JPH04249319A - Grid for ion gun and manufacture thereof - Google Patents

Grid for ion gun and manufacture thereof

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JPH04249319A
JPH04249319A JP3569691A JP3569691A JPH04249319A JP H04249319 A JPH04249319 A JP H04249319A JP 3569691 A JP3569691 A JP 3569691A JP 3569691 A JP3569691 A JP 3569691A JP H04249319 A JPH04249319 A JP H04249319A
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JP
Japan
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grid
ion
sheet
al2o3
main constituent
Prior art date
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Application number
JP3569691A
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Japanese (ja)
Inventor
Akio Tago
田子 章男
Keiichi Yanagisawa
佳一 柳沢
Yasuhiro Koshimoto
越本 泰弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a one-sheet grid which can obtain a high current density at a low accelerating voltage and whose life is long by a method wherein its main constituent material is one out of Al2O3, Al2O3.TiC, ZrO2, BN and SiC and its surface is treated so as to be a conductor. CONSTITUTION:A one-sheet type grid 9 is used for an ion gun 1 of a type which generates a plasma in a thin gas state and which extracts thin-gas ions from it and is used for ion acceleration use and for ion extraction use. Its main constituent material of the grid is one selected out of Al2O3, Al2O3.TiC, ZrO2, BN and SiC and one side or both sides of its surface are treated so as be a conductor. For example, a single-sheet grid 9 for a Kaufmann-type gun 1 is manufactured as follows: a green sheet of Al2O3 or the like is baked; it is then cut to the size of the grid; a hole for screwing use is made; manu holes for the grid are made; the sheet is baked; and both faces are plated chemically with NiP to be in 10mum.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造等に使用
されるイオンビームスパッタ装置またはイオンビームエ
ッチング装置等に用いられるイオンガンのグリッド及び
その製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a grid for an ion gun used in an ion beam sputtering device or an ion beam etching device used in the manufacture of semiconductors, and a method for manufacturing the same.

【0002】0002

【従来の技術】微細パタンの形成や磁性膜を作製するに
際して近年盛んに用いられるようになったイオンビーム
スパッタ装置やイオンエッチング装置においては、不活
性ガスイオンを発生させこれを加速し、ターゲットや被
エッチング物に衝突させるイオンビームを作るためのイ
オンガンを必要とする。さらに、最近では被エッチング
物の損傷を避け、酸性膜の作製では特にアモルファス材
料の特性の向上に著しい効果のある低エネルギーイオン
ガンが開発され使用されている。しかし、通常使用され
る二枚型グリッドでは、低エネルギーすなわち低加速電
圧でのイオン電流密度を十分に取ることができず、被エ
ッチング物の加工に長時間かかり、またスパッタにおい
ては膜の析出速度を上げることができず、膜形成に時間
がかかり工業的に使用できる状態にはなかった。これを
避けるため先に特開昭63−124343で開示されて
いるごとく孔径が0.2mmないし0.4mmの細径が
多数設けられた一枚のグリッドを用いることにより、二
枚型グリッドを用いた場合よりも、多大のイオン電流密
度を得ることができ、被エッチング時間及び膜形成時間
の短縮を図ることができた。
[Prior Art] Ion beam sputtering equipment and ion etching equipment, which have become widely used in recent years to form fine patterns and produce magnetic films, generate inert gas ions and accelerate them to create targets and An ion gun is required to create an ion beam that collides with the object to be etched. Furthermore, recently, low-energy ion guns have been developed and used that are extremely effective in avoiding damage to the object to be etched and improving the properties of amorphous materials, especially in the production of acidic films. However, the commonly used two-plate grid cannot provide sufficient ion current density at low energy, i.e., low accelerating voltage, and it takes a long time to process the etched object. It took a long time to form a film, and it was not ready for industrial use. In order to avoid this, a two-piece grid can be used by using a single grid having many small holes with hole diameters of 0.2 mm to 0.4 mm, as previously disclosed in JP-A No. 63-124343. It was possible to obtain a higher ion current density than in the case where the etching process and film formation time were shortened.

【0003】このようなイオンガンの典型的な例として
カウフマン型のイオンガンで詳細を説明する。図1は、
通常のイオンエッチング装置であり、図において1はカ
ウフマン型イオンガンであり、イオンガン1はエッチン
グ室2の上方に設置されている。エッチング室2には図
示省略の排気系に接続される排気口3が設けられ、イオ
ンガン1の内部は十分に排気後、ケース部4に設けられ
たガス導入口5から例えばアルゴンガスが導入されて、
ガス圧が0.1mmTorr程度の希薄ガス状態とする
。イオンガン1には、熱電子放出用のカソード6及びこ
のカソード6に対応したアノード7が配設されている。 また、ケース部4の外側部にはカソード6から放出され
る熱電子に螺旋運動を生じさせるための電磁石8が配設
されている。上記のカソード6及びアノード7で放電手
段が構成され、さらにこの放電手段及び電磁石8でアル
ゴンの希薄ガス状態でプラズマを生じ、イオンが生成さ
れる。
[0003] As a typical example of such an ion gun, a Kaufmann type ion gun will be explained in detail. Figure 1 shows
This is a normal ion etching apparatus, and in the figure, 1 is a Kauffman type ion gun, and the ion gun 1 is installed above an etching chamber 2. The etching chamber 2 is provided with an exhaust port 3 connected to an exhaust system (not shown), and after the inside of the ion gun 1 is sufficiently evacuated, for example, argon gas is introduced from a gas inlet 5 provided in the case portion 4. ,
A dilute gas state with a gas pressure of about 0.1 mm Torr is created. The ion gun 1 is provided with a cathode 6 for emitting thermoelectrons and an anode 7 corresponding to the cathode 6. Furthermore, an electromagnet 8 is disposed on the outer side of the case portion 4 to cause the thermoelectrons emitted from the cathode 6 to spirally move. The cathode 6 and anode 7 constitute a discharge means, and the discharge means and the electromagnet 8 generate plasma in a dilute argon gas state to generate ions.

【0004】イオンガン1の前面部、すなわちエッチン
グ室2の側には、一枚のイオン引出し用のエクストラク
タグリッド9が配設される。この一枚グリッド9にはカ
ソード6に対し負電位が与えられて、発生したプラズマ
中の正イオンを加速してエッチング室2にイオンを引き
出す機能を有している。また、10はカソード電源、1
1はアノード電源、12は加速電源、13はエクストラ
クタ電源である。なお、電磁石8を駆動するための電源
はここには図示されていない。以上のようなイオンガン
の構成で、引き出されたアルゴンイオンは被エッチング
物14をたたき、これを物理的にエッチングする。イオ
ンビームスパッタの場合、14はターゲットとなり、こ
こでスパッタされた粒子が基板15に堆積する構造とな
っている。
A single extractor grid 9 for extracting ions is provided on the front side of the ion gun 1, that is, on the etching chamber 2 side. A negative potential is applied to this single grid 9 with respect to the cathode 6, and it has the function of accelerating positive ions in the generated plasma and drawing them out into the etching chamber 2. In addition, 10 is a cathode power supply, 1
1 is an anode power supply, 12 is an acceleration power supply, and 13 is an extractor power supply. Note that a power source for driving the electromagnet 8 is not shown here. With the configuration of the ion gun as described above, the extracted argon ions strike the object to be etched 14 and physically etch it. In the case of ion beam sputtering, 14 is a target, and particles sputtered here are deposited on a substrate 15.

【0005】一枚型グリッドは、通常厚さ1mm以下の
ステンレス鋼、例えばSUS304、やモリブデン板を
用い、これに0.2mmないし0.4mmの径の細孔を
、開口率50%以上になるように多数個作製できるよう
なマスクを両面に形成し、両面に化学エッチング液を噴
射し、両面から細孔を穿つことによって作製されている
。この細孔は板の両側から板面に垂直に反対側まで貫通
していることが必要であるが、エッチングの特性から板
の中央部で孔径が若干小さくなることは避けられない。 これを避けるためにはグリッド板厚を薄くせざるをえな
い。また、特開昭63−124343において開示され
たようにグリッド板厚さは、厚くなるほどイオンビーム
電流が取りにくくなることから、グリッド板厚はある程
度薄く、具体的には0.5mm以下でできるだけ薄くす
る必要がある。ところが薄いほどグリッドのイオンガン
側の面がイオンによりエッチングされるためグリッドの
寿命が短くなる欠点があった。
[0005] Single-sheet grids are usually made of stainless steel, such as SUS304, or molybdenum plate with a thickness of 1 mm or less, and pores with a diameter of 0.2 mm to 0.4 mm are formed in this to give an aperture ratio of 50% or more. It is manufactured by forming a mask on both sides so that a large number of masks can be manufactured, spraying a chemical etching solution on both sides, and drilling pores from both sides. These pores must penetrate from both sides of the plate to the opposite side perpendicular to the plate surface, but due to the characteristics of etching, it is inevitable that the pore diameter will be slightly smaller in the center of the plate. In order to avoid this, it is necessary to reduce the grid plate thickness. Furthermore, as disclosed in JP-A No. 63-124343, the thicker the grid plate is, the more difficult it is to obtain an ion beam current. There is a need to. However, the thinner the grid, the more the surface of the grid on the ion gun side is etched by ions, resulting in a shortened lifespan of the grid.

【0006】また従来の技術の他の例として、主構成材
料にフォトセラム等の感光性のガラスを用い、これにフ
ォトリソグラフィ技術により穴開け加工を行い、その片
面または両面にニッケルの化学めっきを施した一枚型グ
リッドがあった。しかし、強度上から薄いものができに
くいこと、穴の開口率を50%以上に上げることができ
ない等の欠点があった。また、上記のセラミック材料を
用いて機械工作で微小な穴を開けた後片面に金属をめっ
きまたは蒸着する一枚グリッドの作製法があったが、こ
の方法では難加工材料であるセラミックの機械加工に多
大の時間を要し工業的に広く利用することができなかっ
た。
[0006] Another example of the conventional technology is to use photosensitive glass such as photoceram as the main constituent material, drill holes in it using photolithography, and chemically plate nickel on one or both sides of the glass. There was a one-piece grid that was applied. However, there were drawbacks such as the difficulty in making thin ones due to strength and the inability to increase the hole aperture ratio to 50% or more. In addition, there was a method of manufacturing a single grid using the ceramic material mentioned above, which involves drilling minute holes by machining and then plating or vapor depositing metal on one side. It took a lot of time to process and could not be widely used industrially.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に基づいて提案されたもので、低加速電圧で高い電流密
度を得ることができる寿命の長い一枚グリッドを提供す
ることを目的とする。
[Problems to be Solved by the Invention] This invention was proposed based on the above circumstances, and aims to provide a long-life single-piece grid that can obtain high current density at low acceleration voltage. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は、希薄ガス状態においてプラズマを発生させ
、これから希薄ガスイオンを引き出す形式のイオンガン
に用いられ、イオン加速用とイオン引出し用に用いられ
る一枚型グリッドであって、主な構成材料がAl2 O
3 ,Al2 O3 ・TiC,ZrO2 ,BN,S
iCのうちから選ばれた一つであって、その表面の片面
または両面に導体化処理が施されたことを特徴とする一
枚型グリッドを発明の要旨とするものである。さらに本
発明は、主な構成材料がAl2 O3 ,Al2 O3
 ・TiC,ZrO2 ,BN,SiCのいずれかであ
り、かつ焼成段階であるグリンシート状態で穴開け、切
り出し、グリッド面の曲面加工を行いついで焼成後、導
体化処理を施すことを特徴とする一枚型グリッドの製造
方法を発明の要旨とするものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention is used in an ion gun that generates plasma in a diluted gas state and extracts diluted gas ions from it, and is used for ion acceleration and ion extraction. The single-piece grid used is made of Al2O as the main constituent material.
3, Al2 O3 ・TiC, ZrO2 , BN, S
The gist of the invention is a one-piece grid that is selected from iC and is characterized in that one or both surfaces of the grid are subjected to conductive treatment. Furthermore, in the present invention, the main constituent materials are Al2 O3, Al2 O3
・It is one of TiC, ZrO2, BN, and SiC, and is characterized by drilling holes, cutting out, and processing the curved surface of the grid surface in the green sheet state at the firing stage, and then subjecting it to conductive treatment after firing. The gist of the invention is a method for manufacturing a sheet grid.

【0009】[0009]

【作用】本発明によればイオンガン用グリッドの主な構
成材料が、Al2 O3 ,Al2 O3 ・TiC,
ZrO2,BN,SiCのいずれかであり、かつグリー
ンシートの状態で、穴開け等の加工を行うため、製造は
容易であり、かつ長寿命化をはかりうる作用を有する。
[Operation] According to the present invention, the main constituent materials of the ion gun grid are Al2 O3, Al2 O3 ・TiC,
It is made of ZrO2, BN, or SiC, and is processed by drilling etc. in the form of a green sheet, so it is easy to manufacture and has the effect of extending its life.

【0010】換言すれば、本発明では、希薄ガス状態で
プラズマを生じさせ、高いイオン電流密度でイオンビー
ムを効率よく被エッチング物またはターゲットに当て、
効率的にエッチングまたはスパッタを行なうための一枚
グリッドであって、その特徴とするところは一枚型グリ
ッドの主な構成材料をAl2 O3 ,Al2 O3 
・TiC,ZrO2 ,BN,SiCの内から選ばれた
一つのセラミック材料とすることにより、グリッドのイ
オンガン側の面がイオンによってエッチングされにくく
なるため、従来のSUS304製と同じ寸法のグリッド
の場合、主構成材料がセラミックである一枚型グリッド
においては大幅な長寿命化をはかることができることで
ある。
In other words, in the present invention, plasma is generated in a diluted gas state, and an ion beam is efficiently applied to the object or target to be etched with a high ion current density.
It is a one-piece grid for efficient etching or sputtering, and its characteristics are that the main constituent materials of the one-piece grid are Al2 O3 and Al2 O3.
・By using one ceramic material selected from TiC, ZrO2, BN, and SiC, the surface of the grid on the ion gun side becomes difficult to be etched by ions, so if the grid has the same dimensions as the conventional SUS304, A single-piece grid whose main constituent material is ceramic can have a significantly longer lifespan.

【0011】[0011]

【実施例】次に本発明の実施例について説明する。なお
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうることは云
うまでもない。
[Example] Next, an example of the present invention will be described. It should be noted that the embodiments are merely illustrative, and it goes without saying that various changes and improvements can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0012】以下、この発明の実施例をカウフマン型イ
オンガンの一枚型グリッドの場合で、基板の主構成材料
がAl2 O3 ,Al2O3 ・TiC,ZrO2 
,BN,SiCであって、口径10cm、板厚0.2m
m、穴径0.3mm、穴のピッチ0.35mm、その表
面にNiPの化学めっきを10μm施した場合について
説明する。一般にグリッド材の寿命はイオンビームエッ
チングの際のエッチングレートに比例するので、主構成
材料のエッチングレートを比較すればおよその寿命が推
定できる。図1の構成で14の位置に主構成材料のセラ
ミック材を置き、表1の条件でそのエッチングレートを
測定したところ表2の結果を得た。
[0012] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the case of a single grid of a Kauffman type ion gun, and the main constituent materials of the substrate are Al2O3, Al2O3, TiC, ZrO2.
, BN, SiC, diameter 10cm, plate thickness 0.2m
A case will be described in which the hole diameter is 0.3 mm, the hole pitch is 0.35 mm, and the surface is chemically plated with NiP to a thickness of 10 μm. Generally, the lifespan of a grid material is proportional to the etching rate during ion beam etching, so the approximate lifespan can be estimated by comparing the etching rates of the main constituent materials. A ceramic material as the main constituent material was placed at position 14 in the configuration shown in FIG. 1, and its etching rate was measured under the conditions shown in Table 1, and the results shown in Table 2 were obtained.

【0013】[0013]

【0014】[0014]

【0015】これらの結果から、いずれのセラミック材
もSUS304に比較して二分の一以下のエッチングレ
ートであるから、一枚型グリッドにした場合の寿命は二
倍以上と推定される。1枚グリッドにした場合の寿命の
測定は以下のように行った。SUS304の板厚0.2
mmのもので、板面の両側から化学エッチングでマスク
を用いて孔ピッチ0.35mm、孔径0.3mm、開口
率57%のグリッドを図1の9の位置に装着し、銅のタ
ーゲットを図1の14の位置において、表1の条件を用
いイオンビームスパッタを5時間行い、2時間以上の間
隔をおいて再び5時間スパッタを行うという方法でグリ
ッドが消耗して使用不能になるまでの積算時間を調べる
方法による。SUS304の一枚型グリッドの寿命は2
0〜25時間であった。すなわち主構成材料が上記のセ
ラミックである一枚型グリッドとした場合、その寿命は
100時間以上であることが確実である。
[0015] From these results, since the etching rate of both ceramic materials is less than half that of SUS304, it is estimated that the lifespan of a one-piece grid is more than double that of SUS304. The lifespan of a single grid was measured as follows. SUS304 plate thickness 0.2
A grid with a hole pitch of 0.35 mm, a hole diameter of 0.3 mm, and an aperture ratio of 57% was attached to the position 9 in Fig. 1 using a chemical etching mask from both sides of the plate surface, and a copper target was etched in the figure. At position 14 in Table 1, perform ion beam sputtering for 5 hours using the conditions in Table 1, and perform sputtering again for 5 hours at intervals of 2 hours or more to calculate the cumulative time until the grid is worn out and becomes unusable. It depends on how you check the time. The lifespan of the SUS304 one-piece grid is 2
The time range was 0 to 25 hours. In other words, in the case of a one-piece grid whose main constituent material is the above-mentioned ceramic, it is certain that its lifespan is 100 hours or more.

【0016】ところで、一枚型グリッドは以下のように
調製する。一般に、セラミック材料の成形には加圧、押
し出し、グリンシートなどの種類があり、薄いシート状
のものを製作するにはグリンシート成形が用いられてい
る。この成形シートを焼成後、グリッドの大きさに切断
し、ネジ止め用の穴を開け、さらにグリッドの穴をスタ
ンバ、ドリル等の方法で多数開けた後、焼結して完成す
る。ここでは焼結によって収縮する量を勘案して完成後
に口径10cm、板厚0.2mm、穴径0.3mm、穴
のピッチ0.35mm、開口率57%になるように一枚
型グリッドを作製する。これらのグリッドにNiP化学
めっきを両面に10μm施した後完成する。
By the way, a single-sheet grid is prepared as follows. In general, there are various types of molding methods for ceramic materials, such as pressurization, extrusion, and green sheet molding, and green sheet molding is used to produce thin sheet-like materials. After firing this formed sheet, it is cut to the size of a grid, holes for screw fixing are made, and a large number of holes for the grid are made by a method such as a stand bar or a drill, and then sintered to complete the sheet. Here, taking into account the amount of shrinkage due to sintering, we created a one-piece grid with a diameter of 10 cm, plate thickness of 0.2 mm, hole diameter of 0.3 mm, hole pitch of 0.35 mm, and aperture ratio of 57% after completion. do. These grids are completed after being coated with NiP chemical plating to a thickness of 10 μm on both sides.

【0017】本発明の一枚型グリッドの場合、セラミッ
ク表面に施したNiPめっき膜はイオンガン側のイオン
エッチングされる面では10時間以内になくなるが、こ
れは差し支えなく、以後セラミック材が消耗して使用不
能になるまでの時間で比較する。イオンガン側と逆のチ
ャンバー側のめっき膜はエクストラクタ電源に接続され
ているがイオンでエッチングされることが少なく、使用
不能になるまでは十分に寿命がある。
In the case of the one-piece grid of the present invention, the NiP plating film applied to the ceramic surface will disappear within 10 hours on the ion-etched surface on the ion gun side, but this is not a problem and the ceramic material will be consumed after that. Compare the time until it becomes unusable. The plating film on the side of the chamber opposite to the ion gun side is connected to the extractor power supply, but it is rarely etched by ions and has a sufficient lifespan until it becomes unusable.

【0018】本発明のグリッドを製造するには、主要構
成材料として、Al2 O3 ,Al2 O3 ・Ti
C,ZrO2 ,BN,SiCのいずれかを用い、グリ
ーンシートの状態で穴開け、切り出しグリッド面の曲面
加工を行い、ついで焼成を行い、この後表面の片面又は
両面にめっき、スパッタ、蒸着、CVD等の方法によっ
て導体化処理を行うものである。
[0018] In order to manufacture the grid of the present invention, Al2 O3, Al2 O3 .Ti is used as the main constituent material.
Using either C, ZrO2, BN, or SiC, holes are drilled in the green sheet state, the grid surface is cut out and the curved surface is processed, then firing is performed, and after this, one or both surfaces are plated, sputtered, vapor-deposited, or CVD. Conductive processing is performed using methods such as the following.

【0019】また、主構成材料がセラミックである本発
明の一枚型グリッドの製造法に関して、その焼成段階の
グリンシート状態で穴開けなどの加工を全て行ってしま
うので焼結後にレーザ、超音波などの難加工を行うこと
なく容易に長寿命のグリッドが得られる。
Furthermore, regarding the manufacturing method of the one-piece grid of the present invention whose main constituent material is ceramic, since all processing such as drilling is performed in the green sheet state at the firing stage, laser or ultrasonic waves are not used after sintering. A long-life grid can be easily obtained without difficult processing such as

【0020】さらに、イオンガンから照射されるイオン
ビームは一枚型の場合通常ターゲット付近では平行ビー
ムではなく、やや広がる傾向があるが、グリンシート状
態で凹面または凸面の金型等にならわせることにより適
当な曲率をグリッド面にもたせることが可能であり、容
易に収束型(フォーカス)または発散型(デフォーカス
)の一枚型グリッドをうることができる。
Furthermore, in the case of a single-piece ion gun, the ion beam irradiated from the ion gun is usually not a parallel beam near the target, but tends to spread out a little, but it is possible to make it conform to a concave or convex mold in a green sheet state. This allows the grid surface to have an appropriate curvature, and it is possible to easily obtain a convergent (focused) or diverging (defocused) single-sheet grid.

【0021】[0021]

【発明の効果】叙上のように、この発明によれば低エネ
ルギーのイオンビーム引出し用の一枚型グリッドとして
、主構成材料がAl2 O3 ,Al2 O3 ・Ti
C,ZrO2 ,BN,SiCの内から選ばれた一つか
ら成る一枚型グリッドの寿命は、従来のSUS304製
の寿命の2倍以上となることが明らかであり、さらに、
収束型および発散型の曲面加工も容易に行うことができ
るため、一枚型グリッドを工業的に広く用いることが可
能になった。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a one-piece grid for extracting a low-energy ion beam is manufactured using a main constituent material of Al2 O3, Al2 O3 ・Ti.
It is clear that the life of a one-piece grid made of one selected from C, ZrO2, BN, and SiC is more than twice that of conventional SUS304, and furthermore,
Since convergent and divergent curved surfaces can be easily processed, it has become possible to use the single-sheet grid in a wide range of industrial applications.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明に関わるイオンビームエッチング装置の
概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of an ion beam etching apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  イオンガン 2  エッチング室 3  排気口 4  ケース部 5  ガス導入口 6  カソード 7  アノード 8  電磁石 9  グリッド 10  カソード電源 11  アノード電源 12  加速電源 13  エクストラクタ電源 14  被エッチング物 15  基板 1 Ion gun 2 Etching chamber 3 Exhaust port 4 Case part 5 Gas inlet 6 Cathode 7 Anode 8 Electromagnet 9 Grid 10 Cathode power supply 11 Anode power supply 12 Acceleration power supply 13 Extractor power supply 14 Object to be etched 15 Substrate

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  希薄ガス状態においてプラズマを発生
させ、これから希薄ガスイオンを引き出す形式のイオン
ガンに用いられ、イオン加速用とイオン引出し用に用い
られる一枚型グリッドであって、主な構成材料がAl2
 O3,Al2 O3 ・TiC,ZrO2 ,BN,
SiCのうちから選ばれた一つであって、その表面の片
面または両面に導体化処理が施されたことを特徴とする
一枚型グリッド。
Claim 1: A one-piece grid used for ion guns that generate plasma in a diluted gas state and extract diluted gas ions from it, and used for ion acceleration and ion extraction, the main constituent material being Al2
O3, Al2 O3 ・TiC, ZrO2 , BN,
A one-piece grid made of one selected from SiC, characterized in that one or both surfaces of the grid are subjected to conductive treatment.
【請求項2】  主な構成材料がAl2 O3 ,Al
2 O3 ・TiC,ZrO2 ,BN,SiCのいず
れかであり、かつ焼成段階であるグリンシート状態で穴
開け、切り出し、グリッド面の曲面加工を行いついで焼
成後、導体化処理を施すことを特徴とする一枚型グリッ
ドの製造方法。
[Claim 2] Main constituent materials are Al2 O3, Al
2 O3 ・TiC, ZrO2, BN, or SiC, and is characterized by drilling holes, cutting out, and processing the curved surface of the grid surface in the green sheet state at the firing stage, and then subjecting it to conductor treatment after firing. A method for manufacturing a one-piece grid.
JP3569691A 1991-02-04 1991-02-04 Grid for ion gun and manufacture thereof Pending JPH04249319A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015046645A (en) * 2011-10-31 2015-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 Ion beam etching device

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