JPH04258166A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04258166A JPH04258166A JP3038930A JP3893091A JPH04258166A JP H04258166 A JPH04258166 A JP H04258166A JP 3038930 A JP3038930 A JP 3038930A JP 3893091 A JP3893091 A JP 3893091A JP H04258166 A JPH04258166 A JP H04258166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- layer
- pixels
- type
- capacity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリや複写機
などの原稿読み取り装置に使用する固体撮像装置に関す
るものである。
などの原稿読み取り装置に使用する固体撮像装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に知られている固体撮像装置
は、ＣＣＤ、ＭＯＳ型、バイポ−ラ型などで、これは、
例えば、図３に示すように、２次元の配列構成を持って
いる。ここでは、センサ駆動部１０からの光を原稿を介
して単位の画素８に与え、そこから画像信号を各信号線
９を介して信号転送部１１にシリアル信号として出力し
、プリアンプ１２へともたらす。この場合、上記単位画
素の光電荷蓄積部は、その形式がＣＣＤ、ＭＯＳ型の時
、ダイオ−ドを使用し、バイポ−ラ型の場合も、ベ−ス
とコレクタとの間で形成されるダイオ−ドを使用する。 しかし、各画素は全て同じ容量のものが採用されている
。
は、ＣＣＤ、ＭＯＳ型、バイポ−ラ型などで、これは、
例えば、図３に示すように、２次元の配列構成を持って
いる。ここでは、センサ駆動部１０からの光を原稿を介
して単位の画素８に与え、そこから画像信号を各信号線
９を介して信号転送部１１にシリアル信号として出力し
、プリアンプ１２へともたらす。この場合、上記単位画
素の光電荷蓄積部は、その形式がＣＣＤ、ＭＯＳ型の時
、ダイオ−ドを使用し、バイポ−ラ型の場合も、ベ−ス
とコレクタとの間で形成されるダイオ−ドを使用する。 しかし、各画素は全て同じ容量のものが採用されている
。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、上述の従
来構造の固体撮像装置を、単板カラ−用センサのように
、各画素上に種類の異なるカラ−フィルタを載せて、使
用するときには、例えば、青のフィルタが載った場合と
、白のフィルタが載った場合とでは、入射光量が数倍異
なってくる。この時、入射光量の多い白の画素が飽和す
る光量を、センサのダイナミックレンジの設定値とする
と、青のフィルタを使用した画素では、光電変換できる
十分な領域が余り、これを利用できない。換言すれば、
画素のカラ−の種類により、飽和光量に差を生じ、その
光量範囲で、偽信号を生じるおそれがある。
来構造の固体撮像装置を、単板カラ−用センサのように
、各画素上に種類の異なるカラ−フィルタを載せて、使
用するときには、例えば、青のフィルタが載った場合と
、白のフィルタが載った場合とでは、入射光量が数倍異
なってくる。この時、入射光量の多い白の画素が飽和す
る光量を、センサのダイナミックレンジの設定値とする
と、青のフィルタを使用した画素では、光電変換できる
十分な領域が余り、これを利用できない。換言すれば、
画素のカラ−の種類により、飽和光量に差を生じ、その
光量範囲で、偽信号を生じるおそれがある。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、上記事情に基いてなされたも
ので、カラ−の種類によって、それに対応する画素の容
量を変え、偽信号の発生を回避し、無駄の無いダイナミ
ックレンジでの使用を可能にした固体撮像装置を提供し
ようとするものである。
ので、カラ−の種類によって、それに対応する画素の容
量を変え、偽信号の発生を回避し、無駄の無いダイナミ
ックレンジでの使用を可能にした固体撮像装置を提供し
ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
画素が複数配列され、各画素の画像信号が信号線を介し
て出力される固体撮像装置において、上記画素は、光電
荷が蓄積される部分の容量が異なる複数種の画素の群に
別れ、それらが一定の位置関係で配列されている。
画素が複数配列され、各画素の画像信号が信号線を介し
て出力される固体撮像装置において、上記画素は、光電
荷が蓄積される部分の容量が異なる複数種の画素の群に
別れ、それらが一定の位置関係で配列されている。
【０００６】特に、本発明では、例えば、バイポ−ラト
ランジスタのベ−ス領域が光電荷の蓄積部分となり、上
記画素の各々が、上記トランジスタについて、駆動線と
ベ−スとの間に設けた容量の容量カップリングによって
、ベ−ス電位を制御してエミッタ部から信号出力を得ら
れるようにしても良い。
ランジスタのベ−ス領域が光電荷の蓄積部分となり、上
記画素の各々が、上記トランジスタについて、駆動線と
ベ−スとの間に設けた容量の容量カップリングによって
、ベ−ス電位を制御してエミッタ部から信号出力を得ら
れるようにしても良い。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例について図１を
参照しながら説明する。図中、符号１は不純物濃度の小
さいｎ型基板３上に設けられたｐ型の拡散層であり、単
位画素の光電荷を蓄積するための蓄積部を構成している
。また、全体として一定の位置関係で配列された幾つか
の単位画素については、上記ｎ型基板３上に、先ず不純
物濃度の大きなｎ型の拡散層４を設け、その上に上記と
同じｐ型の拡散層１を形成するのである。そして、上記
拡散層１を各画素ごとに分離するために、上記基板３上
には厚い酸化膜２が形成されている。
参照しながら説明する。図中、符号１は不純物濃度の小
さいｎ型基板３上に設けられたｐ型の拡散層であり、単
位画素の光電荷を蓄積するための蓄積部を構成している
。また、全体として一定の位置関係で配列された幾つか
の単位画素については、上記ｎ型基板３上に、先ず不純
物濃度の大きなｎ型の拡散層４を設け、その上に上記と
同じｐ型の拡散層１を形成するのである。そして、上記
拡散層１を各画素ごとに分離するために、上記基板３上
には厚い酸化膜２が形成されている。
【０００８】特に、上記ｐ型拡散層１と酸化膜２とで構
成された各画素は、容量が小さく設定されており、この
上には青などの透過光量の小さなフィルタ−（図示せず
）が載せられ、また、上記ｐ型拡散層１とｎ型拡散層４
とで構成された各画素は、容量が大きく設定されており
、この上には白などの透過光量の大きなフィルタ−（図
示せず）が載せられる。
成された各画素は、容量が小さく設定されており、この
上には青などの透過光量の小さなフィルタ−（図示せず
）が載せられ、また、上記ｐ型拡散層１とｎ型拡散層４
とで構成された各画素は、容量が大きく設定されており
、この上には白などの透過光量の大きなフィルタ−（図
示せず）が載せられる。
【０００９】このため、フィルタ−の相違にも係らず、
飽和光量になるタイミングがほぼ等しくなり、各カラ−
対応の画素の種類による飽和光量の差を小さく出来、色
の偽信号が出る光量範囲を小さく出来、結果的に、セン
サのダイナミックレンジを向上させられる。
飽和光量になるタイミングがほぼ等しくなり、各カラ−
対応の画素の種類による飽和光量の差を小さく出来、色
の偽信号が出る光量範囲を小さく出来、結果的に、セン
サのダイナミックレンジを向上させられる。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例を示すもので
、光電荷の蓄積部である１つのベ−ス領域と駆動線６、
７の間に形成される容量のカップリングを通してセンサ
を駆動し、エミッタ５からセンサ出力がでる。この時の
ベ−ス領域と駆動線６、７との間の容量を異ならせるこ
とで、例えば、駆動線６に対応する画素がその容量を小
さく設定され、駆動線７に対応する画素がその容量を大
きく設定されるように構成出来る。
、光電荷の蓄積部である１つのベ−ス領域と駆動線６、
７の間に形成される容量のカップリングを通してセンサ
を駆動し、エミッタ５からセンサ出力がでる。この時の
ベ−ス領域と駆動線６、７との間の容量を異ならせるこ
とで、例えば、駆動線６に対応する画素がその容量を小
さく設定され、駆動線７に対応する画素がその容量を大
きく設定されるように構成出来る。
【００１１】このタイプのセンサは、この容量が大きい
ほど、光電荷をリセットしたときのベ−ス１とエミッタ
５との逆バイアス電圧が大きくなるので、しかも、画素
自体の容量も大きくなるので、画素に蓄積できる飽和光
電荷量を容易に制御できる。
ほど、光電荷をリセットしたときのベ−ス１とエミッタ
５との逆バイアス電圧が大きくなるので、しかも、画素
自体の容量も大きくなるので、画素に蓄積できる飽和光
電荷量を容易に制御できる。
【００１２】
【発明の効果】本発明は以上詳述したようになり、カラ
−フィルタ−付きのセンサのように、画素のフォトダイ
オ−ドに入射する光量が異なる場合に、大きな光量を受
ける画素の容量を大きく、小さな光量を受ける画素の容
量を小さくしたので、各画素の飽和条件が一致し、色の
偽信号がでる光量範囲を小さくでき、ダイナミックレン
ギを向上できる。
−フィルタ−付きのセンサのように、画素のフォトダイ
オ−ドに入射する光量が異なる場合に、大きな光量を受
ける画素の容量を大きく、小さな光量を受ける画素の容
量を小さくしたので、各画素の飽和条件が一致し、色の
偽信号がでる光量範囲を小さくでき、ダイナミックレン
ギを向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例の模式的な断面図である
。
。
【図２】本発明の第２の実施例の模式的な断面図である
。
。
【図３】本発明に係る一般的なセンサの構成図である。
１ ｐ型拡散層
２ 酸化膜
３ ｎ型基板
４ ｎ型拡散層
５ エミッタ
６、 ７ 駆動線
８ 単位画素
９ 出力線
１０ センサ駆動回路
Claims (2)
- 【請求項１】 画素が複数配列され、各画素の画像信
号が信号線を介して出力される固体撮像装置において、
上記画素は光電荷が蓄積される部分の容量が異なる複数
種の画素の群に別れ、それらが一定の位置関係で配列さ
れていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 バイポ−ラトランジスタのベ−ス領域
が光電荷の蓄積部分となり、上記画素の各々が、上記ト
ランジスタについて、駆動線とベ−スとの間に設けた容
量の容量カップリングによって、ベ−ス電位を制御して
エミッタ部から信号出力を得られるようにした請求項１
に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3038930A JPH04258166A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3038930A JPH04258166A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258166A true JPH04258166A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12538946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3038930A Pending JPH04258166A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04258166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010041261A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3038930A patent/JPH04258166A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010041261A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11798961B2 (en) | Imaging device and imaging system | |
| EP3799421A1 (en) | Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
| JP3457551B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3559640B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US6828601B2 (en) | Charge transfer apparatus | |
| US6753585B1 (en) | Vertical color photo-detector with increased sensitivity and compatible video interface | |
| JPH08149376A (ja) | 固体撮像装置 | |
| GB2347212A (en) | Active type solid-state imaging device | |
| JP3144537B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2002237614A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法並びに情報処理装置 | |
| US4340909A (en) | Solid state area imaging apparatus | |
| US7446907B2 (en) | Photosensor architecture for a color raster input scanner | |
| JPH0965210A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH04258166A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2002164527A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR102625261B1 (ko) | 이미지 장치 | |
| JP2002050752A (ja) | 光電変換装置およびこれを用いた撮像システム | |
| JP2000022121A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR100769563B1 (ko) | 누설 전류를 감소시킨 이미지 센서 | |
| US7518759B2 (en) | Readout system for a CMOS-based image sensor array | |
| Matsunaga et al. | An interline transfer CCD imager | |
| JPS6175559A (ja) | 一次元密着型イメ−ジセンサ | |
| JP2609133B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2000286443A (ja) | 受光素子及びそれを用いた光電変換装置 | |
| KR100206134B1 (ko) | 씨씨디(ccd)형 고체촬상소자 |