JPH04245432A - 基板の洗浄方法 - Google Patents
基板の洗浄方法Info
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- JPH04245432A JPH04245432A JP1046291A JP1046291A JPH04245432A JP H04245432 A JPH04245432 A JP H04245432A JP 1046291 A JP1046291 A JP 1046291A JP 1046291 A JP1046291 A JP 1046291A JP H04245432 A JPH04245432 A JP H04245432A
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- cleaning
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の洗浄方法に関する
。ＩＣ，ＬＳＩのような半導体集積回路を始めとし、半
導体レーザなど半導体デバイスの総ては単体半導体ある
いは化合物半導体よりなる単結晶基板を用い、これに写
真蝕刻技術（ フォトリソグラフィ），薄膜形成技術，
不純物注入技術などを用いて製造されている。
。ＩＣ，ＬＳＩのような半導体集積回路を始めとし、半
導体レーザなど半導体デバイスの総ては単体半導体ある
いは化合物半導体よりなる単結晶基板を用い、これに写
真蝕刻技術（ フォトリソグラフィ），薄膜形成技術，
不純物注入技術などを用いて製造されている。
【０００２】こゝで、写真蝕刻技術はレジストが被覆さ
れている半導体基板（ 以下略してウエハ） に予め単
位のデバイスがパターン形成されているレチクルマスク
を用いて紫外線を縮小投影露光することによりレジスト
上に微細パターンを選択露光せしめ、次にウエハを単位
のピッチづつ移動させながら、このような縮小投影露光
を繰り返すことにより、ウエハ上に多数個のデバイスパ
ターンを転写した後に現像し、レジストがポジ型の場合
は露光部が分解して溶けやすくなり、またネガ型の場合
は露光部が架橋重合して溶け難くなるのを利用してレジ
ストパターンを形成している。
れている半導体基板（ 以下略してウエハ） に予め単
位のデバイスがパターン形成されているレチクルマスク
を用いて紫外線を縮小投影露光することによりレジスト
上に微細パターンを選択露光せしめ、次にウエハを単位
のピッチづつ移動させながら、このような縮小投影露光
を繰り返すことにより、ウエハ上に多数個のデバイスパ
ターンを転写した後に現像し、レジストがポジ型の場合
は露光部が分解して溶けやすくなり、またネガ型の場合
は露光部が架橋重合して溶け難くなるのを利用してレジ
ストパターンを形成している。
【０００３】次に、このレジストパターンをマスクとし
てドライエッチング或いはケミカルエッチングを行って
露出部の基板をエッチングすることによりウエハ上に数
多くの微細パターンが形成されている。
てドライエッチング或いはケミカルエッチングを行って
露出部の基板をエッチングすることによりウエハ上に数
多くの微細パターンが形成されている。
【０００４】このように写真蝕刻技術は半導体デバイス
形成に多用されているが、現像やケミカルエッチング後
では充分な洗浄が必要である。
形成に多用されているが、現像やケミカルエッチング後
では充分な洗浄が必要である。
【０００５】
【従来の技術】半導体デバイスの形成において写真蝕刻
技術はウエハに対して使用されているのは勿論、レチク
ル・マスクの形成にも用いられており、従って現像後に
行う洗浄においてもその大きさに見合った洗浄設備が使
用されている。
技術はウエハに対して使用されているのは勿論、レチク
ル・マスクの形成にも用いられており、従って現像後に
行う洗浄においてもその大きさに見合った洗浄設備が使
用されている。
【０００６】例えば、シリコン（Ｓｉ）ウエハは径６イ
ンチのものが多く使用されているが、量産工程をとるた
めに処理数が多く、洗浄設備は大型となる。一方、レチ
クル・マスクは５インチ角で厚さが０．０９インチ（２
．３ｍｍ） 程度の石英ガラスが基板として多く用いら
れ、また個別に作られるために小型ですむ。
ンチのものが多く使用されているが、量産工程をとるた
めに処理数が多く、洗浄設備は大型となる。一方、レチ
クル・マスクは５インチ角で厚さが０．０９インチ（２
．３ｍｍ） 程度の石英ガラスが基板として多く用いら
れ、また個別に作られるために小型ですむ。
【０００７】以下、レチクル・マスクを対象として本発
明を説明する。レチクル・マスクは石英ガラス基板上に
８００ 〜１０００Åの厚さにクローム（Ｃｒ）の薄膜
を形成し、これに写真蝕刻技術を用いてパターン形成を
行ったもので、洗浄槽としては図２および図３に示すよ
うに一辺が１７０ 〜２００ ｍｍの角状構造をとり槽
の底面に複数の振動子１を配置し、また底面または側面
に給水口２を設けたものが使用されている。
明を説明する。レチクル・マスクは石英ガラス基板上に
８００ 〜１０００Åの厚さにクローム（Ｃｒ）の薄膜
を形成し、これに写真蝕刻技術を用いてパターン形成を
行ったもので、洗浄槽としては図２および図３に示すよ
うに一辺が１７０ 〜２００ ｍｍの角状構造をとり槽
の底面に複数の振動子１を配置し、また底面または側面
に給水口２を設けたものが使用されている。
【０００８】そして、給水口２より純水３を供給し、オ
ーバーフローさせて側溝４より排水する構造をとり、こ
の中にエッチングの終わった基板を浸漬して超音波洗浄
を行っている。
ーバーフローさせて側溝４より排水する構造をとり、こ
の中にエッチングの終わった基板を浸漬して超音波洗浄
を行っている。
【０００９】こゝで、洗浄は純水を均等に衝突させ短時
間に終了させることが必要で、洗浄の終了は純水の電導
度を測定して行っている。例えば、図２または図３の構
造をとり容量が２０リットルの洗浄槽に給水口２より純
水を毎分１０リットルの流量で供給し、これにエッチン
グ処理の終わったレチクル・マスクを浸漬して超音波洗
浄を行う場合は、供給した純水の比抵抗（ 例えば２０
ＭΩ）に戻るのに約２０分を要していた。
間に終了させることが必要で、洗浄の終了は純水の電導
度を測定して行っている。例えば、図２または図３の構
造をとり容量が２０リットルの洗浄槽に給水口２より純
水を毎分１０リットルの流量で供給し、これにエッチン
グ処理の終わったレチクル・マスクを浸漬して超音波洗
浄を行う場合は、供給した純水の比抵抗（ 例えば２０
ＭΩ）に戻るのに約２０分を要していた。
【００１０】この原因について研究したところ、両槽に
おいて純水は矢印５で示す方向に対流しつゝオーバーフ
ローしているが、交叉線で示す位置に淀み６を生じてお
り、これがもとで迅速な純水交換が行われていないこと
が判った。
おいて純水は矢印５で示す方向に対流しつゝオーバーフ
ローしているが、交叉線で示す位置に淀み６を生じてお
り、これがもとで迅速な純水交換が行われていないこと
が判った。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】超音波洗浄においては
被処理基板に均等に超音波を当てゝ洗浄を行うことが必
要であるが、これと共に純水の交換を効率的に行うこと
が必要である。
被処理基板に均等に超音波を当てゝ洗浄を行うことが必
要であるが、これと共に純水の交換を効率的に行うこと
が必要である。
【００１２】然し、洗浄槽の底部に純水の供給口を設け
てオーバフローさせる方法では槽内に被洗浄物の淀みを
生じており、そのために洗浄に時間を要していることが
問題で、この解決が課題である。
てオーバフローさせる方法では槽内に被洗浄物の淀みを
生じており、そのために洗浄に時間を要していることが
問題で、この解決が課題である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は底面に複数
の超音波振動子を配置してある洗浄槽に純水を供給しつ
ゝ被処理基板を浸漬し、この基板に超音波振動を与えて
洗浄を行う洗浄方法において、洗浄槽の一方の対向面に
スリット状ノズルを複数段設け、このノズルを通じて純
水の供給を行うことを特徴として基板の洗浄方法を構成
することにより解決することができる。
の超音波振動子を配置してある洗浄槽に純水を供給しつ
ゝ被処理基板を浸漬し、この基板に超音波振動を与えて
洗浄を行う洗浄方法において、洗浄槽の一方の対向面に
スリット状ノズルを複数段設け、このノズルを通じて純
水の供給を行うことを特徴として基板の洗浄方法を構成
することにより解決することができる。
【００１４】
【作用】本発明は洗浄槽の中に対流による淀みを生ずる
ことなく均等に純水を供給する方法として供給口をスリ
ット状とし、且つ多段に設けるものである。
ことなく均等に純水を供給する方法として供給口をスリ
ット状とし、且つ多段に設けるものである。
【００１５】図１は本発明に係る洗浄槽の構成を示すも
ので、同図（Ａ）は底面に設けてある振動子１と本発明
に係る純水を供給するスリット形成位置７との関係を示
している。
ので、同図（Ａ）は底面に設けてある振動子１と本発明
に係る純水を供給するスリット形成位置７との関係を示
している。
【００１６】また同図（Ｂ）はスリット８が形成されて
いる側の側面図で、洗浄槽９の側面の幅に近い長さをも
つスリット８を複数段（この図では三段）作り、下に行
くに従って幅広くなるように構成する。
いる側の側面図で、洗浄槽９の側面の幅に近い長さをも
つスリット８を複数段（この図では三段）作り、下に行
くに従って幅広くなるように構成する。
【００１７】このようにして、スリット８の外側より純
水を供給すると、同図（Ｃ）の矢印１０に示すような流
れとなることから淀みがなくなり、これにより洗浄時間
を短縮することが可能となる。
水を供給すると、同図（Ｃ）の矢印１０に示すような流
れとなることから淀みがなくなり、これにより洗浄時間
を短縮することが可能となる。
【００１８】
【実施例】洗浄槽の横，縦の内面寸法をそれぞれ２００
ｍｍとして図１の形状をもつ洗浄槽をステンレスを用
いて形成し、スリットの長さは１５０ ｍｍとし、上段
の幅は１ｍｍ ，中段は２ｍｍ、また下段は３ｍｍの幅
に形成した。
ｍｍとして図１の形状をもつ洗浄槽をステンレスを用
いて形成し、スリットの長さは１５０ ｍｍとし、上段
の幅は１ｍｍ ，中段は２ｍｍ、また下段は３ｍｍの幅
に形成した。
【００１９】また、底面に４個の振動子を装着して発振
機に回路接続した。そして、従来と同様に毎分１０リッ
トルの流量で比抵抗が２０ ＭΩの純水を供給して上部
よりオーバフローさせながら、１００ＫＨｚの周波数で
振動子を発振させ、この状態でレチクル・マスクを浸漬
して超音波洗浄を行った。
機に回路接続した。そして、従来と同様に毎分１０リッ
トルの流量で比抵抗が２０ ＭΩの純水を供給して上部
よりオーバフローさせながら、１００ＫＨｚの周波数で
振動子を発振させ、この状態でレチクル・マスクを浸漬
して超音波洗浄を行った。
【００２０】その結果、純水の比抵抗が元の値に復する
のが約２分で済み、これにより洗浄時間の大幅な短縮が
可能となった。
のが約２分で済み、これにより洗浄時間の大幅な短縮が
可能となった。
【００２１】
【発明の効果】本発明の実施により洗浄槽の中に淀みの
発生をなくすることができ、これにより、洗浄時間の短
縮ができると共に、被処理基板の品質向上も可能となる
。
発生をなくすることができ、これにより、洗浄時間の短
縮ができると共に、被処理基板の品質向上も可能となる
。
【図１】本発明に係るレチクル・マスクの洗浄槽の構成
図である。
図である。
【図２】従来の洗浄槽の構成を示す断面図である。
【図３】従来の洗浄槽の構成を示す別の断面図である。
２ 給水口
３ 純水
４ 側溝
６ 淀み
７ スリット形成位置
８ スリット
９ 洗浄槽
Claims (2)
- 【請求項１】 底面に複数の超音波振動子を配置して
ある洗浄槽に純水を供給しつゝ被処理基板を浸漬し、該
基板に超音波振動を与えて洗浄を行う洗浄方法において
、該洗浄槽の一方の対向面にスリット状ノズルを複数段
設け、該ノズルを通じて純水の供給を行うことを特徴と
する基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 洗浄槽の対向面に複数段設けられてい
る前記スリット状ノズルの開口幅が下段に行くに従って
大きく構成されていることを特徴とする請求項１記載の
基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046291A JPH04245432A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046291A JPH04245432A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04245432A true JPH04245432A (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=11750803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1046291A Withdrawn JPH04245432A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04245432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240938B1 (en) | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP1046291A patent/JPH04245432A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240938B1 (en) | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |