JPH04249754A - 光電子分光分析方法及び装置 - Google Patents
光電子分光分析方法及び装置Info
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- JPH04249754A JPH04249754A JP2277435A JP27743590A JPH04249754A JP H04249754 A JPH04249754 A JP H04249754A JP 2277435 A JP2277435 A JP 2277435A JP 27743590 A JP27743590 A JP 27743590A JP H04249754 A JPH04249754 A JP H04249754A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電子分光分析方法およびその装置にかんする
ものである。光電子分光分析方法はＥＳＣＡ（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ａｍａｌｙｓｉｓ）とも呼ばれるものであ
る（以下、光電子分光分析をＥＳＣＡと言う）。
ものである。光電子分光分析方法はＥＳＣＡ（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ ａｍａｌｙｓｉｓ）とも呼ばれるものであ
る（以下、光電子分光分析をＥＳＣＡと言う）。
所謂ＥＳＣＡにおいては、絶縁物質を分析するとき、試
料表面へのＸ線照射により発生する光電子放出にて、試
料のＸ線照射部はプラスの電位に帯電する。このときの
帯電電圧により、光電子の電子エネルギーがシフトして
正確なエネルギーを測定できない。そこで本発明は、試
料の前記Ｘ線照射位置に電子を照射し、試料の帯電を中
和するために、光電子入射レンズ系の光軸を中心にして
その周りに電子発生源を設けらるものである。
料表面へのＸ線照射により発生する光電子放出にて、試
料のＸ線照射部はプラスの電位に帯電する。このときの
帯電電圧により、光電子の電子エネルギーがシフトして
正確なエネルギーを測定できない。そこで本発明は、試
料の前記Ｘ線照射位置に電子を照射し、試料の帯電を中
和するために、光電子入射レンズ系の光軸を中心にして
その周りに電子発生源を設けらるものである。
［従来の技術］
従来のＥＳＣＡ装置を第３図に示す。アルミニウムをタ
ーゲットとしたＸ線発生装置１はＸ線２を発生する。Ｘ
線発生装置１より発生したＸ線２は石英等の結晶を利用
した湾曲型Ｘ線モノクロメータ３により特定波長のＸ線
に分光されて、試料４に集束して照射する。試料に照射
されるＸ線２は単色Ｘ線２ａになる。Ｘ線発生装置１の
Ｘ線発生源位置と試料１のＸ線照射位置とＸ線モノクロ
メータ３のを通る円はローランド円といい、湾曲型Ｘ線
モノクロメータ３の半径はローランド円の直径になって
いる。単色Ｘ線２ａを照射された試料４からは、所謂光
電効果により単色Ｘ線２ａのエネルギと試料構成元素の
電子結合エネルギーの差に相当するエネルギの光電子５
が放出される。
ーゲットとしたＸ線発生装置１はＸ線２を発生する。Ｘ
線発生装置１より発生したＸ線２は石英等の結晶を利用
した湾曲型Ｘ線モノクロメータ３により特定波長のＸ線
に分光されて、試料４に集束して照射する。試料に照射
されるＸ線２は単色Ｘ線２ａになる。Ｘ線発生装置１の
Ｘ線発生源位置と試料１のＸ線照射位置とＸ線モノクロ
メータ３のを通る円はローランド円といい、湾曲型Ｘ線
モノクロメータ３の半径はローランド円の直径になって
いる。単色Ｘ線２ａを照射された試料４からは、所謂光
電効果により単色Ｘ線２ａのエネルギと試料構成元素の
電子結合エネルギーの差に相当するエネルギの光電子５
が放出される。
試料４から発生した光電子５は電子採り入れ口を単色Ｘ
線照射位置に近づけて設けられた光電子入射レンズレン
ズ系６により集束される。光電子入射レンズレンズ系６
は光電子５が入射する光電子入射口６ｃを単色Ｘ線照射
位置近傍になるように設ける。光電子入射レンズ系６は
その光軸に沿って３枚の電極の静置レンズ６ａが設けら
れており、そのうち最も光電子５の入射口６ｃに近い場
所には負電位の電極６ｄが位置している。またそれらの
電極は静電レンズ容器６ｂに内蔵されている。
線照射位置に近づけて設けられた光電子入射レンズレン
ズ系６により集束される。光電子入射レンズレンズ系６
は光電子５が入射する光電子入射口６ｃを単色Ｘ線照射
位置近傍になるように設ける。光電子入射レンズ系６は
その光軸に沿って３枚の電極の静置レンズ６ａが設けら
れており、そのうち最も光電子５の入射口６ｃに近い場
所には負電位の電極６ｄが位置している。またそれらの
電極は静電レンズ容器６ｂに内蔵されている。
光電子入射レンズ系６により集束された光電子５は光電
子エネルギアナライザ７により分光分析され、光電子エ
ネルギアナライザ７の出口に設けられた光電子検出器８
により検出され、さらにコンピュータ９により解析され
る。解析されたデータは表示装置１０に表示される。
子エネルギアナライザ７により分光分析され、光電子エ
ネルギアナライザ７の出口に設けられた光電子検出器８
により検出され、さらにコンピュータ９により解析され
る。解析されたデータは表示装置１０に表示される。
光電子検出器８により検出される光電子５のエネルギス
ペクトルの拡がりは、主に試料４に照射される単色Ｘ線
のエネルギ幅と、分析対象元素の電子準位の固有幅と、
光電子エネルギアナライザ７の分解能と、試料４上の分
析位置の電位のばらつきによるものである。
ペクトルの拡がりは、主に試料４に照射される単色Ｘ線
のエネルギ幅と、分析対象元素の電子準位の固有幅と、
光電子エネルギアナライザ７の分解能と、試料４上の分
析位置の電位のばらつきによるものである。
Ｘ線モノクロメータ３は試料４上に照射する単色Ｘ線２
ａのエネルギスペクトル幅を狭くするためのものである
。
ａのエネルギスペクトル幅を狭くするためのものである
。
ここで、試料４が絶縁性物質の場合、単色Ｘ線２ａの試
料４への照射により、試料表面から光電子５が放出され
るのであるが、単色Ｘ線２ａで照射された個所は光電子
５放出に伴い＋に帯電する。
料４への照射により、試料表面から光電子５が放出され
るのであるが、単色Ｘ線２ａで照射された個所は光電子
５放出に伴い＋に帯電する。
つまり、試料４の単色Ｘ線２ａ照射位置の電位が変化し
、光電子５のエネルギスペクトルの位置が変化すること
になる。また、試料４の単色Ｘ線２ａ照射位置の電位が
不均一になるため光電子５のエネルギスペクトルの幅が
拡がる。従来のＥＳＣＡ装置には単色Ｘ線２ａ照射位置
に電子線を照射するための電子銃１４が光電子入射レン
ズ系６の光電子５採り入れ口である光電子入射口６ｃの
近傍に設けられている、電子銃１４は熱電子を発生する
フィラメント２１とフィラメント２１からの一電子を引
き出すための引き出し電極２２とフィラメントから引き
出された熱電子を電子銃１４の電子発射口へ熱電子を導
く偏向電極２３およびそれらを内蔵する電子銃容器２４
よりなる。試料４が絶縁性物質の場合、電子銃１４から
電子線を単色Ｘ線２ａ照射位置に照射して、試料４表面
の＋の帯電を中和しながら分析していた。
、光電子５のエネルギスペクトルの位置が変化すること
になる。また、試料４の単色Ｘ線２ａ照射位置の電位が
不均一になるため光電子５のエネルギスペクトルの幅が
拡がる。従来のＥＳＣＡ装置には単色Ｘ線２ａ照射位置
に電子線を照射するための電子銃１４が光電子入射レン
ズ系６の光電子５採り入れ口である光電子入射口６ｃの
近傍に設けられている、電子銃１４は熱電子を発生する
フィラメント２１とフィラメント２１からの一電子を引
き出すための引き出し電極２２とフィラメントから引き
出された熱電子を電子銃１４の電子発射口へ熱電子を導
く偏向電極２３およびそれらを内蔵する電子銃容器２４
よりなる。試料４が絶縁性物質の場合、電子銃１４から
電子線を単色Ｘ線２ａ照射位置に照射して、試料４表面
の＋の帯電を中和しながら分析していた。
従来のＥＳＣＡ装置の光電子入射レンズ系６の光電子５
の入射口付近の構造を第３図に示す。試料４への単色Ｘ
線２ａ照射により発生した光電子５は光電子入射レンズ
系６の光電子５の入射口６ｃに入射する、光電子入射レ
ンズ系６はその光軸に沿って３枚の電極が設けられてお
り、そのうち最も光電子入射レンズ６の光電子入射口６
ｃに近い場所には負電位の電極６ｄが位置しているため
、電極６ｄによる負電位の等電位線は第３図のように示
すようになっている。つまり、光電子５の光軸上では、
光電子入射レンズ系６先端から試料４の単色Ｘ線照射位
置に向かって徐々に負電圧は小さくなり、光電子５の光
軸上からその軸垂直に離れるに従っても負電圧は小さく
なる。このため、電子銃１４から試料４表面へ照射され
た電子は、光電子入射レンズ系６により生じる電界によ
りその軌跡は曲げられる。電子銃１４からの電子は負の
電荷であるため、第３図の点線２５で示す軌跡をもつこ
とになり、試料４表面上の単色Ｘ線２ａ照射位置に電子
が照射されにくくなる。光電子入射レンズ系６により生
じる電界の影響を少なくして、試料４表面上の単色Ｘ線
２ａ照射位置に電子を照射するために電子銃１４からの
電子のエネルギを上げると、電子により試料４表面にダ
メージが生じる。特に、試料４がポリマー材である場合
は、電子によるダメージを受けやすく、電子のエネルギ
を１０ｅＶ以下にする必要がある。第３図および第４図
に示した従来のＥＳＣＡ装置は、照射電子のエネルギを
下げれば下げる程、光電子入射レンズ系３６の静電レン
ズ５により生じる漏洩電場の影響を受け、試料４表面の
単色Ｘ線２ａ照射位置への電子線照射が殆どなくなる。
の入射口付近の構造を第３図に示す。試料４への単色Ｘ
線２ａ照射により発生した光電子５は光電子入射レンズ
系６の光電子５の入射口６ｃに入射する、光電子入射レ
ンズ系６はその光軸に沿って３枚の電極が設けられてお
り、そのうち最も光電子入射レンズ６の光電子入射口６
ｃに近い場所には負電位の電極６ｄが位置しているため
、電極６ｄによる負電位の等電位線は第３図のように示
すようになっている。つまり、光電子５の光軸上では、
光電子入射レンズ系６先端から試料４の単色Ｘ線照射位
置に向かって徐々に負電圧は小さくなり、光電子５の光
軸上からその軸垂直に離れるに従っても負電圧は小さく
なる。このため、電子銃１４から試料４表面へ照射され
た電子は、光電子入射レンズ系６により生じる電界によ
りその軌跡は曲げられる。電子銃１４からの電子は負の
電荷であるため、第３図の点線２５で示す軌跡をもつこ
とになり、試料４表面上の単色Ｘ線２ａ照射位置に電子
が照射されにくくなる。光電子入射レンズ系６により生
じる電界の影響を少なくして、試料４表面上の単色Ｘ線
２ａ照射位置に電子を照射するために電子銃１４からの
電子のエネルギを上げると、電子により試料４表面にダ
メージが生じる。特に、試料４がポリマー材である場合
は、電子によるダメージを受けやすく、電子のエネルギ
を１０ｅＶ以下にする必要がある。第３図および第４図
に示した従来のＥＳＣＡ装置は、照射電子のエネルギを
下げれば下げる程、光電子入射レンズ系３６の静電レン
ズ５により生じる漏洩電場の影響を受け、試料４表面の
単色Ｘ線２ａ照射位置への電子線照射が殆どなくなる。
そのため、単色Ｘ線２ａ照射点への電子の適正な供給を
はかるため、電子銃２４の引き出し電極２２や偏向電極
２３の電圧を適当に変える必要があった。しかしながら
、分析試料４により漏洩電場の強さや形が異なるため、
たえず電子銃１４の調整を必要とし、絶縁物の試料４を
分析する場合、高分解能スペクトルを得ることは極めて
難しい。
はかるため、電子銃２４の引き出し電極２２や偏向電極
２３の電圧を適当に変える必要があった。しかしながら
、分析試料４により漏洩電場の強さや形が異なるため、
たえず電子銃１４の調整を必要とし、絶縁物の試料４を
分析する場合、高分解能スペクトルを得ることは極めて
難しい。
一方、電子銃１４からの電子エネルギを低くし、照射電
子の光電子入射レンズ系６の静電レンズ６ａにより生じ
る漏洩電場の影響をできるだけ軽減するため、電子銃１
４の位置は第３図の様に、試料４の近傍に設置せざるを
えなかった。そのため、試料４を傾けて試料４の最表面
の光電子分光分析を行う場合、試料４の傾斜角度と、試
料４の大きさに制限がある。
子の光電子入射レンズ系６の静電レンズ６ａにより生じ
る漏洩電場の影響をできるだけ軽減するため、電子銃１
４の位置は第３図の様に、試料４の近傍に設置せざるを
えなかった。そのため、試料４を傾けて試料４の最表面
の光電子分光分析を行う場合、試料４の傾斜角度と、試
料４の大きさに制限がある。
本発明は、単色Ｘ線照射位置、つまり光電子分光分析位
置に効率良く低エネルギの電子線を照射するために、光
電子入射レンズ系の光軸を取り囲むようにし且つ光軸下
方に向かって配置した電子発生源より発生した電子を試
料のＸ線照射位置に照射することを特徴とする光電子分
光分析装置及び方法である。
置に効率良く低エネルギの電子線を照射するために、光
電子入射レンズ系の光軸を取り囲むようにし且つ光軸下
方に向かって配置した電子発生源より発生した電子を試
料のＸ線照射位置に照射することを特徴とする光電子分
光分析装置及び方法である。
光電子入射レンズ系の光軸を取り囲むようにし且つ光軸
下方に向かって配置した電子銃より発生した照射電子は
、光電子入射レンズ系６の静電レンズ６ａにより生じる
漏洩電場の影響により、下方に曲げられ、その電場に乗
って試料上の単色Ｘ線照射位置を照射する。
下方に向かって配置した電子銃より発生した照射電子は
、光電子入射レンズ系６の静電レンズ６ａにより生じる
漏洩電場の影響により、下方に曲げられ、その電場に乗
って試料上の単色Ｘ線照射位置を照射する。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は、本発明に係わるＥＳＣＡ装置の全体を示す断面図
であり、Ｘ線源１は電子ビームをアルミニウムでできた
ターゲット（図示せず）に当ててＡｌＫα線等を発生す
る。Ｘ線源１より発生したＸ線２は、石英の単結晶等を
使用した湾曲型Ｘ線モノクロメータ３により分光され、
分光された単色Ｘ線２ａは、試料４の所定表面上に集光
される。試料２に照射される単色Ｘ線２ａのスポット径
は、Ｘ線源１のターゲットに照射される電子ビームの径
と、モノクロメータ３の単色Ｘ線２ａの取り出し角度に
より決まる。通常、試料２上に照射される単色Ｘ線２ａ
の径は１〜数ｍｍに制御される。
図は、本発明に係わるＥＳＣＡ装置の全体を示す断面図
であり、Ｘ線源１は電子ビームをアルミニウムでできた
ターゲット（図示せず）に当ててＡｌＫα線等を発生す
る。Ｘ線源１より発生したＸ線２は、石英の単結晶等を
使用した湾曲型Ｘ線モノクロメータ３により分光され、
分光された単色Ｘ線２ａは、試料４の所定表面上に集光
される。試料２に照射される単色Ｘ線２ａのスポット径
は、Ｘ線源１のターゲットに照射される電子ビームの径
と、モノクロメータ３の単色Ｘ線２ａの取り出し角度に
より決まる。通常、試料２上に照射される単色Ｘ線２ａ
の径は１〜数ｍｍに制御される。
単色Ｘ線２ａにより試料４から発生した光電子５は光電
子入射レンズ系６により光電子エネルギアナライザ７の
入射スリット３０に導かれる。光電子入射レンズ系６は
、一方は第２図に示した静電レンズ６ａと他方光電子エ
ネルギアナライザの入射スリット側に設けてある静電レ
ンズ（図示せず）と静電レンズ容器６ｂにより構成され
ている。
子入射レンズ系６により光電子エネルギアナライザ７の
入射スリット３０に導かれる。光電子入射レンズ系６は
、一方は第２図に示した静電レンズ６ａと他方光電子エ
ネルギアナライザの入射スリット側に設けてある静電レ
ンズ（図示せず）と静電レンズ容器６ｂにより構成され
ている。
静電レンズ６ａは光電子エネルギアナライザ７に入射す
る光電子５を集束するためのものである。
る光電子５を集束するためのものである。
光電子エネルギアナライザ７により分光された光電子５
は、マルチチャンネルプレートやチャンネルトロン等の
検出器８により検出される。検出された信号は図示して
いない増幅器およびインターフェースを介してＣＰＵ９
に取り込まれ、ＣＲＴ１０にそのデータが表示される、
電子銃１４は静電レンズ容器６ｂの内側下端（最も試料
４側に近い部分）に、設けられている。電子銃１４は光
電子５の光軸の周りを囲むフィラメント２１とフィラメ
ント２１の周り光軸側を開放して外側に設けられた引き
出し電極２２よりなり、引き出し電極２２はフィラメン
ト２１より低電圧に印加されている。フィラメント２１
の加熱により生じた熱電子はフィラヘメント２１の電位
に対してプラス電位を持つ引き出し電極２２により光軸
方向に押し出される。つまり、電子銃１４より電子が、
光電子入射レンズ系６の下側で光電子５の光軸に向かっ
て照射され、試料４と光電子入射レンズ系６の下側静電
レンズ６ａの間に作られた電場により、徐々に下方向に
偏向され、試料４の単色Ｘ線２ａ照射位置に電子が照射
される。
は、マルチチャンネルプレートやチャンネルトロン等の
検出器８により検出される。検出された信号は図示して
いない増幅器およびインターフェースを介してＣＰＵ９
に取り込まれ、ＣＲＴ１０にそのデータが表示される、
電子銃１４は静電レンズ容器６ｂの内側下端（最も試料
４側に近い部分）に、設けられている。電子銃１４は光
電子５の光軸の周りを囲むフィラメント２１とフィラメ
ント２１の周り光軸側を開放して外側に設けられた引き
出し電極２２よりなり、引き出し電極２２はフィラメン
ト２１より低電圧に印加されている。フィラメント２１
の加熱により生じた熱電子はフィラヘメント２１の電位
に対してプラス電位を持つ引き出し電極２２により光軸
方向に押し出される。つまり、電子銃１４より電子が、
光電子入射レンズ系６の下側で光電子５の光軸に向かっ
て照射され、試料４と光電子入射レンズ系６の下側静電
レンズ６ａの間に作られた電場により、徐々に下方向に
偏向され、試料４の単色Ｘ線２ａ照射位置に電子が照射
される。
次に、電子銃１４を一方の静電レンズ６ａの上方に設け
た他の実施例を第５図に示す。引き出し電極２２は一方
の静電レンズ６ａの３枚の電極のうち上部の電極を兼ね
るものであり、その電極は第２図の引き出し電極２２と
同様の形状をしている。電子銃１４から発生した電子は
通常上部の電極より正の電位にある真ん中の電極により
試料側に引っ張られ、試料４の単色Ｘ線２ａ照射位置に
電子が照射される。
た他の実施例を第５図に示す。引き出し電極２２は一方
の静電レンズ６ａの３枚の電極のうち上部の電極を兼ね
るものであり、その電極は第２図の引き出し電極２２と
同様の形状をしている。電子銃１４から発生した電子は
通常上部の電極より正の電位にある真ん中の電極により
試料側に引っ張られ、試料４の単色Ｘ線２ａ照射位置に
電子が照射される。
ここで、フィラメント２１は無誘導巻きにし、引き出し
電極２２は光軸側に磁場が生じないように、パーマロイ
等の高透磁率の材料を使用する。
電極２２は光軸側に磁場が生じないように、パーマロイ
等の高透磁率の材料を使用する。
光電子放出に伴う試料表面のプラスの帯電を容易に中和
することができるため、絶縁物質試料のＥＳＣＡ分析を
信頼性高く分析できる。シャープなスペクトルがえられ
る。また、試料近傍の光電子入射レンズ系の脇から照射
していた電子銃が不要になったため、試料の傾斜が容易
になり、大型の試料も分析できるようになる。
することができるため、絶縁物質試料のＥＳＣＡ分析を
信頼性高く分析できる。シャープなスペクトルがえられ
る。また、試料近傍の光電子入射レンズ系の脇から照射
していた電子銃が不要になったため、試料の傾斜が容易
になり、大型の試料も分析できるようになる。
第１図は本発明の一実施例の全体構成を示す断面図、第
２図は第１図の主要部を示す断面図、第３図は従来装置
の全体構成を示す断面図、第４図は第３図の主要部を示
す断面図、第５図は本発明の他の実施例の主要部を示す
断面図である。 １…Ｘ線源 ２…Ｘ線 ２ａ・単色Ｘ線 ３…Ｘ線モノクロメータ４…試料 ５
…光電子 ６…光電子入射レンズ系 ６ａ・静電レンズ６ｂ・静電
レンズ容器 ６ｃ・光電子入射口６ｄ・電極 ７…光電子エネルギアナライザ ８…検出器 ９…ＣＰＵ １０・ＣＲＴ １４・電子銃 ２１・フィラメント ２２・引き出し電極２３・偏向電
極 ３０・入射スリット 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
２図は第１図の主要部を示す断面図、第３図は従来装置
の全体構成を示す断面図、第４図は第３図の主要部を示
す断面図、第５図は本発明の他の実施例の主要部を示す
断面図である。 １…Ｘ線源 ２…Ｘ線 ２ａ・単色Ｘ線 ３…Ｘ線モノクロメータ４…試料 ５
…光電子 ６…光電子入射レンズ系 ６ａ・静電レンズ６ｂ・静電
レンズ容器 ６ｃ・光電子入射口６ｄ・電極 ７…光電子エネルギアナライザ ８…検出器 ９…ＣＰＵ １０・ＣＲＴ １４・電子銃 ２１・フィラメント ２２・引き出し電極２３・偏向電
極 ３０・入射スリット 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
Claims (2)
- 【請求項１】Ｘ線源よりＸ線を発生させ、前記Ｘ線をＸ
線モノクロメータにより集束かつ分光して試料表面に照
射し、前記Ｘ線照射により試料表面から発生する光電子
を光電子入射レンズ系により集束し、前記光電子入射レ
ンズ系を通過した光電子を光電子エネルギアナライザに
より分光し、前記分光された光電子を光電子検出器によ
り検出する光電子分光分析方法において、前記光電子入
射レンズ系の光軸を取り囲むように前記光軸下方に向か
って配置した電子発生源より発生した電子を前記試料の
前記Ｘ線照射位置に照射することを特徴とする光電子分
光分析方法。 - 【請求項２】Ｘ線を発生するためのＸ線源と、前記Ｘ線
を試料表面に集束しかつ分光して照射するためのＸ線モ
ノクロメータと、Ｘ線照射により試料表面から発生する
光電子を集束するための光電子入射レンズ系と、前記光
電子入射レンズ系を通過した光電子を分光する光電子エ
ネルギアナライザと、前記光電子入射レンズ系の光軸を
中心にしてその周りに設けられた前記試料の前記Ｘ線照
射位置に電子を照射するための電子発生源よりなること
を特徴とする光電子分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277435A JP2881340B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光電子分光分析方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277435A JP2881340B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光電子分光分析方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249754A true JPH04249754A (ja) | 1992-09-04 |
| JP2881340B2 JP2881340B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=17583525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2277435A Expired - Fee Related JP2881340B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 光電子分光分析方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2881340B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292013A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Jeol Ltd | 表面分析装置 |
| JP2006349384A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | National Institute For Materials Science | 絶縁物試料の帯電又は電位歪みを抑制した放射電子顕微鏡装置及び試料観察方法 |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP2277435A patent/JP2881340B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292013A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Jeol Ltd | 表面分析装置 |
| JP2006349384A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | National Institute For Materials Science | 絶縁物試料の帯電又は電位歪みを抑制した放射電子顕微鏡装置及び試料観察方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2881340B2 (ja) | 1999-04-12 |
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