, where the average resistance value R
av is calculated. Next, in step c5, the required resistance value change amount -DR is calculated. That is, in the specification of the thermal head 21, the target resistance value Rf is set in advance,

【0071】[0071]

【数8】−DR=(Rf−Rav)/Rav*100
[%] を演算する。
-DR = (Rf-Rav) / Rav * 100
Calculate [%].

【0072】ステップc6では、前記必要変化量−DR
だけ抵抗値を下げるために、ステップc1で求めた校正
曲線よりパルス幅WLdと、印加電力P0(−DR)と
を求める。ステップc7では、初期抵抗値R0と印加電
力P0とから印加電圧V0
In step c6, the required change amount -DR
In order to lower the resistance value only, the pulse width WLd and the applied power P0 (−DR) are obtained from the calibration curve obtained in step c1. In step c7, the applied voltage V0 is calculated based on the initial resistance value R0 and the applied power P0.

【0073】[0073]

【数9】 (Equation 9)

【0074】を演算し、演算結果と、パルス幅WLdの
データに基づいて基準パルス発生部48で発生された基
準パルスがパルス幅調整部49および電圧調整部50で
調整された後、切換部43およびプロービング装置42
を介して発熱抵抗体24に印加される。
After the reference pulse generated by the reference pulse generator 48 based on the calculation result and the data of the pulse width WLd is adjusted by the pulse width adjuster 49 and the voltage adjuster 50, the switching unit 43 And probing device 42
Is applied to the heating resistor 24.

【0075】ステップc8ではステップc7でのパルス
印加が、全発熱抵抗素子24に対して行われたかどうか
を判断する。この判断が否定ならばまだパルス印加を行
っていない発熱抵抗素子24が存在するので、ステップ
c7に戻り、この発熱抵抗素子24の初期抵抗値R0
と、印加電力P0とから初期電圧V0を前述のように計
算し直して、パルス印加を繰り返す。ステップc8の判
断が肯定ならば全発熱抵抗素子24のトリミング終了と
なるので、このヘッド基板23のトリミングは終了す
る。
In step c8, it is determined whether or not the pulse application in step c7 has been performed on all the heating resistance elements 24. If this determination is negative, there is a heating resistor element 24 to which no pulse has been applied yet, so the process returns to step c7, and the initial resistance value R0 of this heating resistor element 24 is determined.
And the applied power P0, the initial voltage V0 is calculated again as described above, and the pulse application is repeated. If the determination in step c8 is affirmative, the trimming of all the heating resistance elements 24 is completed, and thus the trimming of the head substrate 23 is completed.

【0076】図16は本発明の第2の実施例のトリミン
グ処理の詳細を説明するフローチャートである。ステッ
プd1では第1の実施例で説明した図15のステップc
1と同様に、図14の工程b1,b2で校正曲線の作成
を行う。ただしここで用いるサンプルヘッドはトリミン
グ対象となるサーマルヘッドと同一規格である必要はな
くヒータサイズのみ異なっている種類でもよい。
FIG. 16 is a flowchart for explaining details of the trimming processing according to the second embodiment of the present invention. In step d1, step c in FIG. 15 described in the first embodiment is used.
As in the case of 1, calibration curves are created in steps b1 and b2 in FIG. However, the sample head used here does not need to have the same standard as the thermal head to be trimmed, and may be of a type having only a different heater size.

【0077】すなわちヒータサイズ以外の規格が同一の
あるサンプルヘッドを選出し、この発熱抵抗素子24の
面積を基準面積とし、この基準面積の発熱抵抗素子24
に対してテストパルスを印加し、校正曲線を作成し、パ
ルス幅WLdと、当該パルス幅WLdにおいて抵抗値変
化率ΔR/Rが−1%,−2%,…,−n%となる印加
電力P0(−1%),P0(−2%),…,P0(−n
%)を求め、この基準面積S0と共に、校正曲線記憶部
47に記憶しておく。
That is, a sample head having the same specifications other than the heater size is selected, and the area of the heating resistor element 24 is set as a reference area.
, A calibration curve is created, and the pulse width WLd and the applied power at which the rate of change in resistance ΔR / R is −1%, −2%,. P0 (-1%), P0 (-2%), ..., P0 (-n
%) Is obtained and stored in the calibration curve storage unit 47 together with the reference area S0.

【0078】ステップd2,d3,d4,d5,d6は
前記第1の実施例における図15のステップc2,c
3,c4,c5,c6,と全く同一である。ステップd
7では得られた印加電力P0をトリミング対象ヘッド基
板23のヒータサイズと基準サイズS0との比により補
正する。すなわちトリミング対象ヘッドのヒータサイズ
S1は規格として予め明らかであり、このヒータサイズ
S1と前記基準サイズS0との比αを、
Steps d2, d3, d4, d5 and d6 correspond to steps c2 and c of FIG. 15 in the first embodiment.
3, c4, c5, and c6. Step d
In step 7, the obtained applied power P0 is corrected by the ratio between the heater size of the trimming target head substrate 23 and the reference size S0. That is, the heater size S1 of the head to be trimmed is apparent in advance as a standard, and the ratio α between the heater size S1 and the reference size S0 is defined as:

【0079】[0079]

【数10】α=S1/S0 として求め、補正後の印加電力P0’を、[Formula 10] α = S1 / S0, and the corrected applied power P0 ′ is

【0080】[0080]

【数11】P0’=α・P0 として求める。Calculated as P0 '= α · P0.

【0081】ステップd8,d9は第1の実施例におけ
る図15のステップc7,c8と同一であり、初期抵抗
値R0と補正した印加電力P0’とから演算した印加電
圧V0’
Steps d8 and d9 are the same as steps c7 and c8 in FIG. 15 in the first embodiment, and the applied voltage V0 'calculated from the initial resistance value R0 and the corrected applied power P0'.

【0082】[0082]

【数12】 (Equation 12)

【0083】を演算し、演算結果とパルス幅WLdとの
データに基づいて、トリミングパルスを印加し、全発熱
抵抗素子24に対して行われるまでステップd8を繰返
す。
Is calculated, and a trimming pulse is applied based on the calculation result and the data of the pulse width WLd, and step d8 is repeated until the trimming pulse is applied to all the heating resistance elements 24.

【0084】全発熱抵抗素子24に対して処理が終了し
た時点でトリミング終了となり、そのヘッド基板23に
対するトリミング処理を終了する。
When the processing has been completed for all the heating resistance elements 24, the trimming is completed, and the trimming processing for the head substrate 23 is completed.

【0085】上記実施例において、予め作成した校正曲
線に基づいて決定した同一パルス幅で同一印加電力のト
リミングパルスを印加することで全発熱抵抗素子24の
抵抗値を一様に低下させることができる。したがってヘ
ッド基板23の抵抗値分布はほとんどそのままで、平均
抵抗値を目標抵抗値に近付けることができ、平均抵抗値
を調整できるトリミング方法が実現される。
In the above embodiment, by applying a trimming pulse of the same applied power with the same pulse width determined based on the calibration curve created in advance, the resistance value of all the heating resistance elements 24 can be reduced uniformly. . Therefore, a trimming method can be realized in which the average resistance value can be made close to the target resistance value while the resistance value distribution of the head substrate 23 remains almost unchanged, and the average resistance value can be adjusted.

【0086】またトリミング処理に必要なパルス印加数
が一回で済み、複雑な制御の必要がなく、高速かつ容易
なトリミング方法として実現されている。
Further, only one pulse application is required for the trimming process, and there is no need for complicated control, so that a high-speed and easy trimming method is realized.

【0087】また第2の実施例によれば、校正曲線を作
成したサンプルヘッドと異なるヒータサイズを有するサ
ーマルヘッドにおいても、この校正曲線を利用すること
ができ、汎用性を有するトリミング方法が実現されるこ
とになる。
According to the second embodiment, the calibration curve can be used even in a thermal head having a heater size different from that of the sample head for which the calibration curve is created, and a versatile trimming method is realized. Will be.

【0088】前述の各実施例では、発熱抵抗素子24毎
にトリミング処理を行うようにしたけれども、抵抗値計
測計44やトリミングパルス発生部45を複数組みずつ
備えるようにして、複数の発熱抵抗素子24に対するト
リミング処理を平行して行うようにしてもよい。また前
記トリミングパルスの印加に限らず、たとえばレーザ光
を照射して、レーザ光強度と照射時間とにより図6に示
した校正曲線を得るようにしても良い。
In each of the above-described embodiments, the trimming process is performed for each heating resistor element 24. However, the plurality of heating resistor elements 24 and the trimming pulse generators 45 are provided in plural sets so that a plurality of heating resistor elements are provided. 24 may be performed in parallel. The calibration curve shown in FIG. 6 is not limited to the application of the trimming pulse. For example, the calibration curve shown in FIG.

【0089】[0089]

【発明の効果】以上のように発明によれば、全発熱抵抗
素子の電気抵抗値を一様に、平均抵抗値と目標抵抗値と
の差として求められた変化量だけ変化させることができ
る。これによって全発熱抵抗素子のトリミングを高精度
に、かつ簡単に行うことができ、サーマルヘッドの信頼
性が向上される。
As described above, according to the present invention, it is possible to uniformly change the electric resistance of all the heat generating resistance elements by the amount of change obtained as the difference between the average resistance and the target resistance. As a result, the trimming of all the heating resistance elements can be performed easily and with high precision, and the reliability of the thermal head is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の対象となるサーマルヘッド21の断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view of a thermal head 21 to which the present invention is applied.

【図2】トリミングパルスのパルス幅を種々変化した際
の印加電力と抵抗値変化率との関係を示すグラフであ
る。
FIG. 2 is a graph showing a relationship between applied power and a resistance value change rate when the pulse width of a trimming pulse is variously changed.

【図3】比較的長いパルス幅のトリミングパルスの波形
と発熱抵抗素子24の温度の時間変化とを示すグラフで
ある。
FIG. 3 is a graph showing a waveform of a trimming pulse having a relatively long pulse width and a temporal change in the temperature of a heating resistor element.

【図4】比較的短いパルス幅のトリミングパルスの波形
と発熱素子24の温度の時間変化とを示すグラフであ
る。
FIG. 4 is a graph showing a waveform of a trimming pulse having a relatively short pulse width and a temporal change in the temperature of the heating element 24.

【図5】印加電力と抵抗値変化率との関係が発熱抵抗素
子24の抵抗値に左右されない現象を説明するグラフで
ある。
FIG. 5 is a graph illustrating a phenomenon in which the relationship between the applied power and the resistance value change rate is not affected by the resistance value of the heating resistance element 24.

【図6】パルス幅を一定にした際の印加電力と抵抗値変
化率との関係を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the applied power and the rate of change in resistance when the pulse width is constant.

【図7】発熱抵抗素子24の平面図である。FIG. 7 is a plan view of the heating resistance element 24.

【図8】本実施例の作用を説明する校正曲線を示すグラ
フである。
FIG. 8 is a graph showing a calibration curve for explaining the operation of the present embodiment.

【図9】基準面積を有する発熱抵抗素子24の平面図で
ある。
FIG. 9 is a plan view of a heating resistor element 24 having a reference area.

【図10】幅および長さが増大した例を示す平面図であ
る。
FIG. 10 is a plan view showing an example in which the width and the length are increased.

【図11】幅および長さが増大した例を示す平面図であ
る。
FIG. 11 is a plan view showing an example in which the width and the length are increased.

【図12】トリミング装置41のブロック図である。FIG. 12 is a block diagram of a trimming device 41.

【図13】サーマルヘッド21の全体の製造工程を説明
する工程図である。
FIG. 13 is a process diagram illustrating the entire manufacturing process of the thermal head 21.

【図14】校正曲線作成処理を説明する工程図である。FIG. 14 is a process diagram illustrating a calibration curve creation process.

【図15】本発明の第1の実施例のトリミング処理を説
明する工程図である。
FIG. 15 is a process diagram illustrating a trimming process according to the first embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第2の実施例のトリミング処理を説
明する工程図である。
FIG. 16 is a process diagram illustrating a trimming process according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 サーマルヘッド 23 ヘッド基板 24 発熱素子 41 トリミング装置 44 抵抗値計測計 45 トリミングパルス発生部 47 校正曲線記憶部 49 パルス幅調整部 50 電圧調整部 21 Thermal Head 23 Head Substrate 24 Heating Element 41 Trimming Device 44 Resistance Measurement Meter 45 Trimming Pulse Generator 47 Calibration Curve Storage 49 Pulse Width Adjuster 50 Voltage Adjuster

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−252759(JP,A) 特開 昭63−252760(JP,A) 特開 平4−226767(JP,A) 特開 昭63−178059(JP,A) 特開 昭63−59550(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B41J 2/335 B41J 2/35──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-63-252759 (JP, A) JP-A-63-252760 (JP, A) JP-A-4-226767 (JP, A) JP-A 63-252767 178059 (JP, A) JP-A-63-59550 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) B41J 2/335 B41J 2/35

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 薄膜サーマルヘッドの複数の発熱抵抗素
子にトリミング用の電圧パルスを印加して発熱抵抗素子
の電気抵抗値を調整するトリミングの方法において、 全ての発熱抵抗素子の電気抵抗値を測定して平均抵抗値
を算出し、 トリミング用の電圧パルスの大きさと該パルスを発熱抵
抗素子に印加した際の抵抗値変化量との関係を表す校正
曲線に基づいて、前記平均抵抗値と目標抵抗値との差に
相当する抵抗値変化を起こさせるべく所定のトリミング
用の電圧パルスを決定し、 該決定したトリミング用の電圧パルスを全ての発熱抵抗
素子に印加することによって各発熱抵抗素子の電気抵抗
値をほぼ一定の割合だけ変化させることを特徴とする薄
膜サーマルヘッドの抵抗体トリミング方法。
In a trimming method for adjusting a resistance value of a heating resistor by applying a voltage pulse for trimming to a plurality of heating resistors of a thin-film thermal head, measuring a resistance value of all heating resistors. The average resistance value is calculated based on a calibration curve representing the relationship between the magnitude of the voltage pulse for trimming and the amount of change in resistance value when the pulse is applied to the heating resistance element. A predetermined trimming voltage pulse is determined so as to cause a resistance change corresponding to a difference from the value, and the determined trimming voltage pulse is applied to all the heating resistor elements to thereby determine the electric resistance of each heating resistor element. A method of trimming a resistor of a thin-film thermal head, wherein a resistance value is changed by a substantially constant ratio.
【請求項2】 前記平均抵抗値が目標抵抗値よりも大き
な場合には全ての発熱抵抗素子に大きな電力量をもち、
パスル幅の小さなトリミング用の電圧パルスを印加して
発熱抵抗素子をアニールすることによって電気抵抗値を
低下させ、 前記平均抵抗値が目標抵抗値よりも小さな場合には全て
の発熱抵抗素子に小さな電力量をもち、パスル幅の大き
なトリミング用の電圧パルスを大気雰囲気中で印加して
発熱抵抗素子の少なくとも一部を酸化させることによっ
て電気抵抗値を上昇させることを特徴とする請求項1に
記載の薄膜サーマルヘッドの抵抗体トリミング方法。
2. When the average resistance value is larger than a target resistance value, all the heating resistance elements have a large amount of power,
The electric resistance value is reduced by applying a voltage pulse for trimming with a small pulse width to anneal the heating resistance element, and when the average resistance value is smaller than the target resistance value, a small power is supplied to all the heating resistance elements. 2. The electric resistance value according to claim 1, wherein the electric resistance value is increased by applying a trimming voltage pulse having a large pulse width in an air atmosphere to oxidize at least a part of the heating resistance element. Resistor trimming method for thin film thermal head.
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