JPH04249841A - フラットパネルディスプレイ - Google Patents
フラットパネルディスプレイInfo
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- JPH04249841A JPH04249841A JP2417502A JP41750290A JPH04249841A JP H04249841 A JPH04249841 A JP H04249841A JP 2417502 A JP2417502 A JP 2417502A JP 41750290 A JP41750290 A JP 41750290A JP H04249841 A JPH04249841 A JP H04249841A
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フラットパネルディ
スプレイに関し、特に、電界放出型カソードアレイを用
いたフラットパネルディスプレイに適用して好適なもの
である。
スプレイに関し、特に、電界放出型カソードアレイを用
いたフラットパネルディスプレイに適用して好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ミクロンオーダーのサイズのマイ
クロティップから成る電界放出型カソードアレイを用い
たフラットパネルディスプレイとして、図２に示すよう
なものが知られている。
クロティップから成る電界放出型カソードアレイを用い
たフラットパネルディスプレイとして、図２に示すよう
なものが知られている。
【０００３】図２に示すように、この従来のフラットパ
ネルディスプレイにおいては、導電性のフラットなシリ
コン（Ｓｉ）基板１０１上に、キャビティ１０２ａを有
する二酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）膜１０２が形成され
ている。キャビティ１０２ａの周囲の部分におけるこの
ＳｉＯ２ 膜１０２上には、モリブデン（Ｍｏ）やニオ
ブ（Ｎｂ）などから成るゲート電極１０３が形成されて
いるとともに、キャビティ１０２ａの内部のＳｉ基板１
０１上にはモリブデン（Ｍｏ）などから成るカソード１
０４が形成されている。そして、このカソードアレイが
形成されたＳｉ基板１０１に平行に、フラットなガラス
板１０５上に蛍光体１０６を形成した蛍光スクリーンが
対向しており、この蛍光スクリーンとＳｉ基板１０１と
の間の空間が真空に保たれた状態で封止されている。
ネルディスプレイにおいては、導電性のフラットなシリ
コン（Ｓｉ）基板１０１上に、キャビティ１０２ａを有
する二酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）膜１０２が形成され
ている。キャビティ１０２ａの周囲の部分におけるこの
ＳｉＯ２ 膜１０２上には、モリブデン（Ｍｏ）やニオ
ブ（Ｎｂ）などから成るゲート電極１０３が形成されて
いるとともに、キャビティ１０２ａの内部のＳｉ基板１
０１上にはモリブデン（Ｍｏ）などから成るカソード１
０４が形成されている。そして、このカソードアレイが
形成されたＳｉ基板１０１に平行に、フラットなガラス
板１０５上に蛍光体１０６を形成した蛍光スクリーンが
対向しており、この蛍光スクリーンとＳｉ基板１０１と
の間の空間が真空に保たれた状態で封止されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、フラ
ットパネルディスプレイの大画面化の要求が強くなって
きているが、上述の従来のフラットパネルディスプレイ
は、画面となる、蛍光体１０６が形成されたガラス板１
０５だけで大気圧と真空との差圧を持たせる構造となっ
ているため、単純に大画面化することはガラス板１０５
の強度的に困難である。
ットパネルディスプレイの大画面化の要求が強くなって
きているが、上述の従来のフラットパネルディスプレイ
は、画面となる、蛍光体１０６が形成されたガラス板１
０５だけで大気圧と真空との差圧を持たせる構造となっ
ているため、単純に大画面化することはガラス板１０５
の強度的に困難である。
【０００５】この問題を解決するために、通常のテレビ
ジョン受像機のブラウン管のように画面を図３に示すよ
うに球面状にして大画面化することが考えられるが、こ
のようにするとカソードアレイと蛍光スクリーンとの間
の距離が大きい部分が生じるのは避けられない。ところ
が、上述の従来のフラットパネルディスプレイにおいて
は、その動作原理上、カソードアレイと蛍光スクリーン
とを近接して配置する必要があるので、上述のように画
面を単純に球面状化するとフラットパネルディスプレイ
の動作に支障を来してしまう。これを防止するために、
図４に示すようにＳｉ基板１も球面状にしてこのＳｉ基
板１上にカソードアレイを形成することも考えられるが
、これは製造プロセス的に見て実現が極めて困難である
。
ジョン受像機のブラウン管のように画面を図３に示すよ
うに球面状にして大画面化することが考えられるが、こ
のようにするとカソードアレイと蛍光スクリーンとの間
の距離が大きい部分が生じるのは避けられない。ところ
が、上述の従来のフラットパネルディスプレイにおいて
は、その動作原理上、カソードアレイと蛍光スクリーン
とを近接して配置する必要があるので、上述のように画
面を単純に球面状化するとフラットパネルディスプレイ
の動作に支障を来してしまう。これを防止するために、
図４に示すようにＳｉ基板１も球面状にしてこのＳｉ基
板１上にカソードアレイを形成することも考えられるが
、これは製造プロセス的に見て実現が極めて困難である
。
【０００６】そこで、図５に示すように、図２に示すフ
ラットパネルディスプレイにおいて、ガラス板１０５と
Ｓｉ基板１０１との間に支柱１０７を等間隔で設け、こ
の支柱１０７で大気圧と真空との差圧を持たせることが
考えられている。しかし、このようにすると、製造プロ
セスが複雑化するばかりでなく、支柱１０７の部分のＳ
ｉ基板１０１上にカソード１０４を形成することができ
なくなってしまうという問題がある。
ラットパネルディスプレイにおいて、ガラス板１０５と
Ｓｉ基板１０１との間に支柱１０７を等間隔で設け、こ
の支柱１０７で大気圧と真空との差圧を持たせることが
考えられている。しかし、このようにすると、製造プロ
セスが複雑化するばかりでなく、支柱１０７の部分のＳ
ｉ基板１０１上にカソード１０４を形成することができ
なくなってしまうという問題がある。
【０００７】以上のような理由により、これまでは電界
放出型カソードアレイを用いたフラットパネルディスプ
レイを大画面化することは困難であった。従って、この
発明の目的は、大画面化することができるフラットパネ
ルディスプレイを提供することにある。
放出型カソードアレイを用いたフラットパネルディスプ
レイを大画面化することは困難であった。従って、この
発明の目的は、大画面化することができるフラットパネ
ルディスプレイを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、フラットパネルディスプレイにおいて
、フラットな基板（１）上に形成されたカソードアレイ
と、凸曲面状のガラス板から成る画面（７）と、カソー
ドアレイと画面（７）との間に基板（１）にほぼ平行に
設けられた蛍光スクリーン（５、６）とを具備し、蛍光
スクリーン（５、６）と画面（７）との間の空間及び蛍
光スクリーン（５、６）と基板（１）との間の空間が真
空である。
に、この発明は、フラットパネルディスプレイにおいて
、フラットな基板（１）上に形成されたカソードアレイ
と、凸曲面状のガラス板から成る画面（７）と、カソー
ドアレイと画面（７）との間に基板（１）にほぼ平行に
設けられた蛍光スクリーン（５、６）とを具備し、蛍光
スクリーン（５、６）と画面（７）との間の空間及び蛍
光スクリーン（５、６）と基板（１）との間の空間が真
空である。
【０００９】
【作用】上述のように構成されたこの発明のフラットパ
ネルディスプレイによれば、凸曲面状のガラス板により
画面が形成されていることから、フラットパネルディス
プレイを大画面化することができる。しかも、蛍光スク
リーンと画面との間の空間及び蛍光スクリーンと基板と
の間の空間は真空であるので、蛍光スクリーンの両側に
は実質的に差圧がなく、従って大画面化のために蛍光ス
クリーンを大面積化しても強度的に全く問題を生じない
。
ネルディスプレイによれば、凸曲面状のガラス板により
画面が形成されていることから、フラットパネルディス
プレイを大画面化することができる。しかも、蛍光スク
リーンと画面との間の空間及び蛍光スクリーンと基板と
の間の空間は真空であるので、蛍光スクリーンの両側に
は実質的に差圧がなく、従って大画面化のために蛍光ス
クリーンを大面積化しても強度的に全く問題を生じない
。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例による
フラットパネルディスプレイを示す断面図である。
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例による
フラットパネルディスプレイを示す断面図である。
【００１１】図１に示すように、この実施例によるフラ
ットパネルディスプレイにおいては、例えば導電性のフ
ラットなＳｉ基板１上に、キャビティ２ａを有する例え
ばＳｉＯ２ 膜のような絶縁膜２が形成されている。こ
のキャビティ２ａの周囲の部分におけるこの絶縁膜２上
には、例えばＭｏやＮｂから成るゲート電極３が形成さ
れている。 また、このキャビティ２ａの内部のＳｉ基板１上には、
マイクロティップから成るカソード４が形成されている
。 そして、これらの多数のカソード４によりカソードアレ
イが形成されている。
ットパネルディスプレイにおいては、例えば導電性のフ
ラットなＳｉ基板１上に、キャビティ２ａを有する例え
ばＳｉＯ２ 膜のような絶縁膜２が形成されている。こ
のキャビティ２ａの周囲の部分におけるこの絶縁膜２上
には、例えばＭｏやＮｂから成るゲート電極３が形成さ
れている。 また、このキャビティ２ａの内部のＳｉ基板１上には、
マイクロティップから成るカソード４が形成されている
。 そして、これらの多数のカソード４によりカソードアレ
イが形成されている。
【００１２】この実施例においては、カソードアレイが
形成されたＳｉ基板１に対向して、ガラス板５上に蛍光
体６を形成した蛍光スクリーンが設けられている。さら
に、この蛍光スクリーンの外側に、画面となる球面状の
ガラス板７が設けられている。そして、蛍光スクリーン
とカソードアレイが形成されたＳｉ基板１との間の空間
及び蛍光スクリーンと画面となる球面状のガラス板７と
の間の空間は、いずれも真空に保たれている。この場合
、蛍光スクリーンとＳｉ基板１との間の空間と、蛍光ス
クリーンと球面状のガラス板７との間の空間との真空度
は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
形成されたＳｉ基板１に対向して、ガラス板５上に蛍光
体６を形成した蛍光スクリーンが設けられている。さら
に、この蛍光スクリーンの外側に、画面となる球面状の
ガラス板７が設けられている。そして、蛍光スクリーン
とカソードアレイが形成されたＳｉ基板１との間の空間
及び蛍光スクリーンと画面となる球面状のガラス板７と
の間の空間は、いずれも真空に保たれている。この場合
、蛍光スクリーンとＳｉ基板１との間の空間と、蛍光ス
クリーンと球面状のガラス板７との間の空間との真空度
は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００１３】次に、上述のように構成されたこの実施例
によるフラットパネルディスプレイの製造方法について
説明する。図１に示すように、まずＳｉ基板１上に例え
ば熱酸化法やＣＶＤ法やスパッタリング法によりＳｉＯ
２ 膜のような絶縁膜２を形成した後、この絶縁膜２上
に例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により例
えばＭｏやＮｂなどのゲート電極形成用の金属膜を形成
する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に
対応した形状のレジストパターン（図示せず）をリソグ
ラフィーにより形成する。
によるフラットパネルディスプレイの製造方法について
説明する。図１に示すように、まずＳｉ基板１上に例え
ば熱酸化法やＣＶＤ法やスパッタリング法によりＳｉＯ
２ 膜のような絶縁膜２を形成した後、この絶縁膜２上
に例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により例
えばＭｏやＮｂなどのゲート電極形成用の金属膜を形成
する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に
対応した形状のレジストパターン（図示せず）をリソグ
ラフィーにより形成する。
【００１４】次に、このレジストパターンをマスクとし
て金属膜をウエットエッチング法またはドライエッチン
グ法によりエッチングすることによって、ゲート電極３
を形成する。この後、レジストパターン及びゲート電極
３をマスクとして絶縁膜２をウエットエッチング法また
はドライエッチング法によりエッチングして、キャビテ
ィ２ａを形成する。
て金属膜をウエットエッチング法またはドライエッチン
グ法によりエッチングすることによって、ゲート電極３
を形成する。この後、レジストパターン及びゲート電極
３をマスクとして絶縁膜２をウエットエッチング法また
はドライエッチング法によりエッチングして、キャビテ
ィ２ａを形成する。
【００１５】次に、レジストパターンを除去した後、基
板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸
着法により斜め蒸着を行うことにより、ゲート電極上に
例えばアルミニウム（Ａｌ）やニッケル（Ｎｉ）から成
る剥離層を形成する。この後、基板表面に対して垂直な
方向からカソード形成用の材料として例えばＭｏを電子
ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、キャビテ
ィ２ａの内部のＳｉ基板１上にカソード４が形成される
。
板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸
着法により斜め蒸着を行うことにより、ゲート電極上に
例えばアルミニウム（Ａｌ）やニッケル（Ｎｉ）から成
る剥離層を形成する。この後、基板表面に対して垂直な
方向からカソード形成用の材料として例えばＭｏを電子
ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、キャビテ
ィ２ａの内部のＳｉ基板１上にカソード４が形成される
。
【００１６】次に、剥離層をその上に形成された金属膜
とともにリフトオフ法により除去する。この後、ガラス
板６上に蛍光体５を形成した蛍光スクリーンをカソード
アレイが形成されたＳｉ基板１と対向させ、さらにその
外側に画面となる球面状のガラス板７を配置し、それら
の間の空間を真空に保った状態で封止して、目的とする
フラットパネルディスプレイを完成させる。
とともにリフトオフ法により除去する。この後、ガラス
板６上に蛍光体５を形成した蛍光スクリーンをカソード
アレイが形成されたＳｉ基板１と対向させ、さらにその
外側に画面となる球面状のガラス板７を配置し、それら
の間の空間を真空に保った状態で封止して、目的とする
フラットパネルディスプレイを完成させる。
【００１７】以上のように、この実施例によれば、画面
が球面状のガラス板７により形成されていることから、
フラットパネルディスプレイを大画面化することができ
る。しかも、蛍光スクリーンの両側の空間はいずれも真
空であるので、この蛍光スクリーンの両側の差圧はほと
んどなく、従って差圧によりこの蛍光スクリーンに力が
加わることは事実上なくなる。このため、フラットパネ
ルディスプレイの大画面化のために蛍光スクリーンを大
面積化しても強度的に全く問題を生じない。
が球面状のガラス板７により形成されていることから、
フラットパネルディスプレイを大画面化することができ
る。しかも、蛍光スクリーンの両側の空間はいずれも真
空であるので、この蛍光スクリーンの両側の差圧はほと
んどなく、従って差圧によりこの蛍光スクリーンに力が
加わることは事実上なくなる。このため、フラットパネ
ルディスプレイの大画面化のために蛍光スクリーンを大
面積化しても強度的に全く問題を生じない。
【００１８】以上、この発明の一実施例について説明し
たが、この発明は、上述の実施例に限定されるものでは
なく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能
である。例えば、上述の実施例においては、球面状のガ
ラス板７により画面が形成されているが、画面は必ずし
も球面状とする必要はなく、例えば円筒状その他の凸曲
面状とすることが可能である。
たが、この発明は、上述の実施例に限定されるものでは
なく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能
である。例えば、上述の実施例においては、球面状のガ
ラス板７により画面が形成されているが、画面は必ずし
も球面状とする必要はなく、例えば円筒状その他の凸曲
面状とすることが可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、画面が凸曲面状のガラス板により形成されているので
、フラットパネルディスプレイを大画面化することがで
きる。しかも、蛍光スクリーンと画面との間の空間及び
蛍光スクリーンと基板との間の空間は真空であるため、
大画面化のために蛍光スクリーンを大面積化しても強度
的に全く問題を生じない。
、画面が凸曲面状のガラス板により形成されているので
、フラットパネルディスプレイを大画面化することがで
きる。しかも、蛍光スクリーンと画面との間の空間及び
蛍光スクリーンと基板との間の空間は真空であるため、
大画面化のために蛍光スクリーンを大面積化しても強度
的に全く問題を生じない。
【図１】この発明の一実施例によるフラットパネルディ
スプレイを示す断面図である。
スプレイを示す断面図である。
【図２】従来のフラットパネルディスプレイを示す断面
図である。
図である。
【図３】従来のフラットパネルディスプレイにおいて画
面を球面状とした例を示す断面図である。
面を球面状とした例を示す断面図である。
【図４】従来のフラットパネルディスプレイにおいて画
面を球面状とした他の例を示す断面図である。
面を球面状とした他の例を示す断面図である。
【図５】従来のフラットパネルディスプレイにおいて画
面とカソードアレイが形成された基板との間に支柱を設
けた例を示す断面図である。
面とカソードアレイが形成された基板との間に支柱を設
けた例を示す断面図である。
１ Ｓｉ基板
２ 絶縁膜
３ ゲート電極
４ カソード
５ ガラス板
６ 蛍光体
７ ガラス板
Claims (1)
- 【請求項１】 フラットな基板上に形成されたカソー
ドアレイと、凸曲面状のガラス板から成る画面と、上記
カソードアレイと上記画面との間に上記基板にほぼ平行
に設けられたフラットな蛍光スクリーンとを具備し、上
記蛍光スクリーンと上記画面との間の空間及び上記蛍光
スクリーンと上記基板との間の空間が真空であることを
特徴とするフラットパネルディスプレイ。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2417502A JP3060546B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | フラットパネルディスプレイ |
| EP91121877A EP0494425B1 (en) | 1990-12-28 | 1991-12-19 | A flat panel display apparatus |
| DE69132385T DE69132385T2 (de) | 1990-12-28 | 1991-12-19 | Verfahren zur Herstellung einer flachen Anzeigevorrichtung |
| EP96107447A EP0729171B1 (en) | 1990-12-28 | 1991-12-19 | A method of manufacturing a flat panel display apparatus |
| DE69130920T DE69130920T2 (de) | 1990-12-28 | 1991-12-19 | Flache Anzeigeeinrichtung |
| EP96101002A EP0714114A1 (en) | 1990-12-28 | 1991-12-19 | A method of manufacturing a flat panel display apparatus |
| KR1019910023846A KR100297881B1 (ko) | 1990-12-28 | 1991-12-23 | 플래트패널디스플레이 |
| US07/815,061 US5210462A (en) | 1990-12-28 | 1991-12-30 | Flat panel display apparatus and a method of manufacturing thereof |
| US07/902,736 US5209687A (en) | 1990-12-28 | 1992-06-23 | Flat panel display apparatus and a method of manufacturing thereof |
| KR1019990024256A KR100238708B1 (ko) | 1990-12-28 | 1999-06-25 | 플래트패널디스플레이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2417502A JP3060546B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | フラットパネルディスプレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249841A true JPH04249841A (ja) | 1992-09-04 |
| JP3060546B2 JP3060546B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=18525595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2417502A Expired - Fee Related JP3060546B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | フラットパネルディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3060546B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255558A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-01 | Nec Corp | 冷陰極およびこれを用いた電子銃とマイクロ波管 |
| JPH0945231A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 電界放射冷陰極の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2417502A patent/JP3060546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255558A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-01 | Nec Corp | 冷陰極およびこれを用いた電子銃とマイクロ波管 |
| JPH0945231A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 電界放射冷陰極の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3060546B2 (ja) | 2000-07-10 |
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