JPH04251984A - 半導体センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は圧力センサ，加速度セン
サ等として用いられる小形の半導体センサであって、単
結晶シリコンからなるダイアフラムやカンチレバー形の
弾性体とそれに拡散により作り込まれるストレンゲージ
とを備えるものに関する。

【０００２】

【従来の技術】上述の圧力，　加速度等用のセンサの用
途が拡大するにつれて益々その小形化が要求されており
、この要請に沿うにはセンサを半導体で構成し、あるい
は半導体技術を利用して製作するのが有利で、最近では
１〜２ｍｍ角の小形の半導体チップ内にセンサとその関
連回路を組み込むことが可能になって来た。しかし、か
かる小形の半導体センサを高感度にかつ感度を揃えて歩
留まりよく量産するのはまだ必ずしも容易でなく、圧力
や加速度用の場合はその検出に上述のダイアフラムやカ
ンチレバー形の弾性体を利用するので、半導体チップ内
にこの小形の弾性体をいかに厚みを揃えて作り込むかが
製造技術上の重点になっている。この弾性体は半導体チ
ップがまだウエハの状態にある間に一般にエッチングに
より小さな凹所を掘り込むことにより作り込まれるので
、このエッチングの精度を上げるために従来から種々な
工夫がなされている。以下、図４を参照してその代表的
な従来例を簡単に説明する。

【０００３】図４（ａ）　に電解エッチング法を利用す
る従来例を示す。半導体センサ４０が作り込まれるウエ
ハは例えばそのｐ形の基板４１の表面側にエピタキシャ
ル成長や拡散によりｎ形層４２を設けたもので、その裏
面側に所定パターンのフォトレジスト等のマスク膜４３
を付けた上でこれをマスクとするエッチングにより凹所
４４を裏面側から掘り込む。このため、半導体センサ４
０用のウエハを図のように電解槽５０内のふつうは　Ｋ
ＯＨの電解液５１に浸漬して、ウエハを低い直流電圧を
もつ電源５２の陰極に，　対向電極５３をその陽極にそ
れぞれ接続した状態で電解エッチングを施すことにより
、凹所４４をｐ形の基板４１内にのみ掘り込んでエッチ
ングをそのｎ形層４２との境界面で自動停止させる。従
って、この凹所４４の底にはｎ形層４２が残ることにな
り、この底に当たる部分が弾性体４５として用いられる
。

【０００４】しかし、電解エッチングの進行とともにエ
ッチング面付近の電解液４１の濃度が低下してエッチン
グ速度が低下し、かつ凹所４４の形状が不整になりやす
いので、図のように同じ電解液５１を満たした液槽５４
を設け、それに浸漬した電極５５を別の電源５６の陽極
に接続した状態で細い管５７を介して新しい電解液５１
を凹所４４の付近に絶えず供給することにより、凹所４
４を図のような裁頭錐状に正しく掘り込む。このように
して形成されたｎ形層４２からなる弾性体４５の表面に
ストレンゲージを作り込んだ上でウエハをチップに単離
して半導体センサとする。

【０００５】図４（ｂ）　に弾性体を窒化シリコン膜で
形成する従来例を半導体センサのチップの要部拡大断面
図で示す。半導体センサ６０用の基板６１を覆う窒化シ
リコン膜６２の凹所６８を設けるべき範囲に窓を明け、
この窓を覆うように多結晶シリコン膜６３を付けて図で
ハッチングを付して示した形状にパターンニングする。 次に、全面を窒化シリコン膜６４で覆った後にその上に
ストレンゲージ６５を所定パターンで所望個数作り込み
、さらにその上を窒化シリコン膜６６で覆った後に凹所
６４を掘り込むべき範囲を囲む複数個所に窓６７を抜く
。エッチングはこの窓６７を介して　ＫＯＨ等をエッチ
ング液として行ない、まず溶解しやすい多結晶シリコン
膜６３を溶出させた後に窒化シリコン膜６２をマスクと
して基板６１を図のように錐状にエッチングすることに
より凹所６８を掘り込む。

【０００６】このエッチング後は全面をさらに窒化シリ
コン膜６９で覆ってエッチング用窓６７を閉鎖すること
により凹所６８を封じ切るが、この際に凹所６８内の圧
力がプラズマＣＶＤ法等により窒化シリコン膜６９を成
膜する際のふん囲気と等しいほぼ真空となる。従って、
この半導体センサは凹所６８内の真空を基準圧として外
気との差圧を検出する圧力センサになり、その感圧ダイ
アフラムである弾性体は凹所６８上の窒化シリコン膜６
４，　６６および６９からなる積層膜で構成される。な
お、図４（ａ）　と（ｂ）　に示された従来例のより詳
細は例えば日経メカニカル誌の１９８７年１１月１６日
号６２〜６５頁，　Ｍ．Ｎａｋａｍｕｒａ　ｅｔ　ａｌ
，　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ　’８７，　１９８７，ｐ１
１２，　および杉山ほか，昭和６２年電子通信学会全国
大会，Ｓ７−２３，　１９８７　を参照されたい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のいずれ
の従来技術もその実用化ないしは量産可能性にまだ問題
が残っている。すなわち、図４（ａ）　の従来例では電
解エッチング法の利用により弾性体の厚みをウエハの表
面側のｎ形層４２に与える厚みにより一定に管理できる
利点はあるが、実際にはウエハ内の数千個以上の個所に
凹所４４を同時に掘り込む際のウエハ面内の均一性が必
ずしも充分でないほか、電解エッチング設備が相当複雑
化するので元々あまり量産向きでない問題がある。

【０００８】また、図４（ｂ）　の従来例は弾性体を窒
化シリコン膜で構成するのでその厚みを２μｍ以下にも
でき、従って超小形の半導体センサに適する利点を有す
る反面、図からわかるように膜の積層数が多いのでウエ
ハプロセスの工程数が増えて製造コストが高くつきやす
いほか、凹所６８を小さな窓６７を介して掘り込むので
基板６１のエッチング中に発生するガスの排除が不充分
になり、その圧力により弾性体の窒化シリコン膜にクラ
ック等の欠陥が生じやすい問題がある。さらには、弾性
体に窒化シリコンの積層膜を用いるので単結晶シリコン
に比べて弾性的な履歴等の点でとくに高精度を要する場
合の検出特性が必ずしも良好といえない。

【０００９】本発明はかかる従来技術のもつ問題点を解
決して、小形化のため薄い弾性体を用いる場合にも量産
に際し高級な設備を用いることなく少ない工程数でその
厚みを正確に管理できる実用的な半導体センサを提供す
ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によればこの目的
は、薄い単結晶シリコンからなる第１の基板と、この第
１の基板と絶縁膜を介して接合されたシリコンからなる
第２の基板と、第２の基板の裏面側から所定のパターン
で少なくとも絶縁膜に達するまでエッチングにより掘り
込まれた凹所と、凹所に対応する第１の基板の表面部分
に不純物拡散により作り込まれたストレンゲージとを備
え、凹所に対応する第１の基板の単結晶シリコンを第２
の基板により支承された可撓性の弾性体としその撓みを
ストレンゲージにより検出するようにした半導体センサ
によって達成される。

【００１１】本発明の圧力センサに適する有利な実施態
様では、凹所を裁頭錐状に掘り込むことによりこの凹所
に対応する第１の基板の単結晶シリコンが周囲を第２の
基板により支承された弾性ダイアフラム体に形成される
。

【００１２】本発明の加速度センサに適する別の有利な
実施態様では、凹所を環状パターンで掘り込み、この凹
所に対応する第１の基板に部分環状の溝をエッチングで
掘り込んでその残余部分の表面にストレンゲージを作り
込むことにより、この第１の基板の残余部分の単結晶シ
リコンが一端を第２の基板により支承され他端に第２の
基板の環状パターンにより取り囲まれた部分からなる質
量体を備える弾性カンチレバー体に形成される。

【００１３】なお、第１の基板の厚みは一般に５０μｍ
以下とされるが、小形の半導体センサでは２〜１０μｍ
とするのがよく、また同じチップ内にセンサと関連する
集積回路を組み込む場合には５μｍ以上とするのが有利
である。この第１の基板を第２の基板と接合するための
絶縁膜としては酸化シリコン膜が最も好適である。

【００１４】第２の基板は第１の基板と同様に単結晶シ
リコンとするのが望ましいが、場合によっては多結晶シ
リコンをこれに用いることも可能である。この第２の基
板に凹所を掘り込むためのエッチングはふつう化学エッ
チングでよく、この凹所部分の絶縁膜を除去する場合も
ふっ酸溶液等を用いる化学エッチングを併用することで
よい。第２の基板を単結晶シリコンとする場合はその結
晶の（１００）面に平行な基板とし、凹所の掘り込み用
エッチングに例えば数十％濃度の　ＫＯＨを用いること
によりエッチングが結晶の　（１１１）面に沿って進む
ようにするのが、均一かつ正確な側面形状の凹所を掘り
込む上で有利である。

【００１５】ストレンゲージは、第１の基板にｎ形のも
のを用いその表面からｐ形不純物を拡散して作り込むの
がよく、この拡散層の比抵抗を　０．１〜数ｍΩｃｍ，
　望ましくは１〜２ｍΩｃｍとするのが半導体センサの
感度を高める上で有利である。

【００１６】

【作用】本発明は、最近の精密加工技術によれば単結晶
シリコンを小形の半導体センサの弾性体に適する程度に
ごく薄くかつウエハ面内の厚みを均一に研削ないし研磨
でき、かつ凹所を掘り込むためのエッチングにシリコン
と絶縁膜とに対する高い選択性を持たせ得ることに着目
して、前項の構成により前述の課題の解決に成功したも
のである。

【００１７】すなわち、単結晶シリコンからなる第１の
基板を絶縁膜を介してシリコンからなる第２の基板と接
合した上で、精密な研削により第１の基板を半導体セン
サの弾性体に適する所望の厚みに正確に仕上げて半導体
センサを作り込むべきウエハとし、このウエハの裏面側
から第２の基板に所定パターンで凹所を掘り込む際にエ
ッチングをそれと絶縁膜との境界面で自動停止させるこ
とにより、凹所の掘り込みを確実に第２の基板内にのみ
限定し、従って半導体センサの弾性体が上述のウエハの
仕上げ研削時に第１の基板に賦与されたままの設定どお
りの正確な厚みで常に形成されるようにする。

【００１８】なお、第１の基板の研削を　０．５μｍ程
度のウエハ面内ばらつきの精度で行なうのは容易なので
本発明は小形の半導体センサに適する。また、弾性体を
形成するための第２の基板への凹所の掘り込みに際し、
電解エッチング法を利用するまでもなく最も簡単な化学
エッチング法によってもエッチングが第２の基板の絶縁
膜との境界面で自動停止するので、半導体センサの量産
に際してごく簡単な設備で多数個のウエハに同時にエッ
チング処理を施すことができる。このエッチングを自動
停止させるための絶縁膜の膜厚は　０．１μｍ程度もあ
れば充分なので、第１の基板の研削時にその厚みの精度
に与える影響はごく僅少で済む。さらに、半導体センサ
と同じチップ内にその関連回路を集積化する場合、この
絶縁膜を利用して第１の基板を複数個の半導体領域に誘
電体分離して回路要素をそれぞれ作り込むようにすれば
集積回路の動作信頼性を向上することができる。

【００１９】

【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１に圧力センサ等に適するダイアフラム形の弾性
体を備える半導体センサを，　図２にその製造中の主な
工程における状態を，　図３に加速度センサ等に適する
カンチレバー形の弾性体を備える半導体センサをそれぞ
れ示す。これらの実施例では第１と第２の基板のいずれ
にも単結晶シリコンが用いられ、絶縁膜には酸化シリコ
ン膜が用いられるものとするが、もちろん材料はこれら
に限る必要はない。

【００２０】図１はダイアフラム形の弾性体を備え圧力
センサ等に適する半導体センサ２０を示し、同図（ａ）
　はその断面で、同図（ｂ）　はその上面であり、同図
（ａ）　は同図（ｂ）のＸ−Ｘ矢視断面に相当する。な
お、図示の簡単化のため図には半導体センサ２０の半導
体部分のみが示されており、それを覆う酸化シリコン等
の絶縁膜や配線膜は一切省略されていることを了承され
たい。図１（ａ）　の単結晶シリコンからなる第１の基
板１にはこの実施例ではｎ形のものが用い、第２の基板
２には導電形は問わないがこの実施例ではシリコン結晶
の　（１００）面に平行なものを用いる。

【００２１】これら第１の基板１と第２の基板２とをこ
の例では酸化シリコンの絶縁膜３を介して接合した状態
を図２（ａ）　に示す。これらの両基板にはそれぞれ数
百μｍの厚みのものを用い、例えば第１の基板１の方に
スチーム酸化法等により絶縁膜３をふつう　０．５〜１
μｍの膜厚に被着し、第２の基板２の方は接合面を鏡面
仕上げした上で両者を相互に吸着させ、例えば窒素等の
不活性ふん囲気内の１２５０℃程度の高温に３０分〜１
時間加熱することにより絶縁膜３を介して両基板を強固
に接合して半導体センサを作り込むべきウエハとする。 ついで、このウエハに精密研削を施すことにより第１の
基板を所望の厚み，　最も代表的には１０μｍ前後の厚
みにした上で通例のようにその表面にラッピング処理を
施す。

【００２２】図２（ｂ）　は第２の基板２に凹所４をエ
ッチングにより掘り込んだ状態を示す。このため、まず
ウエハの両面にフォトレジスト膜を塗着し、その第１の
基板１の表面側はそのまま全面を覆うマスク膜１ａとす
るが第２の基板２の裏面側はフォトプロセスにより凹所
４用のこの実施例では円形の窓パターンを抜いてマスク
膜２ａとする。次に、ウエハを例えば４０％濃度の　１
００℃の　ＫＯＨ溶液中に浸漬することによりマスク膜
４ａの窓内の第２の基板２をエッチングして凹所４を掘
り込む。この実施例ではエッチングは第２の基板２のシ
リコン結晶の　（１１１）面に沿い進行して凹所４は図
のような斜側面をもつ形状に掘り込まれる。また、この
エッチングはシリコンに対してのみ選択性があり第２の
基板２と絶縁膜３との境界面で自動的に停止するので、
凹所４は図のように裁頭錐状に掘り込まれる。

【００２３】この凹所４の掘り込み部に残る絶縁膜３は
そのまま残す場合もあるが、弾性体をできるだけ薄くし
たい場合はウエハを例えば１０％のふっ酸内にごく短時
間浸漬することにより絶縁膜３の酸化シリコンをエッチ
ングにより除去して図２（ｃ）　の状態とする。これに
よって、凹所４に対応する個所に第１の基板１の薄い単
結晶シリコンからなりこの例では図のように周囲が第２
の基板２によって支承された可撓性のダイアフラム状の
弾性体５が形成される。

【００２４】この図２（ｃ）　の状態から図１の完成状
態にするには、第１の基板１の弾性体５の部分の表面に
ごく小さなパターンでこの例ではｐ形不純物を拡散して
ストレンゲージ６を所望の個数作り込むことでよい。こ
のストレンゲージ６用ｐ形拡散層の比抵抗を例えば１〜
２ｍΩｃｍ程度に設定するのがそのゲージファクタを高
めるために望ましい。通常はストレンゲージ６は図１（
ｂ）　に示すように適宜な配置で複数個，　例えば４個
作り込まれ、それらのブリッジ接続により半導体センサ
２０内の検出回路が構成される。

【００２５】図１の半導体センサ２０を圧力センサに用
いる場合、同図（ａ）　に示すようにこれをふつうはシ
リコンからなる適宜な台座３０上に取り付け、その孔３
０ａと連通する凹所４と弾性体５の上部空間の一方に基
準圧力を他方に被検出圧力を与え、両者の差圧による可
撓性の弾性体５の撓みをストレンゲージ６により検出す
る。通常はこの圧力検出に関連する回路が半導体センサ
２０と同じチップの第１の基板１内に作り込まれ、図示
しない配線膜を介してストレンゲージ６と接続される。

【００２６】図３にカンチレバー形の弾性体を備え加速
度センサ等に適する半導体センサ２１を図１と同様な要
領で示す。この図３の実施例でも第１の基板１と第２の
基板２を絶縁膜３を介して相互に接合したウエハを研削
して第１の基板１を所望の厚みに仕上げた上で、ウエハ
の裏面側から第２の基板２に凹所４をエッチングにより
掘り込むのは前の実施例と同じであるが、凹所４をこの
例では図３（ｂ）　のようなほぼ方形の環状パターンで
掘り込む点が異なる。

【００２７】この環状パターンの凹所４により図３（ａ
）　からわかるように第１の基板１からカンチレバー用
の質量体７が分離されて、第１の基板１によってその下
側に支承された状態になる。また、この実施例でも凹所
４が掘り込まれた部分の絶縁膜３を除去する。次にこの
凹所４の掘り込み部分の第１の基板１に対して今度はそ
の表面側からエッチングによって溝８を図３（ｂ）　に
示す部分環状のパターンで掘り込む。これにより、凹所
４の掘り込部分の第１の基板１中のこの溝８が設けられ
なかった残余部分によりカンチレバー形の弾性体９が形
成され、質量体７がこの弾性体９を介して片持ち式に第
２の基板２により支承されるので、図３（ａ）　からわ
かるように半導体センサ２１に図の上下方向の成分をも
つ加速度が掛かった時に質量体７がもつ慣性により可撓
性の弾性体９に撓みが生じる。ストレンゲージ６はこの
撓みを検出するため弾性体９の表面部に第１の基板１と
は逆のｐ形不純物を拡散することによりこの実施例でも
複数個作り込まれる。

【００２８】このように構成された図３の半導体センサ
２１は、同図（ａ）　に示すように台座３１に第２の基
板２を取り付け、質量体７はもちろん台座３１から浮か
せた状態でそれに掛かる加速度を鋭敏に検出できる。

【００２９】なお、この実施例においても半導体センサ
２１と同じチップ内にその関連回路を集積化するのが有
利であるが、図３にはこのための一手段として第１の基
板１を誘電体分離によって複数個の半導体領域に分割す
る要領が簡単に示されている。本発明では第１の基板１
の下側に絶縁膜３があるので、誘電体分離にこれを利用
するのが有利である。すなわち、図３（ａ）　に示すよ
うに第１の基板１の表面から絶縁膜３に達する溝を切っ
た上で誘電体膜１０で覆い、溝を多結晶シリコン１１等
で埋めることにより第１の基板１を誘電体分離できる。 もちろん、この誘電体分離は凹所４を掘り込む前のウエ
ハに対して行ない、それにより分割した半導体領域内に
関連回路の回路要素を作り込んで図示しない配線膜を介
しストレンゲージ６と接続する。誘電体分離した第１の
基板１に作り込んだ集積回路は高ゲインでも動作信頼性
が高く、加速度センサの感度を高めるのに好適である。

【００３０】以上説明した本発明の半導体センサはふつ
う３〜４ｍｍ角のチップ内に関連回路とともに作り込ま
れ、その弾性体は１０μｍ程度の厚みとされるが、とく
に小形化を要する場合は１〜２ｍｍ角のチップ内に作り
込むことができ、その弾性体を厚みが２〜５μｍ，サイ
ズが数十〜数百μｍ径ないし角の小形化することができ
る。 なお、上述の実施例からわかるように本発明はかかる例
示に限定されることなくその要旨内で種々な構造ないし
態様で実施をすることができる。

【００３１】

【発明の効果】以上のとおり、本発明の半導体センサで
は、薄い単結晶シリコンからなる第１の基板と、この第
１の基板と絶縁膜を介して接合されたシリコンからなる
第２の基板と、第２の基板の裏面側から所定パターンで
少なくとも絶縁膜に達するまでエッチングにより掘り込
まれた凹所と、この凹所に対応する第１の基板の表面部
に拡散により作り込まれたストレンゲージとを設け、凹
所に対応する第１の基板の単結晶シリコンを第２の基板
により支承された可撓性の弾性体としてその撓みをスト
レンゲージにより検出するようにしたので、次の効果が
得られる。

【００３２】（ａ）　第１と第２の基板を絶縁膜を介し
て接合したウエハを研削して第１の基板を所望の厚みに
仕上げて置いてそれから半導体センサの弾性体を形成す
るので、第１の基板を薄く仕上げて置くことにより弾性
体の厚みを２μｍ程度にまで薄く形成して半導体センサ
を１〜２ｍｍ角に小形化できる。

【００３３】（ｂ）　ウエハの裏面側から第２の基板に
凹所を掘り込む際にエッチングがそれと絶縁膜との境界
面で自動停止して弾性体がウエハの研削時に第１の基板
に与えたままの厚みで形成されるので、半導体センサを
量産する際の弾性体の厚みの管理が従来よりずっと容易
にかつ正確になる。

【００３４】（ｃ）　窒化シリコン膜を利用する従来技
術に比べ工程数が格段に少なくて済み、半導体センサの
量産コストを低減できる。

【００３５】（ｄ）　電解エッチング法により弾性体を
形成する従来技術に比べ、高級な設備を用いる必要がな
く，エッチング工程の管理が容易で，かつ全体工程数も
減少するので、簡単な設備を用いかつ品質管理レベルを
向上しながら半導体センサの量産を経済的に行なうこと
ができる。

【００３６】（ｅ）　半導体センサと同じチップ内に関
連回路を組み込む場合、その回路要素を作り込む第１の
基板がチップの本体と絶縁膜によって分離されているの
で集積化が容易で、かつ第１の基板内を誘電体分離すれ
ばこの関連回路の動作特性を一層向上させることができ
る。

【００３７】このほか、凹所の掘り込み用のエッチング
パターンを選択し、工程を少し変更するだけでダイアフ
ラム形やカンチレバー形の弾性体を備え圧力や加速度の
検出に適する半導体センサを作り分け得る利点があり、
また弾性体を単結晶シリコンで構成しゲージファクタの
高い拡散形のストレンゲージを用いるので検出感度が高
くかつ再現性に優れる特長を有する。

【００３８】このように本発明は圧力や加速度のセンサ
に適した弾性体の厚みのばらつきの少ない半導体センサ
を経済的に量産できる特長があり、とくにその小形化に
対してその効果を顕著に発揮して半導体センサ技術の一
層の進展に貢献を果たし得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体センサのダイアフラム形弾
性体を備える実施例を同図（ａ）の断面図と同図（ｂ）
　の上面図とにより示すもので、同図（ａ）　は同図（
ｂ）　のＸ−Ｘ矢視断面図に相当する。

【図２】図１の実施例の半導体センサの主な工程ごとの
状態を同図（ａ）　〜（ｃ）　の断面図により示すもの
である。

【図３】本発明による半導体センサのカンチレバー形弾
性体を備える実施例を同図（ａ）の断面図と同図（ｂ）
　の上面図とにより示すもので、同図（ａ）　は同図（
ｂ）　のＸ−Ｘ矢視断面図に相当する。

【図４】半導体センサのそれぞれ異なる従来例を同図（
ａ）　のエッチング工程の要領図と同図（ｂ）　の断面
図により示すものである。

【符号の説明】

１　　　　第１の基板 ２　　　　第２の基板 ３　　　　絶縁膜ないしは酸化シリコン膜４　　　　凹
所 ５　　　　ダイアフラム形弾性体 ６　　　　ストレンゲージ ７　　　　質量体 ８　　　　溝 ９　　　　カンチレバー形弾性体

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】薄い単結晶シリコンからなる第１の基板と
   、この第１の基板と絶縁膜を介して接合されたシリコン
   からなる第２の基板と、第２の基板の裏面側から所定パ
   ターンで少なくとも絶縁膜に達するまでエッチングによ
   り掘り込まれた凹所と、この凹所に対応する第１の基板
   の表面部分に拡散により作り込まれたストレンゲージと
   を備えてなり、凹所に対応する第１の基板の単結晶シリ
   コンを第２の基板により支承された可撓性の弾性体とし
   てその撓みをストレンゲージにより検出するようにした
   ことを特徴とする半導体センサ。
2. 【請求項２】請求項１に記載のセンサにおいて、凹所が
   裁頭錐状に掘り込まれ、この凹所に対応する第１の基板
   の単結晶シリコンが周囲を第２の基板により支承された
   弾性ダイアフラム体に形成されることを特徴とする半導
   体センサ。
3. 【請求項３】請求項１に記載のセンサにおいて、凹所が
   環状パターンで掘り込まれ、この凹所に対応する第１の
   基板が部分環状の溝がエッチングにより掘り込まれてそ
   の残余部分の表面にストレンゲージが作り込まれ、この
   第１の基板の残余部分の単結晶シリコンが一端を第２の
   基板により支承され他端に第２の基板の環状パターンに
   より囲まれた部分からなる質量体を備える弾性カンチレ
   バー体に形成されることを特徴とする半導体センサ。