JPH04249907A - Surface acoustic wave filter - Google Patents

Surface acoustic wave filter

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JPH04249907A
JPH04249907A JP41629390A JP41629390A JPH04249907A JP H04249907 A JPH04249907 A JP H04249907A JP 41629390 A JP41629390 A JP 41629390A JP 41629390 A JP41629390 A JP 41629390A JP H04249907 A JPH04249907 A JP H04249907A
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JP
Japan
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surface acoustic
acoustic wave
wave filter
capacitance
reflectors
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Application number
JP41629390A
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Japanese (ja)
Inventor
Haruo Morii
森  井   春  雄
Kimio Seike
政  家   公  夫
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a surface acoustic wave filter without generating an unrequired mode sprious, not being affected by inductance due to wiring, and provided with steep selectivity. CONSTITUTION:Two surface acoustic wave resonators 14, 16 are formed on a piezoelectric substrate 12. The two surface acoustic wave resonators 14, 16 are formed by confronting with each other so as to form axial symmetry. The surface acoustic wave resonators 14, 16 include interdigital transducers 18, 28 and reflectors 20, 22 and 30, 32 formed at both sides of the transducers. An input terminal 24 and an output terminal 34 are drawn out from the interdigital transducers 18, 28. An electrostatic capacitor 36 is bridge-connected between the input terminal 24 and the output terminal 34 by utilizing part of the reflectors 22, 32.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は弾性表面波フィルタに
関し、特に圧電体基板上にインタディジタルトランスデ
ューサとリフレクタとで形成される弾性表面波共振子が
2つ形成された弾性表面波フィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave filter, and more particularly to a surface acoustic wave filter in which two surface acoustic wave resonators each formed of an interdigital transducer and a reflector are formed on a piezoelectric substrate.

【0002】0002

【従来の技術】図3はこの発明の背景となる従来の弾性
表面波フィルタの一例を示す図解図である。弾性表面波
フィルタ1は圧電体基板2を含む。圧電体基板2上には
、2つの弾性表面波共振子3が形成される。弾性表面波
共振子3は、インタディジタルトランスデューサ4と、
インタディジタルトランスデューサ4の両側に形成され
る2つのリフレクタ5とを含む。これらの2つの弾性表
面波共振子3は、互いに線対称となるように対向して形
成される。そして、2つのインタディジタルトランスデ
ューサ4から入力端子6および出力端子7が引き出され
、インタディジタルトランスデューサ4とリフレクタ5
とを接続するようにしてアース端子8が引き出される。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is an illustrative diagram showing an example of a conventional surface acoustic wave filter, which is the background of the present invention. Surface acoustic wave filter 1 includes piezoelectric substrate 2 . Two surface acoustic wave resonators 3 are formed on the piezoelectric substrate 2 . The surface acoustic wave resonator 3 includes an interdigital transducer 4,
and two reflectors 5 formed on both sides of the interdigital transducer 4. These two surface acoustic wave resonators 3 are formed to face each other so as to be line symmetrical. Then, the input terminal 6 and the output terminal 7 are drawn out from the two interdigital transducers 4, and the interdigital transducer 4 and the reflector 5 are connected to each other.
The ground terminal 8 is pulled out so as to be connected to the ground terminal 8.

【0003】図3に示される弾性表面波フィルタ1の等
価回路が図4および図5に示される。図4および図5に
示す等価回路において、L1 =Ls =La ,R1
 =Rs =Ra ,1/Cm =1/Ca −1/C
s である。この弾性表面波フィルタ1は、たとえば帯
域通過型フィルタとして形成される。
Equivalent circuits of the surface acoustic wave filter 1 shown in FIG. 3 are shown in FIGS. 4 and 5. In the equivalent circuits shown in FIGS. 4 and 5, L1 = Ls = La, R1
=Rs =Ra, 1/Cm =1/Ca -1/C
It is s. This surface acoustic wave filter 1 is formed, for example, as a bandpass filter.

【0004】このような弾性表面波フィルタ1を使用す
るとき、特に移動体通信機市場においては、さらに急峻
な選択度つまり良好なシェープファクタが要求される場
合が多い。このような場合、複数の弾性表面波フィルタ
1を縦続接続して、選択度を急峻にする方法が一般的に
行われている。ところが、複数の弾性表面波フィルタ1
を複数縦続接続すると、選択度が急峻になると同時に、
通過帯域幅も必要以上に狭くなってしまう。
[0004] When such a surface acoustic wave filter 1 is used, especially in the mobile communication equipment market, a steeper selectivity, that is, a better shape factor is often required. In such cases, a method is generally used in which a plurality of surface acoustic wave filters 1 are connected in cascade to steepen the selectivity. However, if multiple surface acoustic wave filters 1
When multiple are connected in cascade, the selectivity becomes steeper, and at the same time,
The passband width also becomes narrower than necessary.

【0005】そこで、図6に示すように、入力端子6と
出力端子7との間に静電容量9を橋絡接続することが考
えられる。このような弾性表面波フィルタ1の等価回路
は、図7および図8に示すように、入出力間に静電容量
CB が接続された回路となる。この弾性表面波フィル
タ1では、静電容量9が形成されていないものに比べて
、通過帯域幅を狭くすることなく、選択度を急峻にする
ことができる。この静電容量9は、たとえば圧電体基板
2上に形成される。
[0005] Therefore, as shown in FIG. 6, it is conceivable to bridge-connect a capacitance 9 between the input terminal 6 and the output terminal 7. An equivalent circuit of such a surface acoustic wave filter 1 is a circuit in which a capacitance CB is connected between input and output, as shown in FIGS. 7 and 8. In this surface acoustic wave filter 1, the selectivity can be made steeper without narrowing the pass band width compared to a filter in which the capacitance 9 is not formed. This capacitance 9 is formed on the piezoelectric substrate 2, for example.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】2つの弾性表面波フィ
ルタ1を縦続接続する場合を考えてみると、図9に示す
ように、同一基板2上の静電容量9に配線するために、
インタディジタルトランスデューサ4の上を越えてワイ
ヤボンディングする方法が採られている。このような場
合、弾性表面波フィルタ1で励起される弾性表面波が他
方の弾性表面波フィルタ1に影響を及ぼすことがある。 それを防ぐために、2つの弾性表面波フィルタ1間にダ
ンピング剤を塗布することが通常行われる。
[Problems to be Solved by the Invention] Considering the case where two surface acoustic wave filters 1 are connected in cascade, as shown in FIG.
A method is adopted in which wire bonding is performed over the interdigital transducer 4. In such a case, the surface acoustic waves excited by the surface acoustic wave filter 1 may affect the other surface acoustic wave filter 1. To prevent this, a damping agent is usually applied between the two surface acoustic wave filters 1.

【0007】ところが、ワイヤボンディングを前記ダン
ピング剤が塗布される部分をさけて行うために、圧電体
基板2の面積を大きくしなければならず、弾性表面波フ
ィルタが大型化してしまう。また、インタディジタルト
ランスデューサ4上を越えるワイヤボンディングは、製
造上および電気的特性上好ましくない。そこで、圧電体
基板2上に電極を引き回すことによって静電容量9を接
続することが考えられるが、この場合も圧電体基板2の
面積が大きくなり、引き回し電極で生じるインダクタン
スの影響がある。
However, in order to perform wire bonding while avoiding the area where the damping agent is applied, the area of the piezoelectric substrate 2 must be increased, resulting in an increase in the size of the surface acoustic wave filter. Furthermore, wire bonding beyond the top of the interdigital transducer 4 is undesirable in terms of manufacturing and electrical characteristics. Therefore, it is conceivable to connect the capacitance 9 by routing electrodes on the piezoelectric substrate 2, but in this case as well, the area of the piezoelectric substrate 2 increases, and there is an effect of inductance generated by the routing electrodes.

【0008】そこで、図10に示すように、2つのイン
タディジタルトランスデューサ4の一部を交差させて静
電容量9を形成することが考えられる。しかしながら、
このような弾性表面波フィルタでは、インタディジタル
トランスデューサ4の一部を犠牲にしているため、不要
モードスプリアスが発生するという問題がある。
Therefore, as shown in FIG. 10, it is conceivable to form a capacitance 9 by partially crossing two interdigital transducers 4. however,
In such a surface acoustic wave filter, since a part of the interdigital transducer 4 is sacrificed, there is a problem in that unnecessary mode spurious is generated.

【0009】それゆえに、この発明の主たる目的は、大
型化することなく、製造が簡単で、不要モードスプリア
スが発生せず、しかも通過帯域幅を狭くせずに急峻な選
択度を得ることができる、弾性表面波フィルタを提供す
ることである。
[0009] Therefore, the main object of the present invention is to be able to easily manufacture without increasing the size, without generating unnecessary mode spurious, and to obtain steep selectivity without narrowing the passband width. , to provide a surface acoustic wave filter.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】この発明は、圧電体基板
を含み、圧電体基板上にインタディジタルトランスデュ
ーサとリフレクタとからなる2つの弾性表面波共振子を
線対称となるように対向して形成した弾性表面波フィル
タであって、2つの弾性表面波共振子のリフレクタの一
部を交差させることによって入出力間に静電容量を橋絡
接続した、弾性表面波フィルタである。
[Means for Solving the Problems] The present invention includes a piezoelectric substrate, and two surface acoustic wave resonators each consisting of an interdigital transducer and a reflector are formed on the piezoelectric substrate so as to be line-symmetrically opposed to each other. This is a surface acoustic wave filter in which capacitance is bridge-connected between input and output by crossing parts of the reflectors of two surface acoustic wave resonators.

【0011】[0011]

【作用】2つの弾性表面波共振子のリフレクタの一部を
交差させることによって、静電容量が形成される。この
静電容量は、入出力間に橋絡接続される。
[Operation] By crossing parts of the reflectors of two surface acoustic wave resonators, a capacitance is formed. This capacitance is bridged between the input and output.

【0012】0012

【発明の効果】この発明によれば、弾性表面波フィルタ
の入出力間に静電容量が橋絡接続されているため、通過
帯域幅を狭くすることなく選択度を急峻にすることがで
きる。しかも、この静電容量はリフレクタの一部を交差
させることによって形成されるため、ワイヤボンディン
グや引き回し電極などによらずに静電容量を形成するこ
とができる。したがって、圧電体基板の面積を大きくす
る必要がなく、弾性表面波フィルタが大型化しない。ま
た、ワイヤボンディングや引き回し電極によるインダク
タンスなどの影響を避けることができる。さらに、この
弾性表面波フィルタでは、インタディジタルトランスデ
ューサの一部を利用して静電容量を形成した場合のよう
に、不要モードスプリアスが発生しない。しかも、この
弾性表面波フィルタは、静電容量を形成しない従来の弾
性表面波フィルタと同様の方法で製造することができる
According to the present invention, since the capacitance is bridge-connected between the input and output of the surface acoustic wave filter, the selectivity can be made steeper without narrowing the passband width. Furthermore, since this capacitance is formed by crossing a portion of the reflector, the capacitance can be formed without wire bonding, routing electrodes, or the like. Therefore, there is no need to increase the area of the piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave filter does not become large. Furthermore, the influence of inductance caused by wire bonding and routing electrodes can be avoided. Furthermore, this surface acoustic wave filter does not generate unnecessary mode spurious noise, unlike when a capacitance is formed using a part of an interdigital transducer. Moreover, this surface acoustic wave filter can be manufactured by the same method as a conventional surface acoustic wave filter that does not form capacitance.

【0013】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.

【0014】[0014]

【実施例】図1はこの発明の一実施例を示す図解図であ
る。弾性表面波フィルタ10は圧電体基板12を含む。 圧電体基板12の材料としては、たとえばSTカット水
晶などが用いられる。圧電体基板12上には、2つの弾
性表面波共振子14,16が形成される。一方の弾性表
面波共振子14は、インタディジタルトランスデューサ
18を含み、このインタディジタルトランスデューサ1
8の両側に2つのリフレクタ20,22が形成される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an illustrative diagram showing an embodiment of the present invention. Surface acoustic wave filter 10 includes a piezoelectric substrate 12 . As the material of the piezoelectric substrate 12, for example, ST cut crystal is used. Two surface acoustic wave resonators 14 and 16 are formed on the piezoelectric substrate 12. One surface acoustic wave resonator 14 includes an interdigital transducer 18, and this interdigital transducer 1
Two reflectors 20, 22 are formed on both sides of the 8.

【0015】インタディジタルトランスデューサ18は
、圧電体基板12の長手方向の中央部に形成される。 インタディジタルトランスデューサ18は、2つのくし
形電極18aおよび18bが交互に交差するように形成
される。そして、一方のくし形電極18aは入力端子2
4に接続され、他方のくし形電極18bはアース端子2
6に接続される。
The interdigital transducer 18 is formed at the center of the piezoelectric substrate 12 in the longitudinal direction. The interdigital transducer 18 is formed such that two comb-shaped electrodes 18a and 18b alternately intersect. One of the comb-shaped electrodes 18a is connected to the input terminal 2.
4, and the other comb-shaped electrode 18b is connected to the ground terminal 2.
Connected to 6.

【0016】リフレクタ20,22は、インタディジタ
ルトランスデューサ18を中心として、圧電体基板12
の長手方向の両側に形成される。リフレクタ20,22
は、圧電体基板12の幅方向に延びる複数の電極を有し
、これらの電極がアース端子26に接続される。インタ
ディジタルトランスデューサ18およびリフレクタ20
,22は、たとえばアルミニウムなどで形成される。
The reflectors 20 and 22 are arranged around the interdigital transducer 18 and the piezoelectric substrate 12.
It is formed on both sides of the longitudinal direction. Reflectors 20, 22
has a plurality of electrodes extending in the width direction of the piezoelectric substrate 12, and these electrodes are connected to the ground terminal 26. Interdigital transducer 18 and reflector 20
, 22 are made of aluminum, for example.

【0017】他方の弾性表面波共振子16も、弾性表面
波共振子14と同様に、インタディジタルトランスデュ
ーサ28を含み、その両側にリフレクタ30,32が形
成される。インタディジタルトランスデューサ28は2
つのくし形電極28a,28bを含む。そして、一方の
くし形電極28aが出力端子34に接続され、他方のく
し形電極28bがアース端子26に接続される。また、
リフレクタ30,32は、アース端子26に接続される
。この弾性表面波共振子16は、別の弾性表面波共振子
14と線対称になるように対向して形成される。
Similar to the surface acoustic wave resonator 14, the other surface acoustic wave resonator 16 includes an interdigital transducer 28, and reflectors 30 and 32 are formed on both sides thereof. The interdigital transducer 28 is 2
It includes two comb-shaped electrodes 28a and 28b. One comb-shaped electrode 28a is connected to the output terminal 34, and the other comb-shaped electrode 28b is connected to the ground terminal 26. Also,
Reflectors 30 and 32 are connected to ground terminal 26. This surface acoustic wave resonator 16 is formed to face another surface acoustic wave resonator 14 in line symmetry.

【0018】一方の弾性表面波共振子14のリフレクタ
22と他方の弾性表面波共振子16のリフレクタ32と
は、その中央付近で、互いの電極が交差するように形成
される。それによって、リフレクタ22,32間に静電
容量36が形成される。この静電容量36は、入力端子
24と出力端子34との間に橋絡接続されている。なお
、静電容量36部分の電極のピッチについては、他のリ
フレクタ部分と同じ間隔にすれば、静電容量として働く
とともに、リフレクタとしての機能も有する。
The reflector 22 of one surface acoustic wave resonator 14 and the reflector 32 of the other surface acoustic wave resonator 16 are formed so that their electrodes intersect with each other near their centers. Thereby, a capacitance 36 is formed between the reflectors 22 and 32. This capacitance 36 is bridge-connected between the input terminal 24 and the output terminal 34. Note that if the pitch of the electrodes in the capacitance 36 portion is set to be the same as that in other reflector portions, it functions as a capacitance and also functions as a reflector.

【0019】図2は図1に示す弾性表面波フィルタ10
を2つ縦続接続した状態を示す平面図である。図2に示
すように、2つの弾性表面波フィルタ10を接続する場
合においても、短い配線で簡単に接続することができる
。そして、この発明の弾性表面波フィルタ10は、従来
のものに比べて、急峻な選択度を有する。しかも、その
通過帯域幅は、従来の弾性表面波フィルタとほぼ同じで
ある。
FIG. 2 shows the surface acoustic wave filter 10 shown in FIG.
FIG. 2 is a plan view showing a state in which two of As shown in FIG. 2, even when two surface acoustic wave filters 10 are connected, they can be easily connected using short wiring. The surface acoustic wave filter 10 of the present invention has steeper selectivity than conventional filters. Moreover, its passband width is almost the same as that of conventional surface acoustic wave filters.

【0020】この弾性表面波フィルタ10では、リフレ
クタ22,32を利用して静電容量36を形成している
ため、ワイヤボンディングや引き回し電極を形成する必
要がない。そのため、基板12を大型化する必要がなく
、従来の弾性表面波フィルタと同じ大きさにすることが
でき、弾性表面波フィルタ10を大型化しなくてもよい
。また、この弾性表面波フィルタ10では、ワイヤボン
ディングや引き回し電極によるインダクタンスの影響を
受けることがない。
In this surface acoustic wave filter 10, the reflectors 22 and 32 are used to form the capacitance 36, so there is no need to form wire bonding or routing electrodes. Therefore, there is no need to increase the size of the substrate 12, and it can be made the same size as a conventional surface acoustic wave filter, and the surface acoustic wave filter 10 does not need to be increased in size. Furthermore, this surface acoustic wave filter 10 is not affected by inductance due to wire bonding or routing electrodes.

【0021】また、この弾性表面波フィルタ10では、
リフレクタ22,32の電極を利用して静電容量36を
形成しているため、従来の静電容量が形成されていない
弾性表面波フィルタと同様の工程で製造することができ
る。しかも、この弾性表面波フィルタ10では、従来の
インタディジタルトランスデューサ部分に静電容量を形
成したもののように、不要モードスプリアスが発生しな
い。
[0021] Furthermore, in this surface acoustic wave filter 10,
Since the capacitance 36 is formed using the electrodes of the reflectors 22 and 32, it can be manufactured in the same process as a conventional surface acoustic wave filter in which no capacitance is formed. Furthermore, this surface acoustic wave filter 10 does not generate unnecessary mode spurious noise unlike conventional filters in which capacitance is formed in the interdigital transducer portion.

【0022】なお、この弾性表面波フィルタ10を使用
すれば、弾性表面波フィルタを1段で使用しても、2段
以上縦続接続して使用しても、急峻な選択度を有する周
波数特性を得ることができる。また、図1および図2で
は、静電容量36をリフレクタ22,32のほぼ中央部
に形成しているが、静電容量36の形成位置は、リフレ
クタ22,32の端部であってもよい。さらに、静電容
量36は、別のリフレクタ20,30部分に形成しても
よい。
[0022] If this surface acoustic wave filter 10 is used, frequency characteristics with steep selectivity can be obtained whether the surface acoustic wave filter is used in one stage or in two or more stages connected in cascade. Obtainable. Furthermore, in FIGS. 1 and 2, the capacitance 36 is formed approximately at the center of the reflectors 22, 32, but the capacitance 36 may be formed at the ends of the reflectors 22, 32. . Furthermore, the capacitance 36 may be formed in separate portions of the reflectors 20, 30.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】この発明の一実施例を示す図解図である。FIG. 1 is an illustrative diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す弾性表面波フィルタを2段縦続接続
した状態を示す図解図である。
FIG. 2 is an illustrative view showing a state in which two stages of surface acoustic wave filters shown in FIG. 1 are connected in cascade.

【図3】従来の弾性表面波フィルタの一例を示す図解図
である。
FIG. 3 is an illustrative diagram showing an example of a conventional surface acoustic wave filter.

【図4】図3に示す従来の弾性表面波フィルタの等価回
路図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the conventional surface acoustic wave filter shown in FIG. 3;

【図5】図4に示す等価回路と同等の等価回路図である
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram equivalent to the equivalent circuit shown in FIG. 4;

【図6】従来の弾性表面波フィルタの他の例を示す図解
図である。
FIG. 6 is an illustrative diagram showing another example of a conventional surface acoustic wave filter.

【図7】図6に示す弾性表面波フィルタの等価回路図で
ある。
7 is an equivalent circuit diagram of the surface acoustic wave filter shown in FIG. 6. FIG.

【図8】図7に示す等価回路と同等の等価回路図である
8 is an equivalent circuit diagram equivalent to the equivalent circuit shown in FIG. 7. FIG.

【図9】図6に示す従来の弾性表面波フィルタを2段縦
続接続した状態を示す図解図である。
FIG. 9 is an illustrative view showing a state in which two stages of the conventional surface acoustic wave filters shown in FIG. 6 are connected in cascade.

【図10】従来の弾性表面波フィルタのさらに他の例を
示す図解図である。
FIG. 10 is an illustrative view showing still another example of a conventional surface acoustic wave filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10  弾性表面波フィルタ 12  圧電体基板 14  弾性表面波共振子 16  弾性表面波共振子 18  インタディジタルトランスデューサ20  リ
フレクタ 22  リフレクタ 24  入力端子 28  インタディジタルトランスデューサ30  リ
フレクタ 32  リフレクタ 34  出力端子 36  静電容量
10 Surface acoustic wave filter 12 Piezoelectric substrate 14 Surface acoustic wave resonator 16 Surface acoustic wave resonator 18 Interdigital transducer 20 Reflector 22 Reflector 24 Input terminal 28 Interdigital transducer 30 Reflector 32 Reflector 34 Output terminal 36 Capacitance

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  圧電体基板を含み、前記圧電体基板上
にインタディジタルトランスデューサとリフレクタとか
らなる2つの弾性表面波共振子を線対称となるように対
向して形成した弾性表面波フィルタであって、前記2つ
の弾性表面波共振子の前記リフレクタの一部を交差させ
ることによって入出力間に静電容量を橋絡接続した、弾
性表面波フィルタ。
1. A surface acoustic wave filter including a piezoelectric substrate, on which two surface acoustic wave resonators each consisting of an interdigital transducer and a reflector are formed facing each other in a line-symmetrical manner. and a surface acoustic wave filter in which capacitance is bridge-connected between input and output by crossing parts of the reflectors of the two surface acoustic wave resonators.
JP41629390A 1990-12-27 1990-12-27 Surface acoustic wave filter Pending JPH04249907A (en)

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