JPH04246875A - レ−ザ - Google Patents
レ−ザInfo
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- JPH04246875A JPH04246875A JP5417191A JP5417191A JPH04246875A JP H04246875 A JPH04246875 A JP H04246875A JP 5417191 A JP5417191 A JP 5417191A JP 5417191 A JP5417191 A JP 5417191A JP H04246875 A JPH04246875 A JP H04246875A
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- JP
- Japan
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- laser
- solid
- semiconductor lasers
- semiconductor
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- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- -1 erbium ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レ−ザからのレ
−ザ光で固体レ−ザ媒質を励起するレ−ザに関するもの
である。
−ザ光で固体レ−ザ媒質を励起するレ−ザに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レ−ザとして、励起光源とし
ての半導体レ−ザと、この半導体レ−ザからのレ−ザ光
を増幅させるための共振器ミラ−と、前記半導体レ−ザ
と共振器ミラ−との間に配置された固体レ−ザ媒質とを
具備するものが知られている。
ての半導体レ−ザと、この半導体レ−ザからのレ−ザ光
を増幅させるための共振器ミラ−と、前記半導体レ−ザ
と共振器ミラ−との間に配置された固体レ−ザ媒質とを
具備するものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこの種
のレ−ザは、複数の波長のレ−ザ光を発振させることが
できないという問題がある。本発明の課題は、複数の波
長のレ−ザ光を選択的に発振させることができるレ−ザ
を提供することにある。
のレ−ザは、複数の波長のレ−ザ光を発振させることが
できないという問題がある。本発明の課題は、複数の波
長のレ−ザ光を選択的に発振させることができるレ−ザ
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、励起光
源としての複数の半導体レ−ザと、これらの半導体レ−
ザからのレ−ザ光を反射するための共振器ミラ−と、前
記半導体レ−ザと共振器ミラ−との間に配置された固体
レ−ザ媒質とを具備するレ−ザにおいて、前記固体レ−
ザ媒質は複数種類の添加イオンを含有し、前記複数の半
導体レ−ザは前記添加イオンのそれぞれに対する励起波
長を有し、かつ、選択的に前記複数の半導体レ−ザのレ
−ザ光で前記固体レ−ザ媒質を励起させて複数の波長の
レ−ザ光を選択的に発振させることを特徴とするレ−ザ
が得られる。また、本発明によれば、前記レ−ザにおい
て、前記固体レ−ザ媒質は直方体であり、前記複数の半
導体レ−ザを前記固体レ−ザ媒質の対向する面に沿って
長手方向に所定間隔をおいて配置してなることを特徴と
するレ−ザが得られる。
源としての複数の半導体レ−ザと、これらの半導体レ−
ザからのレ−ザ光を反射するための共振器ミラ−と、前
記半導体レ−ザと共振器ミラ−との間に配置された固体
レ−ザ媒質とを具備するレ−ザにおいて、前記固体レ−
ザ媒質は複数種類の添加イオンを含有し、前記複数の半
導体レ−ザは前記添加イオンのそれぞれに対する励起波
長を有し、かつ、選択的に前記複数の半導体レ−ザのレ
−ザ光で前記固体レ−ザ媒質を励起させて複数の波長の
レ−ザ光を選択的に発振させることを特徴とするレ−ザ
が得られる。また、本発明によれば、前記レ−ザにおい
て、前記固体レ−ザ媒質は直方体であり、前記複数の半
導体レ−ザを前記固体レ−ザ媒質の対向する面に沿って
長手方向に所定間隔をおいて配置してなることを特徴と
するレ−ザが得られる。
【０００５】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基いて詳細に
説明する。図１において符号１，２は半導体レ−ザを示
している。これらの半導体レ−ザ１，２からのレ−ザ光
を受ける位置に四角形板状の固体レ−ザ媒質３が配置さ
れている。この固体レ−ザ媒質３を透過してきたレ−ザ
光を反射するための共振器ミラ−４，５が所定位置に配
置されている。
説明する。図１において符号１，２は半導体レ−ザを示
している。これらの半導体レ−ザ１，２からのレ−ザ光
を受ける位置に四角形板状の固体レ−ザ媒質３が配置さ
れている。この固体レ−ザ媒質３を透過してきたレ−ザ
光を反射するための共振器ミラ−４，５が所定位置に配
置されている。
【０００６】前記固体レ−ザ媒質３は、複数種類の添加
イオンを含有している。前記複数の半導体レ−ザ１，２
は前記添加イオンのそれぞれに対する励起波長を有し、
かつ、選択的に複数のレ−ザ光で前記固体レ−ザ媒質３
を励起させて複数の波長のレ−ザ光を選択的に発振させ
る。前記固体レ−ザ媒質３は、ＹＡＧ、ＧＳＧＧまたは
ＹＬＦなどに、ネズウムイオン、エルビウムイオン、ホ
ルミウムイオンおよびツリウムイオンなどの複数種類の
添加イオンを含有している。
イオンを含有している。前記複数の半導体レ−ザ１，２
は前記添加イオンのそれぞれに対する励起波長を有し、
かつ、選択的に複数のレ−ザ光で前記固体レ−ザ媒質３
を励起させて複数の波長のレ−ザ光を選択的に発振させ
る。前記固体レ−ザ媒質３は、ＹＡＧ、ＧＳＧＧまたは
ＹＬＦなどに、ネズウムイオン、エルビウムイオン、ホ
ルミウムイオンおよびツリウムイオンなどの複数種類の
添加イオンを含有している。
【０００７】次に、図１に示す実施例の具体例を説明す
る。前記固体レ−ザ媒質３としてＹＡＧにネオジムイオ
ンとエルビウムイオンを添加して含有させたものを用い
た場合に、前記半導体レ−ザ１として中心波長が８０９
ｎｍであるものを用い、かつ、前記半導体レ−ザ２とし
て中心波長が７８７．５ｎｍであるものを用いる。前記
半導体レ−ザ１，２と対向する固体レ−ザ媒質３の端面
は、これで発振するレ−ザ光を全反射し、かつ、半導体
レ−ザ１，２からのレ−ザ光を透過するように薄膜がコ
−ティングがされている。前記共振器ミラ−４，５には
、半導体レ−ザ１，２からのレ−ザ光を反射する反射膜
がコ−ティングされている。前記半導体レ−ザ１，２の
点灯するものを切り換えるだけで２種類の波長のレ−ザ
光を発振することができる。次に、本発明の他の実施例
を図２に基いて詳細に説明する。
る。前記固体レ−ザ媒質３としてＹＡＧにネオジムイオ
ンとエルビウムイオンを添加して含有させたものを用い
た場合に、前記半導体レ−ザ１として中心波長が８０９
ｎｍであるものを用い、かつ、前記半導体レ−ザ２とし
て中心波長が７８７．５ｎｍであるものを用いる。前記
半導体レ−ザ１，２と対向する固体レ−ザ媒質３の端面
は、これで発振するレ−ザ光を全反射し、かつ、半導体
レ−ザ１，２からのレ−ザ光を透過するように薄膜がコ
−ティングがされている。前記共振器ミラ−４，５には
、半導体レ−ザ１，２からのレ−ザ光を反射する反射膜
がコ−ティングされている。前記半導体レ−ザ１，２の
点灯するものを切り換えるだけで２種類の波長のレ−ザ
光を発振することができる。次に、本発明の他の実施例
を図２に基いて詳細に説明する。
【０００８】図２に示す実施例は、固体レ−ザ媒質３´
を直方体に形成し、複数の半導体レ−ザ６，７，８，９
，…，ｎを前記固体レ−ザ媒質３´の対向する面に沿っ
て長手方向に所定間隔をおいて配置し、かつ、固体レ−
ザ媒質３´の両端部の近傍に共振器ミラ−１０，１１を
配置してなる。図２の実施例においては、出力の増大を
図ることができ、かつ、３波長以上の複数種類の波長の
レ−ザ光を発振することができる。なお、前記固体レ−
ザ媒質は、図示した形状に限定されるものではない。
を直方体に形成し、複数の半導体レ−ザ６，７，８，９
，…，ｎを前記固体レ−ザ媒質３´の対向する面に沿っ
て長手方向に所定間隔をおいて配置し、かつ、固体レ−
ザ媒質３´の両端部の近傍に共振器ミラ−１０，１１を
配置してなる。図２の実施例においては、出力の増大を
図ることができ、かつ、３波長以上の複数種類の波長の
レ−ザ光を発振することができる。なお、前記固体レ−
ザ媒質は、図示した形状に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の効果】本発明のレ−ザは、複数の波長のレ−ザ
光を選択的に発振させることができる。
光を選択的に発振させることができる。
【図１】本発明の１実施例を示す正面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す側面図である。
１，２ 半導体レ−ザ
３ 固体レ−ザ媒質
４，５ 共振器ミラ−
Claims (2)
- 【請求項１】 励起光源としての複数の半導体レ−ザ
と、これらの半導体レ−ザからのレ−ザ光を反射するた
めの共振器ミラ−と、前記半導体レ−ザと共振器ミラ−
との間に配置された固体レ−ザ媒質とを具備するレ−ザ
において、前記固体レ−ザ媒質は複数種類の添加イオン
を含有し、前記複数の半導体レ−ザは前記添加イオンの
それぞれに対する励起波長を有し、かつ、選択的に前記
複数の半導体レ−ザのレ−ザ光で前記固体レ−ザ媒質を
励起させて複数の波長のレ−ザ光を選択的に発振させる
ことを特徴とするレ−ザ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレ−ザにおいて、前
記固体レ−ザ媒質は直方体であり、前記複数の半導体レ
−ザを前記固体レ−ザ媒質の対向する面に沿って長手方
向に所定間隔をおいて配置してなることを特徴とするレ
−ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5417191A JPH04246875A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5417191A JPH04246875A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04246875A true JPH04246875A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=12963099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5417191A Withdrawn JPH04246875A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04246875A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4444435A1 (de) * | 1994-12-14 | 1996-06-27 | Daimler Benz Ag | Optisch angeregter Festkörperlaser |
| JP2009251005A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクタ |
| CN104577651A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-04-29 | 杭州电子科技大学 | 一种微型固体激光器制作方法 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP5417191A patent/JPH04246875A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4444435A1 (de) * | 1994-12-14 | 1996-06-27 | Daimler Benz Ag | Optisch angeregter Festkörperlaser |
| JP2009251005A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクタ |
| CN104577651A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-04-29 | 杭州电子科技大学 | 一种微型固体激光器制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |