JPH04256354A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH04256354A JPH04256354A JP1786691A JP1786691A JPH04256354A JP H04256354 A JPH04256354 A JP H04256354A JP 1786691 A JP1786691 A JP 1786691A JP 1786691 A JP1786691 A JP 1786691A JP H04256354 A JPH04256354 A JP H04256354A
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
にポリシリコン層からなる抵抗素子（以下ポリシリコン
抵抗と記す）を有する半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device having a resistive element made of a polysilicon layer (hereinafter referred to as a polysilicon resistor).
【０００２】0002
【従来の技術】従来のポリシリコン抵抗を内蔵する半導
体装置は、図３に示すようにトランジスタＴＲの入力端
とベース間に接続した抵抗Ｒ１とトランジスタＴＲのベ
ースとエミッタ間に接続した抵抗Ｒ２とを備えている。2. Description of the Related Art A conventional semiconductor device incorporating a polysilicon resistor has a resistor R1 connected between the input terminal and the base of a transistor TR, and a resistor R2 connected between the base and emitter of the transistor TR, as shown in FIG. It is equipped with
【０００３】この半導体装置は図４に示すように抵抗Ｒ
１に相当するポリシリコン抵抗１と抵抗Ｒ２に相当する
ポリシリコン抵抗２のシート抵抗ρＳ は同一である。This semiconductor device has a resistor R as shown in FIG.
The sheet resistances ρS of polysilicon resistor 1 corresponding to R1 and polysilicon resistor 2 corresponding to resistor R2 are the same.
【０００４】従って、抵抗Ｒ１及びＲ２は、ポリシリコ
ン抵抗１の長さをＬ１、ポリシリコン抵抗２の長さをＬ
２、ポリシリコン抵抗１，２の幅をＷとするとＲ１＝ρ
Ｓ ×Ｌ１／Ｗ
Ｒ２＝ρＳ ×Ｌ２／Ｗ
となり、Ｒ１＜Ｒ２である場合は、Ｌ１＜Ｌ２となる。Therefore, the length of the resistors R1 and R2 is L1, the length of the polysilicon resistor 1 is L1, and the length of the polysilicon resistor 2 is L1.
2. If the width of polysilicon resistors 1 and 2 is W, then R1=ρ
S×L1/W R2=ρS×L2/W, and when R1<R2, L1<L2.
【０００５】上式からは、抵抗値を変えるためのパラメ
ータとしてポリシリコン抵抗の幅Ｗがあるが、極端に細
くした場合は、ポリシリコン層をパターニングするフォ
トリソグラフィーのばらつきによりポリシリコン抵抗の
幅Ｗの寸法がばらつき、抵抗精度が悪くなる。また、逆
に太くした場合は、チップサイズが大きくなるため一定
の最適化されたポリシリコン抵抗の幅Ｗで作成する。From the above equation, the width W of the polysilicon resistor is a parameter for changing the resistance value, but if it is made extremely thin, the width W of the polysilicon resistor will change due to variations in the photolithography used to pattern the polysilicon layer. The dimensions of the resistor vary, resulting in poor resistance accuracy. On the other hand, if the resistor is made thicker, the chip size becomes larger, so the polysilicon resistor is manufactured with a constant and optimized width W.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】この従来のポリシリコ
ン抵抗では、Ｒ１＜Ｒ２となる抵抗値の場合、抵抗Ｒ１
に相当するポリシリコン抵抗の面積が小さくなるため静
電破壊強度が弱くなり、また抵抗Ｒ１に相当するポリシ
リコン抵抗の長さＬ１が短かくなるため、抵抗Ｒ１の抵
抗精度が悪くなるという問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] In this conventional polysilicon resistor, when the resistance value is R1<R2, the resistance R1
Since the area of the polysilicon resistor corresponding to resistor R1 becomes smaller, the electrostatic breakdown strength becomes weaker, and the length L1 of the polysilicon resistor corresponding to resistor R1 becomes shorter, so the resistance accuracy of resistor R1 deteriorates. was there.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ポリシリコン層からなり且つ異なるシート抵抗を有する
複数の抵抗を内蔵して構成される。[Means for Solving the Problems] A semiconductor device of the present invention includes:
It is made of a polysilicon layer and includes a plurality of built-in resistors having different sheet resistances.
【０００８】[0008]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
【０００９】図１は本発明の第１の実施例を示すレイア
ウト図である。FIG. 1 is a layout diagram showing a first embodiment of the present invention.
【００１０】図１に示すように、図３の等価回路におけ
るＲ２＝２×Ｒ１すなわちＲ１＜Ｒ２の関係が成立する
例を示している。抵抗Ｒ２に相当するポリシリコン抵抗
２のシート抵抗ρＳ をＡΩ／□とすると、抵抗Ｒ１に
相当するポリシリコン抵抗１に選択的にイオン注入を追
加してポリシリコン抵抗１のシート抵抗ρＳ を１／２
ＡΩ／□と小さくすることにより、ポリシリコン抵抗１
の長さＬ１は、シート抵抗ρＳ をＡΩ／□とした場合
の２倍の長さとすることができ、ポリシリコン抵抗２の
長さＬ２と同じ長さにすることができる。As shown in FIG. 1, an example is shown in which the relationship R2=2×R1, that is, R1<R2 in the equivalent circuit of FIG. 3 holds true. If the sheet resistance ρS of the polysilicon resistor 2 corresponding to the resistor R2 is AΩ/□, then ion implantation is selectively added to the polysilicon resistor 1 corresponding to the resistor R1 to reduce the sheet resistance ρS of the polysilicon resistor 1 to 1/ 2
By reducing AΩ/□, polysilicon resistance 1
The length L1 can be twice the length when the sheet resistance ρS is AΩ/□, and can be made the same length as the length L2 of the polysilicon resistor 2.
【００１１】図２は、本発明の第２の実施例を示すレイ
アウト図である。FIG. 2 is a layout diagram showing a second embodiment of the present invention.
【００１２】図２に示すように、第１の実施例と同じく
抵抗値が、Ｒ２＝２×Ｒ１の関係にある例を示す。As shown in FIG. 2, an example is shown in which the resistance values have the relationship R2=2×R1, as in the first embodiment.
【００１３】ポリシリコン抵抗１のシート抵抗ρＳ を
ポリシリコン抵抗２の１／４とすることにより、ポリシ
リコン抵抗１のポリシリコン長さＬ１はポリシリコン抵
抗２のポリシリコン長さＬ２の２倍にすることができ、
ポリシリコン抵抗１の面積を抵抗値が小さいにもかかわ
らず２倍とすることができる。By setting the sheet resistance ρS of polysilicon resistor 1 to 1/4 of polysilicon resistor 2, the polysilicon length L1 of polysilicon resistor 1 becomes twice the polysilicon length L2 of polysilicon resistor 2. can,
The area of polysilicon resistor 1 can be doubled despite its small resistance value.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、異なるシ
ート抵抗を有する複数のポリシリコン抵抗を備えること
により、小さい抵抗値となるポリシリコン抵抗のシート
抵抗を小さくして、抵抗値の小さいポリシリコン抵抗の
面積を大きくすることができるため、静電破壊強度，抵
抗精度を向上させることができる。Effects of the Invention As explained above, the present invention provides a plurality of polysilicon resistors having different sheet resistances, thereby reducing the sheet resistance of the polysilicon resistor having a low resistance value, and thereby reducing the sheet resistance of the polysilicon resistor having a low resistance value. Since the area of the silicon resistor can be increased, electrostatic breakdown strength and resistance accuracy can be improved.
【００１５】図３に示す抵抗内蔵トランジスタの抵抗Ｒ
１の面積による静電破壊強度実測データ（Ｃ＝２００ｐ
Ｆ）を以下に示す。Resistance R of the transistor with a built-in resistor shown in FIG.
Electrostatic breakdown strength actual measurement data by area of 1 (C=200p
F) is shown below.
【００１６】（ａ）実測値１
ポリシリコン抵抗幅が１５μｍ，ポリシリコン抵抗長さ
が７５μｍでポリシリコン抵抗面積が１１２５μｍ２
のとき静電破壊強度は３４０Ｖであり、
（ｂ）実測値２
ポリシリコン抵抗幅が１５μｍ，ポリシリコン抵抗長さ
が１５０μｍでポリシリコン抵抗面積が２２５０μｍ２
のとき静電破壊強度は４１０Ｖであり、（ｃ）実測値
３
ポリシリコン抵抗幅が１５μｍ，ポリシリコン抵抗長さ
が１６５μｍでポリシリコン抵抗面積が２４７５μｍ２
のとき静電破壊強度は４５５Ｖであり、（ｄ）実測値
４
ポリシリコン抵抗幅が１５μｍ，ポリシリコン抵抗長さ
が３３０μｍでポリシリコン抵抗面積が４９５０μｍ２
のとき静電破壊強度は５７０Ｖであった。(a) Actual measurement value 1 The polysilicon resistance width is 15 μm, the polysilicon resistance length is 75 μm, and the polysilicon resistance area is 1125 μm2.
When the electrostatic breakdown strength is 340V, (b) Actual measurement value 2 The polysilicon resistance width is 15μm, the polysilicon resistance length is 150μm, and the polysilicon resistance area is 2250μm2
When the electrostatic breakdown strength is 410V, (c) actual measurement value 3, the polysilicon resistance width is 15 μm, the polysilicon resistance length is 165 μm, and the polysilicon resistance area is 2475 μm2.
When the electrostatic breakdown strength is 455V, (d) Actual measurement value 4 The polysilicon resistance width is 15μm, the polysilicon resistance length is 330μm, and the polysilicon resistance area is 4950μm2
At this time, the electrostatic breakdown strength was 570V.
【００１７】以上の実測データよりポリシリコン抵抗の
面積を大きくすれば、静電破壊強度を向上できることが
わかる。From the above measured data, it can be seen that the electrostatic breakdown strength can be improved by increasing the area of the polysilicon resistor.
【００１８】また、抵抗精度もフォトリソグラフィーに
おけるポリシリコン抵抗の長さＬのばらつきをΔＬとす
ると抵抗精度はΔＬ／Ｌとなり、ΔＬはポリシリコン抵
抗長さＬに関係なく一定であるため、ポリシリコン抵抗
のシート抵抗ρＳ を小さくしＬを大きくすることによ
って、抵抗精度を向上できる。Furthermore, if the variation in length L of the polysilicon resistor in photolithography is ΔL, then the resistance accuracy is ΔL/L, and since ΔL is constant regardless of the length L of the polysilicon resistor, By decreasing the sheet resistance ρS of the resistor and increasing L, the resistance accuracy can be improved.
【図１】本発明の第１の実施例を示すレイアウト図であ
る。FIG. 1 is a layout diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例を示すレイアウト図であ
る。FIG. 2 is a layout diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図３】従来の半導体装置の一例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor device.
【図４】従来の半導体装置の一例を示すレイアウト図で
ある。FIG. 4 is a layout diagram showing an example of a conventional semiconductor device.
１，２ ポリシリコン抵抗 ３ ベースボンディングパッド ４ ベース電極 ５ エミッタ電極 ６ ベース拡散領域 ７ エミッタ拡散領域 1, 2 Polysilicon resistor 3 Base bonding pad 4 Base electrode 5 Emitter electrode 6 Base diffusion region 7 Emitter diffusion region
Claims (1)
ート抵抗を有する複数の抵抗を内蔵することを特徴とす
る半導体装置。1. A semiconductor device comprising a plurality of built-in resistors made of a polysilicon layer and having different sheet resistances.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1786691A JPH04256354A (en) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1786691A JPH04256354A (en) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04256354A true JPH04256354A (en) | 1992-09-11 |
Family
ID=11955588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1786691A Pending JPH04256354A (en) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04256354A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031263A (en) * | 1983-08-01 | 1985-02-18 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP1786691A patent/JPH04256354A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031263A (en) * | 1983-08-01 | 1985-02-18 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970805 |